Electrónica de Potencia

TEMA 1
Diodos y transistores de Potencia
«La Potencia sin Control no sirve de nada».

Eslogan publicitario para Pirelli, 1995.

Graduado en Mecatrónica
 Electrónica de Potencia
TEMA 1
Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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 Electrónica de Potencia
TEMA 1
Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
Graduado en Mecatrónica
Graduado en Mecatrónica (28826) – Electrónica de Potencia

Introducción
• Electrónica de Potencia: conjunto de técnicas de modificación en la
presentación de la energía eléctrica conducida  controladores de
la corriente actuando sobre un flujo de electrones.
• Busca:
1. Rendimiento energético elevado.
2. Fidelidad a las formas de onda requeridas.
• La mayoría de los componentes empleados en potencia
Doble diodo de
tienen sus homólogos en señal, normalmente más antiguos. vacío Silvertone
5U4G
− Tiratrón, diodo, BJT y FET.
• Otros componentes han sido diseñados y desarrollados para ser
empleados exclusivamente en el ámbito de la potencia.
− Tiristores (salvo excepciones), IGBT e ignitrón.
Diodos y transistores de Potencia
Graduado en Mecatrónica (28826) – Electrónica de Potencia
Adaptado de Martínez-Gualda.

Circuitos de Potencia “Electrónica de Potencia” Paraninfo,

ISBN: 84-9732-397-1

Entrada CIRCUITO DE Salida

Carga
POTENCIA

Información
Energía

Información

Información
Alimentación
Señales de
CIRCUITO DE

excitación
CONTROL

EXCITADORES
(DRIVERS)
ADAPTADORES
DE SEÑAL
Controles de
Información
excitación
CONTROL
Entrada/Salida
CENTRAL Comunicaciones
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Circuitos fundamentales de Potencia

Interruptores
estáticos
Reguladores Disipativos
DC No disipativos
Disipativos Cambiadores
Sin cambio en 𝑓
Reguladores IVP
No disipativos
AC
Cicloconvertidores Inductancia variable polarizada

Ferrorresonancia
Convertidores No controlados
AC/DC Controlados
Inversores
(Convertidores DC/AC)
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Circuito Familia Tipo Clase Características

Abrir y cerrar circuitos con tiempos de operación y
II. EE. sobretensiones controlados.

Dis Transistores con caída de tensión variable.

R-DC Dispositivos activos trabajando en corte y en saturación,
N-Dis con o sin filtrado posterior.

Dis
Camb Transformadores con cambiadores de tomas en carga.
𝑓
R-AC N-Dis IVP Reguladores de AC por inductancia variable polarizada.

Frr Transformadores estabilizados por ferrorresonancia.

C-conv
𝐴𝐶 (𝑖𝑛)
N-C Formados exclusivamente por diodos. = 𝑐𝑡𝑒.
𝐷𝐶(𝑜𝑢𝑡)
C-AC/DC 𝐴𝐶 (𝑖𝑛)
C Hay tiristores o transistores de potencia. 𝐷𝐶(𝑜𝑢𝑡) ≠ 𝑐𝑡𝑒.

Autónomos. Proporcionan una alterna de 𝑓 fija o

C-DC-AC (Inv) 𝐴𝐶 (𝑖𝑛)
variable. 𝐷𝐶(𝑜𝑢𝑡) puede ser variable.
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TEMA 1
Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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Diodos de Potencia. Fabricación

Actividad Moodle
• Búsqueda de información sobre procesos de fabricación de diodos.
– Difusión.
– Unión crecida.
– Crecimiento epitaxial.
• En qué consiste cada proceso. Explicación clara. Elementos.
• Pasos.
• Figuras explicativas.
• Desbastado y biselado.
• Puede entrar en el cuestionario.
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Diodos de Potencia
P N
Ánodo Cátodo
A K
• Las características eléctricas deseables en los diodos de potencia
son principalmente:
– Capacidad para soportar gran intensidad con pequeña caída de tensión
en el estado de conducción (polarización directa).
– Capacidad para soportar elevada tensión con pequeña intensidad de
fugas en el estado de bloqueo (polarización inversa).
– Recuperación rápida del estado de bloqueo, con baja intensidad de
fugas, tras el estado de conducción  Trabajo en alta frecuencia de
conmutación (paso rápido de conducción a bloqueo y viceversa).
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Diodos de Potencia. Tipos

