62.

Utilizando las técnicas de combinación de fuentes y resistencias como una ayuda para
obtener v x e i x en los circuitos de la figura 3.92.

10 Ω×15 Ω 20 Ω×5 Ω
Req 1= Req 2=
10 Ω+15 Ω 20 Ω+5 Ω

150 Ω 100 Ω
Req 1= Req 2=
25 Ω 25 Ω

Req 1=6 Ω Req 2=4 Ω

¿=4 A−1 A +6 A

¿=9 A

Req 3=14 Ω+6 Ω Req 4=4 Ω+6 Ω

Req 3=20 Ω Req 4=10 Ω

20 Ω×10 Ω
Req 5=
20 Ω+10 Ω

200 Ω
Req 5=
30 Ω

Req 5=6.66 Ω

VX
V X =¿ × RT I X=
RT
V X =9 A ×6.66 Ω 60 v
I X=
6.66 Ω
V X =60 v
I X =9.009 A
 63. Determinar Gent de cada una de las redes de la figura 3.93. Todos los valores de dan en
milisiemens.
1
Req 1= =1 Ω
1 1 1
+ +
6 2 3

50 Ω×30 Ω
Req 3= =22.22
50 Ω+30 Ω
Ω

30 Ω× 25 Ω
Req 3= =13.64
30 Ω+25 Ω

Gent ={ [ 6 ∥ 2 ∥ 3+0.5 ] ∥ 1.5 ∥2.5+0.8 } ∥ 4 ∥ 5 mS Gent =10+¿

(a) Gent ={ [ 1+0.5 ] ∥1.5 ∥ 2.5+ 0.8 } ∥ 4 ∥ 5 mS (b) Gent =10+22.22+13.64

Gent ={ 1.337 } ∥ 4 ∥ 5 mS Gent =135.9 mS

Gent =0.8502 mS=850.2 mS

66. El circuito de la figura 3.96 esta formado por varias resistencias conectadas en serie.
Utilizar el divisor de tensión para calcular que cantidad de tensión decae en la resistencia más
pequeña y en la más grande, respectivamente.

Req =10 Ω+2.2 Ω+47 Ω+10 Ω+5.8 Ω

Req =75 Ω

V 2.2Ω =10 ( 2.2 Ω

75 Ω ) V 47 Ω =10 ( 4775 ΩΩ )
V 47 Ω =6.267 mV
V 2.2Ω =293.2 mV
 67. Utilizar el divisor de tensión para calcular la
tensión en la resistencia de 47 kΩ de la figura 3.97.
R

33 kΩ× 47 kΩ
Req 2=
33 kΩ+47 kΩ

1551 kΩ
Req 2=
80 kΩ

Req 2=19.39 kΩ

Req 3=10 kΩ+1.5 kΩ+33 kΩ+ 19.39 kΩ

Req 3=63.89 kΩ

V 47 Ω =2 ( 19.39
63.89 kΩ )
kΩ

V 47 Ω =607.0 mV

68. Con referencia al Circuito que se muestra en la figura 3.98, utilizar el divisor de corriente
que fluye hacia abajo atreves de (a) la resistencia de 33Ω y (b) la resistencia de 134 Ω que se
encuentra a la derecha.

134 Ω× 134 Ω
Req 1=
134 Ω+134 Ω Req 2=67 Ω+33 Ω
17956 Ω Req 2=100 Ω
Req 1=
268 Ω

Req 1=67 Ω

( )
1
Req 3=
1 1 1
+ +
10 10 100 (b)
(a)
Req 3=4.76 Ω
( 571.4
I 134 Ω=
2 )

I 134 Ω=285.7 mA
 I 33 Ω=12 ( 14.76
100 )

I 33 Ω=571.4 mA
69. Aparentemente, a pesar del gran número de componentes del circuito de la figura 3.99,
solamente es de interés la tensión en la resistencia de 15 Ω. Utilizar el divisor de corriente
para calcular el valor correcto.

