UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
UNIVERSIDAD DEL PERÚ, DECANA DE AMÉRICA
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXÁMEN PARCIAL - TEORÍA
Alumno:
Ticse Ballasco Jahir Grassiel 20190295
Fecha: 07/12/2021
LIMA – PERÚ
“Año del Bicentenario del Perú: 200 años de Independencia
¿Cuál es la diferencia entre un semiconductor puro y uno tipo N?
Los semiconductores puro no conducen bien la corriente y su valor es limitado. Esto se debe al
número limitado de electrones libres presentes en la banda de conducción y huecos presentes
en la banda de valencia. A diferencia de estos un semiconductor de tipo N posee impurezas
(dopado) .Para incrementar el número de electrones de banda de conducción en silicio
intrínseco se agregan átomos de impureza pentavalente. Cada átomo pentavalente
(antimonio, en este caso) forma enlaces covalentes con cuatro átomos de silicio adyacentes.
Se utilizan cuatro de los electrones de valencia del átomo de antimonio para formar enlaces
covalentes con átomos de silicio y queda un electrón extra. Este electrón extra llega a ser un
electrón de conducción porque no interviene en el enlace. Como el átomo pentavalente cede
un electrón, se conoce como átomo donador. El número de electrones de conducción puede
ser controlado con cuidado mediante el número de átomos de impureza agregados al silicio.
Un electrón de conducción creado mediante este proceso de dopado no deja un hueco en la
banda de valencia porque excede el número requerido para llenarla.
¿Cuál es la diferencia entre un semiconductor puro y uno tipo P?
Los semiconductores puro no conducen bien la corriente y su valor es limitado. Esto se debe al
número limitado de electrones libres presentes en la banda de conducción y huecos presentes
en la banda de valencia. A diferencia de estos un semiconductor de tipo P posee impurezas
(dopado). Para incrementar el número de huecos en silicio intrínseco, se agregan átomos de
impureza trivalentes. Cada átomo trivalente (boro, en este caso) forma enlaces covalentes con
cuatro átomos de silicio adyacentes. Se utilizan los tres electrones de valencia del átomo de
boro en los enlaces covalentes y, como son necesarios cuatro electrones, resulta un hueco
cuando se agrega cada átomo trivalente. Como el átomo trivalente puede tomar un electrón, a
menudo se hace referencia a él como átomo aceptor. El número de huecos se controla
cuidadosamente con el número de átomos de impureza trivalente agregados al silicio. Un
hueco creado mediante este proceso de dopado no está acompañado por un electrón de
conducción (libre).
Dibujar esquemáticamente la zona de transición de un diodo formado por el material tipo P y
tipo N
Polarización en directa
La fuente de voltaje de polarización proporciona suficiente energía a los electrones libres para
que venzan el potencial de barrera de la región de empobrecimiento y continúen moviéndose
hacia la región p. Una vez que llegan a la región p, estos electrones de conducción han perdido
suficiente energía para combinarse de inmediato con los huecos presentes en la banda de
valencia. Entonces, los electrones quedan en la banda de valencia de la región p simplemente
porque perdieron demasiada energía al vencer el potencial de barrera y permanecer en la
banda de conducción.
Polarización en inversa
La polarización en inversa es la condición que en esencia evita la circulación de corriente a
través del diodo. En la región p, los electrones procedentes del lado negativo de la fuente de
voltaje entran como electrones de valencia y se desplazan de hueco en hueco hacia la región
de empobrecimiento, donde crean iones negativos adicionales. Esto ensancha la región de
empobrecimiento y agota los portadores mayoritarios. El flujo de electrones de valencia puede
ser considerado como huecos que están siendo “jalados” hacia el lado positivo.
Conforme la región de empobrecimiento se ensancha, la disponibilidad de portadores
mayoritarios se reduce. A medida que más regiones n y p se quedan sin portadores
mayoritarios, la intensidad del campo eléctrico entre los iones positivos y negativos se
incrementa hasta que el potencial a través de la región de empobrecimiento es igual al voltaje
de polarización. En ese momento, la corriente de transición en esencia cesa, excepto por una
muy pequeña corriente en inversa que casi siempre se puede despreciar
Como se polariza la juntura base emisor y base colector y explicar los tipos de portadores que
tienen cada uno de los tres bloques, que lo componente al transistor BJT
Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. En esta sección se utiliza
principalmente el transistor npn como ilustración. La operación del pnp es la misma que para
el npn excepto en que los roles de los electrones y huecos, las polaridades del voltaje de
polarización y las direcciones de la corriente se invierten.
