DEFECTOS EN CRISTALES

Un cristal real no es perfecto (aunque, típicamente, menos de un átomo cada 10.000 está fuera de su
lugar). Esto lo revelan las mediciones de propiedades que son sensibles a la estructura, por
ejemplo, resistividad eléctrica, tensión de fluencia, tensión de rotura, permeabilidad magnética,
que varían mucho de una probeta a otra.

Una nómina más o menos completa de los distintos defectos que pueden encontrarse en una red
cristalina es la siguiente:
Defectos puntuales
• Fonones
• Excitones
• Electrones + agujeros
• Vacancias, Intersticiales
• Impurezas (intersticiales, sustitucionales)
Defectos lineales
• Dislocaciones
Defectos bidimensionales
• Bordes de grano
• Interfases
• Fallas de apilamiento
• Superficie del cristal
Defectos tridimensionales
• Precipitados
• Spikes, zonas de Seeger

El fonón es la partícula asociada a la cuantificación de los modos de vibración de la red. Se caracteriza

por su energía hν (ν es la frecuencia de vibración), la dirección de propagación y su polarización (onda
transversal o longitudinal).

El excitón es un electrón en un estado excitado. El par, electrón + agujero, se forma al pasar un

electrón de un estado a otro dentro de una banda, dejando un “agujero’ en su estado inicial. En
metales, ambos defectos tienen vida media muy corta.

DEFECTOS PUNTUALES
Una vacancia es la falta de un átomo de un sitio
normal de la red que debería estar ocupado.
Un intersticial es un átomo que ocupa una posición
que no corresponde a un sitio normal de la red. Los
sitios intersticiales están determinados por los
elementos de simetría de la red.
La intersiticialidad es una configuración intersticial
en la que dos átomos comparten un sitio vacante.
Ambos átomos se ubican simétricamente respecto de
la vacancia. Este defecto tiene el carácter de
intersticial ya que localmente hay sólo un átomo
extra. En la ilustración de la figura, el par puede estar
compuesto por átomos matriz-matriz, matriz-
impureza o, impureza-impureza.
INTERSTICIALES EN REDES FCC
En la figura 2a se ha representado la estructura compacta obtenida mediante el apilamiento
ABCABC de esferas rígidas. También se esquematiza la celda de Bravais que describe la estructura
mencionada, figura 2b, en la cual se ha reducido el tamaño de las esferas para poner de manifiesto
más claramente la simetría cúbica; en la figura 2c se muestran los planos compactos {111}.

A partir del dibujo, se

deduce que la distancia
entre primeros vecinos
es:

