EMISORES OPTICOS

Ing. Mauricio Postigo Malaga

C.I.P. 53012
MERCADO DE LOS DISPOSITIVOS OPTICOS
 GENERALIDADES

• Son diodos semiconductores elaborados con materiales de

los grupos III, IV, V y VI de la Tabla Periódica.
• III Galio (Ga), Boro (B), Aluminio (Al) e Indio (In)
• IV Plomo (Pb) y Estaño (Sn)
• V Arsénico (As), Fósforo (P), Antimonio (S) y Bismuto
(Bi)
• VI Azufre (S), Selenio (Se) y Telurio (Te)
• Emisión espontánea
• Emisión estimulada
CARACTERISTICAS GENERALES DE LOS
EMISORES OPTICOS

• Reducido tamaño y peso.

• Superficies radiantes compatibles en tamaño
• De fácil modulación
• Bajo consumo de corriente
• Alta velocidad de respuesta
• Espectro de emisión coincidente con las ventanas de Tx
• Reducida anchura espectral
• Estrecho lóbulo de emisión
• Alta potencia óptica de salida
• Característica estables.
CONVERSIÓN OPTICA-ELÉCTRICA
 DIAGRAMA DE ESTADOS DE ENERGIA Y
PROCESO DE CONVERSION OPTO-
ELECTRONICA
ESTADO INICIAL ESTADO FINAL
E2
( a ) Absorción
E1

E2
( b ) Emisión Espontánea
E1
E2
( c ) Emisión Estimulada
E1
 BANDAS DE ENERGIA
Banda de
Energía de los

Conducción
Electrones

Banda
Eg
Prohibida

Banda de
Electrón
valencia
Eg = E1 - E2 = hf Hueco

f = c/λ λ = h c/ Eg

h = Constante de Planck ( 6.62617 x 10-34 [Link] ó 4.1357 x 10-15 eV. Seg)

f = Frecuencia de la Onda Luminosa Emitida.
c = Velocidad de la Luz en el vacío ( 3 x 1014 um/seg. ).
 TIPOS DE EMISORES OPTICOS

• LED ( Diodos electroluminiscentes )

• LASER ( Light Amplification by Stimulated
Emision of Radiation )
 TIPOS DE ESTRUCTURAS DE LOS
DIODOS LED
LEDs de Superficie

Para el acoplamiento
- n =1
con las fibras, se apro-
Radiación de
vecha la radiación
Contactos borde ( no u- que emerge desde un
n nr θ θc
Eléctricos sada ) plano paralelo al de la
unión semiconductora.
+ p Existen dos tipos:

LED de Emisión Super-

CARCASA METALICA DISIPADORA ficial y;
DE CALOR
LED de Borde ( ELED )

La mayor parte de la radiación óptica se produce en la zona p, debido a la

recombinación de los electrones de la capa n con los huecos de la capa p.
 ESTRUCTURA DE LOS DIODOS LED
* LED de Emisión Superficial ( Tipo Burrus ):

Estructura donde la radiación emitida

se encuentra en un plano paralelo al
concavidad de la unión.
fibra óptica
Proporciona mayor eficiencia en el con-
finamiento eléctrico y óptico.
-
Para evitar la absorción de la radiación
óptica en la capa n, se usan estructuras de
capas muy estrechas, tallandose una aber-
+ n zona de
Transición tura cóncava en la capa n, que permite a-
p lojar el extremo de fibra, aproximandolo a
SiO2
la capa p, que es donde se produce la e-
Mentalización misión luminosa
Cuerpo metálico para disipación
de calor A este LED se le denomina diodo BURRUS y
se caracteriza por la alta radiancia conse-
guida.
 ESTRUCTURA DE LOS DIODOS LED

AsGa tipo n * Diodo BURRUS con Heterounión

sustrato 50 um concavidad
Fibra óptica La radiancia de un LED de superficie
Región p núcleo de 50 um
Ga-As-Al es del orden de 2W/st.cm2 para una
≈ 1 um. corriente de unos 200 mA, pero estos
Region p Contacto n valores pueden mejorarse hasta
Ga-As-Al
50 W/st.cm2 ; con el uso de heterou-
( 1 um.)
Zona de niones
Emisión

Región p Región n La característica de radiación de un

Ga-Asl Ga-Al-As LED de superficie es de tipo lamber-
0.5 um. 10 um
tiano, es decir la potencia emitida
SiO2 según un determinado ángulo ϕ , res-
pecto a la normal de la superficie e-
misora es:
DISIPADOR
CONTACTO (50 Um Φ)
P ϕ = Po . cos ϕ

Po = potencia max. Emitida perpen-

dicular a la superficie.
 DIODO LED DE BORDE
Para una adecuada directividad de

Borde de Emisión - la radiación de la fuente; la acción

de guiado de radiación, debe crear-
se mediante una adecuada disposi-
Zona Activa ciòn de los índices de refracción de
las capas semiconductoras integran-
n tes del dispositivo.
p 2 a 20 um
+ Las dimensiones del bloque emisor
se dan en función, de la longitud de
Radiación óptica onda de la luz generada y de las di-
de borde
menciones de la sección transversal
del núcleo.

