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Sílabo de Dispositivos Electrónicos V

Este sílabo describe un curso de 3 créditos sobre Dispositivos Electrónicos para estudiantes de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones. El curso cubre temas como diodos semiconductores, transistores bipolares, transistores de efecto de campo, dispositivos optoelectrónicos y circuitos integrados a lo largo de 18 semanas. El curso utiliza métodos de enseñanza como exposiciones magistrales, ejercicios prácticos y proyectos de investigación para ayudar a los estudiantes a comprender y
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Sílabo de Dispositivos Electrónicos V

Este sílabo describe un curso de 3 créditos sobre Dispositivos Electrónicos para estudiantes de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones. El curso cubre temas como diodos semiconductores, transistores bipolares, transistores de efecto de campo, dispositivos optoelectrónicos y circuitos integrados a lo largo de 18 semanas. El curso utiliza métodos de enseñanza como exposiciones magistrales, ejercicios prácticos y proyectos de investigación para ayudar a los estudiantes a comprender y
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FACULTAD DE INGENIERÍA Y ARQUITECTURA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y


TELECOMUNICACIONES

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

SÍLABO

I. DATOS GENERALES

CARRERA PROFESIONAL : INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y


TELECOMUNICACIONES
CÓDIGO CARRERA PROFESIONAL : 29
ASIGNATURA : DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
CÓDIGO DE ASIGNATURA : 29-304
CÓDIGO DE SÍLABO : 2930431012014
Nº DE HORAS TOTALES : 4 HORAS SEMANALES
Nº DE HORAS TEORÍA : 2 HORAS SEMANALES
N° DE HORAS PRÁCTICA : 2 HORAS SEMANALES
Nº DE CRÉDITOS : 3 CRÉDITOS
CICLO : V CICLO
PRE-REQUISITO : 29-210
TIPO DE CURSO : OBLIGATORIO
DURACIÓN DEL CURSO : 18 SEMANAS EN TOTAL
CURSO REGULAR : 17 SEMANAS
EXAMEN SUSTITUTORIO : 1 SEMANA
DURACIÓN DEL CURSO : 9 SEMANAS EN TOTAL
EN LA MODALIDAD A DISTANCIA
CURSO REGULAR : 8 SEMANAS
EXAMEN SUSTITUTORIO : 1 SEMANA

II. DESCRIPCIÓN DE LA ASIGNATURA

Conducción en semiconductores. Diodos semiconductores. Transistores


bipolares. Transistores unipolares. Transistor de efecto de campo.
Dispositivos de potencia. Dispositivos optoelectronicos, Circuitos integrados.
Practicas y exposiciones.

III. OBJETIVOS ESPECÍFICOS

Comprender los principales conceptos de la física de semiconductores y


aplicarlos. Comprender cualitativa y cuantitativamente el funcionamiento y

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aplicación de: diodo semiconductor, transistor bipolar, transistor de efecto


campo, dispositivos optoelectronicos, circuitos integrados.

IV. METODOLOGÍA

Se emplea la exposición magistral y luego se motiva la discusión de un caso


de estudio, basado en la ejemplificación y planteamiento de ejercicios
prácticos. Teniendo como materiales de enseñanza la pizarra, proyector,
tizas, plumones y dispositivos electrónicos.

V. EVALUACIÓN

Asistencia: Obligatoria

NF = 30% EP + 30% EF + 40% PP

DONDE:

NF = Nota Final
EP = Examen Parcial
EF = Examen Final
PP = Prácticas Calificadas

VI. CONTENIDO

Semana 01:
Conceptos de bandas de energía, portadores eléctricos, tipos de materiales,
corrientes eléctricas, discusión de aplicaciones y trabajo.

Semana 02:
Ecuación de la continuidad, estudios de casos de semiconductores sometidos
a excitación-problemas de aplicación, trabajo de investigación.

Semana 03:
La juntura P-N, concentraciones de portadores, potenciales de contacto con
polarización y sin polarización campo eléctrico en el interior del diodo
semiconductor.

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Semana 04:
Deducción del modelo matemático del diodo semiconductor, determinación de
sus parámetros, deducción del modelo circuital y aplicaciones. Trabajo de
investigación.

