PROYECTO FINAL DE FÍSICA DE SEMICONDUCTORES,AGOSTO 2021 1

Prógrama computacional para la caracterización de

una unión PN
Santiago Cadena Alvarez, [email protected]

I. I NTRODUCCI ÓN II-B. Concentración de intrı́nsecos

Las densidades de energı́a en las bandas de conducción y de
E STE proyecto final consiste de la realización de un pro-
grama computacional hecho en python, cuyo objetivo es
el ofrecer datos y gráficas de simulación basados en conceptos
valencia Nc y Nv están definidas por las siguientes ecuaciones:
2πm∗n Kb T 3/2 2πm∗p Kb T 3/2
Nc = 2( ) , Nv = 2( ) (2)
fı́sicos para la caracterización de una unión PN recibiendo h2 h2
como datos de entrada la temperatura de funcionamiento, el m∗n : masa efectiva de los electrones en la banda de conducción.
material del cual está constituido, el nivel de dopaje y el voltaje m∗p : masa efectiva de los electrones en la banda de valencia.
al cual está sometida la unión. Con esto, se podrán remarcar con esto en cuenta, por la ley de masas se puede encontrar la
algunas afirmaciones e hipótesis para el uso de los diodos en concetración de portadores intrı́nsecos de la unión PN:
el ámbito de la electrónica. √
ni = n · p
V
− gap
p
II. M ARCO T E ÓRICO ni = Nc Nv e 2Kb T (3)
La unión PN consiste del contacto entre dos materiales,un
material con impurezas de átomos aceptores tipo P que crea II-C. Voltaje BIAS (Built-in Potential)
niveles de energı́a extra cerca a la banda de valencia (material Cuando la unión no está sometida a ninguna diferencia de
neutro aceptador ionizado), y un material impurezas de átomos potencial entre sus extremos existen densidades de corriente
donores tipo N (material neutro donador ionizado) que crea debidas a la difusión y causadas por el campo eléctrico tanto
niveles de energı́a cerca a la banda de conducción para los en huecos como el electrones.
electrones.
−∂v
Jpcampo = eµp p ·
∂x
−∂v
Jncampo = −eµn n ·
∂x
∂p
Jpdif = −eDp
∂x
∂n
Jndif = eDn
∂x
Se puede encontrar el voltaje Bias sabiendo que la suma de
ambos tipos de corrientes debe será 0.
Jndif = −Jncampo

Figura 1: Diodo Dn NA ND
V0 = ln( )
µn ni2
Haciendo exactamente lo mismo para las corrientes debida a
los huecos se obtiene:
II-A. Cálculo de la energı́a de Gap según la temperatura y Dp NA ND
material usado V0 = ln( )
µp ni2
Existe una correlación entre el energy gap y la temperatura Por la relación de Einsten se tiene que:
modelada en la siguiente ecuación:
Dn Dp kT
= = = Vt
αT 2 µn µp q
Eg (T ) = Eg (0) − (1)
T +β Asumiendo que el material P y N están fuertemente dopados:
Cada material posee un α(eV /K) y β(K) NA  ni , ND  ni
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Se tiene pues, por la ley de acción de masas que:

NA ≈ Pp , ND ≈ nN
ni2 ni2
nP 0 ≈ , pN 0 ≈ (4)
NA ND
Donde pP y nN son las concentraciones de portadores mayo-
ritarios en las regiones P y N respectivamente, mientras que
nP 0 y pN 0 son las concetraciones de portadores minoritarios
en las regiones P y N respectivamente.
Por lo tanto, el voltaje Bias será:
NA ND
Vbi = VT ln( ) = VT ln( ) (5)
pN nP Figura 3: Campo eléctrico en la zona de agotamiento

II-D. Densidad de carga, campo eléctrico y diferencia de

potencial de la unión Para encontrar el potencial de la unión, arbitráriamente se
establece que que V (x = −xp ) = 0 y se tiene en cuentra
Se asume que en la zona de agotamiento las densidades de
que la el potencial es continuo. Con esto se obtiene:
carga cambian abruptamente. En la región de agotamiento P,
la densidad de carga es únicamente debida a las impurezas eNA
V (−xp ≤ x ≤ 0) = (x + xp )2 (9)
aceptoras y en la región de agotamiento N la densidad es 2
debida únicamente a las impurezas donoras. eND x2 eNA 2
V (0 ≤ x ≤ xn ) = (xn x − ) + x (10)
 2 2 p
Otra forma de calcular el voltaje aplicado al diodo es mediante
esta ecuación (4): Vu = V (xn )

