Universidad San Buenaventura de Cali. Ramírez. Chica. Práctica 5.

Curva característica del transistor BJT

Práctica 5. Curva característica del transistor BJT

Bryan Arley Chica Gutiérrez – 30000034779, José David Ramírez Jiménez – 30000037724

[email protected], [email protected]

Universidad San Buenaventura de Cali

Resumen – En esta práctica 5 se requiere un análisis ● Resistencias: 330k y 4.7k a 1.2W.
tanto teórico como practico acerca del funcionamiento ● Pelacables.
del transistor BJT para tener conocimiento de la
posición de sus terminales, se requiere también obtener
II. MARCO TEÓRICO
la curva del voltaje vs corriente, de tal forma que se
pueda observar cómo se comporta el transistor cuando
se tiene en su configuración de emisor común. Características técnicas:
Palabras claves: Transistor BJT, base, emisor y colector
Transistor BJT:
I. INTRODUCCIÓN “Es el más común de los transistores, y como los
diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos
casos tiene 3 patillas y son emisor, la base y el
En esta práctica de laboratorio se pretende
colector. Este transistor tiene la capacidad de
familiarizarse con el transistor BJT conociendo su
amplificar una señal eléctrica. Existen 2 tipos de
comportamiento y analizar su salida en la
transistores, el NPN y el PNP, la dirección de la
configuración de emisor común. haciendo uso del
corriente en el transistor, es indicado por la flecha
multímetro se pretende descubrir el tipo de
que se ve en los gráficos de cada tipo de transistor.”
transistor que se maneja (PNP o NPN),
[1]
seguidamente se debe asegurar de que los
terminales se identificaron correctamente (base,
emisor, colector). Teniendo en cuenta todo lo
anterior, por último, se puede obtener la curva
característica del transistor BJT implementando el
circuito establecido.

Objetivos:

● Familiarizarse con la forma y terminales

de algunos de los diferentes tipos de
transistores BJT.
● Identificar los terminales y el tipo de Figura 1. Transistor BJT, PNP y NPN
transistor BJT con ayuda del multímetro
y/o del manual ECG.
● Obtener las curvas V-I de salida en un
transistor BJT en configuración de emisor
común.

Materiales:

● Manual ECG. Transistor BJT 2N3904:

● Multímetros digitales.
● Fuente Dual. “Características:
● Caimanes. Este dispositivo está diseñado como un
● Cautín. amplificador y conmutador de uso general.
● Multímetro
● Transistores: 2N3904, 2N3906, 2N3055.
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El rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA ● Bien apto para tv y hogar equipo de
como interruptor y hasta 100 MHz como aparato
amplificador.” [2] ● Transistor de interruptor de carga pequeña
con alta ganancia y baja saturación
voltaje” [3]

Figura 2. Valores Máximos de voltaje, corriente y

temperatura del transistor BJT 2N3904.

Figura 5. Valores Máximos de voltaje, corriente y

temperatura del transistor BJT 2N3906.

Figura 3. Características eléctricas del transistor BJT

2N3904.

Figura 6. Características eléctricas del transistor BJT

2N3906.

Figura 4. Identificación de terminales base, emisor y

colector del transistor BJT 2N3904.

Transistor BJT 2N3906:

“Planar epitaxial de silicio transistor NPN.

● Paquete to-92 apto para conjunto de PCB

de agujero integral
● El tipo complementario de NPN es
2n3904 aplicaciones
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Figura 8. Valores Máximos de voltaje, corriente y

temperatura del transistor BJT 2N3055.

Figura 7. Identificación de terminales base, emisor y

colector del transistor BJT 2N3906.

Transistor BJT 2N3906:

“Características: Figura 9. Características eléctricas del transistor BJT

2N3055.
● Bajo voltaje de saturación colector-
emisor
● NPN complementario - transistores
PNP

Aplicaciones:

● Propósito general
● Amplificador de audio

Descripción:

● Los dispositivos se fabrican en plano.

● Tecnología con diseño de "isla base"
y son adecuado para audio, potencia
lineal y conmutación aplicaciones.”
[4]

Figura 10. Identificación de terminales base, emisor y

colector del transistor BJT 2N3055.

