Tarea 2: Funcionamiento

y principales aplicaciones
de:
UJT, SCR,TRIAC,DIAC,
BCT,LASCR,RCT,GTO,FET-
CTH,MTO,ETO,IGCT,MCT Y SITH

Universidad Tecnológica de Nuevo

Laredo.

Materia: Control de motores ll.

Docente: Ing. Santos G. Salazar Méndez.
Alumno: Jesús Enrique Castellanos Saldaña.
Matricula: 5414101025.
Grado y grupo: 8 B.
Carrera: ING. Mecatrónica Área
Automatización (MAA).
Unidad 2
Funcionamiento y principales aplicaciones de:
 UJT:
El transistor de Unijuntura (UJT): Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador
de pulsos de disparo para SCR y TRIACs.

El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra
en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto

solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas,
presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa
con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto
hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no
conduce. Para entender mejor cómo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito
equivalente de la figura siguiente:

EJEMPLO

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de

las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor
y el cristal N.

Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es igual a:
Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos bases, la tensión
que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es
decir, en el divisor de tensión se cumplirá que:

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.

El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y VBB.

Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a 0,85 y queremos
determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre
bases, bastará con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que aplicar para que el
diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensión de 8V al emisor, éste no
conducirá, ya que en el cátodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a
la tensión intrínseca, por lo que dicho diodo permanecerá polarizado inversamente. Sin embargo,
si aplicamos una tensión superior a 10,9V (los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del
diodo D), el diodo comenzará a conducir, produciéndose el disparo o encendido del UJT. En
resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conducción es necesario aplicar al emisor
una tensión superior a la intrínseca.

 Principales aplicaciones:
Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos
pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.

En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formado por la
resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este
condensador está conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en
conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se
descargará rápidamente, y en el terminal de B1aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir la
corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de
mantenimiento, éste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del
condensador. Así, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una señal pulsante en
forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o
de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de la
resistencia variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de carga del condensador.

Fuente:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresUJT.html

 SCR:
¿Qué es un SCR? El rectificador controlado de silicio SCR –Silicon Controlled Rectifier-, es un
dispositivo de estado sólido tipo semiconductor que conduce la corriente eléctrica en su estado de
encendido y la bloquea en su estado de apagado. El SCR dispone de tres terminales: Ánodo,
Cátodo y Puerta, la conducción de la corriente entre Ánodo y Cátodo es controlada a través del
terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador
casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Estructura: El tiristor (SCR), está formado por cuatro capas semiconductoras P y N. Estas cuatro
capas forman 3 uniones PN: U1 (P1-N1), U2 (N1-P2) y U3 (P2-N2), que se corresponden con 3
diodos. El comportamiento de estos diodos no es independiente, ya que hay capas comunes entre
ellos, y por tanto habrá interacciones que determinan el comportamiento final.

Ejemplo:
Funcionamiento del SCR: es un dispositivo rectificador de la familia de los tiristores, sólo
permite la circulación de corriente eléctrica en la dirección ánodo-cátodo cuando se hace efectivo
el pulso de cebado o disparo aplicado en la puerta. En el caso típico de rectificación la tensión
alterna CA, monofásica o trifásica, el SCR sólo conduce durante los semi ciclos positivos de la señal
de voltaje. El SCR entra en estado de conducción cuando la tensión entre el ánodo y el cátodo es
positiva y se aplica el pulso de disparo en la puerta; el SCR se apaga en forma natural, cuando la
corriente entre los dos terminales principales cae por debajo de la corriente de mantenimiento
especificada por el fabricante. Cuando el SCR está encendido el voltaje ánodo cátodo es del orden
de 1 voltio y cuando está apagado se somete a una tensión inversa cuyo valor máximo no debe
superar la tensión de ruptura para evitar que entre en avalancha y se destruya. El SCR también
está apagado con tensión positiva entre ánodo y cátodo si no sea aplica el pulso de cebado.

