NIVELES DE ENERGÍA ● Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles
específicos de energía asociados con cada capa y electrón en órbita, como se muestra en la
figura 1.6. Los niveles de energía asociados con cada capa son diferentes según el elemento de
que se trate. Sin embargo, en general: Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor
es su estado de energía y cualquier electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un
estado de energía mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica. Observe
en la figura 1.6a que sólo puede haber niveles de energía específicos para los electrones que
permanecen en la estructura atómica de un átomo aislado. El resultado es una serie 6 Brecha
de energía Brecha de energía etc. Nivel de valencia (capa más externa) Segundo nivel
(siguiente capa interna) Tercer nivel (etc.) Energía Núcleo (a) Energía Energía Energía E > 5 eV g
Banda de valencia Banda de conducción Banda de valencia Banda de conducción Banda de
conducción Bandas sobrepuestas Electrones “libres” para establecer la conducción Electrones
de valencia para enlazar la estructura atómica E g = 0.67 eV (Ge) E g = 1.1 eV (Si) E g = 1.43 eV
(GaAs) Aislante Semiconductor (b) E Eg Banda de valencia Conductor – – – – – – – – – – – – – –
– – Incapaz de alcanzar el nivel de conducción – – – – FIG. 1.6 Niveles de energía: (a) niveles
discretos en estructuras atómicas aisladas; (b) bandas de conducción y valencia de un aislante,
un semiconductor y un conductor. de brechas entre niveles de energía permitidos donde no se
permiten portadores. Sin embargo, conforme los átomos de un material se acercan entre sí
para formar la estructura entrelazada cristalina, interactúan entre ellos, lo cual hace que los
electrones de una capa particular de un átomo tengan niveles de energía ligeramente
diferentes de los electrones presentes en la misma órbita de un átomo adyacente. El resultado
es una expansión de los niveles de energía fijos discretos de los electrones de valencia de la
figura 1.6a a bandas, como se muestra en la figura 1.6b. En otras palabras, los electrones de
valencia de un material de silicio pueden tener diversos niveles de energía, en tanto se
encuentren dentro de la banda de la figura 1.6b. La figura 1.6b revela con claridad que hay un
nivel de energía mínimo asociado con electrones que se encuentran en la banda de
conducción y un nivel de energía máximo de electrones enlazados a la capa de valencia del
átomo. Entre los dos hay una brecha de energía que el electrón en la banda de valencia debe
salvar para convertirse en portador libre. Esa brecha de energía es diferente para Ge, Si y
GaAS; el Ge tiene la brecha mínima y el GaAs la máxima. En suma, esto significa que: Un
electrón en la banda de valencia de silicio debe absorber más energía que uno en la banda de
valencia de germanio para convertirse en portador libre. Asimismo, un electrón en la banda de
valencia de arseniuro de galio debe absorber más energía que uno en la de silicio o germanio
para entrar a la banda de conducción. Esta diferencia en los requerimientos de las brechas de
energía revela la sensibilidad de cada tipo de semiconductor a los cambios de temperatura.
Por ejemplo, al elevarse la temperatura de una muestra de Ge, el número de electrones que
pueden absorber energía térmica y entrar a la banda de conducción se incrementa con rapidez
porque la brecha de energía es mínima. Sin embargo, el número de electrones que entran a la
banda de conducción en Si o GaAs es mucho menor. Esta sensibilidad a los cambios de nivel de
energía puede tener efectos positivos y negativos. El diseño de fotodetectores sensibles a la
luz y los sistemas de seguridad sensibles al calor, parecen ser una excelente área de aplicación
de los dispositivos de Ge. No obstante, en el caso de redes de transistores, en las que la
estabilidad es de alta prioridad, esta sensibilidad a la temperatura o a la luz puede ser un
factor perjudicial. MATERIALES 7 EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p La brecha de
energía también revela qué elementos son útiles en la construcción de dispositivos emisores
de luz como diodos emisores de luz (LED, por sus siglas en inglés), los cuales se presentarán en
breve. Cuanto más ancha es la brecha de energía, mayor es la posibilidad de que la energía se
libere en forma de ondas luminosas visibles o invisibles (infrarrojas). En el caso de
conductores, el traslape de las bandas de conducción y valencia provoca esencialmente que
toda la energía adicional absorbida por los electrones se disipe en forma de calor. Asimismo,
en el caso de Ge y Si, como la brecha de energía es tan pequeña, la mayoría de los electrones
que absorben suficiente energía para abandonar la banda de valencia terminan en la banda de
conducción y la energía se disipa en forma de calor. Sin embargo, en el caso de GaAs la brecha
es suficientemente grande para producir radiación luminosa significativa. En el caso de los LED
(sección 1.9) el nivel de dopado y los materiales seleccionados determinan el color resultante.
Antes de dejar este tema, es importante subrayar la importancia de entender las unidades
utilizadas para una cantidad. En la figura 1.6 las unidades de medición son electrón volts (eV).
La unidad de medición es apropiada porque W (energía) QV (derivada de la ecuación de
definición de voltaje: V W/Q). Si se sustituye la carga de un electrón y una diferencia de
potencial de un 1 volt, se produce un nivel de energía conocido como electrón volt.
