CAPÍTULO 3

LA MEMORIA PRINCIPAL
CONTENIDOS

OBJETIVOS
• Definición de memoria principal, • Saber qué es la memoria
características y funcionamiento. principal, conocer sus
características y funcionamiento.
• Jerarquia de memorias.
• Entender tipos de memoria, así
• Tipos de memoria interna. como sus características
principales.
• Módulos de memoria
• Saber descifrar las características
• Tipos de encapsulado de chips de de las memorias para ayudar en
memoria. la búsqueda del mejor módulo
de memoria
• Comparativas.

RESUMEN DEL CAPÍTULO:

En este capítulo estudiaremos un elemento hardware de

gran importancia: la memoria principal, entendiendo que
no solo el procesador hace potente a una máquina.
Veremos tipos, características, funciones, etc., y
aportaremos los pasos a seguir a la hora de adquirir una
memoria concreta en función de sus necesidades.
 La memoria principal 2

3.1. MEMORIA PRINCIPAL

3.1.1. INTRODUCCIÓN

Según la Real Academia de la Lengua Española, se define memoria como "Facultad

psíquica por medio de la cual se retiene y recuerda el pasado", según filósofos como
Aristóteles "la memoria es una facultad que espontánea y naturalmente pone ante la mente
lo pasado, (mnéme que significa memoria); y se llama anámnesis (reminiscencia), cuando
hace eso mismo por medio de la investigación propia de la razón".

En informática el término memoria define un componente que evoca a esta misma

facultad, la de retener información. En un sistema informático existen varios tipos de
memorias, diferenciadas en ocasiones en función de para qué son usadas y los elementos que
la forman. En este capítulo vamos a tratar la llamada Memoria Principal o RAM.

3.1.2. MEMORIA PRINCIPAL EN LA ARQUITECTURA DE VON NEUMANN

Ya estudiábamos en el Capítulo 1 los fundamentos de esta arquitectura. Veíamos como el

principio de ésta era el de "programa almacenado", todo programa que se desee ejecutar
debía estar previamente almacenado en lo que denominaba "memoria principal". Las tres
ideas en las que se fundamenta la arquitectura de Von Neumann son:

• En la memoria del ordenador se almacenan simultáneamente datos e instrucciones.

• Se puede acceder a cualquier parte de esta memoria mediante una "dirección de
memoria".
• La ejecución de un programa se realiza de forma secuencial pasando de una instrucción a
la que sigue inmediatamente.

Figura 3.1. Arquitectura de Von Neumann.

La memoria principal es la encargada de almacenar el programa que se va a ejecutar y la

CPU, gracias a la Unidad de Control que emitirá las señales oportunas y la Unidad Aritmético-
Lógica que realizará los cálculos, irá tomando de ésta, instrucción a instrucción el programa y
lo irá ejecutando.

Imaginemos que decidimos escribir una carta en LibreOffice Writer. Para ello localizamos
el icono de acceso directo a este programa, hacemos doble clic sobre él y en cuestión de
segundos (dependerá del tipo de equipo) veremos en pantalla el editor de texto listo para que
podamos comenzar a usarlo. Internamente y a grandes rasgos, ¿qué sucede?:
 La memoria principal 3

• El programa (los archivos necesarios para su ejecución), son enviados desde el “disco
duro” (dispositivo de almacenamiento externo) donde se guardaron tras la instalación a
la memoria principal.
• A partir de ahí, la CPU leerá cada instrucción a ejecutar de la memoria principal. ¿Cómo
hace esto (visto en el capítulo 2)?

 La Unidad de Control manda una señal para que se acceda a la dirección que indique
el contador de programa.
 El contenido de esta posición de memoria, una instrucción es enviado al registro de
instrucción.
 A partir de ahí, se decodifica dicha instrucción, se obtienen los datos que van a
intervenir en la operación a realizar y se da orden de realizar esta.
 Finalmente, el resultado es almacenado.

3.1.3. COMPOSICIÓN DE UNA MEMORIA

¿Cómo se diseña una memoria?, ¿De qué debe estar compuesta para que consiga
almacenar información? ¿Cómo guardaremos los 1 y los 0?

Una memoria puede ser diseñada utilizando diferentes componentes como:

• Biestables
• Condensadores

3.1.3.1. BIESTABLES

Un biestable es el "circuito secuencial" más pequeño. Podemos definir un circuito

secuencial como aquel cuyo valor de salida no solo depende de las entradas sino además de
los valores de las salidas anteriores.

Un BIESTABLE es capaz de almacenar un bit, la mínima cantidad de información

mientras exista corriente eléctrica. Si queremos almacenar varios bits debemos usar varios
biestables, para guardar un byte (8 bits) o palabra precisaremos un grupo de 8 biestables.

Los biestables están compuestos por puertas lógicas cuyas entradas se "entrelazan" de
algún modo con sus salidas. Existen varios tipos RS, D, JK, T. y pueden ser:

Asíncronos: Los cambios se producen en cualquier momento en que cambien las

entradas.

Síncronos: Los cambios se producen en función de los ciclos de reloj.

ACTIVIDAD 3.1

Puedes buscar en la web o bibliografía información, acerca de los biestables JK y

D, e identificar brevemente qué puertas lógicas lo componen y cuál es su diagrama.

3.1.3.2. CONDENSADORES Y TRANSISTOR MOS

Otra tecnología usada en la creación de memorias es la que se basa en la utilización de

condensadores junto a un único transistor de tipo MOS (uno solo frente al conjunto necesario
en memorias compuesta por biestables). Se consiguen de este modo memorias más
 La memoria principal 4

pequeñas, espacialmente ocupan menos y son más baratas, aunque poseen la desventaja de
necesitar ser "refrescadas" cada cierto tiempo para mantener el valor almacenado.

El condensador es el dispositivo eléctrico que determina el valor del bit en cada momento,
si se encuentra cargado, es decir, posee una cantidad determinada de corriente eléctrica, el
valor del bit será 1, en caso contrario, su estado equivale al valor cero.

Para conseguir que el condensador permanezca en un estado u otro, se hace necesaria la

utilización de un circuito de refresco.

3.1.4. JERARQUÍA DE MEMORIA

En un PC podemos distinguir diferentes tipos de memorias, cada una de ellas destinadas

a un fin concreto. En este tema profundizaremos en las memorias RAM, memoria principal de
Von Neumann, pero antes veamos toda la jerarquía y sus características principales.

La siguiente imagen es muy representativa.

