INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD CULHUACÁN
INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
PRÁCTICA N. 3:
“Pruebas a transistores”
PROFESOR: Vargas Reyes Orlando
INTEGRANTES: Guzmán Reyes Néstor Josué
Alcántara Martínez Cristian
SEMESTRE: 4º GRUPO: 4CV24
A 01 de Noviembre del 2021
INTRODUCCION
Se puede efectuar varias pruebas en un transistor usando solo un voltímetro. Para
que un transistor opere como tal, la unión emisor-base debe estar polarizada
directamente y la unión base-colector, inversamente. La polaridad adecuada de la
unión emisor-base y la base-colector, dependerá de si el transistor es tipo NPN o
PNP. Se examinará la figura en donde se ilustran las polaridades requeridas por
un transistor NPN y por un PNP, para que funcionen.
El transistor puede considerase como una conexión de dos diodos; uno formado
por la unión emisor-base y el otro por la base-colector. Por los resultados que
obtuvo en el experimento 2 debe saber ya que un diodo presenta poca resistencia
cuando esta conectado directamente y alta en caso contrario. El tipo de transistor
(NPN o PNP) pueden determinarse por las mediciones de las resistencias de base
a emisor y de base a colector, así como también saber si el transistor está en
condiciones de operación. Se puede efectuar otras pruebas con los transistores.
La importancia de las dos uniones de PN en cualquier transistor, en su capacidad
para que circule o no corriente eléctrica, depende de la dolarización aplicada. Sin
embargo, a través de cada unión de PN circula una pequeña corriente inversa de
fuga cuando se encuentre polarizada inversamente. Esta corriente de fuga se
conoce como ICO o ICBO y se mide del colector a la base con el circuito de emisor
abierto, bajo condiciones de dolarización inversa.
El valor ICBO para un transistor en buen estado es, normal mente muy bajo. Los
valores típicos de corriente inversa (I CBO) con el circuito de emisor abierto, debe
sobrepasar 10 Au aproximadamente, a una temperatura ambiente de 25°C.
La medición de la corriente de fuga en transistores como la mostrada en la figura
se efectúa en ocasiones debido a que da una indicación en su comportamiento en
sus circuitos. Otras características tales como la ganancia se verán afectadas en
formas adversas si esa corriente es considerable. Si es de magnitud aceptable,
entonces el transistor puede someterse a la prueba de ganancia aplicado una
tensión es sentido directo a través de una resistencia de polarización entre el
emisor y la base. Una corriente de base puede producir un incremento
relativamente grande en la corriente de colector. Las características mencionadas
se examinaran en los siguientes experimentos.
LECTURA Y ESTUDIO
Un transistor es un dispositivo activo con tres terminales, y estos tres terminales
se conocen como Emisor, Base y Colector. Hay dos tipos principales de
transistores: transistores de unión bipolar y transistores de efecto de campo.
Los transistores NPN y PNP son transistores de unión bipolar, y es un
componente eléctrico y electrónico básico que se utiliza para construir muchos
proyectos eléctricos y electrónicos. Los transistores de unión bipolar se pueden
encontrar tanto como partes de circuitos integrados como en componentes
discretos. En los transistores PNP, los portadores de carga mayoritarios son
huecos, mientras que en los transistores NPN, los electrones son los portadores
de carga mayoritarios.
El término 'PNP' significa positivo, negativo, positivo y también conocido como
abastecimiento. El transistor PNP es un BJT; en este transistor, la letra 'P'
especifica la polaridad del voltaje necesario para el terminal del emisor. La
segunda letra 'N' especifica la polaridad del terminal base. En este tipo de
transistor, la mayoría de los portadores de carga son huecos. Básicamente, este
transistor funciona igual que el transistor NPN.
Los materiales necesarios que se utilizan para construir los terminales del emisor,
la base y el colector en este transistor son diferentes de los utilizados en el
transistor NPN. Los terminales BC de este transistor están polarizados
constantemente invertidos.
La principal diferencia entre el transistor PNP y NPN es la polarización correcta de
las uniones del transistor. Las direcciones de la corriente y las polaridades de
voltaje se invierten constantemente entre sí.
