Año: ……¨Año del Fortalecimiento de la Soberanía Nacional¨….........................................................

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA
DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS BASICAS, HUMANIDADES Y CURSOS
COMPLEMENTARIOS
Curso: ML831 Código de curso: ML 831

LABORATORIO N°3
AMPLIFICADOR BÁSICO CON TRANSISTOR FET
DE UNIÓN O JFET

Integrantes:
- Aldave Torres Carlos Felipe Sebastián 20200159H
- Antezana Livia Kevin Jesú 20202014G
- Benites Rodriguez Manuel Augusto 20200018E
- Brioso Rodríguez Janddy Kennedy 20204017C
- Chuyes Farías Allyson Malena 20200302E
- Delgado Gutierrez Jordan Franchesco 20200199J
- Mendoza Cabrera Alvaro Alonso 20192517A
- Hidalgo Masías Luis Carlos 20200033D
- Huaman Casco Carlos Valentin 20180089J
- Robles Cevallos Gerardo Emilio 20202004A
Fecha de entrega: 07/07/2022
- 17/06/2022

Profesor: Ing. Edilberto Huamaní Huamaní

- Edilberto Segundo Huamaní Huamaní
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Contenido
1 OBJETIVOS.............................................................................................................. 3
2 EQUIPOS Y MATERIALES .................................................................................... 3
3 PROCEDIMIENTO .................................................................................................. 3
4 CUESTIONARIO ................................................................................................... 22
5 OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES ............................................................ 24
5.1 OBSERVACIONES ........................................................................................ 24
5.2 CONCLUSIONES ............................................ Error! Bookmark not defined.

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1 OBJETIVOS
- Construir y operar un circuito AMPLIFICADOR BÁSICO con un Transistor FET
de Unión o JFET. Reconocer en la práctica la configuración de SURTIDOR
COMÚN.
- Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del Transistor de Efecto de Campo,
su trabajo en DC y en AC.
- Operar el circuito amplificador básico para determinar el correspondiente punto
de operación del transistor, sus componentes: corriente de drenador ID, y voltaje
entre drenador (D) y fuente o surtidor (S). Reconocer la ganancia de corriente del
JFET a partir de valores medidos.
- Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar la ganancia
de tensión a partir de valores medidos. Reconocer la máxima excursión simétrica y
las razones por las cuales hay distorsión en la tensión de salida.

2 EQUIPOS Y MATERIALES

EQUIPOS:

• 01 Fuente de Poder DC
• 01 Multímetro Digital
• 01 Osciloscopio
• 01 Generador de Señales

DISPOSITIVOS ACTIVOS Y PASIVOS:

• 01 Transistor 2N 5457 canal N / su reemplazo puede ser: 2N 5459

• 01 Juego de tres (3) Resistores de ½ W cada uno: 10 MΩ; 2 de 1 KΩ; 1 de 1 KΩ
• 01 ¨Potenciómetro: P1 = 10 KΩ
• 01 Juego de tres (3) Condensadores de 25 V y 10 uF

3 PROCEDIMIENTO
ANALISIS EN DC – PUNTO DE OPERACIÓN
3
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3.1 Arme el circuito que se muestra a continuación.

Circuito N1 armado en el protoboard (vista lateral)

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Circuito N1 armado en el protoboard (vista superior)

𝟏
3.2 Ubique el JFET en zona de saturación, es decir, opere entre 𝑽𝑫𝑺 = 𝟐 𝑽𝑫𝑫 =
𝟕. 𝟓𝑽. Para eso debe manipular el potenciómetro hasta que logre su
objetivo.
Para lograr dicho voltaje, el potenciómetro se regular hasta tener una resistencia
igual a: 𝑃 = 51.94 𝑘Ω.

3.3. Use el multímetro como Ohmímetro y halle valores reales de resistores y

potenciómetro: Use el rango apropiadamente.

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RD = 977 Ω

RS = 974 Ω

P = 51,94 kΩ

RG = 9,87 kΩ

3.4. Use ahora el multímetro como Voltímetro DC y halle:

VD = 7,86 V

VS = 0,133 V

3.5. Luego hállese el valor de IDSS (VGS = 0) directamente (usando el multímetro).

Para obtener el valor de IDSS se realizó el siguiente procedimiento:

𝑉𝑅(1𝐾) 0,834 𝑉
𝐼𝐷𝑆𝑆 = =
𝑅𝐷 977 Ω

IDSS (Medido) = 0,8536 mA

Para calcular el valor de VGS:

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𝑉𝐺𝑆 = −(1,5)𝐼𝐷 ⋯ (𝐼)

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) ⋯ (𝐼𝐼)
𝑉𝑃𝑂

Utilizando los valores típicos del transistor 2N 5457 canal N:

VPO = -1,8 V

IDSS = 3 mA

En (II):

2
−(1,5)𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 3 (1 − )
−1,8

2
(1,5)𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 3 (1 − )
1,8

2,0833𝐼𝐷 2 − 6𝐼𝐷 + 3 = 0

Análisis del valor adecuado:

𝐼𝐷1 = 2,236 𝑚𝐴 → 𝑉𝐺𝑆 = 3,354 𝑉 (descartado)

𝐼𝐷2 = 0,644 𝑚𝐴 → 𝑉𝐺𝑆 = 0,966 𝑉

VGS (Calculado) = 0,966 V

3.6. Con todo lo observado y hallado, dibuje las curvas de transferencia

correspondiente.
VPO = -1,8 V

IDSS = 3 mA

𝐼𝐷2 = 0,644 𝑚𝐴 → 𝑉𝐺𝑆 = 0,966 𝑉

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𝑉𝐺𝑆 2 𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = 3 × (1 + )
𝑉𝑃𝑂 1.8

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3.7. Arme el circuito que se muestra a continuación:

Cg = 10 uF; Cs = 10 uF; Cd = 10 uF; RL = 2 KΩ. / Rp, obtenido en el Análisis Estático

o DC.
Sin modificar el potenciómetro, se conecta la rama AC:

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3.8. Trabaje con Vi = 10 mV (1 Khz) aumentando su amplitud hasta obtener (en la

pantalla del osciloscopio) un Vo-max sin distorsión. Dibuje a continuación los
gráficos correspondientes:
Para Vi=10mV:

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Luego se incrementa el voltaje de entrada a 50 mV:

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Con un valor de Vin=420 mV, se logra un Vo máximo sin distorsión.

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Para un valor de Vin=800 mV, se presenta un porcentaje de pico cortado apreciable

fácilmente en el osciloscopio.

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3.9. Proceda luego a graficar por separado:

Voltaje de entrada: 𝑉𝑖𝑛 𝑝−𝑝 =10 𝑚𝑉 Escala: 2.34 mV/D

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Voltaje de Salida: 𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑝−𝑝 = 72.8 m𝑉 Escala: 10 mV/D

3.10. Con los valores de Vin y Vo procedemos a calcular el valor de ganancia lineal
y la ganancia en decibelios del amplificador
𝑉𝑜𝑢𝑡 72.8
𝐺1 = = = 7.28
𝑉𝑖𝑛 10
𝐺(𝑑𝐵) = 20𝐿𝑜𝑔(𝐺1) = 17.2426 𝑑𝐵

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Imagen del circuito 2:

3.11. Con los valores obtenidos de Vin y Vo proceda a calcular el valor de la

ganancia lineal y la ganancia en decibelios del amplificador.

AV= – Vo / Vin

3.12. Desconecte por un momento el generador de señales, luego ajuste el

potenciómetro hasta obtener un Vds = 3.5 [Link] con Vi = 10 mV (1
Khz) igual que en el paso 3.8. Aumentando su amplitud hasta obtener (en
la pantalla del osciloscopio) un Vo-max sin distorsión. Dibuje a
continuación los gráficos correspondientes:

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Aumentando la amplitud de Vi hasta obtener un Vo-max sin distorsión.

3.13. Proceda luego a Proceda luego a graficar por separado:

Vin p-p : 1.21 V Escala: 200 mV Vout p-p: 4.16 V Escala:1 V V/D
V/D

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4 CUESTIONARIO
4.2. Diga cuáles serían las causales para la distorsión en la salida.
Los causales de la distorsión a la salida tiene estrecha relación con el punto de operación
del transistor, en nuestro caso 𝑉𝐶𝐸 = 4.49 𝑉, 𝐼𝐵 = 8.34 𝜇𝐴 y 𝐼𝐶 = 𝑉𝑅𝐶/𝑅𝐶 = 1.96 𝑚𝐴, este
punto nos sitúa en la zona activa del transistor, la cual nos proporciona un intervalo donde
el Vo puede variar, si esta señal sobrepasa este límite se crea una distorsión en el extremo
que sobrepaso y la señal se corta en esa zona.
4.3. Diferencia de resultados entre los cálculos teóricos (valores nominales de las
resistencias) y los resultados obtenidos en la Ganancia de Tensión.
Cálculos Teóricos:
Datos:
IDSS= 3 mA Vpo =-2.5 V RS= 1 K RD= 1 K RP =
8K RL = 2K
V𝐺𝑆 = −1(𝐼𝐷 ) … . (1)
15 = V𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 (8 + 1 + 1)
15 = V𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 (10). . . (2)
V𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 0.8536 (1 − )²
−2.5
2
−1(𝐼𝐷 ) 𝐼𝐷 = 1.033 𝑚𝐴 (𝐵𝑖𝑒𝑛)
𝐼𝐷 = 3 (1 − ) ⇒{
−2.5 𝐼𝐷 = 6.05 𝑚𝐴 (𝐼𝑛𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑐𝑡𝑜, 𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟 𝑎 𝐼𝐷𝑆𝑆 )

