PROGRAMA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA - UNAB
CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Nombre del Estudiante: Sergio Andres Motta Mejia. ID: U00130532
Edwin David Diaz Garcia. ID: U00129474
Un cordial saludo. Bienvenido al laboratorio 5 de Electrónica Análoga. El objetivo de este laboratorio es verificar
el comportamiento del transistor bipolar NPN, tanto en su región activa como saturada.
MATERIAL NECESARIO PARA LOS QUE VAYAN A HACER EL LABORATORIO PRESENCIAL
• Transistor NPN 2N2222A
• Resistencias de 1KΩ, 10KΩ de 1 o 1/2 Watt
• Dos pares de cables para fuente DC.
• Equipo: Multimetro digital, fuentes de alimentación
TRABAJO PREVIO
• Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base, colector). Coloque en este
informe una foto con la disposición de los pines.
•
Imagen#1. Transistor 2N2222 NPN
• Investigar que significa cada uno de los siguientes parámetros de la hoja técnica de un transistor NPN:
máxima corriente de colector (ICMAX), factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta), máximo voltaje
colector emisor (VCEMAX), máximo voltaje base emisor (VBEMAX) y máxima potencia de disipación (PD).
+ ICMAX: Esta es la corriente de saturación, es decir, la corriente que arrojaría
• Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el valor correspondiente a
cada parámetro proporcionado en la hoja de especificaciones del fabricante.
Máxima corriente de colector (ICMAX) 1A
Factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta) 300MHz
Máximo voltaje colector emisor (VCEMAX) 50V
Máximo voltaje base emisor (VBEMAX) 6V d.c
Máxima potencia de disipación (PD) 625mW
TRABAJO EN CLASE.
1. Implemente / simule el circuito de la figura 1 para RB=10KΩ, RC=1KΩ
Figura 1
Fije la fuente VC en 10 voltios y ajuste la tensión de la fuente V B para obtener los valores de corriente de base (I B
microamperios) en los rangos que se indican en la siguiente tabla.
Tabla 1. Característica voltaje VBE – corriente IB
IB (μA) 10 μA 20 μA 30 μA 40 μA 50 μA 60 μA 70 μA 80 μA 90 μA 100 μA
VB (Voltios) 748m 865m 976m 1.08 1.19 1.29 1.39 1.49 1.59 1.69
VBE 0.645 0.665 0.676 0.684 0.689 0.689 0.69 0.69 0.69 0.69
Cada valor de la fila VBE se halla mecánicamente, fijando el respectivo valor de tensión en la fuente VB de
acuerdo al valor de corriente IB que le corresponde.
Tabla#1. Relación Ib - VB
Circuito#1 Relación Ib – VB
2. Para el circuito de la figura 1, con RB=10KΩ, RC=1KΩ haga V B=0 para que IB=0. Luego comience a variar
la fuente VC para que el voltaje colector emisor (V CE) tome cada uno de los valores indicados en la columna
1 de la tabla 2. Para cada uno de estos valores, mida y registe en la columna 2 de la tabla 2 la corriente de
colector Ic. Una vez este diligenciada toda la columna, ajuste V B para que IB=
10 μA, y vuelva a variar la fuente V C para que el voltaje colector emisor (V CE) tome cada uno de los valores
indicados en la columna 1 de la tabla 2. Para cada uno de estos valores, mida y registe en la columna 3 de
la tabla 2 la corriente de colector Ic. Repita este procedimiento para los otros valores de IB y llene todas las
demás columnas.
