Nombre del alumno: Diaz

Hernández Gonzalo
Carrera: Ingeniería electrónica
sexto semestre
Maestro: Solís Peniche Jorge
Antonio
Materia: diseño con
transistores
Escuela: Instituto Tecnológico
de San Juan del Rio
Investigación de la
configuración Darlington
Una conexión muy popular de dos transistores de unión bipolar que opera como un
transistor “súper beta” es la conexión Darlington. La característica principal de la
conexión Darlington es que el transistor compuesto actúa como una sola unidad con
una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de los
transistores individuales.

Principales características

El montaje o configuración de transistores bipolares "Darlington" es un tipo especial

de configuración en Emisor Común (o también en Colector Común) que tiene una
altísima ganancia de corriente. Está compuesto por dos transistores bipolares
comunes que se conectan es cascada.

Ventajas

• La ganancia de corriente de este transistor es alta

• La impedancia de entrada de este circuito es alta
• Están ampliamente disponibles en un solo paquete
• La configuración del circuito es fácil y muy conveniente.

Desventajas

• La velocidad de cambio es lenta

• Ancho de banda estrecho
• El voltaje del emisor base es alto
• El voltaje de saturación es alto, lo que puede conducir a altos niveles de
disipación de potencia en ciertas aplicaciones.
Aplicaciones

Con todo, el "transistor Darlington" es ampliamente utilizado en control de motores,

regulación de c.c., accionadores de relés, incluso amplificadores de potencia de
audio… y en cualquier sistema electrónico que se necesite controlar una gran
intensidad con una intensidad muy pequeña.

Beta de configuración

Si la conexión se hace con dos transistores distintos con ganancias de corriente de

b1 y b2, la conexión Darlington proporciona una ganancia de corriente de:

ββD = β1 β2

Si los dos transistores se acoplan de modo que b1 y b2, la conexión Darlington

proporciona una ganancia de corriente d:

βD = β2

Una conexión Darlington proporciona un transistor con una ganancia de corriente

muy grande, por lo general de unos miles.

Polarización de corriente directa

En la siguiente figura se muestra un circuito Darlington básico. Se utiliza un

transistor Darlington de muy alta ganancia de corriente 𝛽𝐷 . La corriente de base se
V − VBE
calcula a partir de IB = RCC+ β
B D RE

Aunque esta ecuación es la misma que la de un transistor regular, el valor de 𝛃𝐃 es

mucho más grande lo mismo que el valor de 𝐕𝐁𝐄. La corriente de emisor es
entonces: IE = (βD + 1)IB ≈ βD IB

Los voltajes de cd son: VE = IE RE VB = VE + VBE

Circuito equivalente de corriente alterna

En la siguiente figura se muestra un circuito en emisor seguidor Darlington. La señal

de entrada de ca se aplica a la base del transistor Darlington por conducto del
capacitor C1, con la salida de ca 𝑉𝑜 obtenida desde el emisor por conducto del
capacitor C2. Al no haber una carga 𝑅𝐿 , la corriente de salida 𝐿𝑜 se define a través
de 𝑅𝐸 .

Impedancia de entrada
La impedancia de entrada se determina utilizando la red equivalente de la figura
siguiente. Inicialmente asignaremos a cada transistor sus propios parámetros para
que el efecto de cada uno sea fácil de examinar.

Como se definió en la figura anterior: 𝑍𝑖2 = 𝛽2 (𝑟𝑒2 + 𝑅𝐸 ) 𝑍𝑖1 = 𝛽1 (𝑟𝑒1 + 𝑍𝑖2 )

De modo que 𝑍𝑖1 = 𝛽1 (𝑟𝑒1 + 𝛽2 ((𝑟𝑒2 + 𝑅𝐸 ))

Suponiendo: 𝑅𝐸 >> 𝑟𝑒2

Y: 𝑍𝑖1 = 𝛽1 (𝑟𝑒1 + 𝛽2 𝑅𝐸 ) 𝛽2 𝑅𝐸 >> 𝑟𝑒1

Como: 𝑍𝑖1 ≅ 𝛽1 𝛽2 𝑅𝐸 𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝑍𝑖

Y como: 𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝛽1 𝛽2 𝑅𝐸

Para: 𝛽1 = 𝛽2 = 𝛽 𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝛽2 𝑅𝐸

O utilizando 𝛽𝐷 de la hoja de especificaciones, donde 𝛽𝐷 = 𝛽1 𝛽2

𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝛽𝐷 𝑅𝐸

Ganancia de corriente

La ganancia de corriente se determina con la red equivalente de la siguiente figura.

Se ignora la impedancia de salida de cada transistor y se emplean sus parámetros.
Resolviendo para la corriente de salida: 𝐼0 = 𝐼𝑏2 + 𝛽2 𝐼𝑏2 = (𝛽2 + 1)𝐼𝑏2

Con 𝐼𝑏2 = 𝛽1 𝐼𝑏1 + 𝐼𝑏1 = (𝛽1 + 1)𝐼𝑏1

Entonces: 𝐼0 = (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1) 𝐼𝑏1

Aplicando la regla del divisor de voltaje al circuito de entrada:

𝑅𝐵 𝑅𝐵
𝐼𝑏1 = 𝐼𝑖 = 𝐼
𝑅𝐵 + 𝑍𝑖 𝑅𝐵 + 𝛽1 𝛽2 𝑅𝐸 𝑖

𝑅𝐵
𝐼0 = (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1) ( )𝐼
𝑅𝐵 + 𝛽1 𝛽2 𝑅𝐸 𝑖

