ANALIZA E
IDENTIFICA EL
USO DEL
TRANSISTOR BJT
COMO
AMPLIFICADOR
INTRODUCCIÓN
El transistor bipolar es la base fundamental de los
circuitos electrónicos lineales. Su funcionamiento se
basa en dos tipos de cargas: huecos y electrones.
Para muchas aplicaciones el transistor bipolar es la
mejor elección, aunque existen algunas aplicaciones
en la que le transistor unipolar seria preferible.
El descubrimiento del transistor a principios del siglo
XX (1947) marcó el comienzo de la era de la
electrónica. En apenas 60 años el desarrollo
experimentado y el grado de penetración en la vida
cotidiana ha sido tal que hoy en día es difícil pensar
en cómo seria la vida sin los ordenadores, la telefonía,
la radio, la televisión. Y ha sido, precisamente, el
descubrimiento del transistor el culpable de esta
revolución tecnológica
FUNCIONAMIENTO A NIVEL ATÓMICO DELTRANSISTOR
DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) EN UNIÓN NPN Y PNP.
ELTRANSISTOR:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo B y
una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama
transistor npn y el segundo transistor pnp.
Durante mucho tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia de
entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creación
de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Hablar de los IGBT son mayores palabras puesto
que estos transistores son especiales, son de grandes prestaciones y aplicaciones de gran
envergadura sobre todo en el campo industrial.
Tabla de contenido
SIMBOLOGÍA
01 Convenio de tensiones y
corrientes
DEFINICION
02 ¿Qué es un transistor?
ESTRUCTURA FÍSICA
03 El como es que contiene
sus principales
com ponentes etc.
Simbología
El transistor bipolar es un dispositivo de
tres terminales -emisor, colector y base,
que, atendiendo a su fabricación, puede
ser de dos tipos: NPN y PNP. Se
encuentran los símbolos de circuito y
nomenclatura de sus terminales. La
forma de distinguir un transistor de tipo
NPN de un PNP es observando la flecha
del terminal de emisor. En un NPN esta
flecha apunta hacia fuera del transistor;
en un PNP la flecha apunta hacia dentro.
Además, en funcionamiento normal,
dicha flecha indica el sentido de la
corriente que circula por el emisor del
transistor.
DEFINICION DE TRANSISTOR
El transistor IGBT, que por sus siglas del inglés se refiere a Insulated Gate Bipolar transistor y traducido al
español es Transistor Bipolar de Puerta Aislada, procede esencialmente de la tecnologia MOSFET de
potencia; por lo que su estructura y funcionamiento son similares.
ESTRUCTURA FÍSICA
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres
regiones semiconductoras, entre las cuales se forman
unas uniones (uniones PN).Observamos el aspecto
útil para análisis de un transistor bipolar. Siempre se
ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea
alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la
base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura
da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor
es tipo N, entonces la base será Py el colector N,
dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN
Otros componentes físicos
• El EMISOR: Es una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga el emisor,
mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
• La BASE: Suelen ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la
misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector.
• El COLECTOR: Por lo regular es una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta
región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.
• FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR: Es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible
controlar un gran potencia a partir de una pequeña. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del
funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector C y emisor €se aplica la potencia a regular, y
en el terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que controlamos la potencia..
Características
Algunas otras características igualmente
importante de este tipo de transistores.
•Alta impedancia de entra da (MOSFET).
•Alta capacidad de manejar corriente
(BJT).
•Fácil manejo controlable por voltaje
(MOSFET)
•Sin problemas de segunda avalancha
(BJT).
•Bajas perdidas de conducción en
estado activo (BJT).
Las principales
ventajas de BJT
y sus
desventajas.
Las principales ventajas de IGBT sobre un MOSEET de potencia y
un BJT son
• Tiene una caída de voltaje en estado muy baja debido a la modulación de
conductividad y tiene una densidad de corriente en estado superior. Por lo
tanto, es posible un tamaño de chip mas pequeño y se puede reducir el
costo.
• Baja potencia de conducción y un circuito de accionamiento simple debido
a la estructura de la puerta de entrada MOS. Se puede controlar
fácilmente en comparación con los dispositivos controlados por corriente
(tiristor, BIT) en aplicaciones de alto voltaje y alta corriente.
• Amplia SOA. Tiene una capacidad de conducción de corriente superior en
comparación con el transistor bipolar. También tiene excelentes
capacidades de bloqueo hacia delante y hacia atrás.
Los principales inconvenientes son:
1. Tienen un consumo importante en la polarización, ya que estos
transistores funcionan a partir de corriente.
2. Su respuesta en frecuencia tiende a ser peor que en los MOS
3. Impedancia de entrada baja
4. Generan un nivel de ruido mayor que los FET
5. Son menos estables con la temperatura
6. Mas difíciles de fabricar
ESTRUCTURA INTERNA
El transitor NPN tiene tres pines de conexión llamados, Colector ©, Base (B) y Emisor €.Estas tres
conexiones están directamente sobre cada una de las capas semiconductoras N, P y N respectivamente.
La figura-1, muestra la estructura interna del transistor. Una unión NP se le conoce también como diodo.
MATERIAL N
Las capas N están formadas por cristales de un material semiconductor. Por ejemplo el Silicio, la capa N
esta formada por cristales de silicio con impurezas. Estas impurezas pueden ser:
• Arsénico
• Fósforo
• Antimonio
La Figura-2 muestra una estructura cristalina formada por silicio con impurezas de Arsénico y sus
electrones libres.
MATERIAL P
El material P esta formado por cristales de Silicio o cualquier otro material semiconductor como
el Germanio e impurezas como el boro. El boro al tener sólo tres electrones en su última capa
provoca un hueco al unirse a un cristal de silicio. En la Figura se muestra una estructura
cristalina de material P.
ELTRANSISTOR NPN – ESTRUCTURA Y APLICACIONES
El transistor en el que se encuentra un material de tipo n dopado con dos materiales tipo p, este
tipo de transistor se conoce como transistor PNP. Es un dispositivo controlado de corriente. La
pequeña cantidad de corriente de base controlaba tanto la corriente del emisor como la del
colector. El transistor PNP tiene dos diodos de cristal conectados espalda con espalda. El lado
izquierdo del diodo conocido como el diodo de la base del emisor y el lado derecho del diodo se
conoce como el diodo de la base del colector.
SÍMBOLO DEL TRANSISTOR PNP
El símbolo del transistor PNP se muestra en la
siguiente figura. La flecha hacia adentro
muestra que la dirección de la corriente en el
transistor PNP es del emisor al colector.
CONCLUSIONES
PODEMOS CONCLUIR LO SIGUIENTE:
El funcionamiento de un transistor BJT. Ya sea npn o
pnp, depende de la polarización que se le aplica en sus
terminales , ya que una mala polarización podría
funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique o
el usuario no podría tener los resultados satisfactorios.
Como ya hemos podido ver en el reporte hemos
conocido la variedad de aplicaciones de los
transistores y su utilización en la composición de
sistemas electrónicos.
Además de todos esto, ahora si podremos comprobar
o hacer la prueba de los transistores para conocer si se
encuentra en buenas condiciones para su uso.
INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA
DOCENTE:JORGE ADÁN LUCHO CHIGO.
ASIGNATURA:ELECTRÓNICA ANALÓGICA
ALUMNO
Pedro Daniel Rosas Fajardo
GRUPO:302-B
TEMA: ANALIZA E IDENTIFICA EL USO DEL TRANSISTOR BJT COMO
AMPLIFICADOR
PERIODO ESCOLAR: AGOSTO- ENERO SAN
ANDRÉS TUXTLA, VER. A 14 DE DICIEMBRE DE 2021
