INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD CULHUACÁN
INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
PRÁCTICA N. 1:
“DIODOS SEMICONDUCTORES”
PROFESOR: Vargas Reyes Orlando
INTEGRANTES: Guzmán Reyes Néstor Josué
Alcántara Martínez Cristian
SEMESTRE: 4º GRUPO: 4CV24
A 06 de septiembre del 2021
INTRODUCCIÓN
Se pueden usar diodos semiconductores para reemplazar a tubos al vacío
(bulbos). Este dispositivo se fabrica con un material impurificado con exceso de
cargas negativas, o electrones (tipo N), y un material con impurezas positivas (tipo
P) lo que causa una diferencia de electrones. Los materiales de tipo P o N se
producen impurificando químicamente un material semiconductor como el
germanio o el silicio. En la unión PN (consulte la Fig. 1-1) se forma una región de
vaciamiento de cargas conocida como barrera o colina de potencial; en ella los
electrones en exceso se combinan con los huecos que se encuentran en la
vecindad inmediata de la unión PN (pero no en todo el diodo) formando así la
región de vaciamiento.
Consulte la Fig. 1-1A, cuando se aplica una fuente de potencial negativo al
material tipo N, el exceso de electrones repelidos de este material encontrará una
trayectoria sin obstáculos a través de la unión PN (reduciendo la barrera de
potencial), hacia el material tipo P y finalmente hacia la terminal de potencial más
positivo de la fuente. Esta unión está polarizada directamente (baja resistencia a
cd), de modo que fluirá la máxima corriente a través del diodo. Estudie la Fig. 1-
1B, cuando se aplica una fuente de potencial positivo al material tipo N, los
electrones se alejan de la unión PN en dirección de la terminal positiva de la
fuente (aumentando la barrera de potencial). Las cargas positivas del material tipo
P se mueven hacia la terminal negativa fuente. Los electrones no pueden fluir
fácilmente a través del diodo, de la terminal negativa hacia la positiva de la fuente,
debido a la acción interna en el material PN y la mayor barrera de potencial. Esta
unión está polarizada inversamente (alta resistencia a cd) y fluirá muy poca o
ninguna corriente a través del diodo. Examine la Fig. 1-2, en ella se ilustra el
símbolo esquemático, los tipos de material y las polaridades de la tensión de
polarización de un diodo semiconductor típico. En la condición de polarización
directa, los electrones fluyen siempre en dirección opuesta a la indicada por la
flecha del símbolo esquemático del diodo.
El diodo semiconductor se usa principalmente como rectificador, pero tiene
muchas aplicaciones en circuitos de conmutación, detección y regulación. Al
seleccionar un diodo semiconductor, debe especificarse la máxima corriente
permisible en sentido directo (IF) en la condición de polarización directa, así como
la máxima tensión inversa de pico (VPI) en la condición de polarización inversa.
Otras características importantes son la corriente de fuga, temperatura de
operación, rapidez de conmutación, ruido, clasificación de sobretensión y la
respuesta en frecuencia. El semiconductor ideal tendría una resistencia nula en
sentido directo y una resistencia inversa infinita, como se ilustra en la Fig. 1-3. Las
características reales varían como se muestra en Fig. 1-3. La polarización inversa
que se indica en la gráfica esta expresada en volts, mientras que la directa lo está
en mili volts.
MATERIALES Y EQUIPAMENTO
Fuente de voltaje de 5.0 Vcd.
Fuente de voltaje de 0 a 30 Vcd.
Fuentes de voltaje de 6.0 Vca. o utilizar el generador de funciones ajustado
a esta misma tensión con una frecuencia de 60 Hz.
Multímetro (Amperímetro, Voltímetro y Ohmetro.)
Osciloscopio
DR1 – Diodo de silicio 1N4001 o 1N4002 o 1N4003.
R1 – 270 ohms, 2W
R2 – 1 K ohms, 1⁄2 W
P1 – Potenciómetro 1 K ohm (NO UTILIZAR un potenciómetro tipo
PRESET)
Protoboard
Fusibles de repuesto para Amperímetro Tipo Europeo de 0.250 Amp. (Nota:
Un valor más elevado en las características del fusible no será aceptado ya
que puede dañar el instrumento)
DESARROLLO
1.- Un dispositivo semiconductor no puede soportar una sobrecarga de corriente;
cuando esto sucede, el diodo quedará dañado permanentemente. Generalmente
se sigue el procedimiento para determinar si un diodo está en buen estado y
constituye también una demostración práctica de la polarización inversa y directa
usando la fuente de potencial que se tiene en un ohmetro. Conecte el ohmetro en
la escala de R X 100. La terminal común del Voltímetro debe tener polaridad
negativa.
Conecte el ohmetro al diodo en la condición de polarización directa, como se
indica en la Fig. 1-2B, y mida su resistencia en sentido directo.