Tabla 2. Característica voltaje VCE – corriente IC
IB1 = 0 μA IB2 = 10 μA IB3 = 20 μA IB4 = 30 μA IB5 = 40 μA IB6 = 50 μA
VCE
IC1 IC2 (mA) IC3 (mA) IC4 (mA) IC5 (mA) IC6 (mA)
0 0 0 0 0 0 0
1 10 nA 2.04 4.14 6.18 8.18 10.3
2 20 nA 2.06 4.18 6.24 8.26 10.4
3 30 nA 2.08 4.22 6.3 8.34 10.5
4 40 nA 2.1 4.26 6.36 8.42 10.6
5 50 nA 2.12 4.3 6.42 8.5 10.7
6 60 nA 2.14 4.34 6.48 8.58 10.8
7 70 nA 2.16 4.38 6.54 8.66 10.9
8 80 nA 2.18 4.42 6.6 8.74 11
9 90 nA 2.2 4.46 6.66 8.82 11.1
10 101 nA 2.22 4.5 6.73 8.9 11.2
11 110 nA 2.24 4.54 6.79 8.98 11.3
La tabla anterior se realizó en base a la siguiente gráfica:
gráfica #2 VCE y IC
La gráfica roja es el aumento de la tensión de VCE, de acuerdo a los puntos que nos piden en la tabla
(1,2,3,4,5…), se deben buscar estos valores en la línea roja. Y en ese mismo se debe buscar el valor de la
corriente IC en la gráfica azul que está en el orden de las milis.
3. Para el circuito de la figura 1, pero con una fuente V B=5V, calcule el valor de la resistencia de base limite en
el cual el circuito pasa de región de saturación a región activa. Luego de calcular esa resistencia consiga
una resistencia menor y otra mayor, y compruebe experimentalmente que el transistor está en región de
saturación con la resistencia menor y está en región activa con la resistencia mayor.
Cálculos realizados:
Ic ( sat )=Ic(act)
V cc 10 V
Ic ( sat )= = =10 mA
Rc 1 k Ω
Ic ( sat )=β ( VBB−VBE
RB )10 mA=100 (
RB )
5−0.7
RB=43 KOhm
Gráfica #3. Relación VC- RB
Experimentalmente la Resistencia límite para llegar a la corriente de saturación se debe hallar de la forma
más robusta, y esta es trazando una gráfica de VC respecto a la RB, en el momento en que el Vc se haga
positivo, esta será la Rlímite. En la simulación este valor es 95.2K Ohm
R Límite: 43KΩ [ Teórico ] ; 95.2 k Ω−[Experimental ]
Prueba experimental de que el transistor con la R límite
Resistencia de Base usada: 95.2K Ohm. Vce medido: 687m V. Ic medido: 9.31m A.
Prueba experimental de que el transistor está en región de saturación con la resistencia menor a la R límite:
Resistencia de Base usada: 70K Ohm. Vce medido: 200m V. Ic medido: 9.80m A.
Prueba experimental de que el transistor está en región activa con la resistencia mayor a la R límite:
Resistencia de Base usada: 120kOhm. Vce medido: 2.45V. Ic medido: 7.54mA.
TRABAJO FUERA DE CLASE.
1. Graficar los valores obtenidos en la tabla 1 (Característica voltaje V BE – corriente IB), en los ejes de I B vs VBE
(curva característica de entrada del transistor NPN). Puede usar Matlab o Excel. Especifique
adecuadamente los valores de los ejes X y Y. Adjunte la gráfica al informe.
VBE(voltios)
0.7
0.69
0.68
0.67
VE voltios
0.66
0.65
0.64
0.63
0.62
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Ib μA
Imagen #2. Característica voltaje VBE-IB
2. Con base en los datos obtenidos en la tabla 2 (Característica voltaje V CE – corriente IC) graficar los valores
obtenidos de las curvas I B en los ejes de IC vs VCE (curva característica de salida del transistor NPN). Puede
usar Matlab o Excel. Especifique adecuadamente los valores de los ejes X y Y. Adjunte la gráfica al
informe. En una sola gráfica deben quedar todas las curvas para cada IB diferente.
Imagen #3. Característica VCE-IC
S1=Ic[IB=0 μA] S2=Ic[IB=10 μA] S3=Ic[IB=20 μA] S4=Ic[IB=30 μA] S5=Ic[IB=40 μA] S6=Ic[IB=50 μA]
IC y diligencie 3. Con base en los datos obtenidos en la tabla 2, calcule la ganancia del transistor
IB la
siguiente tabla.
