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Polarización de Transistores BJT en Laboratorio

Este documento describe tres métodos de polarización de transistores bipolares: 1) Polarización con red resistiva, 2) Polarización con fuente de corriente, y 3) Polarización con fuente de corriente y carga activa. El objetivo es diseñar e implementar estas tres formas de polarización y comparar sus ventajas mediante simulaciones. Se explican brevemente los conceptos teóricos de cada método y el procedimiento a seguir, el cual incluye el diseño de circuitos, medición de voltajes y corrientes, y análisis

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Polarización de Transistores BJT en Laboratorio

Este documento describe tres métodos de polarización de transistores bipolares: 1) Polarización con red resistiva, 2) Polarización con fuente de corriente, y 3) Polarización con fuente de corriente y carga activa. El objetivo es diseñar e implementar estas tres formas de polarización y comparar sus ventajas mediante simulaciones. Se explican brevemente los conceptos teóricos de cada método y el procedimiento a seguir, el cual incluye el diseño de circuitos, medición de voltajes y corrientes, y análisis

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Universidad Distrital Francisco José de Caldas

Proyecto Curricular de Ingeniería Electrónica


Facultad de Ingeniería

APLICACIÓN DE FUENTES DE CORRIENTE


(POLARIZACIÓN-CARGA ACTIVA)
Laboratorio de Electrónica II
Grupo E

Profesor:

José Hugo Castellano

Integrantes:

Juan Pablo Piraquive Manchego 20182005090

Juan David Martínez Olaya 20172005070

Johan Alexander Novoa Pinzón 20181005026

Bogotá D.C - Abril 2021


Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

INTRODUCCIÓN
La polarización del transistor es un paso clave en la amplificación, porque hay muchas

formas de polarizar el transistor de resistivo a activo y dichas formas pueden influenciar

drásticamente en las condiciones del amplificador, ya sea mejorando la estabilidad de la

polarización o incluso mejorando la ganancia del amplificador, en esta oportunidad se verán 3

formas diferentes de polarizar el transistor, empezando por la polarización Universal,

continuando con la implementación de un espejo de corriente como fuente de corriente y

finalizando con la implementación de espejos de corriente como fuente de corriente y como

carga activa, al final se podrá evidenciar el efecto que trae consigo la implementación de

fuentes de corriente y de cargas activas.

En el laboratorio propuesto, se utilizarán transistores bipolares PNP (2N3906) y NPN

(CA3086) para lograr dos formas diferentes de polarización, con el fin de observar y analizar

el comportamiento de cada transistor, así como su precisión, implementación y aplicación.

OBJETIVOS

Objetivo general:
Diseñar e implementar las diferentes polarizaciones para los transistores BJT, de tal manera

que se puedan comparar y determinar las ventajas de cada una de ellas.

Objetivos Específicos:
1. Utilizar polarización de red resistiva clásica, con un solo transistor CA3086.

2. Implementar espejos de corriente para la polarización del transistor con ayuda del

transistor CA3086.

3. Utilizar carga activa con transistores PNP para la polarización del amplificador con

ayuda del integrado CA3086.

2
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

MARCO TEÓRICO

Polarización de un transistor bipolar

Dado que se considera que el transistor es una fuente de corriente que depende de la

corriente base, podemos inferir que la malla base es la base que polariza el transistor para

obtener ciertas características de corriente y voltaje en la malla de salida, que es de donde se

obtiene la amplificación. Hay diferentes tipos de polarización y cada uno tiene diferentes

características. [1]

Polarización con medio resistivos

La diferencia entre esta polarización y la polarización anterior es que se coloca una

resistencia RE en el emisor, lo que puede hacer que el circuito sea más estable que una

polarización fija. Suponiendo que VCC y β son valores conocidos, y analizando la malla de

entrada se tiene:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸𝑅𝐸 ; 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝑅 + 𝐼𝐶𝑅𝐸 ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

Fuente de corriente

Muchos amplificadores integrados requieren fuentes de corriente con niveles de

polarización muy bajos (aproximadamente 5 µA) y alta impedancia de salida. El uso de una

fuente de corriente actual basada en un espejo para generar estos valores requiere una

resistencia de polarización de aproximadamente 600kΩ; estas resistencias son muy caras de

integrar porque ocupan demasiada área. Estos valores actuales se pueden generar en una fuente

de corriente Widlar a un costo menor. Esta fuente usa una resistencia de emisor más pequeña

para que los transistores puedan trabajar con diferentes valores de 𝑉𝐵𝐸 .