Figura 3.2. Jerarquía de memorias en un PC

La figura muestra claramente la dependencia existente entre tiempo de acceso, precio y

capacidad. Cuanto mayor sea el tiempo de acceso a un dato en la memoria, menor será su
precio y mayor su capacidad, esto se invierte cuando se reduce el tiempo de acceso,
memorias mejores y más costosas, de modo que también de menor capacidad.

Las memorias de los niveles más altos suelen ser memorias constituidas por biestables
mientras que las demás serán memorias creadas a base de condensadores u otro tipo de
tecnología como la usada en discos magnéticos, discos ópticos o memorias sólidas (memorias
flash).

La figura muestra claramente una distinción entre memorias internas y externas. Las
primeras son memorias incluidas en algún componente interno o son memorias internas
sobre las que no tenemos control, es decir, el PC hace uso de ellas mientras nosotros no
podemos utilizarlas para almacenamiento de ficheros (tienen una función bien definida en la
que no entra el uso particular del usuario, recordad la arquitectura de Von Neumann). Las
segundas son memorias de almacenamiento masivo, el usuario almacena la información que
desea en ellas.
 La memoria principal 5

Detalles de cada uno de los niveles expuestos en la imagen:

Nivel 0: El nivel cero son los registros ubicados en la CPU. Estos registros suelen
almacenar un solo bit. Lo forman biestables, de forma que cuando se quieren almacenar
palabras (conjuntos de 8 bits o n bits) se agrupan un número determinado de estos
biestables. Son el tipo de memoria más rápida (tiempos de acceso entre 0,25 ns y 0,5 ns) y
almacenan muy poca información.

Nivel 1: Memoria cache, conocida como L1, L2 y actualmente, en los nuevos

microprocesadores, un nuevo nivel de memoria, L3. Son de poca capacidad, tiempos de
acceso de hasta 10 ns y muy caras. Desde hace tiempo se integran dentro del
microprocesador.

Nivel 2: Este nivel se halla justo en la frontera entre memorias internas y externas. Es la
memoria conocida como RAM, memoria principal, que almacena las instrucciones que se
están ejecutando en un preciso instante. Estas memorias son rápidas, los tiempos de acceso
son del orden de 30 ns a 200 ns.

Están organizadas en grupos de bits denominados celdas, también conocidos como

palabras.

NOTA: Una palabra refiere el número de bits que se puede leer o escribir al
mismo tiempo, 8, 16, 32, 64, etc.

Nivel 3: Discos magnéticos, unidades de almacenamiento masivo, con tiempos de acceso

más elevados, pero de mayor capacidad y menor precio. Hoy día sin una memoria externa
(disco duro), un ordenador no podría funcionar, debido a los requisitos exigidos por los
sistemas operativos actuales.

Nivel 4: Dispositivos también de almacenamiento masivo, CD-ROM, DVD, Blu-Ray, etc.

Los tiempos que corren, la era del diseño digital, almacenamiento fotográfico, videos, obliga
al uso de dispositivos de almacenamiento de este tipo, además de discos duros cada vez de
mayor capacidad, del orden de Teras y Petas.

NOTA: Se debe tener en cuenta "la propiedad de inclusión" cuando se habla de

la memoria en un PC. Existen diferentes tipos de memorias y una jerarquía bien
definida. Este principio dice algo así como que: si un dato se encuentra en un
nivel de la jerarquía, además se encuentra en todos los niveles inferiores
a él.
En la fabricación de un PC siempre se persigue conseguir el mejor rendimiento
al menor precio. Sabiendo que la memoria utilizada en los registros es más rápida
¿por qué no usar ésta para toda la memoria que se usa en un PC? La respuesta a
esta pregunta será claramente el precio, un PC constituido exclusivamente con
memoria a base de biestables sería demasiado caro, valor incalculable, y a su vez
ocuparía mucho más espacio. Según lo explicado, para solventar el excesivo precio
y el tamaño se crean memorias de diferentes tipos, memorias de mejores
rendimientos y que se encuentran en contacto más directo con la CPU y deben ser,
por lo tanto, más rápidas, y otras como las de almacenamiento masivo, más lentas
pero que solventan la necesidad de almacenar información del usuario.
Así, cuando la CPU precisa de un dato, localiza este en el disco duro, lo pasa a
la memoria RAM y de ahí pasará a la caché y registros cada vez que sea necesario.
Vemos que el dato con que se esté tratando en un instante concreto se encuentra
 La memoria principal 6

en el registro, y a su vez, en la memoria RAM y en el disco duro del PC.

Parece ser que las arquitecturas AMD hace ya tiempo, descartan esta forma
de funcionar, ya que es cierto que resulta algo absurdo mantener una información
replicada en varios lugares a la vez, ocupando espacio innecesario y ralentizando así
el sistema.

3.1.5. MEMORIAS SRAM Y DRAM

Hemos estado hablando en apartados anteriores sobre memorias basadas en biestables y

memorias basadas en condensadores.

Podemos decir que las memorias basadas en biestables, usadas en memoria cache, son
también denominadas SRAM (Static Random Access Memory, memoria estática de acceso
aleatorio).

Las memorias basadas en condensadores son llamadas DRAM, usadas en memoria

principal. Estas siglas provienen de Dynamic Random Access Memory, memoria dinámica de
acceso aleatorio.

3.1.6. CARACTERÍSTICAS DE LAS MEMORIAS

Ciclo de reloj o velocidad de bus: Esta característica tiene sentido en memorias

SDRAM, memorias síncronas, que realizan las funciones de lectura y escritura en función de
los ciclos de reloj del microprocesador. Así, un ciclo de reloj marca la pauta para realizar una
operación, cuanto menor sea mayor número de operaciones se podrán realizar, es decir a
mayor frecuencia mayor número de operaciones. La velocidad de reloj se mide en MHz.

Velocidad efectiva o MHz efectivos: Los ciclos de reloj que marcan los tiempos para la
ejecución de operaciones se dividen en flancos, de subida y bajada, la siguiente imagen lo
muestra claramente:

Figura 3.3. Ciclos de reloj.

Existen memorias que utilizan todo el ciclo para realizar una operación de lectura o
escritura, y otras utilizan uno de los flancos, pudiéndose utilizar el segundo para realizar una
nueva operación.

Así, si la velocidad de reloj de una memoria es 233 MHz, si esta aprovecha ambos flancos
la velocidad se verá multiplicada por dos, denominándose velocidad efectiva o MHz
efectivos.