Figura 2: Densidad de cargas en equilibrio térmico dentro del

diodo

Por la ley de Gauss, considerando un campo eléctrico Figura 4: Diferencia de potencial en la zona de agotamiento
continuo, y sabiendo que la corriente debida al campo sin voltaje aplicado
eléctrico es 0 fuera de la zona de agotamiento, entonces se
tienen las condiciones frontera E(−xp ) = 0 y E(xn ) = 0.
−eNA II-E. Zona de Agotamiento
E(−xp ≤ x ≤ 0) = (x + xp ) (6)
 El ancho de la zona de carga, o la zona de agotamiento está
−eND determinada por el ancho de agotamiento en la zona P xp y
E(0 ≤ x ≤ xn ) = (xn − x) (7)
 el ancho de agotamiento en la zona N xn :
El campo eléctrico máximo está en el centro de la región de W = xn + xp
agotamiento
−eND −eNA Mediante las ecuaciones vistas en la sección anterior, se
Emax = xn = xp (8) pueden dejar estas distancias en términos del voltaje bias y
 
las impurezas como:
A partir de estas ecuaciones, se concluye que las cargas por r
unidad de area serán iguales en ambos lados de la unión: 2Vbi NA 1
xn = ( )( )
e ND NA + ND
NA xp = ND xn r
2Vbi ND 1
xp = ( )( )
e NA NA + ND
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r
2Vbi NA + ND
W = ( )
e ND NA
xn y xp también se pueden escribir como:
NA ND
xn = W , xp = W (11)
NA + ND NA + ND
Si se llega a aplicar un voltaje en los extremos del diodo,
entonces:
s
2(Vbi − Va ) NA + ND
W = ( ) (12)
e ND NA

II-F. Capacitancia de la unión polarizada indirectamente Figura 5: Distribución de portadores minoritarios

La capacitancia se podrá calcular por definición:
dQ Va x+xp
C= δnP = nP 0 (e Vt − 1)e Ln (x ≤ xp ) (17)
dVR
en la zona p:
dxn dxp Si el diodo es corto, es decir Wn  Lp o Wp  Ln , entonces
C = A · eNd = A · eNA
dVR dVR de la ecuación (16) y (17), se reemplaza Lp y Ln por Wn y
Wp respectivamente (”The short Diode”,NEAMEN cap 8).
Se llega a:
s
eNA ND II-I. Densidad y corriente ideal de unión PN
C =A· (13)
2(Vbi + VR )(NA + ND ) La corriente debe ser una constante a través de todo el diodo,
la suma de la corriente en los bordes de zona de agotamiento
II-G. Portadores minoritarios Jp (xn ) y Jn (−xp ) es la corriente total:
Si un voltaje es aplicado a la unión, de la ecuación (4) se eDp pn0 VVa
puede despejar la concentración de portadores minoritarios de Jp(xn ) = (e t − 1)
Lp
huecos en la región N pn0 y de electrones en la región P np0 ,
considerando N D ≈= nN 0 y N A ≈= pP 0 la concentración eDn np0 VVa
Jn(−xp ) = (e t − 1)
de portadores mayoritarios: Ln
−Vbi
Jtotal = Jp(xn ) + Jn(−xp )
nP 0 = nN 0 e Vt

−Vbi
pN 0 = pP 0 e Vt

si se aplica un voltaje Va a las terminales del diodo: v =

Vbi − Va , por lo tanto:
Va
nP = nP 0 e Vt (14)
Va
pN = pN 0 e Vt (15)
Se observa que al haber un V a > 0 aumenta la cantidad
de portadores minoritarios significativamente y al haber un
V a < 0 disminuye más bruscamente la concentración de
minoritarios.

II-H. Distribución de Portadores minoritarios

Figura 6: Densidades de corriente de difusión
Con base en la ecuación ambipolar de transporte para
portadores de exceso minoritarios, considerando el campo eDp pn0 eDn np0
eléctrico E = 0 afuera de la unión, un estado estable, y no Js = ( + ) (18)
Lp Ln
generación de EHPS, entonces:
La densidad de corriente funcional de difusividad debida a los
δpN = pN − pN 0 minortiarios es J.
Va
δnP = nP − nP 0 J = Js (e Vt − 1) (19)
Va xn −x
δpN = pN 0 (e Vt − 1)e Lp
, (x ≥ xn ) (16)
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II-J. Relaciones de las movilidades, difusividades y longitu-