En este caso la distribución energéti-

ca no es del tipo lambertiano, como
DISIPADOR ocurre en los LED de superficie, sino
aparece un lóbulo de radiación de
sección transversal en cierto modo
elíptica.
 ESTRUCTURA Y LOBULO DE EMISION DE
UN ELED
25 0 u
m. m
00u
1,5

REGION DE
8 um:
CONTACTO
.
0 0 um
1

CAMPO CONTACTO
LEJANO DE BASE
50º X 90º
CONTACTO DE Au
SiO2
P+GaAsAl (5um)
P-GaAsAl (REGION ACTIVA)
( 2 um. )

N- Ga-As-Al ( 2 um. )
CAMPO
PROXIMO SUSTRATO TIPO n GaAs
1.2 X 0.5 um. ( 50 - 100 um. )
PERFILES DE LOS DISPOSITIVOS
 RELACION ENTRE LA POTENCIA EMITIDA Y
LA FRECUENCIA MODULANTE DE UN LED
Pl ( mw )
10

0 Frecuencia de
modulaciòn en Mhzs.
50 100 150 200 250 300
Luz no coherente (LED) y coherente (LASER)
 AMPLIFICACION DE LUZ POR EMISION
ESTIMULADA DE RADIACION
Fuente de Luz amplificada y coherente.
Basada en una estructura de uniones de material semiconductor del tipo p - n y
formando una cavidad óptica resonante (del tipo FABRY-PEROT), para proporcio-
nar la realimentación de fotones y aumentar la emisión estimulada.

Espejo de + Cavidad Fabry - Perot

cristal

SEMITRANPARENTE
P - GaAs

hf hf

N - Ga As
L
Región Activa

Unión p - n
Contacto Ohmico
-
CONTROL DE TEMPERATURA
 ESTRUCTURA DE LOS DIODOS LASER

* LASER guiado por Ganancia:

Estructura de geometría de franjas donde la
distribución de modos ópticos a lo largo del
plano de la unión es determinado por la ga-
nancia óptica de la cavidad.
Por lo general proporciona una emisión mul-
timodo.
 ESPECTRO TIPICO DE UN LASER DE
GANANCIA GUIADA
Intensidad C ( a ) Modos en la Cavidad LASER
2 Ln

Frecuencia

Intensidad
fo
Curva de Ganancia
Perfil de ganancia gaussiana

Frecuencia

( b ) Modos longitudinales en la salida LASER

 LASERES MONOMODO

• Para comunicaciones de largo alcance.

• Espectro muy angosto con la emisión de un único
modo longitudinal y transversal.
• Eliminación de modos adyacentes.
• Tipos de LASER (diferente resonador selectivo de
frecuencia).
• Comportamiento monomodal e independiente de las
variaciones de temperatura.
* LASER monomodo:
Estructura que proporciona una realimenta-
ción selectiva de frecuencia de manera que la
perdida de la cavidad es diferente para varios
modos longitudinales.
La emisión de la luz contiene un solo modo
longitudinal.
LASERS DFB Y DBR
LASER Y MODULADOR EN ESTRUCTURA ÚNICA

DIAGRAMA DE OJO
EN LA SALIDA DE LA
ESTRUCTURA
MÓDULO DEL TRANSMISOR ÓPTICO
ESTRUCTURA INTERNA DEL MÓDULO
TRANSMISOR
HARDWARE DE UN MÓDULO BÁSICO
TRANSMISIÓN A 80 Km CON DFB
SOBRE DSF
FORMA DEL PULSO ÓPTICO A LA SALIDA DEL
MODULADOR
ESPECTRO ÓPTICO
CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS
LÁSER
MICROFOTOGRAFÍA
DE UN LASER
DIODOS LASER DE BOMBEO
DEPENDENCIA DE LA
LONGITUD DE ONDA
 PARÁMETROS ÓPTICOS DE LOS
DISPOSITIVOS EMISORES

Los dispositivos LED y LASER deben cumplir ciertos paráme-

tros generales para su uso en los sistemas ópticos, que deben
orientarse a:

* Definir el comportamiento respecto a la conversión electro -

óptica.
* Adecuar las características radiométricas de los dispositivos
de acuerdo con el portador físico ( fibra óptica ).
* Diseñar circuitos de excitación idóneos con respecto a la natu-
raleza del tipo de emisor.