Entonces en (1):
15 = V𝐷𝑆 + 1.033(10)
V𝐷𝑆 = 4.67 𝑉 (𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛)
2
𝑔𝑚 = | | √(3)(1.033)
−2.5
𝑔𝑚 = 1.408 𝑚𝐴. 𝑉
Finalmente:
𝑉𝑜
𝐴𝑣 = = −𝑔𝑚 𝑅𝐿 = −1.408(2 𝐾) = 2.816
𝑉𝑖
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• Con este valor de ganancia procedemos a completar en la siguiente tabla los

cálculos teóricos y su diferencia con los resultados medidos:

Valor teórico Valor medido Diferencia

%Error
Vi (mV) Vo (mV) Vo/Vi Vi (mV) Vo (mV) Vo/Vi ∆Vo/Vi
10 28.16 2.816 10 36.8 3.68 0.864 30.68%
50 140.8 2.816 50 218 4.36 1.544 54.83%
500 1408 2.816 500 1360 2.72 0.096 3.41%
800 2252.8 2.816 800 2100 2.625 0.191 6.78%

4.4 Qué pasaría con A si se cambia RL por uno de mayor valor, digamos por
uno de 3.3 KΩ.
Primero observamos la señal Vo cuando tenemos las siguientes condiciones:
Vin= 10mV, Vce=4.5 V y RL=2.2k: Escala: 0.5 V/D

𝑉𝑜 𝑝−𝑝 = 1.35764 𝑉

Ahora observamos la señal Vo cuando tenemos las siguientes condiciones:

Vin= 10mV, Vce=4.5 V y RL=3.3k

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𝑉𝑜 𝑝−𝑝 = 1.6122 𝑉

Entonces concluimos que, cuando aumentamos el valor de RL, la amplitud de la señal

de salida también aumenta.

5 OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
5.1 OBSERVACIONES
• Tener muy en cuenta la polaridad del capacitor y los terminales del transistor para un
buen funcionamiento de estos.
• Los valores nominales de los resistores difieren en su valor real, medidos con el
multímetro.
• Al momento de encender el circuito, tener en cuenta la corriente que atravesará el
circuito para evitar que los transistores puedan quemarse

5.2 CONCLUSIONES

• La corriente en puerta (G) es siempre 0 ya que esta es una propiedad del propio
transistor JFET.

• Mediante los transistores JFET se puede incrementar el nivel de una

determinada señal haciendo variar el voltaje VGS.

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• El transistor tiene un comportamiento similar al de una fuente de corriente

dependiente del voltaje, ya que, si varía el voltaje de VGS variara también la
corriente entre sus terminales.

• Dando fe a lo aprendido en clase, la señal de entrada fue amplificada como se

esperaba.

• Variaciones en el Voltaje VD darán como resultado amplificaciones mayores.

• El Transistor JFET funciono como un inversor, ya que la gráfica estaba

invertida y amplificada.

• El análisis en DC siempre complementa al análisis en AC, ya que le proporciona

los valores necesarios que sirven para medir las ganancias del Transistor.

• En el filtro pasa filtro pasa bajo de segundo orden se pudo comprobar que la
ganancia solo tiene grandes variaciones con el cambio de la frecuencia que no
supere a la frecuencia de corte y que luego de superar a esta, se mantiene
aproximadamente constante.

5.2 RECOMENDACIONES

● Tener precaución al operar con condensadores electrolíticos, debido a que la

polarización inversa de estos puede hacer que exploten.
● Ajustar los desfases en el osciloscopio para alinear las señales con puntos de
referencia claros.
● Probar todos los componentes electrónicos antes de ser usados para evitar zonas
abiertas en el circuito a implementar.

● El uso de la punta atenuadora del osciloscopio resulta muy útil para la medición de
señales más grandes a la mayor escala posible en el instrumento.
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Bibliografía

1. Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos (10.a ed.). Pearson Hall.
2. Savant, C. J., Roden, M. S., & Carpenter, G. L. (1998). Diseño electrónico. Pearson
Educación.
3. Neamen, D. A. (1996). Electronic Circuit Analysis and Design: Pack (Har/Dsk
ed.). Richard D Irwin.
4. Rubio, G. C. (2010). Electrónica [Link] medio. McGraw-Hill Education.
5. Thomas [Link]. (2008) Dispositivos Electrónicos (8va ed.) Pearson Prentice Hall

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