donde a es la arista de la celda. Los planos más compactos, correspondientes a los planos de
apilamiento de las esferas rígidas, son de la forma {111} y las direcciones más compactas son de la
forma <110>. Los 4 planos {111} y las 12 direcciones <110>, según las diagonales de las caras del
cubo, caracterizan así la distribución de mayor compacidad y mayor simetría de todas las estructuras
cristalinas.
Sitio tetraédrico: si sobre la depresión situada entre tres
esferas vecinas, intersticio de tipo B, en la figura (2.d), se
coloca otra esfera, queda un espacio vacío limitado por 4
esferas. Como éstas se distribuyen según los vértices de un
tetraedro, el intersticio delimitado se denomina tetraedral.
En la figura (2e) se muestran las posiciones que ocupan los
intersticios tetraedrales dentro de la celda cúbica. Se puede
ver que éstos están situados sobre las diagonales de la
celda, a distancias iguales a ¼√3a de los vértices de la
misma. En la figura (2f) se muestra el radio máximo de la
esfera rígida que puede ocupar una posición intersticial
tetraedral.
Sitio octaédrico: consideremos ahora un intersticio ‘plano”
de tipo B, como en el caso anterior, formado por tres
esferas rígidas vecinas. Si se apila otra capa compacta de
esferas, centradas en las posiciones C, se obtiene ahora
sobre el intersticio original B, un intersticio ‘plano”
orientado en sentido contrario, vértice hacia abajo, ver
figura (2.g). Los seis átomos descriptos delimitan un
espacio vacio llamado sitio octaedral. ya que la disposición
de átomos que le da origen es según los vértices de un
octaedro. En la celda de Bravais se localizan en el centro de
la celda y en la mitad de cada arista, (figura 2h). El corte de
la celda según un plano de tipo (100) facilita el cálculo del
radio máximo de la esfera que puede ocupar un intersticio
octaedral, figura 2i.
INTERSTICIALES EN REDES BCC
Esta estructura no resulta de un apilamiento sucesivo de capas compactas de esferas rígidas y en este
sentido difiere de las estructuras fcc y hcp. Los planos más compactos son los de la forma {110} cuya
multiplicidad es 6. Además, los planos de las familias {112} y {123} también contienen una alta
densidad de átomos y por esta razón, como veremos más adelante, existe en esta estructura una
tendencia al deslizamiento que se manifiesta indistintamente en las tres formas de planos. El
deslizamiento en la estructura bcc se produce en las direcciones compactas. A pesar que las estructuras
fcc y hcp son más compactas que la bcc, los intersticios tetraedrales y octaedrales de ésta última son
más pequeños. Los intersticios tetraedrales, en posiciones del tipo (½,¼,0) ,se encuentran en el centro
de un tetraedro distorsionado definido por dos átomos de los vértices y dos átomos correspondientes a
los centros de dos celdas adyacentes. Los sitios octaédricos se ubican en el centro de las caras y en la
mitad de las aristas de la celda cúbica; tienen coordenadas del tipo (½, 0,0). En la fig.(5.a) se muestra
la celda unitaria de la estructura cúbica centrada en el cuerpo; en (5.b) las direcciones compactas en
planos {110}, en (5.c) los intersticios octaédricos y en (5.d) los tetraédricos.
IMPUREZAS
Son defectos puntuales que consisten en la presencia de átomos de una sustancia B distinta de la
sustancia matriz A. Las impurezas pueden ocupar posiciones normales de la red, en este caso son
sustitucionales o sitios intersticiales. Si el tamaño de la impureza es menor que el de los átomos de la
red, ésta generalmente se ubica en una posición intersticial. La presencia de estos átomos extraños,
aún en cantidades ínfimas, determina gran parte de las propiedades del material. Por ejemplo, la
presencia de carbono en la fase α del hierro (bcc), es fundamental para la existencia de las fases en
que transforma la aleación y dan origen al aprovechamiento tecnológico. Aún cuando el volumen
correspondiente a los intersticios tetraédricos es mayor que el correspondiente a los octaédricos en las
redes bcc, existe la certeza que el C en Fe ocupa la posición octaedral. Esto surge de la composición
de mediciones de fricción interna y de el parámetro de la red. La distinción no es tan clara en otros
sistemas similares como N y O en Fe, Va, Mo, Ti y Nb. Aún cuando se cree que estos intersticiales
son octaedrales, no existe evidencia experimental ni teórica suficiente para confirmar esta suposición,
especialmente para el caso del O.
Termodinámica: 1ro y 2do principio combinados

Potenciales Termodinámicos
CONCENTRACION DE DEFECTOS EN EQUILIBRIO TERMICO
Para que exista una situación de equilibrio en el cristal es necesario tener un mínimo en la energía
libre G.

En el caso de introducir defectos puntuales, es necesario suministrar energía para producirlos, pero
simultáneamente se aumenta la entropía del cristal. Si esta variación de entropía es suficiente para
compensar la variación de entalpía, es posible obtener un mínimo en G.
Analicemos el caso de vacancias, calculando la variación de energía libre ∆G cuando se introducen
nv vacancias en un cristal que contiene N sitios. Tendremos dos tipos de contribución. Una
variación:

que da una variación total: nv ∆Gf, para la energía libre de formación, y

que da la variación de entropía configuracional, donde W es el número de configuraciones

posibles.

Para obtener ∆S es necesario calcular el número de configuraciones W; esto es, el número de

formas en que es posible disponer nv vacancias en N sitios. Así hay N sitios para colocar la 1ra
vacancia, (N-1) para colocar la 2da, (N-2) para la 3ra y (N-nv + 1) para colocar la última. Pero
las permutaciones entre las vacancias introducidas no cambia una configuración dada y hay n
permutaciones. Resulta así:

Aplicando la fórmula de Stirling:

De forma similar se puede calcular la concentración de intersticiales.
Si se toma como ejemplo el caso del Cu, se obtiene para la concentración de vacancias e intersticiales,
los valores indicados en la Tabla 1.

