TEMA 6

FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
1. CONCEPTOS BÁSICOS SOBRE SEMICONDUCTORES
1.1. Características generales de los materiales semiconductores
1.2. Configuración electrónica y red cristalina
1.3. Generación y recombinación
1.4. Dopado de semicondutores
2. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
2.1. Estructura de bandas
2.2. Concentración de portadores de carga
2.3. Nivel de Fermi
3. SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
3.1. Semiconductor tipo-n
3.2. Semiconductor tipo-p
3.3. Concentración de portadores de carga
3.4. Nivel de Fermi
4. CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN SEMICONDUCTORES
4.1. Conductividad y Movilidad
4.2. Corriente de arrastre
4.3. Corriente de difusión

Peula, J.M., Alados, I., Liger, E., Vargas, J.M. (2014) Fundamentos Físicos de la Informática. 
OCW‐Universidad de Málaga. http://ocw.uma.es. 
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 SEMICONDUCTORES

Características de los Semiconductores

• Formados por átomos del grupo IV de la tabla
periódica (Básicamente, Silicio y Germanio).
• Banda prohibida, Bg, muy estrecha.
• La energía de Fermi se encuentra en medio de la
banda prohibida.
• La conductividad depende en gran medida de la
temperatura y aumenta rápidamente con ella.
• Aparición de dos tipos de portadores de carga: e-
en BC y h+ en BV.
• Sus propiedades físicas dependen altamente de la
concentración de impurezas añadidas al material.

• Versatilidad en el diseño de dispositivos • Microelectrónica:

electrónicos y opto-electrónicos. Resistencias, diodos, transistores, etc.
• La mayoría de estos dispositivos pueden realizarse • Comunicaciones:
sobre la misma muestra de semiconductor. Circuitos de alta y baja frecuencia en sistemas
• Integración de muchos dispositivos diferentes en de comunicación.
un mismo chip. • Optoelectrónica:
LED, láseres, células fotovoltaicas, etc.

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Configuración electrónica de Si y Ge

SILICIO (Si, Z= 14) 3s2p2 GERMANIO (Ge, Z= 32) 4s2p2

El átomo de Silicio: tiene 14 protones y El átomo de Germanio: 32 electrones y

14 electrones. La configuración electrónica 32 protones en su núcleo. Los últimos 4
de la última capa (capa de valencia) es de electrones se localizan en la capa de
la forma s2p2. valencia.

Si Ge

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Redes cristalinas de Si y Ge
En un cristal puro de silicio o de germanio, los átomos están unidos
entre sí formando una estructura cristalina que consiste en una repetición
regular en tres dimensiones de una celdilla unidad que tiene la forma de
tetraedro con un átomo en cada vértice. Al no tener los electrones
libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro,
el material actúa como un aislante

Representación bidimensional de
Enlaces de un átomo de Si o de Ge
la estructura del Si y del Ge
con sus cuatro átomos vecinos

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Generación y recombinación

Generación Generación Generación por adición

térmica de óptica de de impurezas de e- o h+
pares e-/h+ pares e-/h+

• Se produce al añadir elementos

que no están en el grupo IV en
la estructura cristalina de un
semiconductor.
• Se produce un aumento
considerable de e- o h+.
• No se generan pares e-/h+.
Proceso inverso
al de generación

Se produce simultáneamente una GENERACIÓN-RECOMBINACIÓN de pares e-/h+.

Agentes externos invariables en el tiempo • La velocidad de generación depende de

la Tª y del proceso concreto que la
Equilibrio dinámico con concentraciones de origina.
electrones en la BC (n) y huecos en la BV (p) • La velocidad de recombinación
constantes depende de n y p y de la naturaleza del
material.
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¿Qué sucede si además de elevar la temperatura por

encima de 0 K consideramos la presencia de impurezas?
Introducción de impurezas en el Silicio

Un semiconductor puro, y por lo tanto con un número igual de huecos y electrones, se

denomina semiconductor intrínseco. A bajas temperaturas se comporta como un
aislante.

Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado.

Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrínseco.
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Impurificación o dopado de los semiconductores

El dopado supone que deliberadamente se añadan átomos de impurezas a un cristal
intrínseco para modificar su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado se llama
semiconductor extrínseco.

Tipo-n

Tipo-p
El dopado no altera la neutralidad
eléctrica global del material

Si la introducción de impurezas se realiza de manera controlada pueden

modificarse las propiedades eléctricas en zonas determinadas del material.