3
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

Ilustración 1 Fuentes de Corriente (Widlar)

Polarización con fuente de corriente en el emisor y carga activa

La carga activa se define como un componente que exhibe una resistencia no lineal estable

a la corriente. La carga activa es un elemento de circuito compuesto por dispositivos activos

(como transistores), diseñado para tener alta impedancia bajo señales pequeñas, evitando así

voltaje significativo Caída, como en el caso de utilizar resistencias de alta resistencia. El

análisis de la carga activa es muy similar al análisis del espejo de corriente básica, y la corriente

de salida del espejo de corriente básica es igual a la corriente de referencia. Además, debido a

que proporcionan resistencias de alto valor, las etapas del amplificador de alta ganancia pueden

funcionar incluso a niveles de voltaje de polarización bajos, por lo que se pueden lograr altas

ganancias bajo cargas activas

PROCEDIMIENTO
(Utilizar arreglo de transistores CA3086, resistencias tolerancia del 5%, simulador Multisim

o equivalente)

1. Montar el diseño de la red resistiva clásica de polarización para 𝐼𝐶𝑄 = 0.5𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐶 =

±9𝑉. Verificar voltajes y corriente IC. (Polarizar para VRC≈VCE≈VRE en malla

salida) completar tabla.

Ilustración 2. Tabla Guía del Punto 1 y 2

4
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

2. Polarizar ahora el transistor utilizando fuente de corriente, para las mismas condiciones

del paso anterior, medir y anotar en tabla, comparar resultados con los obtenidos en

paso anterior.

3. Utilizar una carga activa, utilizando fuente de corriente, a cambio de 𝑅𝐶 (con

transistores PNP con características similares a los del arreglo CA3086) para mismas

condiciones paso 1. Medir y anotar en tabla. (Incluido 𝐴𝑉 y comparar con la 𝐴𝑉 del

paso 1).

4. ¿Es necesario lograr que la diferencia de potencial se distribuya equitativamente entre

los transistores de malla salida del paso 3? Explique.

5. Comentar y concluir comparando con lo predicho por la teoría.

6. DISEÑO Y MODELO CIRCUITAL


VCC
Para el diseño del amplificador en emisor común se

tendrá en cuenta el circuito de la Ilustración 3. Ahora RC1


RB1
Cc
procederemos a diseñar el circuito, para ello tenemos en
Rg Ci U1
CA3086
cuenta las condiciones establecidas en la guía.
RB2


Vi RE1 Ce
𝒉𝒇𝒆 = 𝜷 = 𝟏𝟎𝟎 (𝑫𝒂𝒕𝒂𝒔𝒉𝒆𝒆𝒕)

• 𝑰𝑪𝑸 = 𝟎. 𝟓𝒎𝑨
Ilustración 3 Circuito a Implementar
• 𝑽𝑪𝑪 = ±𝟗 𝑽

• 𝑽𝑹𝑪 ≈ 𝑽𝑪𝑬 ≈ 𝑽𝑹𝑬

Cabe destacar que en este caso no se implementará una fuente dual de ±9𝑉, sino una fuente

única de 18𝑉. Los valores que se tomarán para los condensadores son 𝐶𝐶 = 𝐶𝑒 = 𝐶𝑖 . Por otro

lado, procederemos a plantear las ecuaciones Estáticas de Entrada y Salida del circuito. Para

ello los condensadores quedan como un circuito abierto, también hallamos el equivalente de

Thévenin (Resistencia y Voltaje) visto por los terminales donde se encuentra la resistencia 𝑅𝐵2 .

5
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

Por ende, tenemos que el circuito equivalente para el análisis 𝐴𝐶 está dado por:

Donde: VCC

𝑅𝐵1 𝑅𝐵2
𝑅𝐵𝐵 = ; [1] RC
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2

𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐵2
𝑉𝑇𝐻 = ; [2] RBB U1
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 CA3086

VTh
Al hacer la malla de entrada obtenemos la ecuación estática de RE

entrada del transistor, debemos tener en cuenta el 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉.