La concentración de intersticiales en
equilibrio es despreciable. En cambio, a
temperaturas próximas al punto de fusión, se
tiene una concentración de vacancias
aproximada de 1 cada 10.000 sitios. Una
fracción del orden del 1% de éstas consisten
en divacancias.

ENTROPIA DE MEZCLA
Hemos visto así que, una razón muy poderosa para explicar la presencia de defectos en un cristal es
que, a una dada temperatura T, la energía libre es mínima para cierta concentración de ellos. Veamos
ahora el caso particular de las impurezas: siguiendo el mismo formalismo descrito sean N sitios
atómicos, de los cuales n están ocupados por átomos A y (N-n) por átomos B y supongamos que la
distribución de A y B es al azar. Se ve fácilmente a partir de s = klnW que la entropía de la mezcla de A
en B es:

La representación gráfica para N = número de Avogadro y N k = R = 1.987 cal/mol/°K se muestra en

la figura:
 La pendiente de la curva es muy
pronunciada cerca de c = 1 (A puro) y
cerca de c = 0 (B puro); la entropía de una
sustancia pura aumenta rápidamente con la
más pequeña adición de una segunda
sustancia. Por eso es muy difícil producir
sustancias de alta pureza. El ∆G causado
por contaminación es casi siempre
negativo, por el elevado valor de T∆S. Esto
se debe a la velocidad de variación de S en
los entornos de c=0 y c=1.

MIGRACION DE DEFECTOS PUNTUALES

Si un defecto se halla en una posición de equilibrio, por vibraciones térmicas tiene cierta
probabilidad de saltar a las posiciones de equilibrio primeras vecinas de ésta.
El proceso de salto debe ser considerado como un proceso de muchos cuerpos ya que varios son los
átomos involucrados. Por ejemplo, para intercambiarse la vacancia con el átomo 1, es necesario
desplazar los átomos A y B de sus posiciones de equilibrio. Es decir que para moverse, la vacancia
debe sobrepasar una cierta barrera de potencial, cuyo valor es la energía libre de migración ∆Fm.

Efectivamente, al pasar el
defecto de una posición de
equilibrio a otra, la energía libre
del cristal pasa por un punto de
ensilladura (correspondiente a
una configuración intermedia del
espacio de fases 3N
dimensional) y luego retornará a
su valor anterior. El exceso de
energía en este máximo es la
energía libre de activación para
la migración. En condiciones
normales ésta va a ser
La probabilidad de que el átomo franquee la barrera esta dada suministrada por el cristal a
por: través de fluctuaciones al azar de
la densidad local de energía
vibracional.

La frecuencia con que la vacancia intenta moverse está dada por la frecuencia de las vibraciones
térmicas. La frecuencia más alta que se propaga en la red, que corresponde a una longitud de onda del
orden de la distancia interatómica, es la llamada frecuencia de Debye νD:
La Tabla II muestra las distintas energías
asociadas con estos defectos en el caso del
Cu.

DEFECTOS BIDIMENSTONALES
BORDES DE GRANOS
La mayoría de los materiales cristalinos existen normalmente como conglomerados de cristales
pequeños denominados granos. Estos se unen por sus bordes cuya forma, generalmente, no guarda
relación con la simetría interna del cristal.
Los bordes de grano se originan en el encuentro de dos cristales que solidifican en direcciones
diversas, fenómeno es explicado por crecimiento dendrítico a partir de núcleos de solidificación. El
borde es considerado como una región estrecha de transición, de pocos átomos de espesor. A través
de esta zona los átomos cambian su ubicación del retículo de un cristal a sitios del retículo
correspondiente al cristal adyacente. Los bordes son estrechos porque las fuerzas interatómicas son
de corto alcance.

