 Se dice que un semiconductor es “intrinseco” cuando se

encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna

impureza, ni atomos de otro tipo dentro de su estructura.

 Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una

estructura tetraédrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el
cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energía necesaria para
saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las
energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12
eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

 Los electrones y los huecos reciben el nombre

de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de
portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si
se somete el cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de
conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a
los huecos próximos (2), originando una corriente de
huecos con 4 capas ideales y en la dirección contraria al
campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior
a la de la banda de conducción.
Cristal Semiconductor
intrínseco:
A simple vista es imposible que
un semiconductor permita el
movimiento de electrones a
través de sus bandas de energía

Idealmente, a T=0ºK, el
semiconductor es un aislante
porque todos los e- están
formando enlaces.

Pero al crecer la temperatura,

algún enlace covalente se
puede romper y quedar libre
un e- para moverse en la
estructura cristalina.

El hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la

estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor
encontramos el electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de
portador: el hueco (h+).
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas
en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas.

Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con
dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos.

Un semiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es
llamado degenerado.

El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de
átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es
bajo o ligero.

Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice
que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
Tipo de Materiales Dopantes:
Tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los
mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que
"donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco,
como el Arsénico y el Fósforo.

De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica,

ya que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero
posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que
conforman la estructura original, por lo que la energía necesaria
para separarlo del átomo será menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor
original.
Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los
primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos los
minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será función
directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo

(dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.
Tipo de Materiales Dopantes:
Tipo P
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que
permiten la formación de huecos sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura.
Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan"
o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como
el Aluminio, el Indio o el Galio.

Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no

modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que
solo tiene tres electrones en su última capa de valencia,
aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de
los átomos próximos, generando finalmente más huecos que
electrones, por lo que los primeros serán los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios.

Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores

mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de
impurezas introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P

dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es
donado un hueco de electrón.
 Tipos y aplicaciones de diodos

Ingenierı́a Mecatrónica
Ciudad Victoria, Tamaulipas.

16 de septiembre de 2014

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 1 / 9

 Introducción

Introducción

¿Que es un diodo?
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor
y mayor que la de un aislante. El grado de conducción de cualquier sustancia
depende, en gran parte, del número de electrones libres que contenga.

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 2 / 9

 Introducción

Introducción

Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor

y mayor que la de un aislante. El grado de conducción de cualquier sustancia
depende, en gran parte, del número de electrones libres que contenga.
En un conductor este número es grande y en un semiconductor pequeño es
insignificante. El número de electrones libres de un semiconductor depende de
los siguientes factores: calor, luz, campos eléctricos y magnéticos aplicados y
cantidad de impurezas presentes en la sustancia.

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 2 / 9

 Introducción

Introducción

¿Que es un diodo?

En un conductor este número es grande y en un semiconductor pequeño es

insignificante. El número de electrones libres de un semiconductor depende de
los siguientes factores: calor, luz, campos eléctricos y magnéticos aplicados y
cantidad de impurezas presentes en la sustancia.
En esta presentación se hablará un poco sobre las caracterı́sticas,
funcionamiento y aplicación de los siguientes diodos: Zener, Vericap, Túnel, Foto
Diodo, Gunn, Schockley

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 2 / 9

 Introducción

Introducción

¿Que es un diodo?
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor
y mayor que la de un aislante. El grado de conducción de cualquier sustancia
depende, en gran parte, del número de electrones libres que contenga.

En esta presentación se hablará un poco sobre las caracterı́sticas,

funcionamiento y aplicación de los siguientes diodos: Zener, Vericap, Túnel, Foto
Diodo, Gunn, Schockley

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 2 / 9

Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo: Zener

Caracterı́sticas, funcionamiento y aplicación de los siguientes diodos:

Diodo Zener
También llamado diodo regulador de tensión,
podemos definirlo como un elemento semiconductor
de silicio que tiene la caracterı́stica de un diodo
normal cuando trabaja en sentido directo, es decir,
en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para
una corriente inversa superior a un determinado
valor, presenta una tensión de valor constante.
Este fenómeno de tensión constante en el sentido
inverso convierte a los diodos de Zener en
dispositivos excepcionalmente útiles para obtener
una tensión relativamente invisible a las
variaciones de la tensión de alimentación, es decir,
como dispositivos reguladores de tensión.