Ilustración 4 Circuito Equivalente en DC


EEE:

𝑉𝑇𝐻 = 𝑅𝐵𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 ; [3]

Por otro lado, sabemos que:

• 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ; [4]

• 𝐼𝐶 = ℎ𝑓𝑒𝐼𝐵 ; [5]

Reemplazando estas dos expresiones en la ecuación [3], tenemos que la Ecuación Estática

de Entrada (EEE)es:

𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐵𝐸 + [𝑅𝐵𝐵 + 𝑅𝐸 (ℎ𝑓𝑒 + 1)]𝐼𝐵 ; [6]

EES:

Ahora procedemos a hallar la Ecuación Estática de Salida, para ello realizamos la malla de

salida y obtenemos que esta ecuación está dada por:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 ; [7]

En este caso tomamos 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 y se obtiene la siguiente expresión para le Ecuación Estática

de Salida (EES):

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶 ; [8]

6
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

Finalmente, vamos a trabajos con las ecuaciones [1], [2], [6] y [8]. Con la ecuación [8]

definimos los voltajes, es decir: 𝑉𝑅𝐶 ≈ 𝑉𝐶𝐸 ≈ 𝑉𝑅𝐸 , además de esto, sabemos que:

• 𝑉𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 ; [9]

• 𝑉𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐶 ; [10]

Por lo que al reemplazar las condiciones en la ecuación [8] y recordando que 𝑉𝐶𝐶 = 18𝑉,

tenemos que:

𝑉𝐶𝐶 = 3𝑉𝐶𝐸

18
𝑉𝐶𝐸 = = 6𝑉
3

Partiendo de la ecuación [9] y [10] procedemos a hallar los valores de las resistencias 𝑅𝐶 y

𝑅𝐸 , teniendo en cuenta el criterio de diseño que 𝐼𝐶𝑄 = 0.5𝑚𝐴 se obtiene:

𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝑅𝐶 6
𝑅𝐶 = = = 12𝑘Ω
𝐼𝐶 0.5𝑚

La resistencia comercial para este valor es de 𝑹𝑪 = 𝟏𝟐𝒌𝛀 ± 𝟓%, podemos apreciar que el

valor de la resistencia 𝑅𝐸 es el mismo ya que los voltajes que caen sobre estas son iguales, por

tanto:

𝑹𝑪 = 𝑹𝑬 = 𝟏𝟐𝒌𝛀 ± 𝟓%

Para hallar el valor de 𝑅𝐵𝐵 , tenemos que por estabilidad térmica se obtiene la siguiente

expresión

𝑅𝐵𝐵 = 0.1𝛽𝑅𝐸 ; [11]

𝑅𝐵𝐵 = 0.1(100)(12𝑘 )

𝑅𝐵𝐵 = 120𝑘Ω

Retomamos la Ecuación Estática de Entrada, es decir, la ecuación [6] y hallamos el valor

𝑉𝑇𝐻 , sin embargo, debemos hallar el valor de 𝐼𝐵 con la ecuación [5]:

7
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

𝐼𝐶𝑄 0.5𝑚
𝐼𝐵 = =
ℎ𝑓𝑒 100

𝑰𝑩 = 𝟓𝝁𝑨

𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐵𝐸 + [𝑅𝐵𝐵 + 𝑅𝐸 (ℎ𝑓𝑒 + 1)]𝐼𝐵

𝑉𝑇𝐻 = 0.7 + [120𝑘 + (12𝑘)(101)](5𝜇)

𝑽𝑻𝑯 = 𝟕. 𝟑𝟔𝑽

Ahora, para hallar los valores de 𝑅𝐵1 y 𝑅𝐵2 , retomamos las ecuaciones [1] y [2], resolvemos

el sistema de ecuaciones de 2x2 y obtenemos las siguientes expresiones para las resistencias

𝑅𝐵1 y 𝑅𝐵2 :

𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐵𝐵
𝑅𝐵1 = ; [12]
𝑉𝑇𝐻

(18)(120𝑘)
𝑅𝐵1 = = 293.5𝑘Ω
7.36
𝑉𝐶𝐶 𝑅𝑇𝐻
𝑅𝐵2 = ; [13]
𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝑇𝐻

(18)(120𝑘)
𝑅𝐵2 = = 203𝑘Ω
18 − 7.36

Tomando valores comerciales de ambas resistencias tenemos que sus respectivos valores

son 𝑹𝑩𝟏 = 𝟑𝟎𝟎𝒌𝛀 ± 𝟓% y 𝑹𝑩𝟐 = 𝟐𝟎𝟎𝒌𝛀 ± 𝟓%

Finalmente tenemos que el circuito a implementar con sus respectivos valores y tolerancias

de resistencias es:

8
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

VCC
18.0V

RC
RB1 12kΩ
5% Cc
300kΩ
5%
Ci 100µF
Rg U1
CA3086
50Ω 100µF
RB2
Vi 200kΩ RE Ce
5% 12kΩ 100µF
5%

Ilustración 5 Circuito Amplificador EC con sus Respectivos Valores

Para el análisis AC, los condensadores y la fuente DC 𝑉𝐶𝐶 quedan como un corto circuito,

además, al reemplazar el transistor por su modelo AC, debemos tener en cuenta el ℎ𝑖𝑒.

Según el datasheet del CA3086 cuando el transistor es polarizado con 𝐼𝐶𝑄 = 0.5𝑚𝐴 el

transistor tiene un ℎ𝑖𝑒 y de ℎ𝑜𝑒 de:

ℎ𝑖𝑒 = (3.5𝑘 )(1.6)

𝒉𝒊𝒆 = 𝟓. 𝟔𝒌𝛀

1 1 1
= 𝑟𝑜 = =
ℎ𝑜𝑒 (15.6𝜇 )(0.6) 9.36𝜇

𝒓𝒐 = 𝟏𝟎𝟔𝒌𝛀

Ahora, el modelo circuital para el análisis AC se observa en la siguiente gráfica:

Rg B C

50Ω
RBB hie hfeIb r0 RC
120kΩ 5.6kΩ 106kΩ 12kΩ
Vi 5% 5%

Ilustración 6 Modelo AC del Circuito Amplificador EC

9
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

De esta ilustración se puede observar claramente que 𝑅𝐵𝐵 ≫ ℎ𝑖𝑒 ≫ 𝑅𝑔 y 𝑟0 ≫ 𝑅𝐶 , por lo

que tanto 𝑅𝐵𝐵 como 𝑟0 se pueden tomar como un circuito abierto, mientras que 𝑅𝑔 se puede

tomar como un corto para los cálculos de la ganancia de voltaje. Teniendo esto en cuenta el

voltaje de entrada del circuito y el voltaje de salida del mismo están dados por:

𝑉𝑖 = ℎ𝑖𝑒𝑖𝑏 ; [14]

𝑉𝑜 = −ℎ𝑓𝑒𝑖𝑏𝑅𝐶 ; [15]

Por otra parte, la ganancia de voltaje está dada por la relación 𝐴𝑣 = 𝑉𝑜 /𝑉𝑖 , por lo que

tenemos que la expresión de ganancia es:

ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑉 = − ∗ 𝑅𝐶 ; [16]
ℎ𝑖𝑒

100
𝐴𝑉 = − ∗ (12𝑘 )
5.6𝑘

𝐴𝑉 = −214 𝑉/𝑉

Diseño Fuente de Corriente

Para el diseño de la fuente de corriente tenemos en cuenta el esquema básico de la fuente de

corriente:
VCC
Haciendo la malla de 𝑅𝑅𝐸𝐹 tenemos:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝑅𝐸𝐹 𝐼𝑅𝐸𝐹 + 𝑉𝐶𝐸 Rref

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 ; 𝑉𝐶𝐵 = 0𝑉

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝑅𝐸𝐹 𝐼𝑅𝐸𝐹 + 𝑉𝐵𝐸 ; [17] U2 U1


CA3086* CA3086
Hallamos el valor de la resistencia 𝑅𝑅𝐸𝐹 teniendo en cuenta

que 𝐼𝐶𝑄 = 0.5𝑚𝐴 y que 𝑉𝐶𝐶 = 18𝑉, por lo que al despejar

tenemos que:
Ilustración 7Espejo de Corriente con NPN

10
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 18 − 0.7


𝑅𝑅𝐸𝐹 = = = 34.6𝑘Ω
𝐼𝑅𝐸𝐹 0.5𝑚

Por resistencias comerciales tenemos que los valores de resistencias más cercanos son de