Semana 05:
Efectos parásitos en el diodo semiconductor, capacidad de transición,
capacidad de difusión, fenómenos de ruptura, aplicaciones. Diodo Zener,
características y aplicaciones.
Diodo Túnel, características y aplicaciones. Exposición magistral.

Semana 06:
Estructura del BTT, distribución de concentraciones y potenciales a lo largo
del BTT, deducción del modelo matemático del BTT. Trabajo practico.

Semana 07:
Modelamiento circuital del BTT, Parámetro en los BTT, Parámetros
importantes estudio en estados de polarización en zona activa. Introducción a
la respuesta en frecuencia experimento de laboratorio.

Semana 08:
Estudio del BTT en estados de corte y saturación, elementos de análisis y de
diseño.

Semana 09:
EXAMEN PARCIAL

Semana 10:
Aplicaciones del dispositivo en la electrónica digital. Experimento de
laboratorio tiempos de conmutación.

Semana 11:
Estructura del FET, clasificación, estudio físico del JFET y del MOSFET,
modelamiento matemático del FET (JFET y MOSFET), estudio diferenciado
del FET, del funcionamiento en las diversas zonas.

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Semana 12:
Modelamiento circuito del FET, elementos parásitos en los FETS. Estudio de
funcionamiento y aplicaciones en la zona de “PINCH-OFF”. Aplicaciones
Fundamentales.

Semana 13:
Estudio del FET en estados de corte y región tríodo, introducción al análisis y
diseño de aplicaciones digitales, características del funcionamiento del
dispositivo en celdas básicas digitales. Tiempos de retardo y consumo de
potencia.

Semana 14:
Estudio del principio de funcionamiento de los fotodiodos, fototransistores,
leds, celdas fotovoltaicas, aplicaciones, trabajos de investigación.

Semana 15:
Estudio del funcionamiento cualitativo y cuantitivo de los optocopladores y
switchs ópticos. Aplicaciones y ejercicios.

Semana 16:
Estudio del proceso básico de fabricación de circuitos integrados.
Introducción al análisis y diseño de CI,analógicos y digitales.
La microelectrónica- visión, actuar y proyecciones, metodología de análisis,
diseño y características de circuitos integrados.

Semana 17:
EXAMEN FINAL

Semana 18:
EXAMEN SUSTITUTORIO

VII. BIBLIOGRAFÍA

Además de la bibliografía básica, la complementaria y la electrónica, el


alumno tendrá acceso al uso del Internet para ampliar los temas de
investigación y consulta que requiera.

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A. BIBLIOGRAFÍA BÁSICA
1. Shilling, Donald y Belove ,Charles: Circuitos Electrónicos Discretos e
Integrados, 2da edicion , Editorial Marcombo, 1975, Pág. 629
2. Boylestad Robert y Nashelsky Louis . Electronica Teoria de Circuitos.
3. 5ta edicion, editorial Prentice Hall, 1994 , pág. 916

B. BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA

1. Millman, Jacob y Halkias, Cristos; Electrónica Integrada. Circuitos y


Sistemas Analógicos y Digitales, editorial Hispano Europea Barcelona(
España), 1976 , Pág. 917.
2. Malvino Albert Paul , Buban Peter, Schmitt Marshal, Electricidad y
Electrónica .
3. Aplicaciones Practicas, tomo I, II, III, IV, editorial Mac Graw Hill,1987,
Pág. 872
4. Wolf Stanley , Smith Richard , Guía para Mediciones Electrónicas y
Practicas de Laboratorio, 1era edición, editorial prentice Hall
Hispanoamericana S.A., 1992, Pág. 584
5. Warner Raymond , Fordemwalt James, Circuitos Integrados. Principios
de diseño y fabricación, primera edición, editorial Diana México, 1978,
Pág. 524.

C. BIBLIOGRAFÍA ELECTRÓNICA

1. http://www.pablin.com.ar/
2. http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/
3. http://es.wikipedia.org/wiki/Optoelectr%C3%B3nica
4. http://www.unicrom.com/

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