𝐼 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)𝑅𝐵

Y de modo que: 𝐴𝑖 = 𝐼10 = 𝑅𝐵 + 𝛽1 𝛽2 𝑅𝐸

Utilizando 𝛽1 , 𝛽2 ≫ 1

𝐼 𝛽1 𝛽2 𝑅𝐵
𝐴𝑖 = 𝐼10 ≅ 𝑅
𝐵 + 𝛽1 𝛽2 𝑅𝐸

𝐼 𝛽𝐷 𝑅𝐵
O puede ser: 𝐴𝑖 = 𝐼10 ≅ 𝑅
𝐵 + 𝛽𝐷 𝑅𝐸

Ganancia de voltaje

La ganancia de voltaje se determina utilizando la figura anterior y la siguiente

𝛽𝐷 𝑅𝐵 𝑅𝐸
derivación: 𝑉0 = 𝐼0 𝑅𝐸 𝑉𝑖 = 𝐼𝑖 (𝑅𝐵 ||𝑍𝑖 ) 𝑅𝐵 ||𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝛽𝐷 𝑅𝐸 = 𝑅𝐵 + 𝛽𝐷 𝑅𝐸
 𝑅𝐸
𝑉0 𝐼0 𝑅𝐸 𝑅𝐸 𝛽𝐷 𝑅𝐵 𝛽𝐷 𝑅𝐵𝑅𝐸
Y 𝐴𝑣 = = 𝐼 (𝑅 = (𝐴1 ) (𝑅 )=[ ][ ] = 1 (aproximado) en
𝑉1 𝑖 𝐵 ||𝑍𝑖 ) 𝐵||𝑍𝑖 𝑅𝐵 + 𝛽𝐷 𝑅𝐸 𝑅𝐵 + 𝛽𝐷 𝑅𝐸

realidad menor que uno. El cual es un resultado esperado para la configuración en

emisor seguidor.

Impedancia de salida

La impedancia de salida se determinará regresando a la figura de la ganancia de

corriente y estableciendo Vi igual a cero volts como se muestra en la figura de a
continuación. El resistor está “en cortocircuito” y el resultado es la configuración de
la figura 5.83. Observe en las figuras de a continuación que la corriente de salida se
redefinió para que concordara con la nomenclatura estándar y Zo correctamente
definida.

En el punto a la ley de la corriente de Kirchhoff dará 𝐼0 + (𝛽2 + 1)𝐼𝑏2 = 𝐼𝑒 𝐼0 = 𝐼𝑒 −

(𝛽1 + 1)𝐼𝑏2

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de toda la malla externa

obtendremos: −Ib1 β1 re1 − Ib2 β2 re2 − V0 = 0 y V0 − Ib1 β1 re1 + Ib2 β2 re2
sustituyendo:

Ib2 = (β1 + 1)Ib1

V0 = − Ib1 β1 re1 − (β1 + 1)Ib1 β2 re2 = −Ib1 [β1 re1 + (β1 + 1)β2 re2 ]

𝑉0
Y 𝐼𝑏1 = − 𝛽
1 𝑟𝑒1 +(𝛽1 +1)𝛽2 𝑟𝑒2

𝑉0
Con 𝐼𝑏2 − (𝛽1 + 1)𝐼𝑏1 − (𝛽1 + 1)[− 𝛽 ]
1 𝑟𝑒1 +(𝛽1 +1)𝛽2 𝑟𝑒2
 𝛽1 +1
De modo que 𝐼𝑏2 = −[𝛽 ]𝑉0
1 𝑟𝑒1 +(𝛽1 +1)𝛽2 𝑟𝑒2

(𝛽1 +1)𝑉0
Regresando 𝐼0 = 𝐼𝑒 − (𝛽2 + 1)𝐼𝑏2 = 𝐼𝑒 − (𝛽2 + 1)(𝛽 )
1 𝑟𝑒1 +(𝛽1 +1)𝛽2 𝑟𝑒2

𝑉 (𝛽1 +1)(𝛽2 +1)𝑉0

O 𝐼0 = 𝑅0 + 𝛽
𝐸 1 𝑟𝑒1 +(𝛽1 +1)𝛽2 𝑟𝑒2

Como 𝛽1 , 𝛽2 ≫ 1

𝑉0 𝛽1 𝛽2 𝑉0 𝑉0 𝑉0
𝐼0 = + = +
𝑅𝐸 𝛽1 𝑟𝑒1 + 𝛽1 𝛽2 𝑟𝑒2 𝑅𝐸 𝛽1 𝑟𝑒1 + 𝛽1 𝛽2 𝑟𝑒2
𝛽1 𝛽2 𝛽1 𝛽2

𝑉0 𝑉0
𝐼0 = +𝑟
𝑅𝐸 𝑒1
𝛽2 + 𝑟𝑒2

La cual define la red de resistencias en paralelo de la siguiente figura

𝑟
En general 𝑅𝐸 ≫ ( 𝛽𝑒1 + 𝑟𝑒2 ) de modo que la impedancia de salida se define como
2
𝑟𝑒1
𝑍0 = + 𝑟𝑒2
𝛽2

Trabajos citados
BOYLESTAD, R. L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electronicos . México :
Pearson .