33𝑘Ω y 1.5𝑘Ω en serie con una tolerancia del 5%

𝑹𝑹𝑬𝑭 = (𝟑𝟑𝒌 + 𝟏. 𝟓𝒌)𝛀 ± 𝟓𝛀

Para la carga activa es posible implementar un espejo de corriente similar, pero con unos

ligeros cambios, como lo son los transistores 𝐶𝐴3086 por transistores PNP, en este caso, se

implementarán transistores 2𝑁3906, por lo que los esquemas que se implementarán para estos

se muestran a continuación.
VCC
VCC

Rref
34.5kΩ
Q2 Q1
2N3906 2N3906*

U2 U1
CA3086* CA3086
Rref2
34.5kΩ

Ilustración 8 Fuente de Corriente (NPN) y Carga Activa (PNP)

Para el análisis AC basta con analizar el comportamiento de la fuente de corriente o de la

carga activa, ya que ambos transistores sólo se diferencian con la dirección de sus corrientes y

voltajes, para esto tomaremos la fuente de corriente y reemplazaremos los transistores por sus

equivalentes en AC y llevando 𝑉𝐶𝐶 por un corto, obteniendo el siguiente esquema:

N1

ro1 hfeIb1 hfeIb2


hie1 hie2 ro2 Rref

N2

Ilustración 9 Equivalente AC del Espejo de Corriente NPN

11
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

Para el caso de la fuente de corriente 𝑁1 corresponde al Emisor del transistor principal,

mientras que 𝑁2 hace referencia a tierra. Vemos que hay dos circuitos independientes y el de

la derecha no está alimentado, por lo que tanto 𝐼𝐵1 como 𝐼𝐵2 valen 0 quedando como un circuito

abierto, por lo que el transistor principal sólo ve a 𝑟01 , usualmente en los amplificadores de

Emisor Común se conecta un condensador entre la resistencia de Emisor y Tierra (𝑁1 y 𝑁2)

haciendo que para el análisis AC este trabaje como un corto y no afecte en los cálculos, por

otro lado, teniendo en cuenta esto, es fácil verificar que para la polarización con fuente de

corriente la ganancia de voltaje en un principio no se verá afectada ya que la fuente de corriente

se vuelve un corto en AC.

Para el caso en el que se usa un espejo de corriente como carga activa, para su modelo AC

tenemos en cuenta la Ilustración 9, sin embargo, en la carga activa ambas fuentes de corriente

van en dirección contraria y 𝑁1 se conecta a Tierra, mientras que el 𝑁2 se conecta al Colector

del transistor principal. Vemos nuevamente que el transistor principal (Específicamente el

colecto) sólo ve a 𝑟01 , por lo que la resistencia de salida será 𝑟01 en paralelo con 𝑟𝑜 (Del

transistor principal). Si observamos la Ilustración 6 y reemplazamos 𝑅𝐶 por 𝑟𝑜1 del transistor

2𝑁3906 cuyo valor aproximado es:

1
𝑟01 = = 90.9𝑘Ω
11𝜇

Teniendo en cuenta esto y el hecho de que 𝑟01 no es más grande que 𝑟𝑜 tenemos que el valor

de la ganancia de voltaje está dado por la siguiente expresión

ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑉 = − ∗ (𝑟0 ||𝑟01 ) ; [18]
ℎ𝑖𝑒

Donde 𝑟0 es el 1/ℎ𝑜𝑒 del 𝐶𝐴3086, mientras que el 𝑟01 es el 1/ℎ𝑜𝑒 del 2N3906. Al

reemplazar los valores tenemos:

12
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

100
𝐴𝑉 = − (106𝑘||90.9𝑘 )
5.6𝑘

𝐴𝑉 = −873.85 𝑉/𝑉

Los diagramas implementados se verán en el apartado de Simulaciones

7. SIMULACIONES

La simulación y los resultados obtenidos para la primera parte, es decir, el amplificador en

Emisor Común se muestra en la siguiente ilustración y en la siguiente tabla.