des de difusión de los minoritarios
El modelamiento para las movilidades se puede encontrar
en (referencia1,2,3) para el silicio, germanio y AsGa conside-
rando una temperatura entre los rangos de 77a300K y bajo
dopaje (NA y ND < 1020 cm−3 ). Para el Arsenurio de Galio
AsGa:
300 cm2
µp = 9400( )( ) (22)
T V ·s
300 2/3 cm2
µn = 8000( ) ( ) (23)
T V ·s
Para el Germanio:
Figura 7: Densidad de corriente de difusión vs voltaje aplicado
cm2
µp ≈ 1.05 · 109 · T −2.33 ( ) (24)
V ·s
Donde Lp y Ln son las longitudes de difusividad de los cm2
µn ≈ 4.9 · 107 · T −1.66 ( ) (25)
electrones en la zona p y n respectivamente.τ es el tiempo V ·s
de vida libre del portador minoritario. Para el silicio:
77
µn ≈ 45500 · ( )2.6 (26)
Lp = Dp τp ; Ln = Dn τn (20) T
77
µp ≈ 11600 · ( )2.3 (27)
La densidades de corriente debidas a los mayoritarios son la T
resta de la densidad de corriente total menos la densidad de La difusividad se puede encontrar por la relación de Einstein,
corriente debida a minoritarios. conociendo el modelamiento de la movilidad para cada mate-
rial:
JnN = Jtotal − JpN Dn = Vt · µn , Dp = Vt · µp (28)
Para el programa se tomaron los tiempos de difusión de
JpP = Jtotal − JnP minoritarios como los máximos de acuerdo a lo visto experi-
mentalmente (referencia).Estos se consignaron en la tabla de
En el programa se consideró la corriente de difusión y de la siguiente sección.
recombinación. La densidad de corriente de recombinación se
define como:
II-K. Constantes usadas en el programa
Va qW ni 2V
Va
constante de boltzman:kb = 8.62(10−5 )ev/K
Jrec = Jr0 (e 2Vt − 1) = (e t − 1)
2τ0 constante de planck:h = 4.135 ∗ (10−15 )ev · s
masa del electrón:m = 9.11 ∗ (10−31 )kg
Donde τ0 es el promedio de los tiempos de vida libre de los permitividad del vacı́o:e0 = 8.85 ∗ (10−14 )F/cm
minoritarios(Forward-Bias Recombination Current, NEAMEN carga del electrón:q = 1.6 ∗ (10−19 )C
cap 8) :
τp + τn Parámetro Silicio Germanio AsGa Unidades
τ0 = Eg (0) 1.166 0.7437 1.519 eV
2 α 4.73E-4 4.77E-4 5.41E-4 eV /K
β 636 235 204 K K
Con esto, la corriente en el diodo será la suma de ambas er 12 15.7 13.1
densidades de corriente por el area transversal del diodo: τp 10−6 10−4 3 · 10−6 s
τn 10−6 10−4 5 · 10−9 s
i = A · (Jdif f + Jrec )
Cuadro I: Parámetros para distintos materiales
Va Va
i = A · (Js (e Vt − 1) + Jr0 (e 2Vt − 1)) (21)
III. E XPLICACI ÓN DEL P ROGRAMA
La resistencia dinámica de difusión se define como el valor III-A. Paquetes y constantes usadas
inverso de la pendiente en el punto de operación o punto en
El programa está hecho en python v 3.9.6.
el que el voltaje es igual al voltaje bias.
De la libreria ”math” se extraen las funciones exponenciales,
∂Va  Vt logarı́tmicas, raices cuadradas, y la constante π. Se importa
rd = = Vbi ”numpy”, un paquete que da soporte para crear vectores
∂ID ID=IDQ Is (e Vt − 1) e implementarlos con funciones matematicas. Y por último
se importa la interfaz matplot.pyplot que permite crear y
grafica configurar todo tipo de gráficas al igual que se suele hacer
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con MATLAB.
Se digitan las constantes mencionadas en el inciso II-K del
marco teórico.

Una vez almacenados los valores en las variables ya menciona-

das, se procede a calcular e imprimir las variables: Energı́a de
gap Eg (1), densidades de estado para la banda de conducción
Nc y de valencia Nv (2),la concentración intrı́nseca ni para
cada material (P y N) (3),las movilidades de electrones un y
III-B. Elección del tipo de material, temperatura de funcio- de huecos up (ecuaciones 22 a 27), difusividades de electrones
namiento y dopaje Dn y de huecos Dp (28) y longitudes de difusión de los
Para la elección del tipo de material, temperatura de funcio- minoritarios Lp y Ln(20).
namiento del diodo y dopaje, se llama a la función ”material”
que no recibe ningún parámetro.

Una vez dentro de la función, se le pide al usuario escoger el

tipo de material y la temperatura de funcionamiento en Kelvin.