Si el cambio de orientación cristalina a través del borde es pequeño (menor de 10º) puede constituirse
una estructura semicoherente. La estructura de un cristal se continúa en el adyacente en forma
coherente, aunque con cambio de dirección, a través de la mayor parte del borde (ver figura).
Alternándose con estas regiones coherentes, hay regiones incoherentes del borde, a través de las
cuales hay una clara alteración de la continuidad cristalina.
Muy frecuentemente estas regiones incoherentes son dislocaciones. Todo el borde se puede considerar
como una pared de dislocaciones. En los policristales los bordes son en su mayoría del tipo de gran
ángulo (10º a 40º). Su estructura es en estos casos más compleja.

FALLAS DE APILAMIENTO
Estas fallas se presentan en las estructuras fcc y
hcp que son las que tienen planos de mayor
densidad atómica. A mayor densidad atómica, la
repulsión entre capas electrónicas completas de
átomos de planos inmediatos es mayor, con el
resultado de que las secuencias de apilamientos
de planos puede cambiar.

Esto trae aparejado un cambio de la estructura, la que se aparta sólo muy ligeramente del
empaquetamiento más compacto.
MACLAS
Están muy íntimamente vinculadas a las fallas de apilamiento. La definimos como la interfase a través
de la cual se invierte la secuencia de empaquetamiento según una reflexión especular. Se reconocen
fácilmente porque son el limite entre dos cristales “twins’ que tienen diferencia de orientación.

Esquema de formación de una macla en un cristal cúbico de caras centradas (fcc). El dibujo
corresponde a la proyección del cristal tal como se vería según la dirección (110). Con A, B y C se
indican las sucesivas capas compactas.

DEFECTOS TRIDIMENSIONALES
DEFÓRMACION ELASTICA Y PLASTICA
Es bien conocido que los metales deforman elástica y plásticamente. La deformación elástica ocurre
a bajas tensiones y tiene tres características principales, a saber:
i) es reversible;
ii) tensión y deformación son linealmente proporcionales de acuerdo con la ley de Hooke;
iii) Es generalmente, pequeña.
La constante de proporcionalidad que conecta tensión y deformación es conocida como el módulo
elástico y puede ser:
a) el módulo elástico o de Young “E”,
b) b) el módulo de corte o rigidez, “G”,
c) c) el módulo de volumen “K” dependiendo de si la deformación toma la forma de una
deformación tensil, de corte o compresión hidrostática respectivamente.

Si bien son constantes de proporcionalidad, los valores absolutos de dichas constantes difieren
de metal en metal y también según las direcciones en las que son medidas en un monocristal.
Por ejemplo, el Cu tiene un alto grado de anisotropía, tal como lo indica la siguiente relación:
E[111]/E[100] = 2.8, mientras que el Al, para el cual la relación correspondiente es 1.2
aproximadamente, es bastante isotrópico en su comportamiento elástico.
La mayoría de los materiales comerciales son policristalinos y, por lo tanto, tienen propiedades
aproximadamente isotrópicas. Para tales materiales el valor del módulo es generalmente independiente
de la dirección de medida, ya que el valor medido es un promedio de los valores correspondientes a los
distintos granos de la muestra observada, los cuales presentan una orientación al azar. Sin embargo, si
durante la manufactura es otorgada una orientación preferencial a los granos en el policristal, el
material se comportará, en cierta manera, como un monocristal con alguna direccionalidad.

Si se analiza el comportamiento de un monocristal

de estructura fcc sometido a deformación por
tensión, se observará un gráfico como el de la
figura. En la parte inicial la tensión aplicada
aumenta rápidamente con la deformación. Es la zona
llamada ‘elástica” donde la deformación sigue la
conocida ley de Hooke. Es decir que si se retira la
carga aplicada al espécimen bajo ensayo, la
deformación se recupera totalmente; o sea, no se
produce deformación permanente en el cristal. Un
simple cálculo permite ver que las deformaciones
que se producen en esta zona son muy pequeñas:

Esta zona de deformación elástica finaliza en el punto 1 de la Figura anterior. Luego de este punto
llamado apunto de fluencia (yield point) el monocristal obtiene deformación permanente. Es decir, no
recuperable al retirar la carga aplicada (por ejemplo, un alambre doblado a mano).

