2/6/2021 Sistema Virtual de Educación [Contenidos]
7.5.1. Memorias RAM
En la memoria de acceso aleatorio (RAM) se puede acceder a las celdas de memoria para transferir información desde cualquier ub
aleatoria deseada. Es decir, el proceso de ubicar una palabra en la memoria es el mismo y requiere la misma cantidad de tiempo sin im
dónde estén ubicadas físicamente las celdas en la memoria.
La comunicación entre una memoria y su entorno se logra a través de líneas de entrada y salida de datos, líneas de selección de dire
líneas de control que especifican la dirección de transferencia.
A continuación, se muestra un diagrama de bloques de una unidad RAM:
Figura 2. Diagrama esquemático de una unidad RAM, Money & Harris, 2012.
Las n líneas de entrada de datos proporcionan la información que se almacenará en la memoria, y las n líneas de salida de datos suminis
información que proviene de una palabra particular elegida entre las 2 k disponibles dentro de la memoria. Las dos entradas de
especifican la dirección de transferencia deseada.
Definición
Si se tuviera que sumar todos los bits de todos los registros dentro de la CPU, la cantidad total de memoria probablemente no excede
5,000 bits. La mayoría de las tareas computacionales realizadas por una computadora requieren mucha más memoria. La memoria princ
la siguiente memoria más rápida dentro de una computadora y tiene un tamaño mucho mayor.
Las capacidades de memoria principal típicas para diferentes tipos de computadoras son:
Computadora personal 256 MB
Servidor de archivos 4 GB
Mainframe de base de datos 32 GB
Las arquitecturas informáticas también imponen una restricción arquitectónica sobre la RAM máxima permitida. Esta restricción es norma
igual a 2 ubicaciones de memoria WordSize
RAM (memoria de acceso aleatorio) es la forma más común de memoria principal. La RAM normalmente se encuentra en la placa base y
tanto, suele estar a menos de 12 pulgadas de la CPU. La ROM (memoria de solo lectura) es como la RAM, excepto que su contenido
puede sobrescribir. La memoria ROM se usa a menudo para almacenar el "arranque" o el programa de inicio que una computadora
cuando se enciende.
Aunque es más lento que la memoria de registro, el contenido de cualquier ubicación en la RAM se puede "leer" o "escribir" muy rápidame
tiempo de lectura o escritura se denomina tiempo de acceso y es el mismo para todas las ubicaciones de RAM.
A diferencia de la memoria de registro, la RAM se utiliza para contener tanto el código del programa (instrucciones) como los datos (nú
cadenas, etc.). Los programas que se están ejecutando normalmente se “cargan” en la RAM desde un disco antes de que la CPU los ejec
Las ubicaciones en la RAM se identifican mediante un esquema de direccionamiento, por ejemplo, numerando los bytes en la RAM desd
adelante. El contenido de la RAM se pierde si se apaga la alimentación.
Tipos y subtipos
La RAM (memoria de acceso aleatorio) es una parte de la memoria principal de la computadora a la que la CPU puede acceder directame
RAM se utiliza para leer y escribir datos a los que la CPU accede de forma aleatoria. La RAM es de naturaleza volátil, significa que, si se c
energía, la información almacenada se pierde. La RAM se utiliza para almacenar los datos que actualmente procesa la CPU. La mayoría
programas y datos modificables se almacenan en RAM.
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El diagrama de bloques del chip RAM se muestra a continuación.
Figura 3. Diagrama de bloques de una unidad RAM, Money & Harris, 2012.
SRAM
Las memorias SRAM constan de circuitos capaces de retener la información almacenada siempre que se aplique energía. Eso significa qu
tipo de memoria requiere energía constante. Las memorias SRAM se utilizan para crear memoria caché.
Celda de memoria SRAM
Las memorias estáticas (SRAM) son memorias que consisten en circuitos capaces de retener su estado mientras la energ
encendida. Así, este tipo de recuerdos se denominan recuerdos volátiles. La siguiente figura muestra un diagrama de celda de SRA
pestillo está formado por dos inversores conectados como se muestra en la figura. Se utilizan dos transistores T1 y T2 para cone
pestillo con dos líneas de bits. El propósito de estos transistores es actuar como interruptores que se pueden abrir o cerrar bajo el con
la línea de palabras, que es controlada por el decodificador de direcciones. Cuando la línea de palabras está en el nivel 0, los transisto
apagan y el pestillo sigue siendo su información. Por ejemplo, la celda está en el estado 1 si el valor lógico en el punto A es 1 y en e
B es 0. Este estado se mantiene mientras la línea de palabras no esté activada.