 Principales aplicaciones:
La aplicación de los tiristores se extiende desde la rectificación de corrientes alternas, en lugar de
los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones de baja potencia
en circuitos electrónicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente
continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza
como rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de puerta. De
esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace variar el momento del disparo
ya que se obtendrán diferentes ángulos de conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna
de entrada. Además, el tiristor se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva
a negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión inversa. Por lo anteriormente
señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas están las siguientes:

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación reguladas.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Recortadores.
 Inversores.
 Ciclo conversores.
 Cargadores de baterías.
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacción.
 Controles de fase.

Ventajas

 Requiere poca corriente de gate para disparar una gran corriente directa
 Puede bloquear ambas polaridades de una señal de A.C.
 Bloquea altas tensiones y tiene caídas en directa pequeñas

Desventajas

o El dispositivo no se apaga con Ig=0

 o No pueden operar a altas frecuencias
o Pueden dispararse por ruidos de tensión
o Tienen un rango limitado de operación con respecto a la temperatura

Fuente: http://suconel.com.co/home2/suconelc/public_html/images/stories/Resources/
SCR.pdf

 TRIAC:
El TRIAC es un componente electrónico semiconductor de tres terminales para controlar la
corriente. Su nombre viene del término TRIode for Alternating Current = Triodo Para Corriente
Alterna.

Podríamos decir que un triac se utiliza para controlar una carga de CA (corriente alterna),
semejante a como un transistor se puede utilizar para controlar una carga de CC (corriente
continua). En definitiva, es un interruptor electrónico, pero para corriente alterna. Los triac se
utilizan en muchas ocasiones como alternativas al relé.

Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos terminales (ánodo 1 y 2) para dejar
pasar la corriente (corriente de salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a otro terminal
llamado "puerta" o Gate (corriente de activación).

Se seguirá permitiendo que la corriente fluya hasta que la corriente de salida disminuya por
debajo de un valor determinado, llamada corriente umbral, o se corte la corriente totalmente de
alguna forma, por ejemplo, con un interruptor o pulsador como luego veremos.

En el ánodo 1 y 2 se coloca el elemento de salida que queremos controlar con el triac (una
lámpara, motor, etc.).

Fíjate en la siguiente imagen donde usamos un triac como interruptor para encender una lámpara
o bombilla. Es un circuito muy básico, pero que nos sirve para entender su funcionamiento. Luego
veremos cómo lo mejoramos.
Funcionamiento de TRIAC: El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente a la
patilla puerta. Un pulso (corriente) en la puerta y el triac funcionará como un conductor.
Conducirá corriente en una u otra dirección. Veamos porqué.

Fíjate cuando tenemos polarizado el MT1 al positivo y el MT2 al negativo (representado en la

imagen de color rojo). Hemos llamado a los dos tiristores SCR1 y SCR2. Podemos pensar también
que son dos diodos aunque sean dos tiristores.

Si pensamos como si tuviéramos dos diodos (scr1 y scr2), resulta que el scr2 está polarizado
directamente y conduce, el scr1 está polarizado inversamente y no conduce o no permite el paso
de la corriente a través de él. En este caso el sentido de la corriente de salida será hacia arriba,
representada de color rojo.

Si ahora cambiamos la polaridad del triac, es decir ponemos el - en MT1 y el + en MT2 (de color
azul) ahora el que conduce es el scr1 y scr2 no conduce. La corriente de salida tendrá el sentido
hacia abajo o la representada de color azul.

Como ves, cualquiera que sea la dirección (o polaridad) de la corriente de salida que intenta pasar
por el triac, esta puede pasar.

Cualquiera que sea la dirección de la corriente que intenta pasar por el triac, si el triac está
activado, se comportará como un conductor, dejando que esta fluya. Se comporta como un
interruptor cerrado.

Si trabajamos con una corriente alterna, la polaridad del triac irá cambiando según el ciclo de la
onda senoidal de la ca, pero en ambos casos el triac funciona. Por este motivo es ideal para utilizar
en c.a.
  Principales aplicaciones:
El triac es fácil de usar y ofrece ventajas de coste sobre el uso de dos tiristores para muchas
aplicaciones de baja potencia. Cuando se necesitan potencias superiores, casi siempre se utilizan
dos tiristores colocados en "anti-paralelo".
Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:

 Para reguladores de luz.

 Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.
 Para el control de motores pequeños.
 Para el control de pequeños electrodomésticos.
 Para el control de temperatura, control de iluminación, control de nivel de líquido, los
circuitos de control de fase, interruptores de potencia, etc.

Fuente:
http://www.areatecnologia.com/electronica/triac.html
  Diac:
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas
opuesta. La conducción se da cuando se ha superado el valor de tensión del zener que está
conectado en sentido opuesto.

El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga. La conducción
aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.

Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra en conducción

dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en
aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.

Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de cebado o
de disparo (30v aproximadamente, dependiendo del modelo).

Símbolo del diac

Estructura interna de un diac

Funcionamiento del diac: El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un

dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional simétrico (sin polaridad)
con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un componente electrónico
que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina
bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de cebado o de disparo que conduce la corriente
sólo tras haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior
al valor característico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo
para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de
alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.
 En la curva característica se observa que cuando

- +V o - V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto

- +V o - V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito

Sus principales características son:

 Tensión de disparo
 Corriente de disparo
 Tensión de simetría (ver gráfico anterior)
 Tensión de recuperación
 Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1
watt.)

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es

un diodo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y
ninguno de control. Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensión de cebado o de disparo que conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de
disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico para ese
dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la
corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de 30 V. En este
sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.

 Principales aplicaciones:
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de
forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna.
Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable, calefacción
eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.
La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en
la Figura, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de
disparo del DIAC, produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta
del TRIAC y le pone en conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y
otra en el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como
consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión media aplicada
a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.

Fuente: https://www.dirind.com/dae/monografia.php?
cla_id=7 https://www.ecured.cu/DIAC

 BCT:
El comportamiento eléctrico del BCT corresponde a dos tiristores fabricados en la misma oblea y
conectados en anti paralelo.

El BCT es un nuevo concepto para control por fase con alta potencia. Su símbolo se ve en la figura.
Es un dispositivo único que combina las ventajas de tener dos tiristores en un encapsulado,
permitiendo diseñar equipos más compactos, simplificando e sistema de enfriamiento y
aumentando la fiabilidad del sistema.

Funcionamiento:
Curva caracteristica
Encendio y apagado. un BCT tiene dos compuertas: una para encender e inicar el flujo d ela
corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Este tiristor enciende con un
pulso de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la corriente anodica baja del valor de
la corriente de detencion, por el ocmportamiento natural del voltae o la corriente.

Se integran dos medios tiristores en anti paralelo en una pastilla de manera que no se
interfieran entre sí.

Innovación
Tiene la ventaja de ser más compacto simplificando el sistema de enfriamiento, mayor
fiabilidad y menor costo final del convertidor.

Tiene dos compuertas, una para activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para
activarla en sentido inverso (tiristor B). La desactivación se logra por disminución de la corriente
anódica por debajo de la mínima de mantenimiento, similar a los SCR.

 Principales aplicaciones:
 Los BCT son adecuados en aplicaciones tales como compensadores estáticos de Volt
Ampere reactivos (VAR), interruptores estáticos, arrancadores suaves y controles de
motor
 Los tiristores controlados por fase suelen funcionar a la frecuencia de la línea
 Inician la conducción cuando se aplica un pulso de disparo de corriente de la compuerta
del cátodo

Fuente:
https://prezi.com/jeuhv_psqz_i/tiristores-con-control-birideccional-bct/
https://books.google.com.mx/books?id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA323&lpg=PA323&dq=transist
or+eto+aplicaciones&source=bl&ots=9tlQyx4cls&sig=EkBU1TRzg4xGmpqKpcjI_nbZ_Sg&hl=es
&sa=X&ved=0ahUKEwjE6J3esOjZAhUJ11MKHQErD0AQ6AEIMzAB#v=onepage&q&f=false

 LASCR:
Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR): Dispositivo semiconductor de cuatro capas
que opera esencialmente como el SCR normal, solamente que es activado por medio de energía
luminosa que incide sobre una de las junturas PN. Cuando la luz incidente es suficientemente
intensa, el LASCR se dispara y permanece en ese estado, aunque desaparezca esa luz.
Principio de funcionamiento: Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre
el disco de silicio. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la
corriente de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se
diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas
prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito
puede ser reconocido por la simbología que muestra la figura I. Como se observa el mismo cuenta
con tres terminales Puerta (G), Anodo (A), Cátodo (K) y una ventana transparente por donde entra
la luz.