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 Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:
Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo: ZenerVericap

Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:

Diodo Vericap

Este diodo, también llamado diodo de capacidad

variable, es, en esencia, un diodo semiconductor
cuya caracterı́stica principal es la de obtener una
capacidad que depende de la tensión inversa a él
aplicada. Se usa especialmente en los circuitos
sintonizadores de televisión y los de receptores de
radio en FM.

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 Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:
Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo: ZenerTúnel

Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:

Diodo Túnel
Este diodo presenta una cualidad curiosa que se
pone de manifiesto rápidamente al observar su
curva caracterı́stica, la cual se ve en el gráfico. En
lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo
se comporta como un diodo corriente, pero en el
sentido de paso ofrece unas variantes según la
tensión que se le somete. La intensidad de la
corriente crece con rapidez al principio con muy
poco valor de tensión hasta llegar a la cresta (C)
desde donde, al recibir mayor tensión, se produce
una pérdida de intensidad hasta D que vuelve a
elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del
valor de la tensión.

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 5 / 9

 Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:
Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo: ZenerFotodiodo

Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:

Fotodiodo
Es un semiconductor construido con una unión
PN, sensible a la incidencia de la luz visible o
infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto
se polariza inversamente, con lo que se
producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construcción, los fotodiodos se comportan como
células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz
exterior generan una tensión muy pequeña con el
positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el
nombre de corriente de oscuridad.
La función de los fotodiodos dentro de un pick-up
es la de recuperar la información grabada en el
surco hipotético del CD transformando la luz del
haz láser reflejada en el mismo en impulsos
eléctricos para ser procesados por el sistema y
obtener como resultado el audio o los datos
grabados en el CD.
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 Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:
Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo: ZenerDiodo Gunn

Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:

Diodo Gunn
Este diodo tiene caracterı́sticas muy diferentes a
los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de
un generador de microondas, formado por un
semiconductor de dos terminales que utiliza el
llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre
ánodo y cátodo una tensión continua de 7 V, de
modo que el ánodo sea positivo con respecto al
cátodo, la corriente que circula por el diodo es
continua pero con unos impulsos superpuestos de
hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para
inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De
hecho, la emisión de microondas se produce cuando
las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan
del ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en un
constante viaje rapidı́simo entre ambas zonas, lo
que determina la frecuencia en los impulsos.

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 7 / 9

 Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:
Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo: ZenerDiodo Shockley

Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo:

Diodo Shockley
es un dispositivo de dos terminales que tiene dos
estados estables: OFF o de alta impedancia y ON
o baja impedancia. No se debe confundir con el
diodo de barrera Schottky. Está formado por
cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La región I es la región de alta impedancia (OFF)
y la III, la región de baja impedancia. Para pasar
del estado OFF al ON, se aumenta la tensión en el
diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación.
La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviese se
incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar
un nuevo equilibrio en la región III (Punto B).

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 8 / 9

Caracterı́stica, funcionamiento y aplicación del diodo: Zener Conclusión

Conclusión:

Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrónica,

que para su comprensión hay que estar al tanto de ciertos conocimientos
relativos a su funcionamiento y comportamiento. Los diodos son de gran
versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propósito de resolver
algún problema. Para nosotros uno de los aspectos más importantes de los
mismos es que no se quedan en un solo tipo de diodo; más bien se los ha
desarrollado en formas que extienden su área de aplicación.

Exposición Electrónica Analógica. . . 16 de septiembre de 2014 9 / 9

 Rectificadores

HTTP://WWW.ESPOL.EDU.EC
HTTP://WWW.FIEC.ESPOL.EDU.EC
 Media Onda
1
Onda Completa
Rectificadores
3

Vi

t
Vi V0
R V0

t
 Fuente No Regulada

110VRMs
60 H Z RLoad

Vi Vi Vi Vi
Vi
Rectificador de Media Onda
V0 1 t
V0 DC   f (t ) dt 1 2
T

T 0
T 0 V0( RMS )  f (t )dt
V0 DC 1 
V0 DC 
2 0
 V p sentdt Vp
V0( RMS ) 
V 2
 p  cost 0