Si bien se comprende la deformación elástica de un cristal en base a las fuerzas interatómicas, la

deformación plástica requiere el conocimiento de detalles finos de la estructura cristalina que no son
necesarios para explicar la zona elástica.
La deformación permanente puede ocurrir por alguno de los siguientes procesos: deslizamiento o
maclado.
La mayor parte de los cristales deforman por medio de deslizamiento traslacional, en el cual una parte
del cristal desliza con respecto a otra (ver Figura).

En general este movimiento es una simple translación por lo que la orientación de las partes que
deslizan permanece constante. La superficie en la cual se produce el deslizamiento se denomina
plano de deslizamiento y la dirección, dirección de deslizamiento.
Están definidas en una distancia correspondiente Se ha determinado que las principales direcciones
a un número de vectores de red. Como resultado, y planos de deslizamientos para las distintas
es mantenida la continuidad de a red. estructuras son las que se detallan a continuación:

El deslizamiento, como puede verse por los

resultados experimentales, es inhomogéneo. Es
decir, se presentan zonas sin deslizamiento y otras
donde éste se produce. Las bandas de deslizamiento
tienen, en general, una estructura fina no observable
macroscópicamente.

Cada banda presenta una estructura similar a la que se produce en un mazo de cartas, cuando las
deslizamos unas sobre otras. Estas bandas no se producen en los primeros estados de formación, sino
luego de cierta deformación previa. Inicialmente las bandas son individuales, lo que da lugar a las
denominadas líneas de deslizamiento

DISLOCACIONES EN CRISTALES
La facilidad con la cual los metales pueden ser deformados fue la observación experimental crucial
que condujo al descubrimiento de la dislocación. En la segunda década del siglo XX, la naturaleza
atomística y periódica de las sustancias cristalinas fue totalmente establecida mediante el uso de los
Rayos X. Aceptada dicha naturaleza, la magnitud σ de la tensión de corte requerida para producir
deformación plástica en un cristal podría ser calculada fácilmente.

A tal fin consideremos la figura siguiente, donde se muestra un apilamiento compacto de planos
cristalinos (planos xy), habiéndose dibujado en color oscuro un átomo en cada plano a fin de seguir
el movimiento atómico cuando tensiones de corte σxy, son aplicadas al cristal. En (b) la tensión de
corte es suficientemente grande como para forzar a cada capa horizontal de átomos a desplazarse
con respecto a la correspondiente capa inferior. Ídem en (c) y en (d), y como consecuencia del
desplazamiento, los átomos son llevados a posiciones equivalentes a las de (a). Si en esta
configuración la tensión de corte es quitada, no hay razón alguna para que los átomos vuelvan a sus
posiciones en (a). Esto es, la deformación introducida es permanente y no ha alterado la naturaleza
cristalina de la red.
RESISTENCIA DE CORTE TEORICA
Calculemos el esfuerzo necesario para mover una fila de átomos sobre otra, como se indica en la figura.
Sea a el espaciado entre dos filas de
átomos y b la distancia entre ellos en
la dirección de deslizamiento y
supongamos que cuando actúa el
esfuerzo σ el desplazamiento que se
produce entre la fila superior e inferior
es x.

Si se representa una relación entre la fuerza de corte y el desplazamiento de los átomos ésta debe ser
aproximadamente como la de la figura. Se ve fácilmente que la fuerza es cero en posiciones A y B por
ser posiciones de equilibrio y también debe serlo en C por simetría (posición de equilibrio inestable
en la cumbre de la barrera de potencial).
sea de forma sinusoidal:

La constante k se determina fácilmente pues la pendiente inicial debe ser igual al módulo de corte del
material. Cerca del origen tenemos:

por la ley de Hooke.

Como ambas deben ser iguales:

El valor crítico para el cual se realiza el desplazamiento será:

puesto que a = b; con mejores aproximaciones se logra

Este valor es varios órdenes de magnitud mayor que los DISLOCACION DE BORDE
valores observados experimentalmente. Es pues
imposible producir deslizamiento en cristales perfectos
con los pequeños esfuerzos observados
experimentalmente. La diferencia entre los valores
calculados y los medidos no se modifica
sustancialmente al mejorar la aproximación utilizada
para el cálculo teórico. Dicha discrepancia condujo en
1934 a tres científicos, G.I. Taylor, E. Orowan y M.
Polanyi a postular la existencia de una imperfección
microestructural en la red cristalina, cuyo movimiento a
través de la red a bajos niveles de tensión produciría la
deformación permanente. Dicha imperfección, llamada
dislocación, fue observada por primera vez hacia 1950
por Hedges y Mitchell quienes usaron técnicas de
decoración para hacerlas visibles en cristales de plata.