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SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
• Estructuras cristalinas sin átomos extraños.
• Sus propiedades eléctrica están determinadas
exclusivamente por la estructura de bandas del T = 0K T > 0K
cristal.
• La excitación térmica produce pares e-/h+.
• Densidad de carga negativa (n) en la BC.
• Densidad de carga positiva (p) en la BV.
• En equilibrio térmico se encuentra la densidad
intrínseca (ni) del semiconductor.
• El nivel de Fermi (EFi) está en el centro de la BP.
• Cuanto mayor sea el ancho de la BP (Eg) menores
serán n y p.
• Al aplicar un campo eléctrico aparecen dos

n  p  ni
movimientos de carga opuestos: conducción
bipolar.

E
Material Densidad
Movimiento Corriente (Tª ambiente) intrínseca, ni (cm-3)
h+ Silicio 1,4 x 1010
Germanio 2,5 x 1013
e-

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Diagrama de bandas en un semiconductor intrínseco

BANDA DE BANDA DE BANDA DE

Energía

CONDUCCIÓN CONDUCCIÓN CONDUCCIÓN

e-
e- EK del e-
EC EC
BANDA BANDA BANDA
PROHIBIDA
EG PROHIBIDA PROHIBIDA
EV EV
EK del h+

BANDA DE BANDA DE BANDA DE

VALENCIA VALENCIA VALENCIA

El fondo de la banda de conducción, EC , representa la mínima energía cinética de un electrón

libre, mientras que el techo de la banda de valencia, EV , representa la mínima energía
cinética de un hueco.
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Concentración de portadores en un semiconductor intrínseco


dn  gE  f E  dE Se realiza este cálculo para obtener la
densidad de portadores de carga en 
n  gE  f E  dE
EC
una banda:
Función de EV


p  gE f E dE
Función de densidad
distribución de • En la BC para los electrones (n)
de estados
Fermi-Dirac • En la BV para los huecos (p)
0

1 1
fn (E)  fp (E)  1 fn E  
e E EF  k B T  1 e EF E  k B T  1
Concentración (o densidad) de electrones: El número total de
electrones por unidad de volumen en la banda de conducción
3
Densidad efectiva de
( E C EF ) kT  2 mn kT 
n  NC e
2
N C  2  2
 estados en la banda de
 h  conducción
Concentración (o densidad) de huecos: El número total de
huecos por unidad de volumen en la banda de valencia
3
 ( E F  EV ) kT
p  NV e  2 m p kT  2 Densidad efectiva de
NV  2   estados en la banda de
 h 2  valencia
 
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Podemos obtener el producto de las concentraciones de electrones y

huecos en un semiconductor intrínseco si multiplicamos las expresiones
de n y p:
 EG El producto de las concentraciones de

np  N N e C V
kT portadores es independiente del nivel
de Fermi pero depende de la anchura
de la banda prohibida
En un semiconductor
np  ni
intrínseco n = p ≡ ni : 2 Ley de acción de masas
(aplicable a semiconductores
intrínsecos o extrínsecos)
ni se conoce como concentración
intrínseca y es una función de la
temperatura
La concentración intrínseca se puede obtener La concentración
teniendo en cuenta las expresiones de n y p: intrínseca crece
exponencialmente
con la temperatura
 EG
ni  np ni  N C NV e
2 2 kT

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Posición del nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco

Teniendo en cuenta:
• que en un semiconductor intrínseco la EC  EV kT NV
concentración de huecos es igual a la de
EF   ln
electrones podemos obtener el nivel de Fermi
2 2 NC
• las expresiones de la densidad efectiva de estados en la banda de
conducción (NC) y la densidad efectiva de estados en la banda de valencia (NV)

A la temperatura del
cero absoluto, en
EC  E V 3 mp* un semiconductor
EF   kT ln * intrínseco el nivel
2 4 mn de Fermi se
encuentra en el
mp* ≈ mn* y centro de la banda
Tª ordinarias prohibida.

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SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

• Estructuras cristalinas con átomos extraños.