IB2 = 10 μA IB3 = 20 μA IB4 = 30 μA IB5 = 40 μA IB6 = 50 μA
VCE
β β β β β
0 - - - -
-
204.0 207.0 206.0 204.5
1
0 0 0 0 206.00
206.0 209.0 208.0 206.5
2
0 0 0 0 208.00
208.0 211.0 210.0 208.5
3
0 0 0 0 210.00
210.0 213.0 212.0 210.5
4
0 0 0 0 212.00
212.0 215.0 214.0 212.5
5
0 0 0 0 214.00
214.0 217.0 216.0 214.5
6
0 0 0 0 216.00
216.0 219.0 218.0 216.5
7
0 0 0 0 218.00
218.0 221.0 220.0 218.5
8
0 0 0 0 220.00
220.0 223.0 222.0 220.5
9
0 0 0 0 222.00
222.0 225.0 224.3 222.5
10
0 0 3 0 224.00
224.0 227.0 226.3 224.5
11
0 0 3 0 226.00
β
Promedio 214.00 217.00 216.06 214.50 216.00
Tabla 3. Característica voltaje VCE – β
ANÁLISIS DE ERRORES.
1. Consulte en la hoja de datos del transistor el valor de BETA, y si es posible, a diferentes valores de
corriente Ic. ¿Qué tan parecido es este valor teórico con valor experimental visto en este laboratorio?.
Haga el análisis del error.
2. Calcule la Ic Teórica con el transistor operando en región activa, para cada valor de I B de cada columna
de la tabla 4 (Recuerde que en región activa, IC=Beta*IB), pero usando el valor de Beta que aparece en
la hoja de datos para esta corriente. Registre este valor teórico en la tabla 4 junto con el valor de Beta
correspondiente. Compare estos datos con los valores experimentales hallados en la tabla 2 (valores
experimentales de corriente Ic) y en la tabla 3 (Valores experimentales de Beta).
Tabla 4. Cálculo de errores
Error
β de la Hoja Error Experimental
IC (mA)
Experimental de
Teórico
de β
de Datos IC
IB2 = 10 μA 300 3.00E-03 29% 29%
IB3 = 20 μA 300 6.00E-03 28% 28%
IB4 = 30 μA 300 9.00E-03 28% 28%
IB5 = 40 μA 300 1.20E-02 29% 29%
IB6 = 50 μA 300 1.50E-02 28% 28%
Valores Beta tomados de - FAIRSHILD PN2222A - https://www.electronicoscaldas.com/datasheet/PN2222A.pdf
PREGUNTAS
• ¿En qué condiciones se activa un transistor NPN?
Debe existir la suficiente tensión en VB para abrir el paso de corriente en Base-Emisor, esa tensión dependerá
del tipo de diodo que tenga el transistor y su correspondiente voltaje de barrera.
• ¿Cómo podríamos determinar cuáles son los terminales de un transistor NPN utilizando un
multímetro digital?
La primera terminal que se debe identificar es la Base. Se asume que el transistor es NPN, es decir, la Base es
positiva. Se ajusta el multímetro para medir resistencias, y se empieza a buscar cuál terminal poniéndole el
medidor positivo, marca una resistencia respecto a las otras dos terminales. Para saber cuál es la terminal de
colector, esta será la terminal que registre menos resistencia, la otra será el Emisor. Si se asume que el
transistor es de tipo PNP, se debe buscar la Base con la terminal medidora del multímetro negativa. Y la única
forma de confirmar si se ha asumido correctamente el tipo de transistor será que haya únicamente una terminal
que registre resistencia respecto a las otras dos.
• Determine la ganancia promedio del transistor NPN en la zona activa, a partir de la tabla 3, y
compare este valor con el dato que se encuentra en el datasheet.
Experimentalmente la Ganancia Beta es igual a 215
Teóricamente la ganancia Beta para cualquier IC es igual a 300
• ¿En qué condiciones opera un transistor BJT en zona de saturación?
Cuando la corriente IB es suficiente para igualar la corriente máxima que ofrece la fuente VCC. Es decir, cuando
Ic(act) = Ic(sat).
• ¿En qué condiciones opera un transistor BJT en zona activa?
Aquí la corriente del colector será dependiente principalmente de la corriente Base, más exactamente de Beta.
Junto con las resistencias existentes, esta región es la más importante para manipular un transistor como un
amplificador de la señal.
+ Isat > Iact
Conclusiones
Escriba las conclusiones más importantes que obtuvo del desarrollo de la práctica de laboratorio.