Consideremos el monocristal de la Figura a y

produzcamos una dislocación por deslizamiento
de la sección superior un espaciado atómico a lo
largo del plano de deslizamiento; puesto que no
permitimos proseguir el deslizamiento a lo largo
de todo el plano de deslizamiento, la
configuración atómica que se obtendrá es la
mostrada en la Figura b . El plano ABCD
representa el semi-plano extra de átomos que fue
insertado en la red. La línea AB es la dislocación
llamada en este caso de borde.
Consideremos en la Figura b el circuito cdefg moviéndonos en
dirección horaria igual número de espaciados atómicos hacia
abajo (c → d), a la izquierda (d → e), para arriba (e → f) y
hacia la derecha (f → g). Cuando el circuito se hace alrededor
de una dislocación (como AB en este caso) no resulta cerrado.
c El vector desde g a c necesario para completar el circuito se
llama vector de Burgers b y el circuito, circuito de Burgers.
Cuando éste se toma en una zona del cristal ideal o conteniendo
sólo vacancias o intersticiales, el mismo resulta cerrado.
También cuando se toma en la zona que comprende al semi-
plano extra pero sin contener la línea de dislocación, resulta
cerrado. El mismo vector de Burgers se obtiene en cualquier
circuito que se tome a lo largo de la línea de dislocación AB, es
decir, el vector de Burgers caracteriza a la dislocación. Es un
invariante de la misma.
Como se puede ver fácilmente, la característica de una dislocación de borde reside en que es
perpendicular a su vector de Burgers. En consecuencia, ambos definen un plano. Este plano así
definido es el plano de deslizamiento al cual la dislocación está constreñida a moverse, la línea de
dislocación separa la región deslizada de la no deslizada del plano de deslizamiento.

El movimiento de una dislocación a través de la red como se muestra en la Figura es

completamente diferente de lo que sería el desplazamiento de corte requerido para causar
deformación plástica en un cristal ideal para el cual se requieren muy grandes tensiones. Pero en el
proceso de movimiento de la dislocación sólo pequeños ajustes atómicos se requieren cerca del
núcleo de la dislocación y, consecuentemente, la tensión requerida para inducir el movimiento es
pequeña.

Movimiento de una dislocación de borde.

DISLOCACIONES DE HELICE
Si se aplica una tensión para producir la deformación mostrada en la Figura a, se produce una
dislocación de hélice o tornillo. Si se permite el deslizamiento por una deformación de corte de un
vector de Burgers b, sólo sobre parte del plano de deslizamiento, digamos A’B’BA, la línea AB que
delimita la región deslizada de la no deslizada es en este caso una dislocación de hélice.

La característica de una dislocación de hélice se revela haciendo un circuito de Burgers alrededor de

la línea de dislocación. Usando la Figura b como guía, procedemos de la siguiente manera en
dirección horaria: partiendo desde arriba del plano de deslizamiento en el átomo a nos movemos
hacia abajo dos átomos, hasta b, a la izquierda desde b hacia c, para arriba desde c hacia d y luego
para la derecha desde d hasta e. El circuito no se cierra y el vector de e a a es el vector de Burgers b.
Mientras en la dislocación de borde la línea de dislocación resultó perpendicular al vector de
Burgers, en la que de hélice es paralela.
Contrariamente a la dislocación de
borde, la de hélice no tiene definido
el plano de deslizamiento, por ser su
vector de Burgers paralelo a la línea
de dislocación. Es así que una
dislocación de esta tipo puede
cambiar de plano de deslizamiento
durante su movimiento cuando las
condiciones sean favorables, es
decir, esto será función del esfuerzo
resuelto en los distintos planos de
deslizamiento del cristal.