V0 DC
2
V
V0 DC  p

V0 DC  0.318V p

Voltaje Inverso de Pico

Se trata del valor de voltaje que no debe excederse en la región de polarización

inversa, pues de otra forma el diodo estará en la región de avalancha.
 VIP  V0

Vi
VIP  VM

Rectificador de Onda Completa

1.- Puente de Diodos

Vi
 D1 D2
Vi V0
 D3 D4 RL

Semiciclo positivo V0

V0 V0 DC
Vi V0  Vi
 RL D3 , D2 " on"
Semiciclo negativo D1 , D4 " off "
 V0 DC  0.636V p
Vi V0  Vi
 V0  Vi D2 , D3 " off " Si fueran de Si
RL
V0  Vi D1 , D4 " on" V0 DC  0.636 (Vp  2VT )
Filtros


VS


Para ahorrar energía se usan filtros. La señal DC pulsantes obtenida después del bloque
rectificador no es señal DC pura por lo tanto puede servir para cargar baterías o alimentar
motores DC pero no sirve para alimentar circuitos electrónicos.
Para mejorar esta señal se añade un filtro después del rectificador que en su forma más
sencilla es un capacitor en paralelo a la carga.
Ip

2

VMá x
VMín

 2
t
wt1 T1 T2
T
 En el momento de carga del capacitor hay un pico de Ip

Ip: Corriente de Pico

T1: Tiempo de Carga del capacitor.
T2: Tiempo de descarga del capacitor
T: T1+T2=180º
VRpp: Voltaje de rizado de p-p
VCa p
VMáx  VMín
VDC 
2
VRpp VDC
VDC
I DC 
Req  RL
t
T1
T2 I PT1  I DCT
T
I DCT
IP 
T1
En la carga en el pto wt1: En la descarga:
t
Vmín  Vmá xsen t1 
Vmín  Vmá xe 
 Vmín  : t  T2 ,   ReqC
t1  sen  1 donde

 Vmá x   Vmín
ln 

   T2
 Vmá x 
   Reqc
T1   t1
2 T2
c  
T2    T1 Req
 Vmín 
ln  
 Vmá x 
 
180º  8.33mseg
T2 º  T2 (mseg) % rizado = frecuencia de rizado *100%

VR( RMS )
%  *1 0 0%
VRpp  Vmáx  Vmín VD C
Vmá x  Vmín
2 3
VRpp %  *1 0 0%
V (RMS)  Vmá x  Vmín
R
2 3
2
1  Vmá x  Vmín 
Volt rizado pico-pico %  *1 0 0%
 Vmá x  Vmín 
3  
Ejercicio:

En el siguiente circuito calcular el valor de C requerido y la Ipico ,para obtener un

voltaje de salida V0=38V , asuma que los diodos son de Si.
D1

4 :1
D2
  V0  VDC  38V

120VRMS Vs 3k
D3 D4
6k
 
 Vmín 
t1  sen 1  

 má x 
V
 34.974 
120 2 N 4 Vmá x  Vmín t1  sen 1  
 1  VDC   41.026 
VS N2 1 2 t1  58.482º
VS  42.426V  Vmín  2VDC  Vmá x
Vmín  2(38)  41.026
Vmín  34.974 V  I p  I DC *
T
VS  2VT  Vmá x T1
Vmá x  42.43  2(0.7) Ip 
VDC
*
T

Vmá x  41.026 V  T1  90º 58.482º

T2  180º 31.518º Req T1
T2  148.482º Ip 
38
*
180º
T1  31.518º T2  6.873 mseg 2k 31.518º
Ip  108.509 mA
en el Capacitor
 T2
En la descarga del capacitor: Vmin= Vmax e 
Req C
Req= 3K II 6K=2K

3 4,9 7 4 6,8 7 3m seg

ln ( )
4 1,0 2 6 2K ( C )
C 2 1,5  f
Ejercicio:
Diseñe una fuente de alimentación DC no regulada que posea las siguientes
características

N1 : N 2

Rectificador
120VRMS de Onda Filtro
RL
60Hz Completa
(usando 2
diodos)

DATOS
RL= 50 ohmios
Encontrar %r, N1/N2, Ip, c . Considere diodos de silicio Vmax = 13,5 V
Vmin = 10,5 V
EJERCICIO:
Basándose en el problema anterior, diseñe el bloque regulador empleando un diodo zener
RS
VC IL PZMá x  2W

Fuente DC IS IZ I ZMín  0mA

no Regulada RL  50
VZ 6V Encuentre el rango de RS para
 que el zener regule
Ejercicio

Diseñar una fuente DC no regulada de 12VDC y 2ADC usando un filtro capacitivo y un

puente rectificador de onda completa

Vmáx =13.5[V], VAK=0.7V en c/diodo, Vprimario =120VRMS

Calcule:
N1/N2, c=?, %r
D1

N1 : N 2
D2
  V0
120VRMS Vs D4 RL=12/2 = 6 ohmios
D3
  RL
Sujetadores o Cambiadores de nivel

Sujetadores

Mantienen la misma excursión ( voltaje pico a pico) de la señal de entrada.