Tabla de Martínez-Gualda.
“Electrónica de Potencia” Paraninfo,
ISBN: 84-9732-397-1

Diodos y transistores de Potencia

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Diodos de Potencia. Encapsulados

Diodos y transistores de Potencia

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Diodos. Curva y modelos Id

I)
D D18 ►
OFF
Vd
V Sustituir
Inversa (ideal) diodo por: ON
II) Id

OFF Codo  V
c
Vd
Sustituir
diodo por: ON

III) Id
1
OFF Pendiente:
Rd
D
Sustituir Codo  Vc Vd
diodo por: ON
V
Diodos y transistores de Potencia Directa (ideal) R d < 100Ω
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Características estáticas: bloqueo

• Capa de carga espacial

(zona de transición) ↑.
• Barrera de potencial ↑.

• Dependencia con Tª.

• Intensidad inversa es ↓↓.

– (Diodo de 100 A y 1.000 V).
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Características estáticas: bloqueo

• El fabricante suele definir(*), en la
zona próxima a la avalancha, las
tensiones características del diodo
para emplearlo correctamente:
(*) Definiciones: criterio más corriente entre los fabricantes.

Tensión característica Nom. Ancho Intervalo Estado diodo

Tensión inv. de trabajo Vin , Uin - - Sin peligro

Tensión inv. de pico repetitivo Vp , Up 1ms 10ms Sin peligro

Tensión inv. de pico único Vpn , Upn 10ms 1 x 10min Sin peligro
Tensión de ruptura Vr , Ur Destrucción o degradación (**)
(**) Salvo en los diodos de avalancha controlada, operando dentro de sus límites.
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Características estáticas: conducción

R limita la corriente en el diodo. • Capa de carga espacial
(zona de transición) ↓.

• Barrera de potencial ↓.

• A T↑, iA ↓  Protección
(limitada) contra el calor.

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Características estáticas: conducción

• El fabricante define(*) las intensidades
características que orientan al usuario en el
empleo del dispositivo:
(*) Definiciones: criterio más corriente entre los fabricantes.

Corriente característica Ancho Intervalo Estado diodo

Intensidad media nominal (**) - - Sin peligro
Intensidad de pico repetitivo 1ms 20 ms Sin peligro
Intensidad de pico único 10 ms 1 x10min Sin peligro
(**) Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180º
que el diodo puede soportar manteniendo la temperatura (110ºC normalmente).

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Pérdidas en conducción
• Las pérdidas en conducción directa se
definen por la expresión:

• A veces se puede sustituir la expresión

de la tensión del diodo en directa por la
de su modelo aproximado (I-II-III),
quedando, en el caso más complicado:
D13 ►

− Donde IAm es el valor medio de la

corriente e IA su valor eficaz.
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TEMA 1
Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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Características dinámicas
• El paso de corte a conducción y viceversa no es instantáneo.
– Es necesario un tiempo de adaptación de los portadores móviles de un
estado al siguiente.
– Estados intermedios  intensidades ↑ y tensiones ↑  puntas de
potencia disipada altas aunque de corta duración.
• Frecuencia de conmutación (FC)  número de veces por segundo
que el dispositivo pasa de conducción a corte y viceversa.
• Si un diodo funciona a FC elevada  prestar atención al modo en que
realiza la conmutación  características dinámicas.
– Hay que asegurarse de que no se resienten demasiado la función y la
eficiencia energética del circuito.
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Recuperación inversa forzada (I)

• Se llama recuperación inversa al proceso por el que un diodo en
conducción adquiere, tras ser polarizado en inversa, las propiedades
de bloqueo.
– Diodo en conducción (I)  zona de transición presenta una concentración
de portadores mayoritarios más ↑ a I ↑.

