CUESTIONARIO SOBRE FET
1.- ¿Cuáles son las diferencias entre el transistor BJT y FET?
- Los transistores BJT son bipolares, se controla usando la corriente de entrada, mientras
que el FET es unipolar, se controla usando el voltaje de entrada y la impedancia en el
transistor FET es mayor.
2.- ¿Cuál es la clasificación de los transistores FET?
Se clasifica en JFET y MOSFET.
3.- ¿Que describe el voltaje denominado 𝑽𝒑 o voltaje de estrangulamiento en el
JFET?
Es la tensión de compuertas que produce el corte en el JFET.
4.- ¿En qué condiciones de 𝑽𝑮𝑺 se establece el valor de 𝑰𝑫𝑺𝑺?
Cuando VGS es igual a 0V
5.- ¿Que sucede con 𝑰𝑫 cuando 𝑽𝑮𝑺 es igual a −𝑽𝒑?
Si VGS alcanza determinado valor negativo, la corriente de drenaje se corta.
6.- ¿Qué elemento es el responsable de la muy deseable alta impedancia del
MOSFET?
Dióxido de silicio
7.- ¿De qué valor es la corriente de 𝑰𝑮 en el MOSFET?
La intensidad de puerta IG es cero.
8.- ¿Cuál es la principal diferencia entre la construcción de un MOSFET tipo
empobrecimiento a los de tipo enriquecimiento?
Tiene un canal tipo N, se utiliza con una compuerta positiva y una negativa. Cuando la
compuerta es positiva, el MOSFET funciona en la modalidad de enriquecimiento; si es
negativa, en la modalidad de empobrecimiento.
9.- Explique los símbolos de los JFET canal N y P, y los diferentes MOSFET,
indicando cómo podemos diferenciarlos de acuerdo con su construcción y
operación.
Los tipos canal N se encuentran integrados internamente en gran parte por el material
de tipo N formando el canal entre las capaz del material P. En la parte superior del canal
de material tipo N se encuentra conectado a un contacto óhmico el cuales conoce como
el terminal D (Drenaje o Drain).
Ahora en la parte inferior del canal del material tipo N se encuentra otro contacto óhmico
conocido como terminal F (Fuente) en o S (Source).
Finalmente, los materiales de tipo P se encuentran conectados entre sí y conectados a
un contacto óhmico que es el terminal G (Gate o Puerta).
El cómo se encuentra integrado internamente los transistores fets de canal P, es
completamente igual a lo anterior descrito, solamente que donde el material es N en este
caso será material tipo P y viceversa.
Son distintos en su forma y funcionamiento. En cuanto asu construcción el MOSFET
puede ser:
• De tipo empobrecimiento.
• De tipo enriquecimiento.
En el MOSFET de tipo enriquecimiento no existe canal entre el drenaje y la fuente; el
drenaje tipo N y la fuente están separados por un sustrato tipo P. En el MOSFET de tipo
enriquecimiento no existe canal entre el drenaje y la fuente; el drenaje tipo N y la fuente
están separados por un sustrato tipo P.
Dado que la compuerta es positiva, en el El MOSFET de la figura siguiente se
sustrato aparecen cargas negativas, construye de igual manera que el del tipo
entre el drenaje y la fuente, creando así enriquecimiento, sólo con una excepción.
un canal N que permitirá el paso de la El MOSFET de la figura anterior tiene un
corriente en el circuito entre la fuente y el canal tipo N, se utiliza con una compuerta
drenaje. El MOSFET de tipo positiva y una negativa. Cuando la
enriquecimiento de canal N sólo conduce compuerta es positiva, el MOSFET
cuando la compuerta es positiva respecto funciona en la modalidad de
de la fuente. Se corta cuando la enriquecimiento; si es negativa, en la
polarización es cero, o si hay polarización modalidad de empobrecimiento.
entre la compuerta y la fuente
10.- Investigue sobre los siguientes dispositivos (símbolo, construcción,
funcionamiento, aplicaciones, etc.):
VMOS; Transistor de potencia de efecto de campo.
Construcción:
En la construcción física son los mismos elementos del MOSFET plano; la conexión
superficial metálica con las terminales del dispositivo, la capa de Si02entre la compuerta
y la región tipo P entre el drenaje y la fuente para que crezca el canal N inducido en modo
de enriquecimiento.
Funcionamiento:
Las capas de difusión se pueden controlar a pequeñas fracciones de un micrómetro.
Como las longitudes decrecientes del canal reducen los niveles de resistencia, el nivel
de disipación de potencia del dispositivo (potencia perdida en forma de calor) a niveles
de corriente de operación se reducirá. Además, el modo de construcción vertical reduce
en gran medida el área de contacto entre el canal y la región tipo n, lo que contribuye a
una reducción adicional del nivel de resistencia y al incremento del área para el flujo de
corriente entre las capas de dopado. También están las dos trayectorias de conducción
entre el drenaje y la fuente, que contribuyen aún más a la elevación del valor de la
corriente. El resultado es un dispositivo con corrientes de drenaje capaces de alcanzar
niveles de potencia de más de 10 W.