Las hay mixtas

DEFORMACION EN FRIO
Propiedades de las aleaciones deformadas en frío
Las aleaciones de uso industrial son policristalinas. Esto significa que están formadas por numerosos
granos de diferente orientación cristalográfica. El comportamiento de los materiales durante la
deformación es función de esta propiedad
Orientación preferencial
Después de un trabajado en frío los granos de los materiales metálicos se alargan y orientan sus
planos cristalográficos más densamente poblados según la dirección del esfuerzo en la deformación
por tracción y en forma perpendicular a él en la compresión. Esto origina propiedades vectoriales en
la aleación. Así, por ejemplo, la resistencia mecánica aumenta en la dirección longitudinal y
disminuye en la dirección transversal de la estructura. Este efecto se ve aumentado por la reubicación
y el alargamiento de algunas fases y de las impurezas insolubles (inclusiones) que se encuentran
alojadas en los bordes de los granos. Las figuras muestran la estructura metalográfica un material
deformado en frío.
 Acritud
A consecuencia de una deformación plástica en frío se produce una disminución de la plasticidad
y aumento de la resistencia mecánica en los planos de deslizamiento, en los bordes de grano y en
los sitios en que las dislocaciones encuentran obstáculo a su paso. Estos obstáculos pueden ser
bordes de grano, átomos extraños o intersecciones de varios planos de deslizamiento. Como ya se
ha mencionado, el movimiento de las dislocaciones deja atrás la atmósfera de intersticiales que
las bloqueaba parcialmente y esta atmósfera produce irregularidades en el retículo
cristalográfico, aumentando la acritud del material. Se dice también que la aleación sufrió una
consolidación mecánica.
La velocidad a la cual se aplica la deformación puede influir :
a) A bajas temperaturas la velocidad de aplicación del esfuerzo influye poco en la acritud
obtenida;
b) A temperaturas intermedias, si aplicamos el esfuerzo muy lentamente obtendremos menor
acritud en el material porque damos tiempo suficiente para que se produzca durante el proceso la
recuperación de las tensiones elásticas introducidas con la deformación. A altas velocidades de
deformación no hay tiempo para producir la recuperación mencionada;
c) A temperaturas más altas, por encima de la temperatura de recristalización, nuevamente deja
de influir la velocidad de la aplicación del esfuerzo, no tenemos acritud porque el material
recristaliza. Por otra parte, este tercer caso no pertenece ya a los fenómenos de deformación en
frío.

Dureza
Durante la deformación plástica aumenta la dureza del material y disminuye su ductilidad. Ambas
variaciones son más marcadas en el primer 10% de la deformación total. La dureza aumenta en
parte por la rotura de los granos y la aparición de los subgranos con el aumento consecuente de la
cantidad de borde de grano formado. En un metal deformado el diámetro de los subgranos puede
estar entre 200 y 400 Å.

Limite de fluencia - límite de rotura

Como consecuencia del trabajado en frío aumentan ambos valores, pero más el primero que el
segundo. Por lo tanto, los materiales en estado de acritud poseen alto límite elástico. Durante el
proceso de deformación plástica esto puede resultar un inconveniente, pues se debe sobrepasar el
punto de fluencia pero no el límite de rotura y si el intervalo entre ambos es muy pequeño, la
aplicación de la carga requiere un control muy riguroso.

RECRISTALIZACÍON
Los metales puros y las aleaciones que forman solución sólida están formados por
constituyentes metalográficos denominados de “nucleación y crecimiento”. En ellos podemos
cambiar una estructura inconveniente por otra con el tratamiento denominado de
“Recristalización con deformación plástica previa”. Los pasos de este tratamiento son:

Deformación → Recuperación → Recristalización → Crecimiento

Recuperación
Consiste en la eliminación de las tensiones residuales de tipo elástico. Se logra con calentamientos a
bajas temperaturas. Se produce a causa del aumento de la amplitud de las oscilaciones térmicas de los
átomos: La estructura metalográfica sigue mostrando los granos deformados. La aleación puede
ablandarse algo a consecuencia de este alivio de tensiones. No obstante a veces se produce un ligero
flujo plástico que acompaña al proceso. Este flujo plástico implica un pequeño aumento de resistencia y
dureza, contrarrestando el ablandamiento citado.
Recristalización
Si seguimos calentando el material deformado, en determinados lugares del retículo denominados
centros de nucleación se produce una reordenación atómica nucleandose granos nuevos en estado de
equilibrio. Esto ocurre solamente cuando la deformación previa de la aleación supera un valor critico.
Estos valores están tabulados en porcentaje de reducción de sección. Esto ocurre en los bordes de
grano que contienen impurezas que constituyen los centros de nucleación.