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Recuperación inversa forzada (II)

• q r carga total desplazada • I  corriente previa.
 carga de recuperación. • dIA /dt  razón de cambio (velocidad).
• t al  tiempo de almacenamiento.
• t c  tiempo de caída.
• Ir  corriente
• t r = t al + t c  tiempo de recuperación inversa.
de recuperación.

Cambio en el sentido de
movimiento de portadores.
Conducción.
La corriente disminuye hasta
Portadores mayoritarios escasean. hacerse despreciable. Bloqueo
Aparece la ZT. Conducción  t al .  tc.

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Recuperación inversa forzada (III)

• Aproximación triangular  .

• Además, resulta  l .

• Suponiendo que t r = t al + t c ≈ t al :

D27 ►

• Ecuaciones muy importantes para cálculos de diodos rápidos.

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Recuperación inversa suave

• Si d iA /dt es baja, el diodo llega al instante de inversión de uAC con
pocos portadores.
– Se han ido reduciendo al adaptarse a las necesidades de corriente.
• En tal caso tanto qr como Ir son muy bajas  no suelen ocasionar
problemas en el circuito, aun cuando se empleen diodos lentos.

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Recuperación directa
• Recuperación directa  paso de
bloqueo a conducción t rd (tiempo de
recuperación directa).
• Se necesita cierto tiempo para que los
mayoritarios de las zonas P y N
inunden la ZT y se establezca U0 .
• Mientras tanto aparece un potencial
positivo Ur provocado por el circuito
exterior.
• Ur  tensión de recuperación directa.
– Puede ser elevado.
– Depende de IA y dIA /dt.
• t rd ≪ t r  pérdidas de potencia ↓↓. Efectos despreciables.
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Recuperación • Recuperación inversa despreciable.

• Recuperación directa
despreciable.

• Recuperación directa
despreciable.

• Recuperación inversa apreciable.

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Diodos rápidos
• Construidos para minimizar los
efectos por recuperación inversa.
• Ejemplo  SD103n.

D23 ►

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Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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Diodos de avalancha controlada

• Se llaman diodos de avalancha controlada de potencia a aquellos
que, por fabricación, ante un aumento de la tensión inversa entran en
avalancha en casi toda la pastilla al mismo tiempo.
• Absorben una punta de energía ↑ sin fundirse ni calentarse hasta la
degradación.
• Se emplean:
– Cuando existe un riesgo elevado de posibles sobretensiones inversas
elevadas, para proteger el componente.
– Cuando el propio diseño somete al diodo a una sobretensión inversa
elevada, pero esporádica.
– Como elemento protector contra sobretensiones de otros componentes
(TVS).
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Avalancha controlada: datasheets

• Ejemplo  5SDA 06D5007.
– 70kW durante 20µs.

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Diodos Schottky
• Se basan en el efecto rectificador que tiene lugar
en una unión metal-semiconductor gracias a la
barrera de potencial creada.
• Conducción  portadores mayoritarios.
– No existe recuperación inversa.
• Son rápidos (<0.1ns)  cientos de kHz con facilidad.
• Características básicas:
– Menor tensión de codo respecto a diodos de unión.
– Mayor corriente de fugas.
• Protección TVS.
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Schottky: datasheets
• Ejemplo  STPS12045TV.
– Encapsulado y características mecánicas.
– Maximum (absolute) ratings.

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Schottky: TVS
• Ejemplo  1SMC5.0AT3.
− Características eléctricas.

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Diodos Zener
• Se emplean poco en circuitos de potencia
debido a las elevadas pérdidas que se
ocasionan  corrientes ↑ y tensiones Zener ↑.

• Han derivado hacia aplicaciones de protección contra transitorios de

tensión (TVS)  diodos de avalancha controlada.
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Zener: datasheets
• Ejemplo  Familia 10EZ.

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Zener: TVS
• Ejemplo  Familia SMCJ.

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Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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Transistores de Potencia. Fabricación

Actividad Moodle
• Búsqueda de información sobre procesos de fabricación de
transistores (véase Martinez-Gualda).
– BJT.
– FET.
– IGBT.
– Otros.
• Para cada familia puede haber varios procesos diferentes. En qué
consiste cada uno. Explicación clara. Elementos.
• Pasos.
• Figuras explicativas.
• Puede entrar en el cuestionario.
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Transistores de Potencia. Clasificación

• Comparación de diferentes tipos de transistores de Potencia.