Simbología:
Aplicaciones:
Los VMOS pueden emplearse como salida de un amplificador de potencia de audio o
radio frecuencia, alimentación de un regulador de conmutación y aplicaciones
industriales. Uno de los principales inconvenientes del dispositivo de potencia VMOS es
que la estructura es más complicada que un FET tradicional y esto lo hace un más
costoso.
CMOS.
Construcción:
No contienen partes metálicas pues están compuestos de polisilicio. La parte
“complementaria" de CMOS se refiere a los dos tipos diferentes de semiconductores que
contiene cada transistor: tipo N y tipo P. Los semiconductores de tipo N tienen una mayor
concentración de electrones que agujeros, o lugares donde podría existir un electrón.
Los semiconductores de tipo P tienen una mayor concentración de agujeros que los
electrones. Estos dos semiconductores trabajan juntos y pueden formar puertas lógicas.
Funcionamiento:
Su principal función y ventaja a la vez sobre sus análogos es su disipación de potencia
mucho menor, pues casi no tiene disipación de potencia estática, al igual que un mejor
rendimiento sobre estos. En la tecnología CMOS, se utilizan transistores de tipo N y tipo
P para diseñar funciones lógicas. La misma señal que enciende un transistor de un tipo
se usa para apagar un transistor del otro tipo. Esta característica permite el diseño de
dispositivos lógicos utilizando solo interruptores simples, sin la necesidad de una
resistencia de pull-up.
En las puertas lógicas CMOS, una colección de MOSFET de tipo n está dispuesta en
una red desplegable entre la salida y el riel de suministro de energía de bajo voltaje. En
lugar dela resistencia de carga de las puertas lógicas NMOS, las puertas lógicas CMOS
tienen una colección de MOSFET tipo p en una red de pull-up entre la salida y el riel de
mayor voltaje.
El CMOS ofrece una velocidad relativamente alta, baja disipación de potencia, altos
márgenes de ruido en ambos estados y funcionará en una amplia gama de voltajes de
entrada y fuente (siempre que el voltaje de la fuente sea fijo).
Simbología:
Aplicaciones:
Fabricación de procesadores, aplicaciones generales de lógica digital y en la fabricación
de principalmente circuitos integrados como:
• Memorias de ordenador, CPUs
• Microprocesadores.
• Chips de memoria flash.
• Circuitos integrados de aplicaciones específicas (ASIC)
MESFET
Construcción:
Se fabrica a partir de arseniuro de galio a granel con la ayuda de un otolito grafía de alta
resolución y un método de implantación de iones en un sustrato de GaAs semiaislante.
A pesar de su gran similitud con los MOSFET de silicona, su constitución por un diodo
Schottky en la región de la puerta que separa la fuente y el drenaje, conectados por
contactos óhmicos, genera un factor disociativo.
Tanto los MESFET tipo D como los tipos E, es decir, los dispositivos 'ON' y 'OFF',
funcionan mediante el agotamiento de un canal dopado existente, proporcionando la
base para extender al arsénico de galio a la metodología de diseño utilizada en el silicio
para simplificar el circuito como el diseño del sistema y los problemas de diseño. Así de
manera general el MESFET consiste en un canal conductor posicionado entre una fuente
y una zona de contacto de drenaje, donde el flujo portador de la fuente al drenaje es
controlado por una puerta de metal Schottky, el cual se obtiene variando el ancho de la
capa de agotamiento debajo del contacto metálico; lo que modula el grosor del canal y
por lo tanto la corriente.
Funcionamiento:
Posee dos formas de funcionamiento:
•Modo de mejora MESFET:
La región de agotamiento es lo suficientemente ancha como para eliminar el canal sin
tensión aplicada, por lo tanto, el modo de mejora MESFET está inicialmente desactivado.
Cuando se aplica una tensión positiva entre la puerta y la fuente, la región de agotamiento
se reduce y el canal se vuelve conductor, no obstante, un voltaje positivo de puerta a
fuente pone al diodo Schottkyen polarización directa, donde puede fluir una gran
corriente.
•Modo de agotamiento MESFET:
Actúa como conductor cuando no se aplica voltaje de puerta a fuente y actúa como
circuito abierto al aplicarse un voltaje negativo de puerta a fuente, que aumenta el ancho
de la región de agotamiento de tal manera que se estrangula el canal.
Aplicaciones:
Sus principales aplicaciones radican en la fabricación de sistemas de semiconductores,
comunicaciones militares tales como el amplificador frontal de bajo nivelde ruido de los
receptores de microondas, tanto en los dispositivos de radar militares comoen la
comunicación, la optoelectrónica comercial, la comunicación por satélite, como
amplificador de potencia para la etapa de salida de los enlaces de microondas, como un
oscilador de potencia, entre otros.
Simbología:
