TRANSISTORES
BIPOLARES
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y
base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP.
Transistores
Transistores
bipolares de efecto
de campo bipolares de efecto
Hall
El transistor de efecto campo es un dispositivo
semiconductor unipolar tres-terminal,
Se conoce como efecto Hall a la aparición de un campo eléctrico por
separación de cargas en el interior de un conductor por el que circula
una corriente en presencia de un campo magnético con componente
son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. perpendicular al movimiento de las cargas
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de
salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.
Este campo eléctrico (campo Hall) es
Sus características -Por el terminal de control no se
perpendicular al movimiento de las cargas
generales son: absorbe corriente.
y a la componente perpendicular del
-Una señal muy débil puede controlar el campo magnético aplicado.
componente
-La tensión de control se emplea para
crear un campo eléctrico
El efecto hall transistor se compone de materiales semiconductores y suelen
tener al menos tres terminales que puede utilizar para conectarlos a un circuito
Existen dos tipos de externo. Estos dispositivos funcionan como amplificadores o interruptores en la
transistores de efecto de mayoría de los circuitos eléctricos.
campo
los MOSFET
los JFET (transistor de efecto (en inglés metal-oxide-semiconductor
de campo de unión) field-effect transistor)
Es un componente de tres - Los transistores MOS respecto
Efecto Hall
terminales que se de los bipolares ocupan menos
al ser un dispositivo clásico. ρxy depende
denominan: Puerta (G, espacio
controlado por un voltaje linealmente de B. De la inversa
Gate), Fuente (S,
de entrada, no necesita -su aplicación más frecuente la de su pendiente se puede
Source), y Drenaje (D,
de corriente de encontramos en los circuitos
Drain). determinar la densidad de los
polarización integrados.
portadores n. En
cambio, ρxx no depende de B,
depende de la geometría del
sistema ya que modificaría la
Según su construcción pueden ser de movilidad de los portadores en
canal P o de canal N. Sus símbolos son él.
En su funcionamiento la carga
los siguientes:
eléctrica fluye a través de un
canal semiconductor (de tipo N o
P) que se halla entre el drenaje y
la fuente. Aplicando una tensión
eléctrica inversa al terminal de
puerta, el canal se "estrecha" de
modo que ofrece resistencia al
paso de la corriente eléctrica. En su aplicación los sensores
de Efecto Hall permiten
medir:
En su funcionamiento la tensión de la puerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se
forma una región de inversión, es decir, una región con
dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente.
Su aplicación: -la movilidad de una partícula cargada eléctricamente (electrones, lagunas, etc.);
-los campos magnéticos (teslámetros);
-la intensidad de corrientes eléctricas (sensores de corriente de efecto Hall);
La forma más habitual de emplear transistores -también permiten la elaboración de sensores o detectores de posición sin contacto, utilizados
MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes particularmente en el automóvil, para detectar la posición de un árbol giratorio (árbol de levas, caja de
en el uso de transistores PMOS y NMOS cambios, paliers, etc.);
complementarios. Las aplicaciones de MOSFET
-se encuentran también sensores de efecto Hall bajo las teclas de los teclados de los instrumentos de
discretos más comunes son:
música modernos (órganos, órganos digitales, sintetizadores) evitando así el desgaste que sufren los
-Resistencia controlada por tensión. contactos eléctricos tradicionales.
-Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, -se encuentran sensores de efecto Hall en el codificador de un motor de corriente continua;
BENITEZ ALAVEZ LUIS ENRIQUE GRUPO: 5U1 FREDFET, etc).
-los motores de Efecto Hall (HET) son aceleradores de plasma de gran eficacia.
AGUILAR VILLANUEVA URIEL JAVIER 06/OCTUBRE/2021 -Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble
puerta.
ARELLANO LEMUS EDGAR JAIR