Sabías que...
Existen nuevas unidades para medir la frecuencia de bus como los GT/s (Giga
Transfer, giga transferencias por segundo) y su unidad de transferencia equivale a
medio hertzio (0,5 hz). Representan el doble de Hz.
 La memoria principal 7

Ancho de banda: Esta característica hace referencia al número de palabras transferidas

entre la memoria principal y la CPU en una unidad de tiempo, normalmente se mide en MB/s.

Capacidad: Cantidad de información que es capaz de almacenar. Usa el byte y sus

equivalentes como unidad de medida. Hoy día, los módulos de memoria tienen capacidades
del orden de GB (230 bytes)

Tiempo de acceso: Hablamos de tiempos de acceso de lectura y tiempos de acceso de

escritura. Representan el tiempo máximo que se tarda en leer una posición de memoria o
escribir en ella.

Latencia CAS: Tiempo transcurrido desde que se solicita un dato hasta que el primer bit
de éste es transferido. Este dato es bastante importante ya que puede ser determinante En
ocasiones, memorias rápidas con latencias elevadas son "más lentas" que otras de menor
número de MHz.

Figura 3.4. Esquema de memoria principal.

En ella, se muestran diferentes tableros, cada uno de ellos divididos en filas y columnas
que conforman las celdas donde se almacena un dato. La latencia CAS hace referencia al
tiempo transcurrido en alcanzar una celda. Sin embargo existen algunas operaciones que
producen retardos anteriormente:

Antes de alcanzar una celda, es preciso activar el tablero donde se encuentra esta, esto
se realiza mediante el envío de una señal de activación que provoca una latencia ACTIVE.

Posteriormente, se debe indicar la fila donde se ubica el dato. Para ello, se manda una
nueva señal que ralentiza nuevamente la lectura o escritura, esta latencia se denomina RAS.

Resumiendo: cuando se desea leer o escribir un dato, primero se envía una señal de
activación de tablero (latencia ACTIVE), posteriormente una señal de indicación de fila
(latencia RAS) y finalmente, una señal de indicación de columna o celda concreta (latencia
CAS). Estas latencias representan ciclos de reloj necesarios para el envío de todas estas
señales.

Además, existe una cuarta latencia, PRECHARGE para desactivación de tablero activo.

Según lo explicado y para entender por qué las latencias son propiedades técnicas a tener
en cuenta, vamos a representar un ejemplo. Imaginemos dos memorias, con diferentes
velocidades, una de ellas de 133 MHz y otra de 200 MHz, con las latencias respectivas de 2-
2-2-5 y 3-2-2-5 (CAS-RAS-PRECHARGE-ACTIVE).
 La memoria principal 8

NOTA: En la memoria de 133 MHz, al ser

más lenta, los ciclos son más "anchos".
Normalmente, las latencias se definen con
valores exactos, 2, 3, 2.5, etc., se redondea.
Sin embargo, las señales no duran
exactamente ese número de ciclos, suelen
terminar un poco antes del límite establecido
y los fabricantes dejan un margen mínimo de
error. En la imagen se observa esto mismo a
través de una línea de color azul que
pretende indicar dónde acaba exactamente la
operación CAS. Ambas memorias utilizan la
Figura 3.5. Esquema de sucesión de ciclos a lo largo misma línea de tiempo, por lo que el
del tiempo.
desperdicio en la memoria de mayor número
de ciclos también es mayor.

Si queremos calcular el tiempo en segundo que tarda en realizarse una operación,

partimos de:

1 Hz = 1/Tiempo; Tiempo = 1/Hz

133 MHz = 1/Tiempo; Tiempo = 1/133.000.000 = 7,5 * 10-9 s = 7,5 ns

200 MHz = 1/Tiempo; Tiempo = 1/200.000.000 = 5 * 10-9 s = 5 ns

Estas dos operaciones nos dicen el tiempo necesario para realizar una operación
que dura un ciclo, o mejor dicho, "el tiempo que tarda un ciclo" en producirse; así, si la
latencia CAS es 2 estamos diciendo que la memoria de 133 MHz tarda 7,5 ns * 2 = 15 ns en
enviar la señal CAS y la de 200 MHz unos 10 ns. Ahora bien, cuando debemos acceder a una
celda, si esta no es la primera para llegar a ella es preciso pasar por las anteriores y si el dato
se encuentra en la celda 100 de una fila, los 15 ns o 10 ns deben multiplicarse por 100.

Supongamos que queremos acceder a la primera celda, de la primera fila del primer
tablero, ¿qué tiempo tardaremos en el acceso?

Memoria de 133 MHz, latencias 2-2-2-5:

(7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 5) = 82,5 ns

Memoria de 200 MHz, latencias 3-2-2-5:

(5 ns*3) + (5 ns*2) + (5 ns*2) + (5 ns*5) = 6Ons

En esta situación, se evidencia que la segunda de las memorias, es indudablemente la

más rápida.
 La memoria principal 9

Ahora supongamos que en lugar de acceder a la primera celda queremos leer o escribir el
último dato de la primera fila, supongamos tableros de 100 filas y 100 columnas o celdas por
fila. Veamos qué ocurre.

Memoria de 133 MHz, latencias 2-2-2-5:

[100 * (7,5 ns * 2)] + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 5) = 1567,5 ns

Memoria de 200 MHz, latencias 3-2-2-5:

[100 * (5 ns * 3)] + (5 ns * 2) + (5 ns * 2) + (5 ns * 5) = 1545,5 ns

Vemos que, en casos extremos, la memoria de 200 MHz no es mucho más rápida que la
de 133 MHz, si en lugar de 3 ciclos de latencia hubieran sido 4 en la memoria de 200 MHz:

Memoria de 133 MHz, latencias 2-2-2-5:

[100 * (7,5 ns * 2)] + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 5) = 1567,5 ns

Memoria de 200 MHz, latencias 4-2-2-5:

[100 * (5 ns * 4)] + (5 ns * 2) + (5 ns * 2) + (5 ns * 5) = 2045 ns

Claramente observamos que no solo los Hz indican lo veloz que puede ser una memoria,
existen características como las latencias que se deben tener muy en cuenta.

NOTA: Cuando comparemos memorias de igual velocidad, nos declinaremos

por aquellas que tengan menores valores de latencia, por ejemplo, en memorias
de 233 MHz, si una presenta latencias 3-2-2-5 y otra 2-2-2-5 será más veloz la
segunda de ellas. Sobre todo será la latencia CAS la que determinará la eficiencia.