Por encima de la
deformación crítica,
para cada porcentaje de
deformación existe una
temperatura de
recristalización.

La temperatura de recristalización disminuye con el aumento del porcentaje de deformación y con el

tiempo de permanencia. Existen dos modos de definirla:
1) la menor temperatura a la cual se produce un 100% de recristailzación y
2) la temperatura a la cual un material con deformación severa recristaliza totalmente con una hora de
calentamiento. Este es el más usado en la práctica,
Temperatura de recristalización para Tamaño de grano
algunos metales y aleaciones La recristalización es un fenómeno de nucleación y
crecimiento. En algunos casos el proceso de nucleación se
produce fácilmente. En otros es el proceso de crecimiento
el que prima en la reacción. De la Velocidad relativa de
ambos procesos (nucleación y crecimiento) depende el
tamaño del grano final.
Con altas velocidades de nucleación y bajas velocidades
de crecimiento de grano obtendremos muchos núcleos que
darán una estructura de grano fino. En cambio, con
condiciones contrarias, obtendremos materiales de grano
grueso. Analizaremos los factores que influyen en ambos
procesos.
 Grado de deformación previa.
A mayor grado de deformación previa se
forman mayor cantidad de núcleos y
obtendremos una aleación de grano más fino.
Velocidad de calentamiento
A mayor velocidad de calentamiento se
obtienen estructuras de grano más fino pues
se alcanza más rápido en todos los puntos de
la red la condición energética de la
recristalización.
Temperatura de recocido.
Por encima de la temperatura de
recristalización, a mayor temperatura se
obtiene un material de grano más grueso.
Prima el proceso de crecimiento sobre la
Recristalización del cobre nucleación por disminución de la rigidez en la
red.
Tiempo de recocido
A mayor tiempo de mantenimiento a temperatura, mayor será el tamaño de grano obtenido. No
obstante, existe un tamaño máximo de grano final para valores constantes de las demás condiciones.

Impurezas insolubles
Existen dos clases de impurezas insolubles en el metal sólido:
1) aquéllas que poseen una temperatura de solidificación mayor q el metal. Solidifican antes y nuclean
antes de la solidificación del metal, quedando aprisionadas en el centro de las dendritas. A mayor
cantidad de estas partículas tendremos mayor velocidad de nucleación y grano final más fino.
2) las impurezas de temperatura de solidificación menor que la del baño metálico quedan aprisionadas
en la última porción de metal que solidifica, o sea en los bordes de grano. Son las inclusiones. Anclan
los bordes de grano y también frenan el crecimiento.
DEFORMACION EN CALIENTE
Se dice que una operación de deformación plástica se realiza en caliente cuando la temperatura de
trabajo está por encima de la temperatura de recristalización del material. En este caso la
deformación plástica y la recristalización se efectúan durante el mismo proceso. El ejemplo clásico
de deformación en caliente es la forja. Se calienta el material hasta adquirir la plasticidad requerida y
se conforma con la aplicación sucesiva de varios esfuerzos o “golpes de forja”.
En cada uno de ellos recristaliza el material. El primer golpe se aplica con el material muy caliente
obteniéndose una estructura de grano grande en la recristalización. El segundo golpe se aplicá con
elmaterial ya algo más frío, dando una estructura recristalizada algo más fina, y así sucesivamente.
Microestructura de una viruta obtenida por corte (torno)

Microestructura metal hexagonal (Zr) de soldadura

 Microestructura de una viruta obtenida por corte recristalizada

Microestructura de una viruta obtenida por corte y luego recristalizada

Microestructura de deformación

Cordón de soldadura
Cordón de soldadura, mayor magnificación