554 ◆ T IRISTORES
11–1 E L DIODO DE 4 CAPAS
El tiristor básico es un dispositivo de 4 capas con dos terminales: ánodo y cátodo. Está
construido con cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. El dispositivo
actúa como un interruptor y permanece apagado hasta que el voltaje en directa alcanza cierto
valor; luego se enciende y conduce. La conducción continúa hasta que la corriente se reduce
por debajo de un valor específico. Aun cuando el diodo de 4 capas rara vez se utiliza en diseños
nuevos, los principios forman la base de otro tiristores que se estudiarán después.
Al terminar esta sección, usted será capaz de:
◆ Describir la estructura básica y operación de un diodo de 4 capas
◆ Identificar el símbolo de diodo de 4 capas
◆ Definir voltaje de ruptura en directa
◆ Definir corriente de retención
◆ Definir corriente de conmutación
◆ Discutir una aplicación
El diodo de 4 capas (conocido también como diodo Shockley y SUS) es un tipo de tiristor,
una clase de dispositivos construidos de cuatro capas de semiconductor. La construcción básica
de un diodo de 4 capas y su símbolo esquemático se muestran en la figura 11-1.
La estructura pnpn puede ser representada por un circuito equivalente compuesto de un tran-
sistor pnp y un transistor npn, como muestra la figura 11-2(a). Las capas superiores pnp forman
Q1 y las inferiores npn forman Q2, con las dos capas de en medio compartidas por ambos transis-
tores equivalentes. Observe que la unión base-emisor de Q1 corresponde a la unión pn 1 en la fi-
gura 11-1, la unión base-emisor de Q2 corresponde a la unión pn 3 y las uniones base-colector
tanto de Q1 como de Q2 corresponden a la unión pn 2.
Cuando se aplica un voltaje de polarización positivo al ánodo con respecto al cátodo, co-
mo muestra la figura 11-2(b), las uniones base-emisor de Q1 y Q2 [uniones pn 1 y 3 de la fi-
gura 11-1(a)] se polarizan en directa y la unión base común-colector [unión pn en la figura
11-1(a)] en inversa.
Ánodo
A
unión pn 1
Ánodo (A) A
Q1
p R
Q1
1
n unión pn
2 +
2 Q2
p Q2 –
3
n
unión pn 3 K
Cátodo (K) K Cátodo
(a) Construcción básica (b) Símbolo esquemático (a) (b)
FIGURA 11–1 FIGURA 11–2
Diodo de 4 capas. Circuito equivalente de un diodo de 4 capas.
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EL DIODO DE 4 C APAS ◆ 555
Las corrientes en un diodo de 4 capas se muestran en el circuito equivalente en la figura 11-3.
NOTA HISTÓRICA
A niveles de polarización bajos existe muy poca corriente en el ánodo, y por tanto se encuentra
en el estado apagado o en la región de bloqueo en directa. El diodo de cuatro capas
(también llamado diodo
Shockley) fue inventado por
FIGURA 11–3 William Shockley mientras
A Corrientes en un circuito trabajaba en los Bell Labs.
IA = IE1
Shockley creía que el diodo
equivalente de un diodo de
de cuatro capas
R 4 capas.
Q1 revolucionaría los circuitos
IC2 = IB1
IC1 = IB2 de conmutación telefónicos
+ porque podría reemplazar
Q2
los interruptores mecánicos
– utilizados por el equipo
IK = IE2 telefónico de la época a
K
mediados de la década de
1950. Shockley fundó los
Shockley Semiconductor
Labs con la intención
Voltaje de ruptura en directa La operación de un diodo de 4 capas puede parecer inusual de construir transistores de
porque cuando se polariza en directa, actúa esencialmente como un interruptor abierto. Existe silicio pero pronto cambió
una región de polarización en directa, llamada región de bloqueo en directa, donde el dispositi- el énfasis de su compañía al
vo tiene una muy alta resistencia en directa (idealmente una abertura) y se encuentra en el estado diodo de cuatro capas. Fue
apagado. La región de bloqueo en directa existe desde VAK 0 V hasta un valor de VAK llama- difícil de fabricar con la
do voltaje de ruptura en directa, VBR(F). Esto se indica en la curva de característica de diodo de tecnología de la época y la
4 capas en la figura 11-4. compañía de Shockley
nunca obtuvo ganancias. El
IA FIGURA 11–4 diodo de cuatro capas con el
tiempo evolucionó en el
Curva de característica de
Región de SCR, el cual es en esencia
diodo de 4 capas.
conducción un diodo de cuatro capas
Activo en directa con una compuerta de
control adicional.
IH
IS Región de
Inactivo
VAK bloqueo
0 VBR(F)
en directa
Conforme VAK se incrementa a partir de 0, la corriente en el ánodo, IA, se incrementa gradual-
mente, como se muestra en la gráfica. Conforme IA se incrementa, se llega a un punto donde IA
IS, la corriente de conmutación. En este punto, VAK VBR(F) y las estructuras internas del tran-
sistor se saturan. Cuando esto sucede, la caída de voltaje en directa, VAK, repentinamente se re-
duce a un valor bajo y el diodo de 4 capas entra a la región de conducción en directa, como indica
la figura 11-4. Ahora, el dispositivo se encuentra en el estado encendido y actúa como interrup-
tor cerrado. Cuando la corriente en el ánodo se reduce de nuevo por debajo del valor de retención,
IH, el dispositivo se apaga.