Cambiadores de Nivel
El nivel puede subir o bajar dependiendo del o los capacitores que tenga la red.
Vi
10 f  1[kHz ]

t (mseg )
1 2

 10

V0
22

t (mseg )
Transciente Estable
Ejercicio Grafique V0 en estado estable. Asuma diodos ideales
C= 0,1 uf : Frecuencia de Vi = 1 Khz

Vi

  10
Vi 470k V0
 5V 
t

 10

V0
5

15
Ejercicio Grafique V0 en estado estable. Asuma diodos ideales
C= 0,1 uf : Frecuencia de Vi = 1 Khz

Vi

  10
Vi 470k V0
 5V 
t

f  1kHz  T  1ms
 10
  Rc
  (470k )(0.1F ) V0
  47ms. 5

(4  5)  Para _ que _ se _ desc arg ue

188mseg  1mseg
 c _ no _ se _ desc arg a
15
Ejercicio
Grafique V0 en estado estable. Asuma diodos ideales
C= 0,1 uf : Frecuencia de Vi = 1 Khz
Vi

  10
Vi 470k V0
 5V 
t

Semiciclo Positivo  10
D1" on"
 
V0  5V V0
5V 470k V0
Vi VC1  Vi  V0
  VC1  5V
5

Semiciclo Negativo
D1" off "
  Vi  VC1  V0 15
470k V0  10  5  V0
Vi 5V
V0  15V
 
 Ejercicio

Graficar V0 vs t incluyendo el transciente. Asuma diodos ideales

V0
Va D1

100k Vi
8V 20
6V

1 mseg

 20
V0

mseg
Rectificador de onda completo
tipo puente
Medición e Instrumentación
• El rectificador de onda completo con
transformador de toma intermedia elimina
algunas desventajas inherentes de los
rectificadores de media onda, pero solo
aprovecha la mitad de la tensión disponible en
el secundario.
• El rectificador de onda completa mostrado en
al figura siguiente, el cual utiliza cuatro diodos
en lugar de dos y no requiere de una
derivación central del transformador, supera
esta dificultad, permitiendo obtener una
tensión de salida en CD de la misma amplitud
que la tensión de entrada de CA.
Figura 1. Rectificador de onda completa con puente de diodos. Dos versiones del
mismo esquema. También se muestra el aspecto típico de un puente de diodos
encapsulado en un solo modulo
• En la figura 2 se muestran las formas de onda
que describen la operación del circuito. Su
funcionamiento puede comprenderse mejor
que con la ayuda de circuitos equivalentes de
la figura 3
Figura 2. Formas de onda del rectificador de onda completa
tipo puente (a) Circuito de voltaje de entrada (b) Circuito de
voltaje de salida
Figura 3. Circuitos equivalentes de un rectificador de onda completa con puente de
diodos durante los semiciclos positivos (a) y negativos (b)
• Por lo tanto, a la tensión obtenida mediante la
fórmula anterior deben desconectarse
alrededor de 1.4 V para obtener la tensión de
salida real. El siguiente ejemplo aclarara estos
conceptos.
 Ejemplo
• Suponga que en el circuito de la figura 1a la
tensión de CA de entrada es de 220V/50Hz. Si
el transformador T1 tiene una relación de
espiras de 20 a 1 (20:1) y no se tienen en
cuenta las caídas de voltaje en los diodos del
puente rectificador, ¿Cuál será el valor del
voltaje de CC medido en la carga?
 Solución
• Inicialmente calculamos los valores rms y pico
requeridos para el voltaje de salida del
secundario (V2):

V1
 20 
V2
V1 220
V2    11Vrms 
20 20
V2 p  2V2  2  11V  15.6V
• Por tanto, ignoramos las caídas de voltaje en
los diodos, el valor medio del voltaje de salida
es:

Vdc  0.636V p  0.636  15.6V  9.90V

• Este sería, idealmente el valor medido en un
voltímetro de CD. Asumiendo una caída total
de 1.4 V en los diodos del puente rectificador,
el valor real medido sería del orden de:

Vdc  9.90V  1.4V  8.5V

Fuentes de
Alimentación
Corriente alterna AC
SEÑAL SENOIDAL
Señal de corriente continua DC
 FUENTE DE ALIMENTACIÓN

TRANSFORMADOR RECTIFICADOR REGULADOR

FILTRO

reductor
FUENTE DE ALIMENTACIÓN
FUENTE DE ALIMENTACIÓN
TRANSFORMADORES
 TRANSFORMADORES
Se denomina transformador a un
dispositivo eléctrico que permite
aumentar ,igualar o disminuir la tensión
en un circuito eléctrico de corriente
alterna, manteniendo la potencia.
Los transformadores se dividen en:

•REDUCTOR
•IGUALADOR
•ELEVADOR
TRANSFORMADOR ELEVADOR

TRANSFORMADOR IGUALADOR

TRANSFORMADOR REDUCTOR
CIRCUITOS RECTIFICADORES
 TIPOS DE RECTIFICADORES

• Rect. Media Onda

• Rect. Onda completa
• Rect. tipo puente
 RECTIFICADOR MEDIA ONDA

110 VAC 12VAC

SEÑAL RECTIFICADA DE MEDIA ONDA
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADOR TIPO PUENTE
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO
PUENTE
RECTIFICACIÓN
 CIRCUITO FILTRO
Un circuito RC es un circuito compuesto de
resistencias y condensadores alimentados por
una fuente eléctrica. Un circuito RC de primer
orden está compuesto de un resistor y un
condensador y es la forma más simple de un
circuito RC
El condensador destinado a filtrar o aplanar el
rizado, dando como resultado una señal eléctrica
de corriente continua cuya tensión no varía
prácticamente en el tiempo.
CIRCUITO FILTRO RC
CIRCUITO FILTRO
 FILTRO PHI
• Filtro formado por dos condensadores y una
bobina
FILTRO PHI
REGULADOR DE VOLTAJE
REGULADOR DE VOLTAJE
TRANSISTORIZADO
 REGULADOR DE VOLTAJE CON CI

110
VCA
Regulador de voltaje LM 7805
Características, Funcionamiento y Ejemplos
» El transistor es un dispositivo
semiconductor de tres
compuestos ya sea de dos capas
de material tipo n y una de tipo p
o dos capas de material tipo p y
una de tipo n. El primero se
denomina transistor npn, en
tanto que el último recibe el
nombre de transistor pnp, para
así poder polarizarse. Los
transistores sirven como
amplificadores.
» El transistor tiene tres terminales que son, base,
emisor, colector. Donde B es el factor de amplificación
(que por lo regular se encuentra en la base y el
emisor). El análisis o diseño de un amplificador de
transistor requiere del conocimiento de la respuesta
del sistema, tanto de CD como de CA.

» El término polarización que se utiliza se refiere a la

aplicación de voltajes de CD para establecer un nivel
fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de
transistor, el voltaje y la corriente de CD resultantes
establecen un punto de operación sobre las
características, el cual define la región que se empleará
para la amplificación de la señal aplicada.
» El diodo Zener es
un diodo de silicio que se ha
construido para que funcione en
las zonas de rupturas o en zona
inversa, recibe ese nombre por su
inventor, el Dr. Clarence Melvin
Zener. El diodo zener es la parte
esencial de los reguladores de
tensión casi constantes, con
diferencia de que se presenten
grandes variaciones de la tensión
de red, de la resistencia de carga
y temperatura.
» Cuando se alcanza la
denominada tensión Zener en
polarización inversa, el diodo
recorta la onda de tensión, de
este modo mantiene la tensión
constante entre sus terminales
dentro de ciertos márgenes. Si la
corriente es muy pequeña la
tensión empezará a disminuir,
pero si es excesiva puede
destruir el diodo.