Rdirecta = 582.9 ohm
Conecte el ohmetro al diodo en la condición de polarización inversa, como se
indica en la Fig. 1-2C, y mida su resistencia en sentido inversa.
Rinversa = OL ohm
Un buen diodo indicará relativamente poca resistencia en la condición de
polarización directa e infinita o muy alta en la de polarización inversa.
Explique por qué: Cuando el diodo esta polarizado directamente solamente se
necesita un poco de voltaje para vencer la barrera de potencial y de esta manera
la corriente comenzara a fluir a través de este, es por eso por lo que un diodo
presenta poca resistencia, en cambio cuando se polariza inversamente las cargas
positivas y las negativas provenientes de la fuente se combinan con las cargas del
diodo y la barrera de potencial se hace cada vez más grande, debido a esto la
resistencia
del diodo polarizado inversamente es muy grande.
2. Construir el circuito de la Fig. 1-4a. Asegúrese de que observa la polaridad
adecuada en el miliamperímetro y en el diodo. La terminal-común del Voltímetro
debe ir conectada a la terminal negativa de la fuente de energía. Conecte hasta el
último momento el Diodo 1N4001 ya que se debe de asegurar de tener 0.0 Volts
entre las terminales de ANODO y CÁTODO que alimentaran al diodo, una vez
verificado lo anterior conecte el diodo.
3. Partiendo de cero volts en el voltímetro, aumente la tensión entre las terminales
del diodo moviendo lentamente el cursor del potenciómetro hasta que el
miliamperímetro indique 1mA; anote la tensión aplicada al diodo con el voltímetro.
En la tabla 1-5 bajo IF = 1 mA y haga lo mismo para cada uno de los valores de IF
que aparecen en la tabla anotando las tensiones obtenidas.
IF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
Es 0.58 0.61 0.63 0.65 0.66 0.66 0.67 0.68 0.69 0.69 volts
Tabla 1-5
4. Haga una gráfica de los datos obtenidos en el punto 3 en la Fig. 1-6. Trace una
curva continua que toque todos los puntos marcados y desígnela RL = 0.
Fig. 1.6
0.7
0.68
0.66
0.64
0.62
Es (volts)
0.6
0.58
0.56
0.54
0.52
0.5
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Axis Title
RL=0
5.- Vuelva la tensión del diodo a cero regresando el cursor del potenciómetro su
punto de partida e invierta las conexiones del diodo de silicio. Conecte ahora la
fuente de alimentación de 0 a 20 Volts como lo indica la figura 1-4 b. Aumente la
tensión de la fuente a 20 volts. ¿Cuál es la magnitud de la corriente cuando se
polariza inversamente al diodo?
IR = 0 mA
Explique: Porque al estar el diodo polarizado inversamente se comporta como un
circuito abierto
Vuelva la tensión de la fuente a cero.
6. Construya el circuito de la Fig. 1-7, asegurándose de tener la polarización
adecuada en el Voltímetro, el miliamperímetro y el diodo. Ahora mediremos la
corriente de ánodo en sentido directo en función de la tensión de la fuente, con
una carga de 270 ohms.
7.- Repita la misma operación que se efectuó en el punto 3 pero ahora con la
fuente de alimentación de 0 a 20 Volts. tal y como se indica en figura 1-7 y anote
los resultados en la tabla 1-8.
IF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
Es 0.85 1.16 1.44 1.72 2.01 2.31 2.56 2.87 3.15 3.48 volts
Tabla 1-8
8.- Substituya la resistencia de 270 ohms (R1) por la de 1K (R2) repita el punto 7 y
registre los resultados obtenidos en la tabla 1-9.
IF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
Es 1.58 2.61 3.61 4.68 5.62 6.71 7.67 8.66 9.71 10.7 volts
Tabla 1-9
9. Haga la representación gráfica de las curvas utilizando los datos recabados en
los puntos 7 y 8 en la gráfica de la Fig. 1-6. Cuando dibuje la curva del punto 8,
solo podrá marcar 3 o 4 puntos. Basándose en estos puntos y en los datos de la
tabla 1-9, deberá tener una buena idea de la curva resultante. Marque cada una
de ellas de acuerdo con el valor de su resistencia de carga, es decir, RL = 0, RL =
270 ohms y RL = 1 K ohm.
Fig. 1.6
3
2.9
2.8
2.7
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2
1.9
Es (volts)
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
RL = 0 RL = 270 RL = 1K
10. compare las curvas obtenidas ¿cuál es más lineal? La grafica de R L = 270
Ohm
¿Qué conclusiones puede sacar de la gráfica respecto al aumento de la
resistencia en serie? R = Que cuando se aumenta la resistencia el voltaje en el
diodo aumenta.