Figura 4. Diagrama de una celda SRAM. Money & Harris, 2012.
Operación de lectura
La línea de palabras se activa mediante la entrada de dirección al decodificador de direcciones. La línea de palabra activada cierra los
transistores (conmutadores) T1 y T2. Entonces, los valores de los bits en los puntos A y B pueden transmitirse a sus respectivas línea
bits. El circuito de detección / escritura al final de las líneas de bits envía la salida al procesador.
Operación de escritura
La dirección proporcionada al decodificador activa la línea de palabras para cerrar ambos interruptores. Luego, el valor de bit
escribirá en la celda se proporciona a través del circuito de detección / escritura y las señales en las líneas de bits se almacenan en la
DRAM
DRAM almacena la información binaria en forma de cargas eléctricas que se aplican a los condensadores. La información almacenada
condensadores tiende a perderse durante un periodo de tiempo y, por lo tanto, los condensadores deben recargarse periódicament
conservar su uso. La memoria principal se compone generalmente de chips DRAM.
Celda de memoria DRAM
Aunque la SRAM es muy rápida, es cara porque cada celda requiere varios transistores. La RAM relativamente menos costosa es
debido al uso de un transistor y un capacitor en cada celda, como se muestra en la siguiente figura, donde C es el capacitor y T
transistor. La información se almacena en una celda DRAM en forma de carga en un condensador y esta carga debe reca
periódicamente.
Para almacenar información en esta celda, el transistor T se enciende y se aplica un voltaje apropiado a la línea de bits. Esto hace
almacene una cantidad conocida de carga en el condensador. Después de que el transistor se apaga, debido a la propied
condensador, comienza a descargarse. Por lo tanto, la información almacenada en la celda se puede leer correctamente solo si se lee
de que la carga de los condensadores caiga por debajo de algún valor umbral.
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Figura 5. Diagrama de una celda DRAM. Money & Harris, 2012.
Tipos de DRAM
Existen principalmente cinco tipos de DRAM.
1. DRAM asíncrona (ADRAM). La DRAM descrita anteriormente es la DRAM de tipo asíncrono. La sincronización del dispositivo de m
se controla de forma asincrónica. Un circuito controlador de memoria especializado genera las señales de control necesarias para co
la sincronización. La CPU debe tener en cuenta el retraso en la respuesta de la memoria.
2. DRAM síncrona (SDRAM). La velocidad de acceso de estos chips de RAM se sincroniza directamente con el reloj de la CPU. Pa
los chips de memoria permanecen listos para funcionar cuando la CPU espera que estén listos. Estas memorias operan en el
memoria CPU sin imponer estados de espera. SDRAM está disponible comercialmente como módulos que incorporan múltiple
SDRAM y forman la capacidad requerida para los módulos.
3. SDRAM de doble velocidad de datos (DDR SDRAM). Esta versión más rápida de SDRAM realiza sus operaciones en ambos bor
la señal de reloj; mientras que una SDRAM estándar realiza sus operaciones en el flanco ascendente de la señal de reloj. Da
transfieren datos en ambos extremos del reloj, la tasa de transferencia de datos se duplica. Para acceder a los datos a alta velocid
celdas de memoria se organizan en dos grupos. Se accede a cada grupo por separado.
4. Rambus DRAM (RDRAM). La RDRAM proporciona una tasa de transferencia de datos muy alta en un bus estrecho de
memoria. Utiliza varios mecanismos de aceleración, como interfaz de memoria síncrona, almacenamiento en caché dentro de lo
DRAM y sincronización de señal muy rápida. El ancho del bus de datos Rambus es de 8 o 9 bits.
5. Cache DRAM (CDRAM). Esta memoria es una memoria DRAM de tipo especial con una memoria caché en chip (SRAM) que actúa
un búfer de alta velocidad para la DRAM principal.
Niveles
En pocas palabras, aquí hay algunas pautas simples que se aplican a la mayoría de los dispositivos de PC.
2GB: se utiliza principalmente en diseños de tabletas económicas. Querrá más en una computadora portátil o de escritorio.
4GB: normalmente se instala en portátiles económicos. Esto está bien para el uso básico de Windows y Chrome OS.
8GB: excelente para sistemas Windows y MacOS. También es bueno para los juegos de nivel de entrada.
16 GB: este es el punto ideal para los usuarios de escritorio. Es ideal para trabajos profesionales y juegos más exigentes.
32 GB y más: solo para entusiastas y estaciones de trabajo especialmente diseñadas. Los jugadores serios, los ingenieros, los edito
A / V profesionales y tipos similares deben comenzar aquí e ir más alto si es necesario.
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Unidad de Educación a Distancia
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