“Año del Fortalecimiento de la Soberanía Nacional”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
Universidad del Perú, Decana de América
Asignatura:
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS - L17
Tema:
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
Docente:
MESTAS RAMOS, JOSE LUIS
GRUPO "4"
Integrantes:
ARIAS MENDOZA, GEORGES MIJAEL
CARRASCO ALCÁNTARA, JOHNNY JORKAEF
CCAMA SARA, SANDRO XAVIER
GOMEZ AMAYA, LUDWIG ALESSANDRO
GRADOS RODRIGUEZ LEONARDO FABIAN
PRÓLOGO
• En esta EXPERIENCIA N°3 del
Laboratorio de Dispositivos
Electrónicos veremos las
características del TRANSISTOR
BIPOLAR PNP poniendo en práctica su
funcionamiento en un circuito, para
finalmente concluir con sus
respectivas observaciones,
conclusiones y recomendaciones.
OBJETIVOS
• Comprobar las
caracerísiticas de
funcionamiento de un
transistor bipolar
PNP.
• Fuente de poder DC
• Multímetro
• Microamperímetro
• Transistor 2N3906
• Diodo Zener
• Resistores: 330, 1k, 56k, 22k Ohm
• Condensadores: 0.1, 0.1 y 3.3 uF
• Osciloscopio
• Potenciómetro
• Cables y conectores
EQUIPOS Y
MATERIALES
TRANSISTOR BIPOLAR
PNP
Un transistor bipolar está formado por dos
uniones pn en contraposición. Físicamente
el transistor está constituido por tres
regiones semiconductores denominadas emisor,
base y colector. Existen 2 tipos de
transistores bipolares, los denominados PNP y
NP, siendo el comportamiento de los
transistores PNP totalmente análogos.
ESTADOS DE OPERACIÓN:
Zona de saturación:
El diodo colector esta polarizado directamente y el transistor se comporta como una
pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicional de la base no provoca un aumento de
la corriente del colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un
interruptor cerrado.
Zona activa:
En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por
la
corriente de la base. A pequeños aumentos de la corriente de base corresponden grandes
aumentos de la corriente del colector, de forma casi independiente de la tensión entre el
emisor y colector.
• Zona de corto:
El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener un
circuito base-emisor abierto, en estas circunstancias la corriente del colector
es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito
colector-emisor como un interruptor abierto.
EMISOR:
Se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un
metal. Su nombre se debe a que este terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
BASE:
La intermedia, muy estrecha, que separa al
emisor del colector.
COLECTOR:
De extensión mucho mayor. En su
funcionamiento normal, la unión base-emisor
está polarizada en directa, mientras que la
base colector en inversa.
ESPECIFICACIONES
Tipo de Transistor: PNP
Serie: 2N3906
Encapsulado: TO-92
Pines: 3
Altura: 18 mm
Longitud: 4.19 mm
Ancho: 3.45 mm
Peso de la unidad: 0.18 g
VCBO Máxima Colector-Base: 40v
Tensión VCEO Máxima Colector-Emisor: 40v
Tensión VEBO Máxima Emisor-Base: 5 V
Corriente del Colector Ic: 200 mAdc
Dp – Disipación de potencia: 625 mW
DC ganancia de corriente: 300
fT Ancho de Banda: 250MHz
Voltaje de saturación colector-emisor: 400 mV
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55 °C
PROCEDIMIENTO
1. Verificar el estado operativo del transistor usando un ohmímetro. Llenar la tala 3.1
2. Implementar el circuito de la figura 3.1
a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la
base (Ib). Obtener B (P1 = 0)
b. Medir las tensiones entre el colector - emisor y entre emisor - tierra.
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 3.2
d. Cambiar R1 a 68k. Repetir los pasos a y b. Anote los resultados obtenidos en la tabla 3.3
e. Aumentar el valor de resistencia de P1 a 100k, 250k, 500k y 1M. Observar lo que sucede con las
corrientes Ic e Ib así como con la tensión Vcc (usar Re = 0). Llene la tabla 3.5
3. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1kHz, onda sinusoidal. Observar
la salida Vo con el osciloscopio. Anote sus resultados en la tabla 3.4.
Con R1=56k y con Ce
Ganancia de voltaje (Av):
Tabla 3.4
Con R1=56k y sin Ce
Tabla 3.4
Tabla Vi(mVpp) Vo (mVpp) AV Vo(Sin Ce) AV(Sin Ce)
3.2 49.8 24.5 0.49 47.8 0.96
Con R1=68k y con Ce
Ganancia de voltaje (Av):
Tabla 3.4
Con R1=68k y sin Ce
Tabla Vi(mVpp) Vo (mVpp) AV Vo(Sin Ce) AV(Sin Ce)
3.3 49.9 24.5 0.49 47.8 0.96
Cuestionario
• 1. Explicar el comportamiento del transistor al realizar su verificación
de operatividad con el ohmímetro.
2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del experimento. Ubicar los
puntos correspondientes a las tablas 3.2, 3.3 y 3.5
¿En qué regiones de trabajo se encuentran
los puntos de la tabla 3.2 y 3.3?
• El transistor sólo amplifica en esta zona y se comporta
como una fuente de corriente constante controlada por
intensidad de base (ganancia de corriente). Esto suele
proporcionarnos el fabricante dándonos un máximo y un
mínimo para una corriente de colector dada
¿Qué sucedería con el punto de
operación si cambiamos R 1 a 120K?
• Datos:
• R1= 120 KΩ, R2= 22 KΩ, RC= 1 KΩ, RE= 330 Ω, VCC= 12 V,
hfe =100, P1= 0
• Obtenemos los siguientes resultados teóricos:
• IC≈IE≈3.21 mA
• IB= 32.1 μA
• VCE= 7.73 V
• ICMÁX= 9.022 mA
• VCEMÁX= VCC= 12 V
• Si ubicamos el punto de trabajo del transistor en la
recta de carga, pues, encontraremos que el transistor sí
está trabajado y está ubicado en la zona activa; es
decir, el transistor actúa como un amplificador.
CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES
• Fue importante armar correctamente el circuito, ya que, una errónea
conexión podría causar que no midiésemos bien los valores de la tabla o
también podría ocasionar que los componentes se averíen.
• Es importante polarizar correctamente al transistor debido a que, si es
polarizada inadecuadamente, podríamos obtener datos muy diferentes a lo
que queremos.
• Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero
disminuye la estabilidad en un amplificador.
BIBLIOGRAFÍA
• Tsai, J. H., Chiu, S. Y., Lour, W. S., & Guo, D. F. (2009). High-
performance InGaP/GaAs pnp δ-doped heterojunction bipolar
transistor. Semiconductors, 43(7), 939-942.
• Law, RR, Mueller, CW, Pankove, JI y Armstrong, LD (1952). Transistor de
unión pnp de silicio. Actas de la IRE , 40 (11), 1352-1357.