V: 5.86 V
V(p-p): 426 mV
I: 4.73 uA V(rms): 5.96 V
I(p-p): 320 nA V(dc): 5.96 V
I(rms): 4.81 uA V(freq): 1.00 kHz
I(dc): 4.81 uA
V: 6.14 V
I(freq): 1.00 kHz VCC
V(p-p): 426 mV
I: 481 uA 18.0V V(rms): 6.03 V
I(p-p): 35.5 uA V V(dc): 6.03 V
A
I(rms): 496 uA V(freq): 1.00 kHz
I(dc): 496 uA RC1
V: 6.01 V
I(freq): 1.00 kHz RB1 12kΩ
PR1 Cc1 V(p-p): 56.8 uV
300kΩ 5%
V
V(rms): 6.01 V
5% V(dc): 6.01 V
Ci1 100µF V(freq): 1.00 kHz
RB3 A U1
CA3086
50Ω 100µF
5%
Vi1 V
RB2
1mVpk
1kHz 200kΩ RE1 Ce1
0° 5% 12kΩ 100µF
5%
V

Ilustración 10 Simulación Amplificador con Polarización Universal

En la ilustración anterior vemos 5 cajas de mediciones, en las primeras dos de la izquierda

se puede observar el valor de la Corriente de Base (Caja de arriba) y la corriente de Colector

(Caja de abajo) en DC; a la derecha vemos 3 cajas, que corresponden a los voltajes de

polarización 𝑉𝑅𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 y 𝑉𝑅𝐸 respectivamente, todos estos valores se resumirán en la siguiente

tabla.

Tabla 1 Valores de Polarización con Polarización Universal

13
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

Las señales de entrada y de salida se muestran en la siguiente ilustración, junto con sus

respectivos valores pico:

La ganancia de voltaje medida está dada por:

𝑉𝑂
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖

426𝑚
𝐴𝑉 = −
2𝑚

𝐴𝑉 = −213 𝑉/𝑉

La comparación entre la ganancia medida y la

calculada se resumen en la siguiente tabla: Ilustración 11 Señales de Entrada y Salida (Polarización


Universal)

En la ilustración de las señales podemos observar claramente el desfase entre la señal de

entrada y la señal de salida, dicho desfase es representado en la ganancia por el signo negativo

Tabla 2 Comparación Ganancias de Voltaje

Ganancia AV (V/V)
Medida Calculada Error (%)
-213 -214 0,47

En general vemos que los valores de polarización medidos y calculados no superan el 5%

de error, por lo que se podría decir que el dispositivo se encuentra trabajando en zona activa.

Por otra parte, en cuanto a la ganancia de voltaje vemos que tanto el valor teórico como el valor

medido son prácticamente el mismo por lo que se puede asumir que los valores obtenidos con

aproximaciones son bastantes certeros.

Para el amplificador con fuente de corriente se tienen los siguientes valores de polarización.

14
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

I: 538 uA
I(p-p): 36.8 uA
I(rms): 550 uA VCC V: 6.81 V
18.0V V(p-p): 442 mV
I(dc): 550 uA
PR4 V(rms): 6.60 V
I(freq): 1.00 kHz A
V
PR2 V(dc): 6.60 V
I: 4.95 uA V(freq): 1.00 kHz
RC
I(p-p): 337 nA
RB1 12kΩ
I(rms): 5.06 uA Cc V: 5.21 V
300kΩ 5%
V
I(dc): 5.06 uA V(p-p): 442 mV
I(freq): 1.00 kHz 5% V(rms): 5.42 V
Ci 100µF V(dc): 5.42 V
Rg A U1
PR1 V(freq): 1.00 kHz
CA3086*
50Ω 100µF
5% V V: 5.98 V
Rref1
RB2 V(p-p): 58.9 uV
Vi V 34.5kΩ V(rms): 5.98 V
200kΩ 5%
1mVpk V(dc): 5.98 V
5%
1kHz V(freq): 1.00 kHz

U2 U3
CA3086*
Ce CA3086*
100µF

Ilustración 12 Montaje con Polarización de Fuentes de Corriente

En la ilustración anterior vemos 5 cajas de mediciones, en las primeras dos de la izquierda

se puede observar el valor de la Corriente de Base (Caja de arriba) y la corriente de Colector

(Caja de abajo) en DC; a la derecha vemos 3 cajas, que corresponden a los voltajes de

polarización 𝑉𝑅𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 y 𝑉𝑅𝐸 respectivamente, todos estos valores se resumirán en la siguiente

tabla.

