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Estructura y Simulación de MOSFETs

El documento presenta una investigación sobre los transistores MOSFET de canal N y P, de enriquecimiento y empobrecimiento. Explica las diferencias entre estos tipos de MOSFET e incluye una tabla comparativa de sus simbologías. También describe una simulación para caracterizar un MOSFET de enriquecimiento 2N7000 midiendo la corriente de drenaje a diferentes voltajes de compuerta y drenaje, y graficando los resultados para identificar las zonas de trabajo del transistor.

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Ricardo Lopez
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Estructura y Simulación de MOSFETs

El documento presenta una investigación sobre los transistores MOSFET de canal N y P, de enriquecimiento y empobrecimiento. Explica las diferencias entre estos tipos de MOSFET e incluye una tabla comparativa de sus simbologías. También describe una simulación para caracterizar un MOSFET de enriquecimiento 2N7000 midiendo la corriente de drenaje a diferentes voltajes de compuerta y drenaje, y graficando los resultados para identificar las zonas de trabajo del transistor.

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Nombre completo del alumno Firma

Oscar Tovar Mendoza OTM


N.º de brigada Fecha de elaboracion Grupo
19 7 de abril de 2022 06
Dibujar la estructura del transistor MOSFET canal N y canal P.

Investigar la diferencia entre MOSFET de enriquecimiento y empobrecimiento.

Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los


MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del MOSFET
tipo enriquecimiento son muy diferentes, la curva de transferencia no está definida por la
ecuación de Shockley y la corriente de drenaje ahora es la de corte hasta que el voltaje de la
compuerta a la fuente alcance una magnitud específica. En particular, el control de corriente
en un dispositivo de canal n ahora se ve afectado por un voltaje positivo de la compuerta a la
fuente en lugar de por los voltajes negativos encontrados en los JFET de canal n y en los
MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

Generar una tabla comparativa con las distintas simbologías usadas para representar
al transistor MOSFET canal N y canal P, tanto de enriquecimiento como de
empobrecimiento.
Enriquecimiento Empobrecimiento
Canal N

Canal P
Simular el siguiente circuito de caracterización:

NOTA: Obtener el V T (Voltaje de umbral o voltaje Threshold) de la hoja de


especificaciones del MOSFET de enriquecimiento 2N7000 y usar un valor intermedio
del intervalo posible.
Ajuste las fuentes de voltaje para tener al mismo tiempo los voltajes V GS y V DS
que se indican en la tabla 1 y mida respectivamente la corriente I D.

V T =2.1 v

V GS=0 V V GS=2 V V GS=3 V V GS=4 V V GS=5 V


V DS (Volts) I D 1 [mA ] I D 2 [mA ] I D 3 [mA ] I D 4 [mA ] I D 5 [mA ]
0.5 0.000005 0.000005 6.5 16.5 26.5
1 0.00001 0.00001 8.1 28 48
2 0.00002 0.00002 8.1 36.1 76
4 0.00004 0.00004 8.1 36.1 84.1
6 0.00006 0.00006 8.1 36.1 84.1
8 0.00008 0.00008 8.1 36.1 84.1
10 0.0001 0.0001 8.1 36.1 84.1

Link de la simulación:
https://tinyurl.com/ybxmytye
-Graficar los resultados ( V DS vs ID ) sobre el mismo plano cartesiano

-Señalar en la gráfica anterior las diferentes zonas de trabajo del transistor MOSFET.
Referencias
• Floyd, T. L., & Salas, R. N. (2008). Dispositivos electrónicos 8ED. Pearson Educación.
• Boylestad, R. L., Nashelsky, L., & Salas, R. N. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos. Pearson Educación.

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