El término 'NPN' significa negativo, positivo, negativo y también conocido como
hundimiento. El transistor NPN es un BJT, en este transistor, la letra inicial 'N'
especifica una capa cargada negativamente del material. Donde, 'P' especifica una
capa completamente cargada. Los dos transistores tienen una capa positiva, que
se encuentra en el medio de dos capas negativas. Generalmente, el transistor
NPN se utiliza en varios circuitos eléctricos para conmutar y fortalecer las señales
que exceden a través de ellos. Los transistores PNP y NPN son dispositivos de
tres terminales, que están hechos de materiales dopados, que se utilizan con
frecuencia en aplicaciones de conmutación y amplificación. Hay una combinación
de diodos de unión PN en cada transistor de unión bipolar. Cuando el par de
diodos se conecta, entonces forma un sándwich. Eso sienta una especie de
semiconductor en medio de los dos tipos similares.
Entonces, solo hay dos tipos de sándwich bipolar, que son PNP y NPN. En los
dispositivos semiconductores, el transistor NPN tiene típicamente una alta
movilidad de electrones evaluada a la movilidad de un agujero. Por lo tanto,
permite una gran cantidad de corriente y funciona muy rápido. Y además, la
construcción de este transistor es simple a partir de silicio. Ambos transistores
están recolectados de materiales especiales y el flujo de corriente en estos
transistores también es diferente.
En un transistor NPN, el flujo de corriente va desde el terminal del colector al
terminal del emisor, mientras que, en un PNP, el flujo de corriente va desde el
terminal del emisor al terminal del colector. El transistor PNP está formado por dos
capas de material tipo P con una capa intercalada de tipo N. El transistor NPN
está formado por dos capas de material tipo N con una capa intercalada de tipo P.
El principio de funcionamiento principal de un transistor NPN es que, cuando se
aumenta la corriente al terminal base, el transistor se enciende y funciona
completamente desde el terminal del colector al terminal del emisor. El principio de
funcionamiento principal de un transistor PNP es que, cuando existe corriente en
la base del transistor PNP, el transistor se apaga. Cuando no hay flujo de corriente
en la base del transistor, el transistor se enciende.
INSTRUMENTOS Y COMPONENTES
Multímetro
Amperímetro 0-0.1.0mAcd
Voltímetro 0-5-2.5Vcd
Q: transistor PNP
Q2: transistor NPN
R1: 1K1/2W
R2: 100K1/2W
SW1: Interruptor
Protoboard
EXPERIMENTO
Antes de proseguir con el experimento debe estar completamente finalizado con la
construcción interna y funcionamiento de un óhmetro.
Haga un dibujo esquemático sencillo de un óhmetro básico en el espacio que
sigue indique el medidor, la batería, las diversas escalas el color y polaridad de
sus terminales de prueba
Explique lo que sucede con la corriente a través de un óhmetro, cuando sus
rasgos pasan de la escala de R X 1 a la R X 100
R=
La mayoría de la VOM y los VTVM en su función de ohmiometros, operan una
fuente interna de 1.5 a 9.0 volt y el flujo de la corriente en el circuito externo, así
como la tensión se determina durante el rango del ohmiometros que se haya
seleccionado. Los rangos de baja resistencia (R X 1 y R X 10) permiten un mayor
flujo de corriente y en consecuencia pueden tener un efecto adverso sobre un
transistor, dependiendo del tipo y características de este. Normal mente, se usan
los rasgos (R X 10 y R X 100) para probar transistores y otros dispositivos
semiconductores, dependiendo e las características del ohmiometros.
Conecte la terminal negativa del ohmiometros a la negativa del voltímetro de cd
colocando en la escala de 25 volt. Tenga el ohmiometros en la escala de R X 100
ohm y toque rápidamente la terminal positiva del voltímetro con la del
ohmiometros. Si la aguja del medidor tiene un movimiento descendente, tendrá
que invertir los cables que van al voltímetro
¿De que color es la terminal negativa?
¿Cuál es la tensión interna del óhmetro? VCD
Ahora mediremos y registraremos la resistencia en sentencia en sentido directo
entre el emisor y la base del transistor PNP. Monte el circuito ilustrado en la figura,
el ohmetro debe calibrase al hacer cada medición y mantenerse en el rango R X
100.
R: La resistencia EB en sentido directo es: R = 761.638 Ohm.
La resistencia EB en sentido directo es OVLD ohms
Invierta las terminales del óhmetro. Mida y registre la resistencia inversa entre
emisión y base del transistor PNP, oprimiendo SW.
La resistencia inversa EB es OVLD ohms
Ahora mediremos y registraremos la resistencia en sentido directo entre colector y
base del transistor PNP. Monte el circuito que se muestra en la figura oprima SW y
registre la resistencia.
