INGENIERÍA BIOMÉDICA. DIGITALES. AGOSTO 2022.
Zona de corte y saturación del BJT
Resumen–Esta práctica tiene como objetivo implementar los
circuitos de polarización necesarios para que el transistor
trabaje en la zona activa, a través del montaje de 3 circuitos
distintos, una vez hallados los valores de las resistencias
requeridas. Todo esto mediante cálculos matemáticos vistos en
clase, para la estimación de distintos valores, como el de beta (
β).
Palabras clave–transistores, BJT, polarización, zona activa.
Abstract–This practice aims to know, design and implement
the polarization circuits necessary for the work of the transistor
in the activation zone, through the assembly of 3 different
circuits, once the values of the required resistors have been
found. All this by means of mathematical calculations seen in
class, for the estimation of different values, such as beta (β).
Keywords–transistors, BJT, polarization, active region.
Figura 1. Polarización fija
I. INTRODUCCIÓN
La práctica tiene como objetivo conocer, diseñar e
implementar los circuitos de polarización necesarios para el
trabajo del transistor en la zona de activación. De acuerdo a
la guía del laboratorio, se tendrán en cuenta tres
montajes o guía del laboratorio, se tendrán en cuenta
tres montajes o configuraciones diferentes para llevar a
cabo la correcta polarización del transistor: emisor común
de polarización fija, emisor común realimentado por colector
y en configuración universal.
II. MARCO TEÓRICO
Los circuitos de emisor común de polarización fija se
denominan de esta manera porque el emisor es común tanto a
las terminales de entrada como a las de salida. Al de emisor
común de realimentación por colector en el caso del último Figura 2. Emisor común de realimentación por
se alimenta la base al conectarla luego de la resistencia de colector
colector (𝑅 ). Por último, la principal característica de la
𝐶
configuración universal es el divisor de voltaje que hay a la
entrada de la base. A continuación se colocarán unas Figura 3. Emisor común de realimentación por
colector
imágenes que resumen las características de estas
configuraciones.
III. SIMULACIÓN
IV. CÁLCULOS
Para los cálculos se tuvieron en cuenta tres criterios:
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1. Criterio A: 𝑅𝑐 = 510Ω 𝑦 𝑅𝑒 = 75Ω [Link] isor-
2. Criterio B: 18 Vcc [Link]?m=1
3. 50% de Vcc
Emisor
𝐼𝑐
β= 𝐼𝑏
(1)
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = 𝑅𝑐+𝑅𝑒
V. RESULTADOS Y ANÁLISIS
VI. CONCLUSIONES
A partir de los resultados obtenidos, se pudo observar
que:
VII. REFERENCIAS
[1] Espinel, L. Electrónica análoga. Instituto Tecnológico de
Soledad Atlántico – ITSA (958-57393) – 2007. ISBN 978-
958-98336-4-3. Available:
[Link]
[Link]
[2] Transistor BJT Electrónica digital. Garcia, A., Groh, S.,
Persson, A., 2016. Available:
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/[Link].
[3] Universidad del País Vasco. Tema 4. El transistor de unión
bipolar BJT, 2009.
[4] M. Zamora y G. Villalba, Transistores de Unión Bipolar
(BJT). Murcia: Universidad de Murcia, 2010.
[5] Universidad Nacional del Sur, Transistor Bipolar.
Argentina.
[6] E. Sanchis, El transistor bipolar. Valencia: Universidad de
Valencia, 2008.
[Link]
[Link]?m
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