20 Ω×60 Ω 50 Ω×30 Ω
Req 1= Req 2=
20 Ω+60 Ω 50 Ω+30 Ω

1200 Ω 1500 Ω
Req 1= Req 2=
80 Ω 80 Ω

Req 1=15 Ω Req 2=18.75 Ω

Req 3=15 Ω+22 Ω+ 18.75 Ω ¿=30 A−8 A

Req 3=55.75 Ω ¿=22 A

( )
1
10+5
I 15 Ω=2 2
1 1
+
10+5 8.479

I 15 Ω=22.12 A
70. Elegir dentro de los siguientes valores de resistencia (pueden utilizarse mas de una vez)
para fijar v s , R1 y R2 en la figura 3.100 y obtener v x = 5.5V [1kΩ, 3.3kΩ, 4.7kΩ, 10kΩ]

v s=2 ( 5.5 ) R1=1 kΩ

v s=11 V R2=1 kΩ

V x =11 ( 1kΩ
2kΩ )

V x =5.5V
80. Determinar la cantidad de potencia que absorbe R x en el circuito de la figura 3.110.

1000 Ω×3000 Ω
Req 1=
1000 Ω+3000 Ω

3000000 Ω
Req 1=
4000 Ω

Req 1=750 Ω

I Rx =10 ×10
−3
( 2000
200+ R X +750 )
R X . I Rx =9

20 R
9= 2
2750+ R X 9
P Rx=
2250 W .
9 R X + 24750=20 R X
P Rx=36 mW
24750=20 R X −9 R X

R X =¿2250W . ¿

81. Utilizar el divisor de corriente y tensión como auxiliares para obtener una expresión
correspondientes a v5 en la figura 3.111.

R=R 3 ∥ ( R 4 + R5 )

V R=V S
( R +RR )2

V R=V S
( ( )( ) )
R 3 ( R4 + R 5 ) / ( R 3 + R 4 + R 5 )
R 3 R 4 + R 5 / R 3+ R 4 + R5 + R2

V R=V S
( (( ) ) ( ) )
(
R
)
R3 R4 + R5
V 5=VRS 2 R 4 + R5 + R3 R4 + R 5
R+ R2

¿VS
( ( ) ( ))
R3 R5
R 2 R3 + R 4 + R5 + R3 R4 + R 5
82. Con referencia al circuito de la figura 3.112, determinar (a) I x si I 1 = 12 mA;
(b) I 1 si I x = 12 mA; (c) I x si I 2 = 15 mA; (d) I x si I s = 60 mA

15 Ω×30 Ω Req 2=5 Ω+25 Ω

Req 1=
15 Ω+30 Ω
12 mA Req 2=30 Ω
450 Ω
Req 1=
45 Ω

Req 1=10 Ω

Req 3=10 Ω+10 Ω

Req 3=20 Ω

15
( a ) I x =I 1 .
15+30

15
I x =12 =4 mA
45

45
( b ) I 1=I x .
15

(45)
I 1=12 =36 mA
15

( c ) I 2=I S R1 /( R 1+ R 2)
( d ) I 1=I S . R2 /(R 1+ R 2)
I 1=I S R 2 /(R1 + R2 )
30
I 1=60 × =36 mA
I 1 /I 2=R2 / R1 50

R2 I2 ( 15 )
I 1= I x =36 =12 mA
R1 45
30 × 15
I 1= =22.5 mA
20

15
I x =I 1 . =7.5 mA
45
83. El de la figura 3.113 es un circuito equivalente que se usa a menudo para hacer un
modelo de comportamiento en ca de un circuito amplificador MOSFET. Si gm = 4mµ,
calcular v sal .

84. El circuito de la figura 3.114 es un circuito que se suele utilizar para modelar el
comportamiento en va de un circuito amplificador de transistor de unión bipolar.
Si gm = 38mµ, calcular v sal .

V out =−1000 g m V π

15 ∥3
V π=3 sin 10 t ×
(15∥ 3)+0.3

V π=2.679sin 10 t

V out =−(2.376)(1000)¿

V out =−101.8 sin10 t V