Tabla 3 Mediciones de Polarización Fuente de Corriente

Las señales de entrada y de salida se muestran en la siguiente ilustración con sus respectivos

valores

15
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

La ganancia de voltaje está dada por la siguiente

expresión

𝑉𝑜
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖

441𝑚
𝐴𝑉 = −
2𝑚

𝐴𝑉 = −220 𝑉/𝑉

Pese a que la ganancia ha cambiado un poco la


Ilustración 13 Señal de Entrada y Salida con Fuente de
Corriente
ganancia de voltaje, puede explicarse con el hecho de

que los parámetros de polarización cambiaron considerablemente, la comparación entre la

ganancia de voltaje medida y teórica se resumen en la siguiente gráfica

Tabla 4 Ganancia de Voltaje con Fuente de Corriente

Ganancia AV (V/V)
Medida Calculada Error (%)
-220,5 -214 2,95

El hecho antes mencionado se ve claramente en el porcentaje de error, de cierta forma ha

variado, pero son aproximadamente los mismo

Finalmente, para el amplificador con fuente de corriente y con carga activa tenemos:

El circuito implementado y los valores de polarización se muestran en la siguiente

ilustración:

16
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

V: 5.56 V
I: 553 uA V(p-p): 1.80 V
I(p-p): 21.3 uA VCC V(rms): 5.66 V
I(rms): 563 uA 18.0V V(dc): 5.63 V
I(dc): 563 uA V(freq): 1.00 k...
I(freq): 1.00 kHz V
V: 6.36 V
V(p-p): 1.80 V
A
PR2 V(rms): 6.32 V
V(dc): 6.29 V
I: 5.02 uA Q1 Q2 V(freq): 1.00 k...
I(p-p): 394 nA 2N3906* 2N3906*
I(rms): 5.16 uA V: 6.08 V
I(dc): 5.16 uA Rref2 V(p-p): 34.4 uV
I(freq): 1.00 kHz RB1 V V(rms): 6.08 V
PR3 Cc1 34.5kΩ V(dc): 6.08 V
300kΩ V
V(freq): 1.00 k...

Ci1 100µF
Rg1 A U1
PR1
CA3086*
50Ω 100µF V
V
Rref1
RB2
Vi1 34.5kΩ
200kΩ
1mVpk
1kHz

U2 U3
CA3086*
Ce1 CA3086*
100µF

Ilustración 14 Polarización con Carga Activa y Fuente de Corriente

Los valores medidos para la polarización con carga activa y con fuente de corriente se ven

resumidos en la siguiente tabla:

Tabla 5 Valores de Polarización con Fuente de Corriente y Carga Activa

Finalmente, las señales de entrada y de salida para el amplificador se muestran en la

siguiente gráfica:

17
Laboratorio de Electrónica II - Diseño con espejos de corriente

La expresión de ganancia de voltaje está dada por

la siguiente expresión:

𝑉𝑜
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖

1.81
𝐴𝑉 = −
2𝑚

𝐴𝑉 = −905 𝑉/𝑉

Vemos que con la implementación de un espejo de Ilustración 15 Señales de Entrada y Salida con Carga Activa

corriente configurado como carga activa la ganancia de voltaje se ve disparada, pues al

compararla con las dos ganancias obtenidas en las otras dos polarizaciones se encuentra un

valor mucho más grande, por lo que podemos decir que con la carga activa se ve mejorada la

ganancia, mientras que con la fuente de corriente no surge este efecto. Pues al implementar la

fuente de corriente se vio que la corriente de colector era un valor fijo y no variaba y si lo hacía

no era una variación tan drástica, esto se puede apreciar al comparar los valores de corriente de

colector en la segunda y tercera polarización, pues no se ve un gran cambio entre estos dos

valores.