Características: La especificación de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500
A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt típico es 250 A/ms y el
dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms. La frecuencia de conmutación es de hasta 2kHz, estos
tiristores normalmente disponen de conexiones especiales para ser disparados con fibra óptica.
Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de
conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos
cientos de kilovoltios.

 Principales aplicaciones:
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, por ejemplo, transmisión de cd de
alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática o de volt-amperes reactivos
(VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el
dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como
unos cuantos cientos de kilovoltios.

Equipos en que se usa

 Alarmas antirrobo
 Detectores de presencia en puertas y ascensores
 Circuitos de control óptico en general
 Relevadores
 Control de fase
 Control de motores
 Y una variedad de aplicaciones en computadoras.

Fuente:
https://www.ecured.cu/Rectificador_controlado_de_silicio_fotoactivo_(LASCR)
  RCT / RTC:
Tiristor de conducción inversa (RTC). Tiristor el cual cumple con las características de un tiristor
común y puede considerarse como un tiristor con un diodo anti paralelo incorporado, es te se usa
en la electrónica de potencia.

Funcionamiento: En muchos circuitos pulsadores e inversores se conecta un diodo anti paralelo

a través de un SCR, con la finalidad de permitir el flujo de corriente inversa debido a una carga
inductiva y para mejorar el requisito de desactivación de un circuito de conmutación. El diodo fija
el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 o 2 volt por debajo de las condiciones de régimen
permanente. Sin embargo, en condiciones transitorias el voltaje puede elevarse hasta 30 volt
debido al voltaje inducido por la inductancia dispersa en el circuito dentro del dispositivo.

 Principales aplicaciones:
Un RCT es un intercambio entre características del dispositivo y requisitos del circuito; puede
considerarse como un tiristor con un diodo anti paralelo incorporado.

Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El mismo cuenta con tres pines ánodo,
cátodo y puerta. El voltaje de bloqueo directo varia de 400 a 2000 volts y la especificación de
corriente hasta 500A. El voltaje de bloque inverso es típicamente de 30 a 40 Volts. Dada las
características de relación entre la corriente directa a través de un tiristor y la corriente inversa del
diodo, sus aplicaciones se limitan a diseños de circuitos específicos.

Fuente: https://www.ecured.cu/Tiristor_de_conducci
%C3%B3n_inversa

 GTO:
Tiristor desactivado por compuerta (GTO). Son semiconductores discretos que actúan como
interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser encendidos y apagados en
cualquier momento con una señal de compuerta positiva o negativa respectivamente. Estos
componentes están optimizados para tener muy bajas pérdidas de conducción y diseñados para
trabajar en las más demandantes aplicaciones industriales. Estos componentes son altamente
utilizados en Convertidores de Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de baja y
media frecuencia.
Estructura: Un tiristor GTO tiene la estructura muy similar a un tiristor SRC convecional, como se
muestra en la figura I. con sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (K) y
puerta (G).

Funcionamiento: Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de
una señal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal negativa
de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con especificaciones de
corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso
positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la compuerta, el dispositivo se bloquea

para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de
vías en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este
punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la
carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en inversa, solo una pequeña
corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando
ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del método de
fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado.

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva es

aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para ésta condición, existen 2
formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos hasta
un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción regenerativa interna no es
efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el método
más recomendable porque proporciona un mejor control.

Ventajas de los GTO sobre los SCR

 Eliminación de los componentes auxiliares en la conmutación forzada, que da como

resultado una reducción en costo, peso y volumen.
 Eliminación del ruido acústico y electromagnético debido a la eliminación de bobinas de
inducción en la conmutación.
 Desactivación más rápida, permitiendo frecuencias de conmutación más altas.
 Una eficiencia mejorada de los convertidores.

Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.

 Más alta capacidad de voltaje de bloqueo.

 Alta relación de corriente de pico controlable a corriente promedio.
  Alta relación de corriente de pulsación pico a corriente promedio, típicamente de 10:1.
 Alta ganancia en estado activo típicamente de 600 Señal de compuerta pulsada de corta
duración. Bajo condiciones de pulsación de carga, un GTO pasa a una saturación más
profunda debido a la acción regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a
salirse de saturación.
 Principales aplicaciones:
 Troceadores y convertidores
 Control de motores asíncronos
 Inversores
 Caldeo inductivo
 Rectificadores
 Soldadura al arco
 Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
 Control de motores
 Tracción eléctrica

Fuente:
https://www.ecured.cu/Tiristor_desactivado_por_compuerta_(GTO)

 FEC-TCH:
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la
figura siguiente.

FET o JFET (Junction Field Effect Transistor).

MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semiconductor Transistor o Insulated Gate
Field Effect Transistor).

Funcionamiento del jeft: El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su

funcionamiento se basa en las zonas de deflexión que rodean a cada zona p al ser polarizadas
inversamente.

Funcionamiento MOSFET: Se realiza con el control de la corriente a través del semiconductor se

realiza mediante un contacto separado del semiconductor por una capa aislante.

Funcionamiento del FET- CTH: Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente,
típicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta
velocidad de conmutación, un di/dt alto y un dv/dt alto. Este dispositivo se puede activar como los
tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta
  Principales aplicaciones:
Esto serviría en aplicaciones en las que un disparo óptico debe utilizarse con el fin de
proporcionar un aislamiento eléctrico entre la señal de entrada o de control y el dispositivo de
conmutación del convertidor de potencia.

 Amplificador de RF
 Mezclador
 Amplificador con CAG
 Amplificador cascada
 Oscilador
 Circuito MOS digital
 Circuito MOS digital
 Circuito MOS digital

Fuente: https://books.google.com.mx/books?
id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA322&dq=fet-
cth+aplicaciones&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwjCwLOKwOXZAhUO0lMKHWVlALAQ6AEIKDAA#v=on
epage&q=fet-cth%20aplicaciones&f=false
http://dte_recursos.webs.uvigo.es/recursos/multimedia/potencia/dc-ac/tiristor.htm#cth
https://prezi.com/ycz0tbt0pelb/control-de-motores-electricos/

 MTO:
El MTO fue desarrollado por silicon power Company(SPCO). Es una combinación de un GTO y un
MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado del GTO. El inconveniente
principal de los GTO es que requieres un circuito de encendido con grandes pulsos de corriente,
para la compuerta de baja impedancia. El circuito de la compuerta debe proporcionar la corriente
de apagado de compuerta, cuya amplitud pico típica de 35% de la corriente que se va a controlar.
Funcionamiento: El MTO proporciona la misma funcionalidad que el GTO, pero usa un control de
compuerta que debe suministrar solo el voltaje de nivel de señal necesario para encender y apagar
los transistores MOS. La figura muestra le símbolo la estructura y el circuito equivalente del MTO.

 ENCENDIDO
Enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de encendido. Este pulso
enciende el transistor npn que a su vez enciende al transistor pnp y retiene al MTO
 APAGADO
Para apagar el MTO se aplica un pulso de voltaje en la compuerta MOSFET al encenderse
esta, se pone en corto en emisor y la base del transistor npn deteniendo así el proceso de
retención
 Principales aplicaciones:
Su estructura es parecida a la de un GTO, y conserva las ventajas de los GTO de alto voltaje (hasta
10kv) y gran corriente (hasta 4000 A). los MTO se pueden usar en aplicaciones de gran potencia,
desde 1 a 20 MVA.