• El proceso de adición de impurezas al
cristal semiconductor se denomina DOPADO.
• Es una técnica muy común para variar la
conductividad de semiconductores.
• Se produce la sustitución en la red
cristalina de algunos átomos originales por
átomos extraños.
• La adición de una fracción pequeña de
átomos extraños no cambia la estructura
reticular del cristal, es decir, no varía
apreciablemente la estructura de bandas del
semiconductor. Impureza
• Los átomos de la impureza tienen una Impureza
aceptora
configuración electrónica diferente y donadora
pueden aportar mayoritariamente electrones a) Semiconductor tipo n
o huecos. El átomo de fósforo (P, valencia 5) acaba
• Se pueden obtener dos tipos de ionizándose donando un electrón libre a la red.
semiconductores extrínsecos: b) Semiconductor tipo p
Tipo n (densidad mayoritaria de e-) El átomo de Boro (B, valencia 3) aporta una
deficiencia de un electrón. Este hueco es ocupado
Tipo p (densidad mayoritaria de h+)
por un electrón de valencia de un átomo de Silicio
(se transforma en Si+).
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Semiconductor extrínseco tipo-n

• Impurezas pertenecientes al grupo V (N, P, As, Sb).

• Algunas posiciones de la red cristalina están ocupadas por los ND átomos de impurezas
donadoras añadidas.
• Para cada átomo extraño, uno de sus cinco e- no está ubicado en uno de los enlaces
covalentes.
• Este átomo se ioniza fácilmente (Si y P: energía de ionización = 0,05 eV).
• El electrón liberado alcanza la BC y contribuye a la corriente eléctrica en el cristal.

Semiconductor
dopado tipo-n

En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos. Por ello
a estos últimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores
mayoritarios" a los electrones.
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Semiconductor extrínseco tipo-p

• Impurezas pertenecientes al grupo III (B, Al, Ga, In).
• Algunas posiciones de la red cristalina están ocupadas por los NA átomos de impurezas
aceptoras añadidas.
• Para cada átomo extraño, uno de los enlaces covalentes queda incompleto. Este hueco es
ocupado por un e- de valencia de un átomo de Si que se ioniza pasando a Si+.
• Esta situación es equivalente a la aparición de un h+ que puede “vagar” por el cristal y
contribuir a la corriente eléctrica en el mismo.

Semiconductor
dopado tipo-p

En este caso los portadores mayoritarios son los huecos y los

portadores minoritarios son los electrones.

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Diagrama de bandas en un semiconductor extrínseco

Tipo-n Tipo-p

• Aparece un nuevo nivel de energía, ED, • Aparece un nuevo nivel de energía, EA,
(con 2ND estados permitidos) en la BP, (con 2NA estados permitidos) en la BP,
ocupados por los e- deslocalizados de los correspondiente a los e- que pueden ser
átomos donadores. aceptados por los átomos aceptores.
• Energéticamente la transición desde este • Energéticamente la transición desde la BV
nivel a la BC es muy fácil. a este nivel es muy fácil.

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Concentración de portadores en un semiconductor extrínseco

De acuerdo con la ley de neutralidad eléctrica, la suma total de cargas positivas
debe ser igual a la suma total de las cargas negativas :

ND  p  N A  n ND= concentración de impurezas donadoras

NA= concentración de impurezas aceptoras

En un semiconductor dopado tipo-n NA = 0

2
ni
La concentración de
nn  N D La concentración de pn 
portadores mayoritarios portadores minoritarios ND

En un semiconductor dopado tipo-p ND = 0

2
ni
La concentración de pp  N A La concentración de np 
portadores mayoritarios portadores minoritarios NA
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Variación del número de portadores con la temperatura de un semiconductor

dopado comparativamente con el caso de que el conductor fuese intrínseco.

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Posición del nivel de Fermi en un semiconductor extrínseco

Podemos calcular la posición exacta del nivel de Fermi en un
semiconductor extrínseco

Tipo-n Tipo-p

n  N C e ( EC  EF ) kT
nn  N D
p  NV e ( EF  EV ) kT
pp  N A

NC NV
EF ( n )  EC  kT ln EF ( p )  EV  kT ln
ND NA
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CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN SEMICONDUCTORES

Conductividad en un semiconductor intrínseco

La conductividad de un
semiconductor es:
  n  p  e n n  e pp  e nn  pp 
Movilidad (cm2V-1s-1) Donde n y p son las
q Facilidad de
 movimiento de los concentraciones de
v q m
qE  m  v E portadores de carga electrones libres y huecos;
 m n y p sus movilidades; e
v  E   qn es la carga del electrón
En un semiconductor intrínseco, la concentración de
electrones libres es igual a la de huecos n  p  ni

  ni e  n   p 
Conductividad de un semiconductor intrínseco

El apreciable cambio de la
conductividad con la temperatura limita
el empleo de los dispositivos
semiconductores en algunos circuitos.