8. CONCLUSIONES

El primer aspecto que cabe recalcar es que, pese a que los valores de polarización varían

como mucho a un 12% de error con respecto a lo teórico, pues los porcentajes de error de

algunos parámetros en las 3 polarizaciones llegaban por mucho al valor ya mencionado, sin

embargo, es posible decir que estas mediciones se pueden tener en cuenta para el objetivo de

la práctica, la cual era el hecho de comparar los cambios que se obtenían al hacer los montajes

de estas 3 formas de polarizar

Respondiendo a la pregunta de “¿Es necesario lograr que la diferencia de potencial se

distribuya equitativamente entre los transistores de malla salida del paso 3?”, basado en los

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resultados obtenidos en la polarización, se puede afirmar que sí es necesario hacerlo de esta

manera debido a la resistencia 𝑟𝑜 = 1/ℎ𝑜𝑒 de cada transistor (Se observan en el datasheet de

cada transistor), pues observamos que al estar fijo el valor de la corriente, los valores de los

voltajes en el colector y el emisor dependen de esos valores de resistencias, en este caso

trabajamos con dos transistores que tenían una resistencia similar y por eso era necesario

polarizar con voltajes aproximadamente iguales. Por otro lado, cabe resaltar un detalle muy

importante y es que, para que los transistores puedan funcionar como una carga activa (PNP)

deben tener característica muy similares, no sólo el ℎ𝑜𝑒 como se mencionó anteriormente, sino

también aspectos como la ganancia deben ser similares.

Para el caso de la polarización básica, es decir, con polarización universal podemos concluir

que tanto lo medido como lo teórico coincide casi que al 100%, pues si observamos las tablas

presentadas para la polarización se puede apreciar que el máximo error se presenta en la

corriente de colector medida y teórica, dicho valor difiere en aproximadamente un 4%, pues el

valor medido era de 481𝜇𝐴, mientras que la calculada era de 500𝜇. En cuanto a la ganancia

vemos que los valores son casi idénticos, concluyendo así para esta polarización que los valores

obtenidos son muy equivalentes entre sí; Para la polarización con fuente de corriente vemos

que todos lo parámetros de polarización se ven diferentes a comparación con los esperados en

la teoría llegando a un porcentaje de error máximo del 9%, sin embargo, se puede apreciar que

para esta segunda polarización la ganancia de voltaje se mantiene, concluyendo así, que la

fuente de corriente no afecta la ganancia de voltaje en el análisis AC; finalmente, para la tercera

polarización vemos errores en la polarización con un máximo de 11% en algunos parámetros,

comparado con la anterior polarización no difiere mucho pero siempre es un error a tener en

cuenta. En esta polarización vemos la ganancia de voltaje se ve disparada en comparación de

las 2 polarizaciones anteriores, pues tanto en la polarización 1 como en la 2 se ve una ganancia

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aproximada de −214 𝑉/𝑉 y en la tercera se obtuvo un valor de −905 𝑉/𝑉, obteniendo así un

poco más de 4 veces el valor obtenido con la polarización universal, comparando las diferencias

se podría decir que estos valores de ganancia se ven influenciados por la implementación de

una carga activa.

Teniendo en cuenta todo lo mencionado anteriormente y teniendo en cuenta las 3

polarizaciones se puede concluir que al implementar una fuente de corriente se logra fijar el

valor de la corriente 𝐼𝐶𝑄 , mejorando así la estabilidad de la misma pero sin alterar la ganancia

del amplificador, mientras que al implementar una carga activa se ve mejorada la ganancia del

amplificador, esto se debe principalmente al cambio de la resistencia que ve el colector, al

observar la teoría y la práctica vemos que la ganancia es directamente proporcional al valor de

la resistencia de Colector, por lo que al colocar esta carga activa se fija la corriente que pasa

por el colector mientras que el valor de dicha resistencia se ve influenciada por el valor de 𝑟𝑜

del transistor PNP (2N3906), obteniendo así una mejoría en la ganancia del amplificador sin

alterar las condiciones originales de la polarización.

9. REFERENCIAS

1. BOYLESTAD, R., & NASHELSKY, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos y dispositivos electrónicos (10.a ed.). Pearson. Capítulo 4

Polarización de cd de los BJT. PP. 194-202.

[Link]

ydispositivos-electrc3b3nicos_10ed-[Link]

2. Rashid, M. H. (2016). Microelectronic Circuits: Analysis and Design (3rd ed.).

Cengage Learning. Capítulo 5.2. Transistores de unión bipolar. Amplificadores con

cargas activas. PP. 209

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10. ANEXOS

● Cálculo del factor ℎ𝑜𝑒 del integrado CA3086

Ilustración 16 Obtención del hoe del CA3086

● Cálculo hoe 2N3906

Ilustración 17 Obtención del hoe del 2N3906

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