Fuente: https://books.google.com.mx/books?
id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA323&lpg=PA323&dq=tiristor+mto
+aplicaciones&source=bl&ots=9tlQxy59ov&sig=ZgS_NG1o2F9qxPIqc7oMezj2oyM&hl=es&sa=X&v
ed=0ahUKEwi0gpqY5OXZAhWQzVMKHbwsC7MQ6AEINDAB#v=onepage&q=tiristor%20mto%20apl
icaciones&f=false

 ETO:
El ETO es un dispositivo híbrido de MOS y GTO en el que se combinan las ventajas del GTO y del
MOSFET. El ETO fue inventado en el virginia power electronics center, en colaboración con SPCO.
El Símbolo del ETO, su circuito equivalente y la estructura pn se ven en la figura 7.22. Un ETO tiene
dos compuertas: una normal, para encenderlo, y una con un MOSFET en serie, para apagarlo. Se
han demostrado ETO de alta potencia, con especificaciones de corriente hasta 4kA y de voltaje de
6kV.

Funcionamiento:

 Activación: Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2. Con un

voltaje positivo en la compuerta 2 el cátodo Qe de MOSFET se enciende y apaga la
compuerta Qg del MOSFET. Una inyección de corriente a la compuerta de GTO (a través
de la compuerta 1) enciende al ETO, debido a la existencia del GTO.
  Apagado: cuando se aplica una señal de apagado, con voltaje negativo, al cátodo Qe del
MOSFET, se apaga y toda la corriente se desvía del cátodo (emisor n del transistor npn del
GTO) hacia la base a través de la compuerta Qg del MOSFET. Esto detiene el proceso de
retención regenerativo y el resultado es una apagado rápido.

 Principales aplicaciones:
Se utiliza en frecuencia intermedia de 5kHz.

Fuente: https://books.google.com.mx/books?
id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA323&lpg=PA323&dq=transistor+e
to+aplicaciones&source=bl&ots=9tlQyx4cls&sig=EkBU1TRzg4xGmpqKpcjI_nbZ_Sg&hl=es&sa=X&v
ed=0ahUKEwjE6J3esOjZAhUJ11MKHQErD0AQ6AEIMzAB#v=onepage&q&f=false
https://es.slideshare.net/isaiasnathanael/tipos-de-tiristores

 IGCT:
En el IGCT se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de compuerta en
tarjeta de circuito compreso multicapa. El CGT es un GTO de conmutación permanente, con un
pulso de corriente de compuerta muy rápido y grande, tan grande como la corriente total
especificada, que toma toda la corriente del cátodo y la lleva a la compuerta aproximadamente en
1 uS, para asegurar un pagado rápido.

La estructura interna y el circuito equivalente de un GCT se parecen a los del GTO que se ve en la
figura 7.14 en la figura 7.23 se ve un corte transversal de un IGCT. Este también puede tener un
diodo inverso integrado, indicado por la unión n+ n-p del lado derecho de la figura 7.23. En forma
similar a un GTO, MTO y ETO, la capa de acoplamiento n distribuye el esfuerzo dieléctrico a través
de la capa n, reduce el espesor de esa capa, disminuye las perdidas por conducción en estado de
encendido, y hace el dispositivo sea asimétrico. La capa p del ánodo se fabrica del gada y
ligeramente dopada, para permitir una remoción más rápida de cargas, del lado ánodo durante el
apagado.
Funcionamiento:

 Encendido: como un GTO, el IGCT se enciende aplicando la corriente de encendido a su

compuerta.
 Apagado: el IGCT se apaga con una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuerta
que aplica un pulso de apagado de subida rápida; por ejemplo, una corriente de
compuerta de 4 kA7us, solo con voltaje de 20 V de compuerta a cátodo. Con esta variación
de la corriente de compuerta, el transistor npn del lado del cátodo se apaga en su
totalidad en menos de aproximadamente 1 us y de hecho el transistor pnp del lado del
ánodo se deja con una base abierta, y se apaga en forma inmediatamente. Debido a la
muy corta duración del pulso, se reduce mucho la negaría de encendido de compuerta y
se reduce al mínimo el consumo de la misma.

 Principales aplicaciones:
Se utiliza en frecuencia de 5kHz y con un voltaje 5kV, 400 A.