Prueba y verificación del transistor BJT con el

multímetro:
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Para comprobar el buen funcionamiento de un transistor un VCE máximo entre 10 y 15 voltios),

y para saber cual es el emisor, colector y base, es manteniendo siempre constante la IB. Si la IB
necesario un multímetro digital. Con las puntas del varía, usted debe ajustar al voltaje VBB hasta que
multímetro se coloca la punta del negativo a un pin del
regrese a su valor inicial. Registre al menos cinco
transistor y con la punta positiva va a ir cambiando de
datos (5) en la siguiente tabla. Tome valores tales
pin hasta que en el multimetro marque un valor diferente
en los 2 pines restantes, si no marca nada, se cambia la que VCE ≥ 0.4V
punta del negativo a otro pin y se repite el mismo
procedimiento, si llegase a ocurrir el caso de que no
marque nada en el multímetro teniendo la punta del
negativo fija, entonces la que se va a dejar fija es la punta
positiva del multímetro y se repite el procedimiento antes
mencionado. Si teniendo la punta negativa fija marca
algo eso quiere decir que el transistor es NPN, en caso
contrario es PNP. La base se reconoce, puesto que, la
base es con la que se deja la punta fija, ya sea la punta
positiva o la negativa, el colector se reconoce ya que
entre el emisor y el colector, el colector es el que tiene el
valor más bajo, por consiguiente, el emisor sería el del
valor más alto.

III. PROCEDIMIENTO

CURVAS V-I DEL TRANSISTOR BJT. Figura 12. Circuito simulado.

Determinar las curvas características V-I de salida
en un transistor BJT en emisor común. Para ello
implementar el siguiente circuito.

Figura 11. Circuito a implementar.

Como se desea dibujar las curvas V-I de salida, el Figura 13. Circuito práctico.
parámetro o variable a mantener constante es la
corriente de base (IB).
a) Coloque las fuentes de voltaje VBB y VCC en
cero.
b) Escoja una IB que sea aproximadamente 1mA
dividido el β del transistor. Ajuste este valor de
corriente aumentando lentamente el voltaje de la
fuente VBB. Este valor de corriente se debe
mantener constante.
c) Comience a incrementar el voltaje de la fuente
VCC y tome distintos valores de IC y VCE (hasta
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Datos tomados con IB = 3.73uA. Datos tomados con 2IB = 7.46uA.

Tabla 1. Datos prácticos y simulados a partir del

primer incremento de voltaje Vcc
Tabla 2. Datos prácticos y simulados a partir del
segundo incremento de voltaje Vcc.

Figura 14. Curva V Vs I simulado

Figura 16. Curva V vs I simulado.

Figura 15. Curva V Vs I práctico.

Figura 17. Curva V vs I práctico.

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Datos tomados con 3IB = 11.19. Datos tomados calentando el transistor.

Tabla 3. Datos prácticos y simulados a partir del

tercer incremento de voltaje Vcc Figura 20. Circuito implementado practico
calentando el transistor.

Tabla 4. Datos calentando el transistor.

IV. PREGUNTAS
COMPLEMENTARIAS

Figura 18. Curva V vs I simulado.

Investigue y explique brevemente que es y para
qué sirve un trazador de curvas.

● Es un instrumento usado para obtener

curvas características de corriente vs
voltaje (I Vs V) de cualquier tipo de
elementos, ya sean resistores, diodos,
transistores, entre otros.
● Es una pieza de equipo especialmente
para dispositivos semiconductores, es una
pieza de prueba electrónica diseñada para
obtener curvas características de distintos
dispositivos.
Figura 19. Curva V vs I práctico.
V. CONCLUSIONES
• Se debe tener en cuenta que el transistor
está correctamente conectado para que el
circuito funcione y evitar que el transistor
se queme.
• Cuando se va a calentar el transistor con
el Cautin, se debe tener en cuenta que éste
calienta mucho, y que, al dejarlo mucho
tiempo en contacto con el transistor, éste
puede llegar a dañarse. Y con respecto a
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lo mencionado anteriormente, se pudo

evidenciar en la practica que al someter el
transistor a una temperatura elevada por
un tiempo razonable, el Beta cambia y
queda constante.

BIBLIOGRAFÍA

[1 «Electrónica Unicrom,» 01 01 2016. [En

] línea]. Available:
https://unicrom.com/que-es-un-
transistor-bipolar/. [Último acceso: 03 10
2019].

[2 Fairchild Semiconductor,
] «electroschematics,» 01 10 2011. [En
línea]. Available:
https://www.electroschematics.com/wp-
content/uploads/2012/11/MMBT3904.pd
f. [Último acceso: 03 10 2019].

[3 STMicroelectronics, «sparkfun,» 01 01
] 2003. [En línea]. Available:
https://www.sparkfun.com/datasheets/C
omponents/2N3906.pdf. [Último acceso:
03 10 2019].

[4 STMicroelectronics, «electronicoscaldas,»
] 01 01 2013. [En línea]. Available:
https://www.electronicoscaldas.com/data
sheet/2N3055-MJ2955_ST.pdf. [Último
acceso: 03 10 2019].