Corriente de retención Una vez que el diodo de 4 capas está conduciendo (en el estado en-
cendido), continuará haciéndolo hasta que la corriente en el ánodo se reduzca por debajo de un
nivel especificado, llamado corriente de retención, IH. Este parámetro también se indica en la
curva de la figura 11-4. Cuando IA se reduce a IH, el dispositivo regresa de inmediato al estado
apagado y entra a la región de bloqueo en directa.
Corriente de conmutación El valor de la corriente en el ánodo, en el punto donde del dispo-
sitivo cambia de la región de bloqueo en directa (apagado) a la región de conducción en directa
(encendido), se llama corriente de conmutación, IS. Este valor de corriente siempre es menor
que la corriente de retención, IH.
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556 ◆ T IRISTORES
EJEMPLO 11–1 Cierto diodo de 4 capas se polariza en la región de bloqueo en directa con un voltaje en el áno-
do con respecto al cátodo de 20 V. Con esta polarización, la corriente del ánodo es de 1 mA.
Determine la resistencia del diodo en la región de bloqueo en directa.
Solución La resistencia es
VAK 20 V
RAK = = = 20 Mæ
IA 1 mA
Problema relacionado* Si la corriente en el ánodo es de 2 mA y VAK 20 V, ¿cuál es la resistencia del diodo de 4 ca-
pas en la región de bloqueo en directa?
*Las respuestas se encuentran al final del capítulo.
EJEMPLO 11–2 Determine el valor de la corriente en el ánodo en la figura 11-5 cuando el dispositivo está en-
cendido. VBR(F) 10 V. Considere que la caída de voltaje en directa es de 0.9 V.
FIG UR A 1 1 – 5 RS
1.0 k⍀
+
VPOLARIZACIÓN
20 V
–
Solución El voltaje en el ánodo, VA es de 0.9. El voltaje a través de RS es
VRS = VPOLARIZACIÓN - VA = 20 V - 0.9 V = 19.1 V
La corriente en el ánodo es
VRS 19.1 V
IA = = = 19.1 mA
RS 1.0 kÆ
Problema relacionado ¿Cuál es la resistencia en la región de conducción en directa del diodo de 4 capas de la figu-
ra 11-5?
Una aplicación
El circuito de la figura 11-6(a) es un oscilador de relajación y opera en la forma descrita a con-
tinuación. Cuando se cierra el interruptor, el capacitor se carga por conducto de R hasta que el
voltaje alcanza el voltaje de ruptura en directa del diodo de 4 capas. En este punto el diodo cambia
al estado de conducción y el capacitor se descarga de inmediato a través del diodo. La descarga
continúa hasta que la corriente a través del diodo se reduce por debajo del valor de retención. En
este punto, el diodo regresa al estado apagado y el capacitor comienza a cargarse de nuevo. El
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EL RECTIFIC ADOR CONTROL ADO DE SILICIO (SCR) ◆ 557
SW
+ VBR(F)
V C
–
VC
VS > 0 V
(a) (b)
FIGURA 11–6
Oscilador de relajación de diodo de 4 capas.
resultado de esta acción es una forma de onda de voltaje a través de C como la mostrada en la fi-
gura 11-6(b).
REPASO DE LA 1. ¿Por qué se clasifica el diodo de 4 capas como tiristor?
SECCIÓN 11-1 2. ¿Qué es la región de bloqueo en directa?
Las respuestas se
encuentran al final
3. ¿Qué pasa cuando el voltaje en el ánodo con respecto al cátodo excede el voltaje de ruptu-
del capítulo.
ra en directa?
4. Una vez que prende, ¿cómo se apaga el diodo de 4 capas?
11–2 E L RECTIFICADOR CONTROL ADO DE SILICIO (SCR)
Del mismo modo que el diodo de 4 capas, el SCR tiene dos estados posibles de operación.
En el estado apagado, actúa idealmente como circuito abierto entre el ánodo y el cátodo; en
realidad, en lugar de una abertura, existe una resistencia muy alta. En el estado encendido, el
SCR actúa idealmente como un cortocircuito del ánodo al cátodo; en realidad, existe una pe-
queña resistencia en el estado encendido (en directa). El LASCR opera como SCR excepto
cuando es activado por luz.
Al terminar esta sección, usted será capaz de:
◆ Describir la estructura básica y operación de un SCR
◆ Identificar el símbolo esquemático y trazar un circuito equivalente
◆ Explicar las curvas de característica de SCR y definir varios parámetros de SCR
◆ Definir conmutación forzada
◆ Describir el LASCR y su operación
Un SCR (rectificador controlado de silicio, silicon-controlled rectifier) es un dispositivo pnpn
de 4 capas similar al diodo de 4 capas pero con tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta. La
estructura básica de un SCR se muestra en la figura 11-7(a) y el símbolo esquemático, en la figu-
ra 11-7(b). En la figura 11-7(c) se muestran los encapsulados de SCR típicos. Otros tipos de tiris-
tores se encuentran en los mismos o en encapsulados similares.
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