Voltaje: Todo módulo de memoria necesitará un voltaje para poder funcionar, cuanto
mayor sea éste, mayor consumo y más calor. Sin embargo, mejor será el rendimiento del
dispositivo.

El voltaje nominal puede superarse en cierta cantidad, realizándose lo que se denomina

overcloking, esto conlleva lo que se expresa en el párrafo anterior, mayor consumo y mayor
calor, que requiere sistemas de refrigeración más sofisticados (por ejemplo, sistemas de
refrigeración líquida).

ACTIVIDAD 3.2
Haz un pequeño estudio sobre las siguientes memorias teniendo en cuenta solo su
velocidad de bus y latencias como se ha visto en este apartado: Memoria Kingston
a 1600 MHz con latencias de 9-9-9-9 y Memoria Corsair a 800 MHz a 5-5-5-18.

3.2. TIPOS DE MEMORIAS

Podemos clasificar a las memorias atendiendo a diferentes aspectos, uno de ellos es a la

peculiaridad de si estas son de solo lectura o lectura y escritura.

MEMORIAS DE SOLO LECTURA

 La memoria principal 10

Son memorias que se escriben una sola vez (aunque en memorias modernas es posible el
borrado y reescritura de información). En ausencia de electricidad no pierden los datos.
Conocida como memoria ROM, aunque en los siguientes apartados veremos diferentes tipos:

• ROM
• PROM
• EPROM
• EEPROM

MEMORIAS DE LECTURA Y ESCRITURA

Son memorias que se pueden leer y escribir pero cuando cesa la corriente eléctrica la
información contenida en ellas desparece, podemos decir que estas memorias se resetean, se
ponen a cero, cuando cesa la corriente eléctrica. Hablaremos de este tipo de memorias con
detenimiento en los siguientes apartados, son las conocidas memorias RAM (memoria
principal), y podemos distinguir principalmente entre:

• SRAM
• DRAM

3.2.1. MEMORIAS DE SOLO LECTURA

En este apartado vamos a repasar brevemente las características principales de las

memorias de solo lectura, recordando que son memorias que se escriben una vez
(excepciones en memorias modernas que pueden ser reescritas aunque no con la facilidad
que se escribe en una memorias de lectura/escritura), NO son volátiles (la información no
desaparece al desconectar la alimentación eléctrica) y se suelen caracterizar por el modo en
el que son escritas.

3.2.1.1. ROM (Read-Only Memory)

Son las memorias de sólo lectura más antiguas. Son programadas en el proceso de
fabricación. La programación en la fabricación indica que los datos se encuentran codificados
en el propio circuito que forma la memoria.

Las memorias ROM son baratas y se usan sobre todo para el firmware del dispositivo
(también se usan memorias posteriores, EPROM, etc.) Podemos decir que el firmware es un
bloque de instrucciones, programa de propósito específico, que se almacena en memorias de
sólo lectura y que establece el funcionamiento de los circuitos eléctricos que forman el
dispositivo. Controla el hardware estableciendo características concretas. Usan transistores
MOS y MOSFET.

3.2.1.2. PROM (Programmable Read-Only Memory)

Memorias de solo lectura programables por el usuario una sola vez. Utilizan tecnología
MOS y al igual que las memorias ROM son baratas.

Pero, ¿qué quiere decir que son programables por el usuario? Bien, este tipo de
memorias, antes de ser programadas, están formadas por una malla de fusibles, que se
"quemarán" según se crea oportuno para establecer un bit de valor cero o uno.

El programador utilizará un dispositivo especializado que incluye un software que

permitirá al usuario diseñar el circuito concreto. Posteriormente, este aparato, utilizando la
 La memoria principal 11

plantilla creada quemará los fusibles. Es de solo escritura una vez se quema los fusibles,
estos no pueden ser sustituidos.

Este tipo de memoria es bastante frágil, se debe tener especial precaución con la
existencia de electricidad estática, ya que puede provocar que fusibles se "quemen"
involuntariamente.

3.2.1.3. EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)

Son memorias de solo lectura que pueden borrarse y volver a escribirse. Se requieren
dispositivos específicos para ello.

Las memorias EPORM son escritas eléctricamente. Están constituidas por celdas de
FAMOS o "transistores de puertas flotantes", que vienen de fábrica sin carga, característica
que equivale a 1 lógico en cada una de estas celdas. Para cambiar este valor se aplica
voltaje, corriente eléctrica.

Cuando se quieren volver a programar son borradas y posteriormente escritas. El borrado

se realiza utilizando luz ultravioleta. Las memorias EPROM tienen una pequeña ventanita de
cuarzo por la que se pasará la luz ultravioleta. Los fotones de la luz ultravioleta excitarán los
electrones de las celdas de modo que conseguirán que estas se descarguen, las resetearán.

Figura 3.6. Ventana de cuarzo de una memoria EPROM

3.2.1.4. EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)

Memorias de solo lectura que pueden ser escritas y borradas eléctricamente. En el

apartado anterior estudiábamos las memorias EPROM, que igualmente podían ser borradas y
escritas, pero usaban métodos distintos para ambos fines (escritas eléctricamente, borradas a
través de luz ultravioleta), en el caso de las memorias EEPROM podemos realizar ambas
operaciones eléctricamente y se puede realizar borrado parcial de información.

Sus celdas tienen estructura SAMOS que proviene de la estructura FAMOS de las
memorias EPROM añadiéndole una segunda puerta.

3.2.2. MEMORIAS DE LECTURA Y ESCRITURA

Memorias volátiles, que pierden su información una vez desaparece el suministro eléctrico
pero que pueden ser leídas y escritas tantas veces como sea necesario. Son conocidas como
memoria RAM.
 La memoria principal 12

Además de ser memorias de lectura/escritura y volátiles, podemos resaltar otra de sus

características más importantes y es que son memorias de acceso aleatorio, es decir,
cualquier celda puede ser leída o escrita en cualquier orden, sin tener en cuenta cuál fue la
celda leída o escrita en el proceso anterior.

Según la tecnología usada podemos hablar de:

• Memoria SRAM
• Memoria DRAM

3.2.2.1. SRAM (Static Random Access Memory)

Memoria RAM estática. Se denomina así en función a la tecnología que usan, ya que están
construidas a base de biestables. Ya estudiábamos en otros apartados que el uso de
biestables configuraban memorias más rápidas (ya que no necesitan nada especial para
mantener la información), que ocupaban mayor espacio y bastante caras, por eso eran
usadas sobre todo como memoria cache, en pocas cantidades.