Después se le pide al usuario el dopaje de impurezas aceptoras

NA y donoras ND en el material P y N respectivamente, con
estas se calcula la concentración de portadores minoritarios en
la región P y N como pN0 y nP0 respectivamente (4), con esto
se calcula el voltaje bias vbi (5).

A continuación se calcula el voltaje térmico y se almacena

en la variable ”vt”, después según el material de escogencia,
se inicializan las constantes usadas para cada material: alfa α,
Eg0 Eg (0) y betha β para el cálculo de la energı́a de gap. mrn,
mrp las relaciones de masa efectiva en reposo de los electrones
y huecos, la permitividad relativa er, los tiempos de vida libre
media de minoritarios tp y tn. Las potencias cun y cup para
electrones y huecos de las funciones de movilidad para cada
material, y los coeficientes de estas mismas funciones como
coefun y coefup para electrones y huecos.
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Posteriormente, se le pide al usuario las caracterı́sticas

geométricas: el ancho de la zona N, el ancho de la zona P
y el área del diodo. Cabe mencionar que se puso la condición
que si Wn  Lp o Wp  Ln (en el programa se estableció
10 veces menor), entonces Ln = Wn , Lp = Wp para que se
apliquen las ecuaciones de diodo corto (II-H Distribución de
Portadores minoritarios).

III-D. Menú de Opciones

A continuación se hace uso de un menú interactivo para el
usuario con el fin de darle a conocer que opción digitar. Para
cada opción se llama a la función respectiva con los parámetros
necesarios. Si el usuario desea salir del programa debe digitar
un 9, de esta manera la condición del bucle no se cumple y
por tanto se sale llegando al fin del programa.

Al final se retornan las variables necesarias para la continua-

ción y funcionamiento correcto del programa.

III-C. Elección del voltaje aplicado al diodo

A continuación se llama a la función ”v aplicado” pasandole
los parametros correspondientes. Esta función le pide al usua-
rio el voltaje aplicado. Como prevención de riesgos, se uso
un bucle while para tener la seguridad de que el programa
continue siempre y cuando el voltaje aplicado va sea menor al
voltaje bias vbi, de lo contrario inducirı́a a errores en tiempos
de ejecución de las librerias math (un numero imaginario como
la zona de agotamiento del diodo). Tampoco tendrı́a sentido III-E. Gráfica del campo eléctrico
fı́sico debido a que si se supera esta tensión umbral, ya no
habrı́a comportamiento fı́sico de una unión PN (el diodo se Se define un vector distancia que va desde −3xp a 3xn con
comportarı́a como un conductor). 1000 pasos, con este vector se puede visualizar que afuera
de la zona de agotamiento (x < −xp, x > xn), el campo
eléctrico es 0. El campo eléctrico en la región P (6) está escrito
como E1, mientras que en la región N (7) está descrito como
E2. La suma de estos dos se almacena en E, que se gráfica
posteriormente.

Con va almacenado, se calcula la zona de agotamiento total

W (12), los anchos de agotamiento en la zona P y N (11),
el campo eléctrico máximimo (8), la capacitancia de la unión
(13) y la concentración de portadores minoritarios en la región
P y N: pN y nP que dependen del voltaje aplicado y la
concentración de portadores minoritarios en equilibrio térmico
(14 y 15). Al final se retornan variables que necesarias para
la continuación programa.

.
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III-F. Gráfica de la diferencia de potencial en el diodo

En esta función se define igualmente un vector que va desde
−xp hasta xn con 1000 pasos. Se define la función v1 que
representa la función del voltaje en la región P (10) y la
función v2 que que representa la función del voltaje en la
región N. Se suman estas dos y se almacena en v. Después se
gráfica.

III-H. Gráficas de la concentración de portadores

Para observar las gráficas de la concentración de portadores
en función de la distancia se llama la función concentración()
de la opción 1.
Una vez dentro, se crean 2 vectores: x1,x2. El primero
corresponde al vector distancia en la zona P y el segundo
corresponde al vector distancia en la zona N.
Se escogió un lı́mite de distancias −(5·Ln+xp) y 5·Lp+xn
porque son las longitudes caracterı́sticas para el decaimento
exponencial:
En la región N se tiene que el exceso de portadores minorita-
rios (huecos) está modelado por (16):
−(−xn+x)
dpN = C · e Lp

Se puede ver que la función tiende a un valor cuando:

−xn + xlim = 5 · Lp
xlim = 5 · Lp + xn
Lo mismo sucede en la región P por la ecuación (17):
xlim = −(5 · Ln + xp)
III-G. Capacitancia del diodo
Las funciones dpN y dnP son funciones lambda o funciones
Para visualizar la capacitancia en función del voltaje en
anónimas, es decir funciones sin nombre simples que solo
inversa (vR) que se le aplica al diodo se utiliza la ecuación
constan de una expresión. dpN depende de x1 y dnP
(13). La capacitancia se multiplico por 109 para poner la escala
depende de x2.
en nano faradios nF .También se dispuso las abcisas en escala
semi-logarı́timica para que se pueda admitir valores negativos
y ası́ se pueda visualizar mucho mejor la función tal como
aparece en una hoja de datos o datasheet.
Una vez definidas, se procede a graficarlas. Se crean los obje-
tos x1 y x2 contenidos dentro de una figura, ax1 corresponde a
PROYECTO FINAL DE FÍSICA DE SEMICONDUCTORES,AGOSTO 2021 8

la gráfica de toda la distribución de los portadores en el diodo

ubicado en la primera fila y primera columna, mientras que
ax2 corresponde a la gráfica de los portadores minoritarios en
el diodo ubicado en la segunda fila y primera columna.
Con base en las ecuaciones que caracterizan a las densidades
de corriente de los minoritarios en los bordes de la zona de
agotamiento Jp(xn ) y Jn(−xp ) (II-I.Densidad y corriente
ideal de unión PN) se crean las funciones lambda JnPv y JpNv,
después se expresa la densidad de corriente total en términos
de la suma de estas dos para v = va . Luego se expresan las
densidades de corriente debidas a los mayoritarios JnN y
JpP .

En la primera gráfica, se pone una escala logaritmica de base

10 en las ordenadas para que se pueda visualizar de una mejor
manera ya que de borde a borde en la región de agotamiento,
la concentración de portadores cambia en varios ordenes de
magnitud.
En la segunda fila, se gráfican los portadores minoritarios, se
puede observar más en detalle la zona de agotamiento por unas
lineas negras a trazas graficadas también.
En el primer recuadro, se procede a las gráficar densidades de
corriente debida a huecos en color rojo , a electrones en color
azul, y la densidad de corriente total (constante) en negra.
En la segunda gráfica está la densidad de corriente debida
a minoritarios en función del voltaje, es decir el vector v
mencionado al principio.

III-I. Gráficas de la densidades de corriente

Al igual que se hizo en la anterior función, se definen los
vectores x1,x2 pero también v, que representa el vector del
voltaje que varı́a desde -5 a al limite que es el voltaje bias
vbi .
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III-J. Gráfica de la curva caracterı́stica de un diodo y de la

corriente en inversa
En esta función llamada corriente, se crea un vector para
el voltaje en directa (0 ≤ v ≤ vbi ) y uno para el voltaje
en inversa (−10 ≤ vR ≤ 0). Después se guarda el valor
de la densidad de corriente de saturación en la variable Js
(18).Ante esto, se crea una función Jd(densidad de corriente de
difusión debida a minoritarios), y una función Jrec (densidad
de corriente de recombinación) que depende de la zona de
agotamiento (esta a su vez depende del voltaje) y del voltaje
aplicado. Después se crea una función lambda i que representa
[3] ”Electrical properties of Germanium”, Insti-
la corriente del diodo en directa dependiente del voltaje. Por tuto Fı́sico-Técnico Ioffe, [Online].Available:
último se calcula la resistencia dinámica debida a la difusión. https:http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Ge/electric.html.
Con esto, se imprimen todos estos valores. [4] ”Electrical properties of Galium Arsenide”, Ins-
tituto Fı́sico-Técnico Ioffe, [Online].Available:
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/electric.html.

[5] ”Electrical properties of Silicon”, Instituto Fı́sico-Técnico Ioffe, [Onli-

ne].Available: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/electric.html.
[6] ”Dispositivos electrónicos y fotónicos: Principios fı́sicos
del diodo”, Monografı́as.com, 2021[Online].Available:
https://www.monografias.com/trabajos105/dispositivos-electronicos-
y-fotonicos/dispositivos-electronicos-y-fotonicos.shtml.

Finalmente, se grafica la curva caracterı́stica del diodo, y la

curva de ”Leakage current” o corriente de fuga en escala
logarı́tmica tanto en las abscisas como en las ordenadas para
una mejor visualización.

R EFERENCIAS
[1] ”Semiconductor Physics and Devices Neamen ”, Fourth Edition, Donald
A.Neamen.[Online].
[2] ”Energy gap, movilidad y densidad de estados para diferentes
materiales”,Universidad Politécnica de valencia. [Online]. Available:
https:https://www.upv.es/materiales/Fcm/Fcm08/pfcm8-4-5.html