La resistencia CB, es 759.076 ohms
Invierta las terminales del ohmiometros. Mida y registre la resistencia inversa entre
colector y base del transistor PNP, oprimiendo SW.
La resistencia CB, medida es OVLD ohms
¿Qué debe hacer con la polaridad de las tensiones aplicadas para medir la
resistencia directa e inversa del transistor NPN?
Mida y registre la resistencia directas e inversas entre emisor y base del transistor
PNP (Q2). El ohmiometros debe estar todavía en la escala R X 100
La resistencia directa EB, medida es OVLD ohms
La resistencia inversa EB, medida es 649.742 ohms
Mida y registre la resistencia directa e inversamente entre colector y base de Q 2
La resistencia directa CB, medida es OVLD ohms
La resistencia inversa CB, medida es 656.097 ohms
Estudie los resultados registrados en los puntos del 5 al 11. Describa las
indicaciones generales del óhmetro, en las terminales base-emisor y base-colector
tanto del transistor PNP como el NPN
Describa las indicaciones generales del óhmetro que pueden preverse en las
terminales base-emisor y base-colector, tanto en un transistor PNP como en un
NPN defectuosos
Se puede producir un corto circuito entre emisor y el colector de un transistor. Para
comprobar lo anterior debe conectarse un óhmetro (en la escala R X 100) entre las
terminales del emisor y del colector del transistor. En este caso, la polaridad del
óhmetro no es importante y solo producirá una pequeña diferencia en las lecturas
que registren.
Mida y registre la resistencia entre emisor y colector del transistor NPN (Q 2) y del
PNP (Q1).
Resistencia emisor-colector del NPN OVLD ohms
Resistencia emisor-colector del PNP OVLD ohms
Si el transistor no tiene un corto circuito entre colector y emisor, el óhmetro deberá
indicar una resistencia es baja.
En general la finalidad del empleo de un transistor es aplicar corriente; su bondad
para realizarlo se expresa en términos de su beta (β), esta se expresa como un
incremento en la corriente del colector ( ∆ Ic ) debido al incremento correspondiente
en la corriente de base (∆ IB ).
Cuando Sw está abierto, no circula corriente de base en Q 1 sin embargo circulara
corriente en el circuito del colector, debido a la fuente interna del óhmetro cuando
se cierra SW, fluirá una pequeña corriente de la base al emisor en Q 1 y se indicara
un incremento en la corriente del colector a emisor, dicho incremento servirá como
indicación de que el transistor tiene la característica de amplificar
Vuelva a comprobar la calibración del óhmetro en la escala R X 100, antes de
conectarlo al circuito de la figura.
Mida y registre la corriente de colector, teniendo a SW abierto y luego cerrado.
Ic con SW abierto 9.948 mA
Ic con SW cerrado 10 mA
¿Tendrán otros transistores PNP un cambio diferente en la corriente de colector?
No debido a que el transistor ya está con la corriente correcta
Para que un transistor PNP o NPN funciones ¿Qué polarización debe aplicarse
entre el emisor y la base?
Debe ser una polarización negativa
Si la unión emisor-base de un transistor esta polarizada directamente, debe
esperarse encontrar una resistencia
No ya que la polarización ya esta unida a una unión emisor-base
Si la unión base-colector de un transistor esta polarizada directamente, debe
esperarse encontrar una resistencia
Si ya que la base produce una resistencia la cual es llevada directamente al
colector
Defina la beta de un transistor: nos indica la eficiencia del transistor, relacionando
la corriente de colector con la corriente de base, cuanto mayor es el número de
Beta más eficiente es el transistor, es decir que con una corriente de base
pequeña es capaz de entregar una corriente de colector grande (ganancia de
corriente del transistor), en algunos libros se lo suele encontrar como hfe que
también se refiere a la ganancia, pero analizada desde los parámetros H de teoría
de cuadripolos.
Tomando como base el punto 15 y la figura ¿Qué significa que no haya variación
en la corriente de colector cuando se oprime SW?
Conclusión
El motivo de esta practica era para comprender de una mejor manera como es
que funciona un transistor NPN y PNP. Y como comprobar de que tipo de
transistor se trata solo utilizando un óhmetro, lo que resulta muy importante a la
hora de trabajar con estos dispositivos. Ya finalizada la practica se pudo reafirmar
los conocimientos aprendidos en clase y en la lectura recomendada por el
profesor.