Aplicaciones de la técnica IGCT: La mayor ventaja del tiristor IGCT es su capacidad para
desconectar en 3 microsegundos y para conducir como un tiristor normal. Por eso, la tecnología
IGCT permite realizar instalaciones de onduladores con pérdidas que no llegan ni a la mitad que las
de otras tecnologías. Los IGCT han hecho posible la configuración de circuitos con una potencia
nominal de hasta 100 MW, valor que antes exigía el montaje en serie de numerosos
conmutadores de silicio. Los equipamientos para media tensión construidos con la nueva técnica
se distinguen además por su altísima fiabilidad.

Convertidor de tiristores IGCT con las siguientes características:

– Los elementos IGCT se montan con facilidad en una configuración compacta.

– La estructura permite sustituir rápidamente los IGCT en el improbable caso de que falle un
elemento.

Fuente: https://books.google.com.mx/books?
id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA323&lpg=PA323&dq=transistor+e
to+aplicaciones&source=bl&ots=9tlQyx4cls&sig=EkBU1TRzg4xGmpqKpcjI_nbZ_Sg&hl=es&sa=X&v
ed=0ahUKEwjE6J3esOjZAhUJ11MKHQErD0AQ6AEIMzAB#v=onepage&q&f=false
https://es.slideshare.net/isaiasnathanael/tipos-de-tiristores
https://library.e.abb.com/public/803817ef50d6667cc1256ddd00346ce1/12-17m457.pdf

 MCT:
En un MCT se combina las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, y una
estructura de compuerta de MOS. Como el IGBT, combina las ventajas de las estructuras bipolares
de unión con las de efecto de campo, y es una mejora respecto a un tiristor con un par de MOSFET
que lo enciendan y paguen. Aunque hay varios dispositivos en la familia de MCT con
combinaciones distintas de estructuras de canal y de compuertas. EL MCT de canal p se menciona
mucho en las publicaciones. En la figura 7.24ª se ve un esquema de una celda p de MCT. El circuito
equivalente aparece en la figura 7.24b, y el símbolo en la figura 7.24c. la estructura NPNP se puede
representar con un transistor NPN Q1 y un transistor PNP Q2. La estructura de compuerta de MOS
se puede representar con un MOSFET M1 de canal p, y un MOSFET M2 de canal n.

Debido a que la estructura de NPNP y no s la estructura PNPN de un SCR normal, el ánodo sirve
como terminal de referencia, con respecto a la cual se aplican todas las señales de compuerta.
Supongamos que el MCT está en su estado de bloqueo en sentido directo, y se aplica un voltaje
Vga negativos. Se forma un canal p (o una capa de inversión) en el material dopado n, haciendo
que los huecos fluyan lateralmente, desde el emisor p E2 de Q2 (S1 de fuente, de canal p). este
flujo de huecos es la corriente de base para el transistor NPN Q1. El emisor n E1 de Q1 inyecta
entonces electrones que alcanzan la base n B2, de modo que el transistor PNP Q2 se activa y
retiene al MCT. En resumen, un voltaje de compuerta Vga negativo activa el MOSFET m1 de canal
p y con ello proporciona la corriente de base paralela transistor Q2.

Funcionamiento:

 Encendido: cuando un MCT de canal p está en el estado de bloqueo en sentido directo, se

puede encender aplicando a su compuerta un pulso negativo con respecto al ánodo.
Cuando un MCT de canal n está en el estado de bloqueo en sentido directo, se puede
encender aplicando a su compuerta un pulso positivo con respecto al cátodo. Un MCT
 permanece en estado encendido hasta que se invierten las corrientes por él, o se aplica un
pulso de apagado a su compuerta.
 Apagado: cuando un MCT de canal p está en estado de encendido, se puede apagar
aplicando a su compuerta un pulso positivo con respecto al ánodo. Cunado un MCT de
canal n está en estado de encendido, se puede apagar aplicando a su compuerta un pulso
negativo con respecto al cátodo.

El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor
que la corriente controlable pico. Si se trata de apagar el MCT con corrientes mayores que su
corriente especificada, se debe conmutar el MCT para apagarlo como un SCR normal.

 Principales aplicaciones:
En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de
compuerta sobre la totalidad del período de encendido/apagado a fin de evitar ambigüedad en el
estado.

 Se utiliza en frecuencia de 5kHz.