Dentro de la categoría de memorias RAM estática, podemos encontrar:

• Sync SRAM (Synchronous Static Random Access Memory)

• PB SRAM (Pipeline Burst Static Random Access)

3.2.2.2. DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Denominadas memorias RAM dinámicas por la necesidad que presentan de ser

refrescadas continuamente, dada la tecnología usada en su fabricación.

Tiene ciertas ventajas sobre las memorias SRAM, tanto en relación al coste, son más
baratas, y en relación al tamaño que ocupan, recordamos las memorias SRAM constituidas
por biestables, que a su vez precisan de varios transistores, mientras las memorias
estudiadas en este apartado solo usan un condensador y un transistor MOS por cada celda.

La desventaja se encuentra en la necesidad de refresco. Al estar formada por

condensadores cargados eléctricamente y teniendo en cuenta que éstos pierden
paulatinamente su carga, es preciso que sean cargados cada cierto tiempo utilizando para ello
un pequeño circuito de refresco que debe estar incorporado en el mismo módulo de memoria.
El refresco consiste en leer el dato y reescribirlo y se realiza cada 1 o 2 milisegundos. Esto
produce un paro en las operaciones propias de la memoria, consiguiendo que sean más lentas
que las memorias SRAM.

Las memorias DRAM son usadas para la memoria principal o lo que denominamos RAM.

FPM (Fast Page Mode)

Son memorias totalmente desfasadas. En las memorias FPM la señal RAS, o indicadora de
final de fila, se emitía una única vez manteniéndose activa y tan solo era necesaria la señal
CAS para búsqueda concreta del dato.

EDO (Extended Data Out) y su sucesor BEDO

 La memoria principal 13

Este tipo de memoria fue usada en los primeros Pentium y Pentium MMX. Son parecidas a
las FPM, con la ventaja de estar ajustadas de forma que pueden iniciar un nuevo ciclo de
acceso a memoria antes de que haya terminado la salida de los datos del ciclo anterior.

Están obsoletas. Las sucesoras a estas memorias eran las memorias BEDO, que aparecen
en el mercado un poco tarde, casi al tiempo que las memorias SDRAM que son las que han
sido realmente aceptadas.

SDRAM (Synchronous DRAM)

Memorias DRAM síncronas, funcionan en sincronización con el reloj del microprocesador.

Una de las características principales a tener en cuenta es la velocidad de bus. Es usual
denominar estas memorias como PC66, PC100, PC133, etc., siendo el número el que indica la
velocidad de bus.

Son memorias que utilizan sólo unos de los flancos de cada ciclo, el flanco de subida, para
realizar las operaciones de memoria.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

En este tipo de memorias SDRAM se aprovechan ambos flancos para realizar las
operaciones de lectura y escritura, con lo que la velocidad de operación se ve duplicada.
Hablamos aquí de velocidad física y velocidad efectiva, indicando la velocidad física, la
velocidad real según los ciclos de reloj y la velocidad efectiva duplica esta debido al doble
aprovechamiento de cada ciclo.

Para que se entienda el concepto de velocidad física y efectiva diremos que una memoria
DDR400 tiene una velocidad física de 200, es decir, 200 MHz o 200 millones de operaciones
de acceso a memoria en un segundo. Como se aprovecha el doble cada ciclo, la velocidad
efectiva de esta memoria sería de 400 MHz, o 400 millones de operaciones en un segundo.

Este tipo de memoria se denominan con la nomenclatura "DDR"+número (es la velocidad

efectiva), aunque a veces podemos encontrar la nomenclatura habitual de las SDRAM, por
ejemplo, PC200 para las DDR100; o incluso la nomenclatura PC+ (ancho de banda), por
ejemplo, PC3200 para las DDR400.

El bus de datos de las memorias DDR es de 64 bits, es decir 8 bytes.

DDR400 --> 200 MHz x 2, si el ancho de bus es de 64 bits, 8 bytes tenemos 8 x 200 x 2
1600 MB/s x 2 3200 MB/s.

Las memorias DDR precisan de un voltaje inferior a las anteriores para su buen
funcionamiento, además, su formato físico (módulo) incluye mayor número de conectores
(184).

NOMBRE VELOCIDAD FÍSICA ANCHO DE BANDA

DDR200/PC1600 100 MHz 1699 MB/s
DDR266/PC2100 133 MHz 2128 MB/s
DDR333/PC2700 166 MHz 2656 MB/s
DDR400/PC3200 200 MHz 3200 MB/s

RDRAM (Rambus DRAM)

 La memoria principal 14

Más concretamente se denomina DRDRAM (Direct Rambus DRAM). Es una memoria

propietaria, propiedad de la empresa Rambus Inc., de forma que cualquier otra empresa debe
pagar a esta para poder construir este tipo de memorias.

Este tipo de memorias fueron introducidas en el año 1999, con el chipset de intel i820, en
placas para Pentium III. Pretendían ser las memorias "exclusivas" de los que serían los
Pentium IV. Poseían un bus de datos inferior a las DDR, de 16 a 32 bits como mucho, pero
velocidad de bus física más elevadas, 400 MHz físicos, en total 800 MHz efectivos. Este
sistema parece dar mejor resultado, aunque se reduce el número de líneas de datos en
paralelo, así como posibles interferencias entre ellas, el aumento de velocidad de bus hace
que el ancho de banda sea mayor.

Tenían una desventaja, las latencias eran altas.

Sin embargo, aunque prometían bastante, no llegaron a tener demasiado éxito. Uno de
los motivos fundamentales fue el excesivo precio, debido a que los fabricantes debían pagar
royalties a Rambus Inc. para poder construirlas y surgieron ciertos problemas en el proceso
de fabricación que elevaron considerablemente los precios.

Por otro lado, Intel había firmado un acuerdo de exclusividad, de forma que no permitían
a ningún otro fabricante realizar chipset con soporte para RDRAM, cosa que enfadó bastante
al resto de empresas.

Fue entonces cuando surge la DDR-SDRAM, estándar apoyado por todos los fabricantes a
excepción de Intel (en primer momento), esto cambia cuando se da cuenta de que este tipo
de RAM, muy asequible, tenía mucho mayor éxito que la Rambus.