Fuente: Martínez-Gualda. “Electrónica de Potencia” Paraninfo, ISBN: 84-9732-397-1

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BJT de Potencia. Corte y saturación

• Los transistores de potencia se emplean básicamente como
interruptores (paso de corte a saturación y viceversa)  (Switching-
Mode Operation).
• Aplicaciones:
– Fuentes conmutadas.
– Troceadores (Choppers).
– Inversores.
• Transistor como interruptor ideal entre sus terminales colector (C) y
emisor (E).

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BJT de Potencia. SMO. Corte

• Switching-Mode Operation  estado de corte.
 Base abierta  Ib=0.
 Base en inversa (Vb<0) 
menor corriente de fugas.

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BJT de Potencia. SMO. Saturación

• Switching-Mode Operation  estado de saturación.
• Los BJT de potencia tienen
baja ganancia en corriente.
 Corriente de base elevada
(Ib~1/2Ic)  asegura la
saturación.

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BJT. Características dinámicas (I)

• El paso del estado de corte al de saturación y el de saturación a corte
no son instantáneos.
• En electrónica de conmutación a alta frecuencia esto puede suponer
un problema.

• Causas del retardo:

 Condensadores parásitos en las uniones
C-B y B-E.

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BJT. Características dinámicas (II)

• Cambio en base UAE ideal
(instantáneo) de -10 a +10V.
 Cambio UBE retardado (CCB y
CBE ) de -10V (corte) a +2V
(sat.).
 IB tarda en alcanzar su valor
máximo (1A). Ídem IC 
equivalente en UCE .
Fuente: Martínez-Gualda.
“Electrónica de Potencia”
Paraninfo, ISBN: 84-9732-397-1

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BJT. Características dinámicas (II)

• Definiciones:
 t r  Tiempo de retardo.
Desde la polarización de la
resistencia de base hasta que
IC alcanza el 10% de su valor
final.
 t s  Tiempo de subida.
IC del 10 al 90%.
 t e  Tiempo de excitación.
Fuente: Martínez-Gualda.
“Electrónica de Potencia”
te = tr + ts
Paraninfo, ISBN: 84-9732-397-1

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BJT. Características dinámicas (II)

• Cambio en base UAE ideal

(instantáneo) de +10 a -10V.
 IB cesa inmediatamente.
 IC no  movimiento de
portadores residuales que
aporta la base.
 Luego IC decae.

Fuente: Martínez-Gualda.
“Electrónica de Potencia”
Paraninfo, ISBN: 84-9732-397-1

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BJT. Características dinámicas (II)

• Definiciones:
 t al  Tiempo de
almacenamiento.
Desde la despolarización de la
base hasta que IC alcanza el
90% de su valor final.
 t c  Tiempo de caída.
IC del 90 al 10%.
 t a  Tiempo de apagado.
Fuente: Martínez-Gualda.
“Electrónica de Potencia”
t a = t al + t c
Paraninfo, ISBN: 84-9732-397-1

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BJT. Avalancha primaria

• Fenómeno ya visto y explicado (TEI).

• Si se sobrepasa la tensión máxima entre C y B con el emisor abierto,

(UCB0 ) o la tensión máxima entre C y E con la base abierta, (UCE0 ):
– Maximum ratings.

• La unión C-B, en inversa  proceso de ruptura (diodo), que puede

degradar o destruir el transistor.
– Avalancha normal o avalancha primaria.

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BJT. Avalancha secundaria

• Fenómeno más común y peligroso que el de avalancha primaria.
• A tensiones muy por debajo de UCB0 o UCE0 .
• Incluso con unión B-E en directa, aparece un campo eléctrico transversal en B
que reduce el paso de portadores minoritarios a un anillo circular.
– La densidad de potencia en el anillo es proporcional a la polarización de la base,
a IC y a UCE .