 Una baja caída de voltaje directo durante la conducción;
 Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado rápido,
típicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
 Bajas perdidas de conmutación;
 Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
 Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de
excitación. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas,
con sólo modestas reducciones en la especificación de corriente del dispositivo. No se
puede excitar fácilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una
polarización continua a fin de evitar ambigüedad de estado.

Fuente: https://books.google.com.mx/books?
id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA323&lpg=PA323&dq=transistor+e
to+aplicaciones&source=bl&ots=9tlQyx4cls&sig=EkBU1TRzg4xGmpqKpcjI_nbZ_Sg&hl=es&sa=X&v
ed=0ahUKEwjE6J3esOjZAhUJ11MKHQErD0AQ6AEIMzAB#v=onepage&q&f=false
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http://jimmy-calderon.blogspot.mx/2011/11/tiristores-controlados-por-mos-mct.html

 SITH:
El SITH, llamado también diodo controlado- limado (FCD, de field- controlled diode) fue
introducido por Teszner en la década de 1960. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. EN consecuencia, tiene baja resistencia o caída de voltaje en estado activo, y se
puede fabricar con mayores especificaciones de voltaje y corriente. Tiene grandes velocidades de
conmutación y mayores capacidades de la es tasas dv/dt y di/dt. El tempo de conmutación es del
orden de 1 a 6 s. La especificación de voltaje puede llegar hasta a 2500 V, y la de corriente se
limita a 500 A. este dispositivo tiene sensibilidad extremadamente alta al proceso, y pequeñas
perturbaciones en su manufactura producen grandes cambios en sus características. Con la llegada
de la tecnología si C se ha fabricado un SITH 4H-SiC con voltaje de bloqueo en sentido directo de
300 V. en la figura 7.25ª se ve el corte transversal de la estructura de media celda de un SITH; su
circuito equivalente esta la figura 7.25b, y su símbolo en la figura 7.25c.

Funcionamiento:

 Encendido: en el caso normal, un SITH se enciende aplicando en la compuerta un voltaje

positivo con respecto al cátodo. El SITH se enciende con rapidez, siempre que la corriente
y el voltaje de encendido sean suficientes. Al principio, se encienden el diodo PIN de
compuerta a cátodo e inyecta electores de la región N del cátodo a la región de la base,
entre la compuerta P y el cátodo N, que pasara al canal y modulan a su la resistividad del
canal. El voltaje positivo en la compuerta reduce la barrera de potencial en el canal, que
en forma gradual se vuelve conductora. Cuando los electrones llegan a la unión J1, el
ánodo P comienza a inyectar huecos la base, proporcionando la corriente de base del
transistor Q2.
 Apagado: en el caso normal, un SITH se apaga aplicando a la compuerta un voltaje
negativo con respecto al cátodo. Si a la compuerta se le aplica un voltaje negativo de valor
suficiente, se forma una capa de agotamiento en torno a la compuerta P. se crea en el
canal una barrera de potencial, que lo hace más angosto y elimina en el exceso de
portadores. Si el voltaje de compuerta es suficientemente grande, las capas de
agotamiento de las regiones adyacentes a la compuerta se unen en el canal y al final
detienen el flujo de corriente de electores en el canal. La capa de agotamiento termina por
estrechar totalmente el canal. A pesar de que no hay corriente de electrones, la corriente
de huecos continúa pasando, debido al exceso de portadores que queda en la base, que
decaen en forma lente.

 Principales aplicaciones:
  Se utiliza en frecuencia de 100 kHz y con un voltaje 2500 V.
 Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricación.
 pequeñas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de
importancia en sus características.
 Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo, así como una baja
caída de potencial.
 se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente más altas.

Fuente: https://books.google.com.mx/books?
id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA323&lpg=PA323&dq=transistor+e
to+aplicaciones&source=bl&ots=9tlQyx4cls&sig=EkBU1TRzg4xGmpqKpcjI_nbZ_Sg&hl=es&sa=X&v
ed=0ahUKEwjE6J3esOjZAhUJ11MKHQErD0AQ6AEIMzAB#v=onepage&q&f=false
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