DDR2 SDRAM, DDR-II o DDR-2

Evolución de las DDR. Mejoran sus características principales:

• Mayores velocidades de reloj, hasta 533 MHz físicos, con velocidad efectiva de
1066 MHz.
• Menor voltaje, 1.8 v, en su antecesora era de 2.5 voltios.
• El encapsulado del chip esta mejorado.
• Las latencias son más elevadas.

NOMBRE VELOCIDAD FÍSICA ANCHO DE BANDA

DDR2-400/ PC2-3200 200 MHz 3200 MB/s
DDR2-533/ PC2-4300 266 MHz 4256 MB/s
DDR2-667/ PC2-5300 333 MHz 5328 MB/s
DDR2-800/ PC2-6400 400 MHz 6400 MB/s
DDR2-1066/ PC2-8500 533 MHz 8528 MB/s

DDR3 SDRAM, DDR-III, DDR-3

Nueva mejora. Las novedades que aporta son las siguientes:

• Las velocidades físicas superan los 400 MHz, de 400 a 1066 MHz.
• Se sigue reduciendo el voltaje, de 1.8 y a 1.5 v en las DDR3.
• Los módulos son de mayor capacidad. Normalmente se recomienda un módulo de
mayor capacidad a varios módulos de capacidad inferior. Cuanto menor sea el
 La memoria principal 15

número de bancos de memorias ocupados mayor garantía de mejor rendimiento

del sistema.
• Las latencias siguen creciendo.

Algunos módulos contienen sensor de temperatura. Para módulos de servidores este

sensor es obligatorio.

NOMBRE VELOCIDAD FÍSICA ANCHO DE BANDA

DDR3-800/ PC3-6400 400 MHz 6400 MB/s
DDR3-1066/ PC3-8500 533 MHz 8528 MB/s
DDR3-1333/ PC3-10600 667 MHz 10672 MB/s
DDR3-1600/ PC3-12800 800 MHz 12800 MB/s
DDR3-2000/ PC3-16000 1000 MHz 16000 MB/s
DDR3-2133/ PC3-17000 1066 MHz 17056 MB/s
DDR3-2400/PC3-19200 1200 MHz 19200 MB/s

MEMORIAS DDR4 SDRAM

Evolución de las DDR3. Hhoy en día son las “standard”, esperándose para el 2020 la
aparición de las DDR5. Se espera comercializar módulos de hasta 128 GB, con anchos de
banda superiores.

NOMBRE VELOCIDAD ANCHO DE BANDA

DDR4-1600J, DDR4-1600K y DDR4-1600L 800 MHz 12800 MB/s
DDR4-1866L, DDR4-1866M y DDR4-1866N 933.33 MHz 14933.33 MB/s
DDR4-2133N, DDR4-2133P y DDR4-2133R 1066.67 MHz 17066.66 MB/s
DDR4-2400P, DDR4-2400R y DDR4-2400U 1200 MHz 19200 MB/s
Algunos datos sobre estas memorias, sacadas directamente de la página de Kingston
(https://www.kingston.com/es/memory/ddr4), donde se pueden consultar muchos más:

Las memorias DDR4 son un poco más

gruesas que las DDR3, para poder añadir
más capas de señal.

Tienen, asimismo, muescas incompatibles,

para evitar errores.

Disponen de un borde curvo en los

terminales, para facilitar la inserción.
 La memoria principal 16

NOTA: Aunque es frecuente ver referencias y equipos con memoria DDR5,

realmente no existe como tal. Se refiere a un tipo de memorias que usan
fabricantes de tarjetas gráficas (Nvidia…), y que son Gddr5. Es una memoria
de vídeo específica.
Las especificaciones de todas las memorias, pueden consultarse en la JEDEC
(Join Electron Device Engineering Council) en su página web.

XDR DRAM y XDR2

Tipo de memoria comercializada en la actualidad. Posee un ancho de bus estrecho, de 16

o 32 bits, consiguiéndose velocidades de hasta 7,2 GHz. El ancho de banda es de 28,8 GB/s
por módulo. Proceden de la empresa Rambus Inc.

Eran (o son) las usadas actualmente en las consolas PlayStation 3, y parece ser que
también en la PS4 y están “por encima” de las memorias usadas en pcs.

OTROS TIPOS DE MEMORIAS

• MRAM o RAM magnetorresistiva. Son memorias actualmente en estudio,

aunque realmente fueron desarrolladas en los 90. Son memorias no volátiles que
utilizan magnetismo en lugar de electricidad para almacenar bits.
• PRAM o RAM de cambio de fase. Son memorias no volátiles que usan un vidrio
calcógeno, configurable en dos posibles estados, cristalino y amorfo por medio del
uso de calor (estos dos estados establecerán el 0 y 1 lógicos).
• Z-RAM o RAM. Memorias sin condensadores, muy rápidas y densas pero que
precisaría de una remodelación de las fábricas actuales de memorias actuales, algo
poco probable.

3.3. MÓDULOS DE MEMORIA

Podemos decir que un módulo de memoria es un circuito impreso rectangular al que se

sueldan los diferentes chips de memoria.

Estos módulos se conectan a la placa base a través de una ranura llamada "banco de
memoria" o "ranura de memoria". A su vez, las líneas de circuito de cada módulo finalizan en
algún pin (conector del módulo), que servirá a este para el intercambio de información con la
placa a través de la ranura anteriormente mencionada.

Sabías que...
En placas antiguas, como las de los 80286, los chips de memoria estaban
soldados en la propia placa.

Básicamente encontramos tres tipos de módulos:

• Módulos SIMM (Single In-line Memory Module)

• Módulos DIMM (Double In-line Memory Module)
• Módulos RIMM (Rambus In-line Memory Module)

Los módulos de memoria poseen una muesca significativa que hacen que solo se puedan
colocar de un modo concreto en el banco de memoria correspondiente.
 La memoria principal 17

La siguiente tabla muestra los tipos de módulos junto al tipo de memoria que contienen y
el número de pines.

TIPO DE MÓDULO N° DE PINES ANCHO DEL BUS (Bits) TIPO DE MEMORIA

SIMM 30 8 DRAM o FPM
SIMM 72 32 FPM o EDO
DIMM 168 64 SDRAM
DIMM 184 64 DDR
DIMM 240 64 DDR2 o DDR3
RIMM 184 16 RDRAM
RIMM 232 32 RDRAM

IMPORTANTE: Cuando instalamos nuevos módulos de memoria en nuestro PC, debemos

tener especial cuidado. Es importante que los módulos que se coloquen tengan las
mismas características (si es posible del mismo fabricante) y aprovecharlos al máximo.