Observe la Fig. 1-6 y estudie la curva del diodo que se obtuvo sin resistencia de
carga(RL = 0 ) ¿Por qué la curva tiene esa forma? Debido a los voltajes aplicados
¿Aproximadamente a que tensión se considera que el diodo está totalmente
polarizado en sentido directo? A 0.7 volts
11. construya el circuito de la Fig. 1-10.
Aplique 12.6 V de tensión alterna al circuito. Conecte el osciloscopio calibrado a
los puntos A y C y trace a continuación una onda obtenida.
Fig. 1-10
Forma de onda A y C
Forma de onda B y C
CUESTIONARIO
1.-¿Cómo se forman los materiales tipo P y N? Se les llama semiconductores de
tipo P a los semiconductores contaminados con impurezas aceptoras. Las
impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco en el material. Estas son
impurezas con 3electrones en su órbita de valencia.
Al tener solo 3 electrones queda una unión incompleta dejando un hueco para
que un electrón libre pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a
que la conducción eléctrica se produce debido a su gran número de huecos
(portadores mayoritarios). Comparados con los electrones los huecos tienen
polaridad positiva. Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le
agregan impurezas donoras (que donan un electrón). Estas impurezas suelen
tener 5 electrones. De estos 5 electrones 4 formarían una unión con los átomos
vecinos y 1 quedaría libre.
De esta forma este material contiene un mayor número de electrones libres
comparados con los huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la
conducción eléctrica se produce debido a su gran número de electrones
(Portadores mayoritarios) de polaridad negativa.2.- Mencione tres ventajas de los
dispositivos semiconductores sobre los tobos al vació
3.- ¿Cuáles son las dos características que determinan la máxima conducción de
operación de un diodo semiconductor?
Cualquier diodo rectificador está caracterizado por los siguientes factores: -
Corriente directa máxima (If). - Tensión directa (Vd), para una corriente If
determinada. - Tensión inversa máxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensión
inversa máxima de pico repetitiva (VRRM). - Corriente máxima de pico (Ifsm). -
Corriente inversa máxima de pico (IRM), medida a VRRM. - Potencia total (P/tot).
Estas características deberán ser tenidas en cuenta en el momento de la elección
del modelo más adecuado para cada aplicación, procurando no ajustarse
demasiado a los valores límites, ya que ello acortaría excesivamente la duración
del componente.
4.- ¿Qué quiere decir polarización directa e inversa?
La polarización directa se produce cuando se aplica un voltaje a través de la célula
solar de tal manera que el campo eléctrico formado por la unión PN se reduce. Se
facilita la difusión de portadores a través de la región de agotamiento, y conduce a
una mayor corriente de difusión.
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo del batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión
se denomina "Polarización Inversa"
5.- ¿Qué es lo que determina la operación o función de un dispositivo
semiconductor?
La conductividad semiconductora puede ser controlada por la introducción de un
campo eléctrico o magnético, por la exposición a la luz o el calor, o por
deformación mecánica de una rejilla monocristalina dopada; por lo que, los
semiconductores pueden ser excelentes sensores.
6.- ¿Puede un semiconductor soportar una sobrecarga de corriente?
Un dispositivo semiconductor no puede soportar una sobrecarga de corriente,
cuando esto sucede, el diodo quedara dañado permanentemente. Generalmente
se sigue el procedimiento para determinar si un diodo está en un buen estado y
constituye una demostración práctica de polarización inversa y directa usando una
fuente de potencial que se tiene un Ohmímetro.
Conclusión de Guzmán Reyes Néstor Josué:
Con esta práctica pudimos ver otra utilidad importante de los diodos. Ya que se
puede formar una gran cantidad de circuitos recortadores y sujetadores para
diversas utilidades como la generación de señales de pulso, circuitos corta picos,
etc. Para realizar estos circuitos siempre debe de quedar muy claro que siempre
se va a trabajar con diodos reales así que no siempre se debe esperar los
resultados teóricos. Un circuito recortador puede servir para limitar el voltaje de un
circuito sin afectar la forma de onda.
Se pudo verificar, mediante simulación y mediante implementación, que los
circuitos planteados entregan las señales que se esperaba mediante aproximación
matemática. Tal como se esperaba, el los diodos actuaron tal como lo aprendido
teóricamente: Conduciendo en polarización directa y abriendo el circuito en
polarización inversa.
Entre las utilidades que se le pueden atribuir a los diodos constan los circuitos
cortapicos, muy usados en nuestro medio.
Conclusión de Alcántara Martínez Cristian
Es muy importante aprender sobre los diodos y como se utilizan porque son de gran
ayuda en los circuitos porque pueden proteger a los demás elementos de una corriente
inversa ya que el diodo solo permite que pase la corriente por un solo sentido. En caso de
haber una corriente en sentido contrario el diodo actuara como un circuito abierto.
Además de que los diodos rectificadores pueden cambiar la corriente alterna (CA) a
corriente continua (CC).