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Conductividad en un semiconductor extrínseco

La conductividad de un semiconductor es:   n n  p p  e

En un semiconductor extrínseco la concentración de portadores
mayoritarios es muy superior a la de portadores minoritarios.

n  p
En un semiconductor tipo-n
nn  N D
 n  nn  n e
p  n
En un semiconductor tipo-p
pp  N A
 p  p p  pe
En los semiconductores extrínsecos, la magnitud de la conductividad, por electrones o
por huecos, depende de la concentración de impurezas, que son las que proporcionan al
cristal una u otra clase de portadores
En el rango de trabajo de la mayor parte de las aplicaciones de los semiconductores
(temperaturas <100ºC), la conductividad de los extrínsecos es mucho mayor que la de
los intrínsecos y prácticamente constante.
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La corriente en un semiconductor se produce como el efecto combinado

de los dos tipos de flujo: el de los electrones libres en un sentido y el de
los huecos en sentido opuesto.

Dada la especial estructura de los semiconductores, en su

interior se pueden dar dos tipos de corrientes:
 Corriente por arrastre de campo
 Corriente por difusión de portadores

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Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden

darse dos tipos de corrientes:

 Corriente por arrastre de campo: originada por la acción de un campo

eléctrico externo
Cuando se aplica al semiconductor un campo eléctrico externo, los huecos se mueven
en la dirección del campo y los electrones libres en sentido opuesto, originando estos
dos movimientos una corriente eléctrica del mismo sentido.

Densidad de corriente de arrastre

 Corriente por difusión de portadores: producida por la existencia de

un gradiente de concentraciones de portadores
La difusión se debe exclusivamente a la inhomogeneidad del material, por diferencias
de concentración de portadores

Densidad de corriente de difusión

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Corriente de arrastre
Cuando se aplica un campo eléctrico, al movimiento desordenado de los electrones y
los huecos se superpone otro: en sentido contrario al campo para los electrones y en el
sentido del campo para los huecos.
La densidad de corriente total debida al movimiento de electrones y
huecos cuando se aplica un campo eléctrico, se denomina densidad de
corriente de arrastre.
   Donde n y p son las concentraciones de

J arrastre  n n  p p  e E  E
electrones libres y de huecos; n y p sus
movilidades; e es la carga del electrón y  la
conductividad del semiconductor.
► En un semiconductor intrínseco
  
J arrastre  n n  p p  e E   n   p  ni e  E
► En un semiconductor extrínseco
  
Tipo-n J arrastre   n E  nn  n eE
  
Tipo-p J arrastre   p E  p p  p eE
Peula, J.M., Alados, I., Liger, E., Vargas, J.M. (2014) Fundamentos Físicos de la Informática. 
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 SEMICONDUCTORES

Corriente de difusión
► Si en una muestra semiconductora la concentración de portadores no es uniforme,
existirá en el interior de la misma un gradiente de concentraciones de portadores.
► El gradiente de concentraciones provocará un movimiento de los portadores: habrá
un transporte de portadores de las zonas de más alta concentración hacia las de más
baja concentración.
Densidad de corriente de difusión
  D = Coef. de difusión
Formalmente sigue la ley de Fick J   D c o difusividad


J n  (e)  Dn n

 En un semiconductor, los componentes de la densidad

 

de corriente de difusión pueden expresarse de forma
J p  (  e )  D p p unidimensional mediante la ecuación:

dn Dn = Difusividad de los electrones

J n, difusión  e Dn n = concentración de electrones
dx
Dp = Difusividad de los huecos
dp p = concentración de huecos
J p, difusión  eD p
dx
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 SEMICONDUCTORES

Relación de Einstein
Existe una importante relación entre los coeficientes de difusión y movilidad,
que se conoce como relación de Einstein
Dn , p k
 T  VT
 n, p q
La densidad de corriente total en un semiconductor es igual a la suma de la
densidad de corriente de arrastre y la densidad de corriente de difusión.
dn
J n  J n, arr  J n, dif  e n n E  e Dn
► Según un modelo unidimensional: dx
dp
J p  J p, arr  J p, dif  e p p E  e D p
dx
 dn dp 
J  J n  J p   n n  p  p  e E  e  Dn  Dp 
 dx dx 
► En el caso general:

 
     
J  J n  J p  n n  p p  e E  e Dnn  D p p
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