En caso de instalar módulos de características diferentes, no debemos extrañarnos de

que la memoria corra a la velocidad de la más lenta o que en alguna ocasión no sea
detectado alguno de los módulos. La regla es que el sistema se adaptará a las
características de la memoria más lenta. Por ejemplo, si instalamos un módulo DDR400 y
otro DDR333 ambas trabajarán a 333 MHz.

Figura 3.7. Módulos Kingston DIMM DDR3. Con y sin disipador.

3.3.1. MÓDULOS PARA PORTÁTILES

La memoria usada en un portátil es igual a la usada en un PC de escritorio, sin embargo,

por su reducido espacio, los módulos de memoria usados en estos dispositivos deben ser
igualmente de menor tamaño. Distinguimos los siguientes tipos de módulos:

• SO-DIMM
• SO-RIMM
• Micro-DIMM o MDIMM

NOTA: Los primeros portátiles, de dimensiones considerables, podían usar

módulos de memoria DIMM como cualquier ordenador de sobremesa.

Los módulos SO-DIMM son los más usuales. SO-RIMM son módulos de memoria RDRAM,
no usados en demasía, al igual que los módulos Micro-DIMM o MDIMM. Tienen 100, 144 o
200 pines (diferencias en las hendiduras guía).
 La memoria principal 18

100 pines 140 pines 200 pines

Figura 3.8. Módulos de memoria SO-DIMM.

3.3.2. MÓDULOS DE MEMORIA REGISTERED O BUFFERED

Para evitar pérdidas de estabilidad, existen módulos de memoria denominados Registered

o Buffered que incluyen chips adicionales, registros o buffers. La inclusión de estos elementos
y su utilización provocan una pérdida de un ciclo de reloj por cada operación a realizar en la
memoria, sin embargo, consiguen estabilidad.

Suelen usarse en ordenadores donde la pérdida de rendimiento o estabilidad pueden

provocar imprevistos grabes, como es el caso de equipos servidores. Son módulos más caros
que los de PC de escritorio, vistos anteriormente, y no pueden ser usados en todos los
equipos o placas base.

NOTA: Se recomienda tener el menor número de módulos de memoria

posibles y no tender a ocupar todos los bancos de memoria.

ACTIVIDAD 3.3
Otros tipos de módulos similares son: módulos FB-DIMM, módulos con paridad
y módulos con ECC. Busca información en la Web.

3.4. ENCAPSULADO DE LOS CHIPS DE MEMORIAS INCLUIDOS EN LOS MÓDULOS

Los módulos de memoria son el soporte de la memoria en sí, que se encuentra

encapsulada en unos chips que han ido evolucionando a lo largo del tiempo. Desde la época
en la que nos encontrábamos placas repletas de "cucarachas de memoria" soldadas en el
mismo soporte hasta ahora, el encapsulado de la memoria ha cambiado satisfactoriamente.
Los más usuales son los siguientes:
 La memoria principal 19

• DIP (Dual In line Package): Las denominadas

cucarachas. Vemos un chip rectangular provisto de unas
pequeñas patas (contactos) que se soldaban directamente
a la placa base. Hoy día se encuentran totalmente en
desuso.
• SOJ (Small Outline J-lead): Denominados así por la
forma de J de los contactos. Esta forma permite que sean
montados directamente en el módulo. Están igualmente en
desuso.
• TSOP (Thin Small Outline Package): Este tipo de chip
dispone de unas patillas que se curvan en sus extremos
hacia fuera, al contrario que los SOJ, permitiendo chips
más finos. Muy usados, de hecho en la actualidad se
siguen usando.
• TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package): Es una
versión de TSOP pero más reducida. Es muy usado cuando
es necesario incluir mucha memoria en poco espacio. Son
muy pequeños, de 3 a 6 mm.
• BGA, FBGA, Tiny/Micro BGA o CSP: Este es el más
usado actualmente en módulo de memoria DDR3 y DDR2.
Cada chip se encuentra "colocado" en la superficie del
módulo sin la necesidad de incluir patas como en los casos
anteriores. Los chips se adosan a la superficie del módulo
mediante una rejilla rectangular de contactos esféricos
llamada Ball Grid Array (como en los procesadores con
socket LGA). Este nuevo formato permite conseguir chips
más pequeños y que se calienten menos.

3.5. DUAL CHANNEL, TRIPLE CHANNEL y QUAD CHANNEL.

Aunque estos son conceptos que se incluyen entre las características de las placas base,
vamos a explicar el concepto ya que se hayan relacionados con la memoria principal del PC.

Hoy día es normal observar en las características de una placa que "soporta dual, triple o
quad channel" y las indicaciones para conseguirlos.

Esto no es más que la utilización de dos (dual channel), tres (triple channel) o cuatro
(quad cannel) módulos de memoria del mismo fabricante y mismas características
(importante las latencias exactamente iguales) consiguiendo así aumentar el ancho de banda,
duplicando, triplicando, o cuadruplicando éste, ya que se hacen accesos simultáneos a los
dos, tres, o cuatro módulos.

3.6. APLICACIÓN DE LOS CONCEPTOS TEÓRICOS

Como en el capítulo dedicado a la CPU y microprocesadores, en este debemos dar uso a

todos los conceptos teóricos vistos. Es decir, tras leer este capítulo debemos poder afrontar
con seguridad la elección de un módulo de memoria RAM entre varios modelos, consiguiendo
que este se ajuste a nuestras necesidades, sean cuales sean.

Existen muchos fabricantes de memoria RAM: OCZ, Corsair, Kingston, etc. Vamos a
escoger dos módulos de memoria de dos fabricantes para realizar una breve comparativa.
 La memoria principal 20

Modelo Kingston 16GB Module DDR4 2133MHz y modelo CORSAIR 8GB DDR3 1600MHz
CL11. En primer lugar, en cada modelo vienen dadas la mayoría de las propiedades de la
memoria, si no fuera así accederíamos a los sitios web de ambos fabricantes, como haremos
posteriormente para completar las características que faltan.

Kingston BRIX GB-BKi7HT-7500

Fabricante Capacidad Tipo de Velocidad Ciclos latencia Tipo de módulo
memoria efectiva/física CAS (CL) y V.
Kingston 16GB, 1 DDR4 2133 MHz ¿? DIMM
módulo

Corsair 8GB DDR3 – 1600

Fabricante Capacidad Tipo de Velocidad Ciclos latencia Tipo de módulo
memoria efectiva/física CAS (CL) y V.
Corsair ¿? DDR3 1600 11 DIMM

Accedemos a la web de Kingston (www.kingston.com) para completar la primera tabla, y

a Corsair (www.corsair.com) para completar la segunda tabla. Además, aún debemos saber
el ancho de banda y los valores de latencias.