• Superado un límite, el recalentamiento produce un fenómeno de generación

de pares 𝐞− 𝐡+ con nuevos incrementos de Tª asociados.
– Multiplicación de pares por avalancha.
– Avalancha secundaria o simplemente avalancha.
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BJT. SOAR
• El transistor puede tolerar la avalancha secundaria durante cortos espacios de
tiempo.
– Siempre que la temperatura de los puntos calientes no modifique las propiedades
de las uniones.
• Para poder medir el riesgo de uso, el fabricante proporciona una demarcación
de áreas en la zona activa con los tiempos límite de trabajo en cada una.

• Safe Operation ARea,

SOAR.
 En DC y pulsante.

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Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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FET de Potencia. Corte y saturación

• En activa, 𝐈𝐃 apenas cambia con
𝐔𝐃𝐒 para cada valor de 𝐔𝐏𝐒 ,
(excepto para valores muy bajos).
• El transistor se comporta como una
fuente de corriente controlada
por UPS.
• En potencia, esta zona de trabajo
no interesa.
– Corte  Saturación (Switching-
Mode Operation).
• No presenta ruptura secundaria.
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FET de Potencia. Saturación

• El transistor pasa a comportarse como una pequeña
resistencia entre D y S.
– RDSon  parámetro especificado en las hojas de
características.
– De interés en el diseño  establece el nivel de
consumo del transistor como interruptor cerrado.
– Ejemplo: IRPFS40N50L.

RDSon

RDSon = 0.087 Ω

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FET de Potencia. Corte

• Anular la tensión en la puerta  UPS = 0.
– Corriente de fugas muy baja.
– Inferior a la de BJT de silicio.
– Para un FET de 10 A puede ser del orden de 2 mA, 
corte casi ideal.

• Consumo en
corte ↓, normalmente
despreciable.

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Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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El transistor IGBT
• Insulated Gate Bipolar Transistor  IGBT:
Transistor bipolar de puerta aislada.
• Terminales: Puerta, Colector, Emisor.
• Híbrido del BJT y FET de potencia.
• Curva característica similar a FET  1V a la
derecha.

 Tensión umbral UCE

antes de la conducción.

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IGBT. Corte y saturación (I)

• La saturación es más vertical,
(tipo BJT)  menores caídas
de tensión que en los FET
incluso para intensidades IC ↑.
– De ahí el símbolo y el nombre
de sus terminales de potencia,
colector C y emisor E.
• La corriente necesaria para la
excitación es ↓↓  FET.
– Terminal de control  puerta
(P o G).
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IGBT. Corte y saturación (II)

• La ganancia en corriente
para DC, AI = IC/IP ≈ 109
 la puerta solo necesita
la IP suficiente para cargar
y mantener cargada la
capacidad parásita 𝐂𝐏𝐄(↓).
– CPE menor que la de un
FET de características
similares.

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Diodos y transistores de Potencia
 Introducción.  Transistores de potencia. BJT.
 Diodos de potencia. Estados estáticos.  Transistores de potencia. FET.
 Diodos dinámicos: recuperación.  Transistores de potencia. IGBT.
 Diodos especiales de potencia.  Otros transistores de potencia.
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Otros transistores de Potencia

• Transistor bipolar rápido BIT o MBIT.
– Base Island Transistor, o Multi Base Island
Transistor  Muchas bases en un mismo
transistor.
• Bases múltiples en conducción  más
rápido el control (características dinámicas).
– Mejor SOAR, menor tensión de saturación y
menor tiempo de conmutación que en los
BJT ordinarios.
• Gran capacidad de miniaturización:
 Convertidores de potencia de muy baja tensión en portátiles, móviles y
cámaras digitales  FBET (Fold Back Electrode Transistor).
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Otros transistores de Potencia

• Transistor bipolar-FET cascodo.
– Híbrido (bipolar NPN-FET canal N en
configuración cascodo  ESBT (Emitter-
Switched Bipolar Transistor).
• Baja tensión de conducción BJT +
rapidez FET.
• SOAR máxima  configuración cascodo.
• Aplicaciones:
− Convertidores de potencia con frecuencia
de conmutación de hasta 100 kHz.

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Apuntes de Potencia
• ¡OOOOOOOH!

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