Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electró nica
Curso: Laboratorio de Microondas.
Experiencia de Laboratorio: 3
Asunto: Informe Previo (X) Final () Nº3
Título: Laboratorio de Software de Microondas
Integrantes:
Macedo Flores, José Enrique 20134153K [Link]@[Link]
Sanchez Zumaeta, Christian Javier 20122594G chriztian19921@[Link]
Tello Tapia, Carlos Enrique 20090180H carloslgc90@[Link]
Fecha: 14/09/16
Grupo: 1
Profesor: Ing. Víctor Có rdova Bernuy
2016-II
[Link]
a.- Curvas del modulador PIN: frecuencia y periodo de modulación.
b.- Hallar las frecuencias de corte y resonancia .
[Link]ía
Estado del arte de:
Inventor: Jun-ichi Nishizawa
Año: 1950.
` Premios y reconocimientos:
Medalla Edison IEEE
Order of Culture (1989).
Japan Academy Prize (1974)
Desarrollo teórico del punto a tratar.
Diodo PIN es una estructura de tres capas, siendo la intermedio semiconductor intrínseco, y las
externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la
práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una
capa n de alta resistividad (ν). La región intrínseca amplia es en contraste con un diodo PN ordinaria. La
región intrínseca amplia hace que el diodo PIN un rectificador inferiores, pero hace que el diodo PIN
adecuado para atenuadores, interruptores rápidos, fotodetectores, y aplicaciones de electrónica de
potencia de alta tensión.
Descubrimiento del diodo pin
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequeña superficie radiante,
idónea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los fotodetectores, los diodos PIN y los de
avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin dificultades y ofrecían buenas características. Sin
embargo, no podían aplicarse en longitud de onda > 1100 nm. El Ge era un buen candidato a ser
utilizado para trabajar entre 1100 y 1600 nm, y ya en 1966 se disponía de ellos con elevadas
prestaciones eléctricas. Sin embargo, la corriente deoscuridad (ruido) del Ge es elevada y da motivo a
ensayos confotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio ygalio). El primer PIN
de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.
Características
Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de baja frecuencia. A frecuencias
más altas, el diodo se parece a una resistencia casi perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada
en la región intrínseca. A bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo se apaga. A frecuencias
más altas, no hay tiempo suficiente para retirar la acusación, por lo que el diodo no se apaga nunca.
El diodo PIN tiene un mal tiempo de recuperación inverso.
La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente continua de polarización a
través del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgada, por lo tanto, actúa como una resistencia
variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio intervalo.
La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una capacitancia baja polarizado
inversamente.
En un diodo PIN, la región de agotamiento existe casi por completo dentro de la región intrínseca. Esta
región de agotamiento es mucho más grande que en un diodo PN, y casi constante de tamaño,
independiente de la polarización inversa aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que los pares
electrón-hueco pueden ser generados por un fotón incidente. Algunos dispositivos fotodetectores, tales
como fotodiodos PIN y fototransistores, utilizan una unión pin en su construcción.
El diseño de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseño. El aumento de las dimensiones de la
región intrínseca permite que el diodo se vea como una resistencia a frecuencias más bajas. Se afecta
negativamente el tiempo necesario para apagar el diodo y su capacitancia en derivación. Diodos PIN se
adaptarán para un uso particular.
Aplicaciones
Los diodos PIN son utilizados como:
Conmutador de RF.
Resistencia variable.
Protector de sobretensiones.
Fotodetector.
Atenuadores.
3.-Desarrollo de la Experiencia:
1. Armar el arreglo experimental según lo especificado en la fig. 1.7 inicialmente sin modulador PIN.
2. Hacer las mediciones sin el modulador PIN.
2.1 Conmutar en la unidad básica. Voltaje de alimentación del diodo Gunn UG 8V .
2.2 Mediciones del voltaje del diodo detector UD,o usando el osciloscopio.
3. Mediciones de la curva de voltaje con respecto al tiempo del voltaje del diodo detector con el
modulador PIN instalado.
3.1 Instalar el modulador PIN como esta especificado en la fig1.7.
3.2 Conectar el modulador PIN a su fuente de polarización y conectar el osciloscopio para la medición de
la curva de voltaje de modulación U (t) PIN con respecto al tiempo.
3.3 Observar en el osciloscopio la curva de Upin(t) como una función de la posición de la perilla de
control (20) respecto al modulador PIN. Comparación con la Fig. 1.8 (superior). Nota: Si el voltaje Upin(t)
no disminuye a cero durante el medio período, el tornillo de ajuste del modulador PIN debe ser dado
vuelta hasta que ocurra esto.
3.4 Observar el voltaje del diodo detector en la curva UD(t) con respecto al tiempo en el osciloscopio.
Leyendo el valor del Ủon como una función de Ủpin e ingresando los valores en la tabla 1.1. Ver la figura
1.8 para la definición de estos parámetros. Nota: Cuando un osciloscopio de canal doble está disponible,
las curvas de Upin(t) y de UD(t) con respecto a tiempo pueden ser observadas simultáneamente. Si solo
un canal simple del osciloscopio está disponible, las señales pueden ser observadas uno a la vez
alternando la conexión de las líneas al osciloscopio. Aquí es importante considerar que la conexión del
modulador PIN no se puede mover para la medida de Upin(t).
4. Registrar las componentes de voltaje AC (1Khz) de las señales del diodo detector con el voltímetro
selectivo de frecuencia (Equipo de medición).
4.1. Ahora la señal de salida del diodo detector se mide con el voltímetro selectivo de la frecuencia
(véase la conexión en línea punteada en la figura 1.7) en vez de usar el osciloscopio (parte 3 de los
experimentos).
4.2 Fije el voltaje del modulador al valor máximo (Ủpin=0.9V).Para esto la pantalla del voltímetro
selectivo de frecuencia está calibrada a 0 dB. Después reduzca el Ủpin en pasos de 0.1V y registre los
valores de la pantalla del voltímetro selectivo de la frecuencia en función de Ủpin. Incorpore los valores
en la tabla 1.2. Nota: El valor en la pantalla (en dB) corresponde a la cantidad 10log(Ủn/ Ủno), por lo cual
Ủn es la amplitud de los componentes AC de voltaje a 1KHz de la señal del diodo detector (véase la
figura inferior 1.8). El Ủno es el valor que corresponde a Ủpin = 0.9V.
5. Medir las características del diodo Gunn. Repetir el paso 1 y alimentar el Oscilador Gunn con voltajes
de paso de 0,5 voltios. Comenzar a realizar las mediciones desde 0 voltios DC hasta 10 voltios DC. Para
cada variación de voltaje medir la corriente en el equipo voltímetro selectivo de frecuencia.
6. Características de la Guía de Onda Medir las dimensiones a y b (internas y externas) de la guía de
onda.
7. Características de la Cavidad Gunn. Medir las dimensiones a, b y d (internas) de la cavidad del
oscilador Gunn.
4.-Describir el listado de equipos a utilizar
(1) Oscilador Gunn
(2) PIN-modulator
(3) Aislador
(4) Atenuador ajustable (= 5dB)