En el sitio web de Kingston, para acceder al modelo debemos:

1. Hacer clic sobre el menú memoria situado en la parte superior y acto seguido sobre
Memoria para ordenadores de sobremesa y portátiles. Clic sobre el cuadro de búsqueda
Encuentre la memoria adecuada.

2. La búsqueda pregunta en primer lugar por el modelo de placa sobre el que se colocara
el componente, seleccionaremos Gigabyte, en línea de producto BRIX y modelo
GB-BKi7HT-7500. El procedimiento de búsqueda es ideal ya que solo se mostrarán a
continuación aquellos módulos compatibles con la placa base que tenemos.

3. Tras seleccionar el modelo de placa madre debemos escoger un modelo de RAM, en

nuestro ejemplo hemos seleccionado 16GB Module - DDR4 2133MHz. Justo debajo de él se
mostrarán las características más relevantes del mismo. Para profundizar en las
especificaciones haremos clic sobre PDF de la hoja de especificaciones.

En el sitio web de Corsair, para acceder al modelo debemos:

1. En el menú de la parte superior escogeremos la opción Productos. A continuación, clic

en DRAM de alto rendimiento.
2. Aparece una lista de imágenes con diferentes módulos, escoger aquel que, al pasar por
encima de él, muestra la etiqueta XMS. Clic en más información sobre XMS DDR3.
3. Localizamos el modelo 8GB (1x8GB) DDR3 a 1600 MHz C11 (CMX8GX3M1A1600Cl1).

Ya podemos ver los módulos desde sus respectivas páginas web con lo que vamos a
averiguar la característica que falta en la primera tabla para el modelo Kingston, además de
otras tantas de importancia para ambos modelos.

Kingston:

• Ancho de banda: 17066,67 MB/s

• Latencias: 15-15-15-15
• Ciclos de latencia CAS: 15
 La memoria principal 21

Corsair:

• Ancho de banda: 12800 MB/s

• Latencias: 11-11-11-30.

Con la información en la mano, comenzamos a realizar nuestra comparativa teniendo en

cuenta las características en este orden:

1. Velocidad física/Latencias.

2. Capacidad.

3. Ancho de banda.

4. Tecnología usada (La velocidad o el ancho de banda ya indican la misma).

El considerar el módulo de memoria es irrelevante, ya que hoy día el módulo usado es

DIMM, si queremos podemos incluir el precio o el fabricante como datos también importantes
a tener en cuenta.

1. Kingston (1066 MHz/15-15-15-15) -vs- Corsair (800 MHz/11-11-11-30).

La velocidad de la primera es notablemente mayor y la latencia CAS es un poco menor
en la segunda, pero Kingston gana. Minipunto para Kingston.

2. Kingston (16 GB en 1 único módulo) -vs- Corsair (8 GB en 1 módulo).

La capacidad es mayor en la primera. Si ambas hubieran sido de 16 GB en único
módulo hubieran sido equivalentes. Si una de ellas hubiera estado dispuesta en dos
módulos hubiéramos elegido la contraria, pero en este caso la elección es clara, mayor
capacidad, mayor capacidad de almacenamiento de programas y datos en ejecución,
con que el modelo Kingston es el adecuado (juega igualmente con ventaja ya que es
DDR4). Minipunto para Kingston.

3. Kingston (17066,67 MB/s) -vs- Corsair (12800MB/s).

También en ancho de banda Kingston gana. Minipunto para Kingston.

4. Kingston (DDR4) -vs- Corsair (DDR3).

De nuevo Kingston gana en tecnología. Minipunto y partido para Kington.

De los dos modelos, el fabricado por Kingston presenta mejores prestaciones y sería el
mejor de ambos. Es evidente en este ejemplo, un poco “desproporcionado”.

COMPRUEBA TU APRENDIZAJE

1. ¿Qué jerarquía de memoria sigue un PC? Explica brevemente en cada nivel el tipo de
memoria que lo forma.

2. ¿Qué diferencia una memoria SRAM de una DRAM?

3. ¿Qué es el ancho de banda? ¿Y la latencia?

4. ¿Qué tipos de memorias internas existen? ¿Qué características definen una memoria
EPROM?
 La memoria principal 22

5. ¿Qué información se proporciona cuando se dice que he adquirido una memoria

DDR400?

6. Tengo una memoria DDR200 con latencias 2-2-2-5 y otra memoria DDR200 con
latencias 3-2-2-5, ¿Cuál me proporciona mejores prestaciones? Justifica tu respuesta. ¿Y si
en lugar de DDR200 3-2-2-5 la segunda hubiera sido DDR 266 3-2-2-5?

7. ¿Qué mejoras presenta la memoria DDR3?

8. ¿Qué es un módulo de memoria? ¿Qué tipo es el más usado actualmente? ¿Qué tipo de
memoria incluye?

9. ¿Qué características tiene el encapsulado de chip tipo FBGA?

10. ¿Qué entiendes por dual y triple channel?

ACTIVIDADES DE AMPLIACIÓN

1. Realiza un esquema del capítulo.

2. Rellena la siguiente tabla con los modelos de memoria RAM que quieras:

Modelo
Velocidad física
Velocidad efectiva
Latencias
Capacidad
Ancho de banda
Tipo de memoria
Voltaje
Fabricante
Tipo de encapsulado de cada chip de memoria
Tipo de módulo/n° contactos
Precio

3. ¿Qué puedo deducir de esta información: 16G (8GB 2Rx8 1G x 64-Bit x 2 pcs.) DDR3-
1600 CL10 240-Pin DIMM Kit?

4. Compara memorias de diferentes fabricantes y mismo nivel, ejemplo DDR3, DDR4, etc.
¿Qué fabricante es mejor? Justifica tu respuesta. Desarrolla un documento donde muestres
los modelos analizados y tu respuesta.

5. ¿Qué me dices si te digo: MEMORIA KIT 12 GB (3X4 GB) DDR3 1600 CL9 CORSAIR
VENGEANCE? Y si te pregunto por las características de: Kingston 2GB, 800MHz, DDR2, NON-
ECC, DIMM, 2048 MB.