» Esta propiedad hace que el diodo

Zener sea utilizado como
regulador de tensión en las
fuentes de alimentación.
» Son mal llamados a
veces diodos de
avalancha, pues
presentan
comportamientos
similares a estos, pero
los mecanismos
involucrados son
diferentes.
 Diodo Zener

Pequeño diodo Zener

Tipo Semiconductor

Símbolo electrónico

Configuración Ánodo y Cátodo (se polariza inversamente,

con respecto al diodo convencional)
» Si a un diodo Zener se le aplica una corriente
eléctrica de Ánodo al Cátodo toma las
características de un diodo rectificador básico.
» Pero si se le suministra una corriente inversa,
el diodo solo dejara pasar un voltaje
constante.
» En conclusión: el diodo Zener debe ser
polarizado al revés para que adopte su
característica de regulador de tensión. y su
símbolo es como un diodo normal pero tiene 2
terminales a los lados. Este diodo no se
comporta como un diodo convencional en
condiciones de alta corriente, porque cuando
recibe demasiada corriente este no se quema
sino que se apaga
» Un diodo zener es usado sobre una polarización
inversa, como limitador de voltaje o regulador
básico.
» Supóngase que tenemos una fuente de voltaje
de 12v y queremos limitar el voltaje de salida
para 7.5v.
» Si seleccionamos un diodo zener 1N4737 7.5v
de acuerdo con su hoja de referencia podemos
ver que:
lzt = 34mA que es la corriente mínima necesaria para llegar a Vz,
y Izm = 121 mA es la corriente máxima admisible.

Entonces un buen punto para empezar es lz = 80 mA cerca de la

media. Complementemos la información con el siguiente circuito.
» RL es una resistencia que limita la corriente,
necesaria para no aplicar directamente los 12v
al diodo zener.
» Antes de nada, si no existe voltaje conectado a
la salida, la diferencia de potencial es la
siguiente:

» Necesitamos 80mA, usando la ley de Ohm,

calculamos el valor de la resistencia.
» ¿Pero que pasa si se conecta la salida, tomando una
corriente de por ejemplo, 20mA? . Del problema
anterior tenemos que:

» La tensión en la entrada se mantiene en 12v, y la

tensión zener es siempre alrededor de 7.5v, entonces la
corriente en la resistencia es la misma que antes. Sólo
que ahora esta corriente total se distribuye, a la salida
le corresponden 20 mA y 60 mA permanecen en
el diodo Zener. Esto es válido, siempre que
la corriente Iz no este debajo Izt = 34mA,
manteniendo el diodo zener cerca de vz = 7.5Volt. Eso
es decir que la corriente máxima disponible para la
carga es:
Diodo Zener
Ejercicio 1
En este ejercicio se utiliza un diodo Zener
una resistencia y una resistencia variable.
Determine el rango de los valores de RL
que mantienen un voltaje VRL=10v y la
potencia máxima nominal del diodo.

Fórmulas:
VL=VZ=(RL*VI)/RL+R VR=VI-VZ
RLmin=RVZ/VI-VZ IR=VR/R
Imax=VZ/RLmin IZ=IR-IL.

RLmin=(10)(1k)/50v-10=250 ohms

ILmin=IRs-IZmax=VRs/Rs- IZmax
ILmin=(50v)-(10v)/1k - 32mA=
0.008A
RLmax (10v)/(0.008)= 1250 ohms
Pmax nom =VZmax=(10)(32mA)=320Mv
Ejercicio 2
Determine el rango de valores de Vi que
polarizan al Zener en inversa.
Vz=20v Izmax=60 mA

VI=((1200+220)/1200)(20) = 23.66v
IRmax= Izmax+IL=60mA+1.666E-
2mA=76.66mA

donde : V=IR
VImax=IRSmax=RS+Vz
=76mA(220hom)+
20V=36.72v.
I=20v/1.2K=1.666E-2
» Cuando el voltaje excede cierto límite establecido
que el aparato eléctrico puede soportar, el
estabilizador trabaja para evitar que se dañe el
mismo.

» Un protector de picos consta de los siguientes

componentes:
 Un fusible o un protector termomagnético que desconecta el circuito
cuando se está sobrepasando el límite de corriente, o en caso de un
cortocircuito.
 Un transformador.
 Resistencia variable.
 Diodo Zener también conocido como diodo de supresión de voltaje.
» La tensión que llega a las tomas de corriente de los hogares, no es
adecuada, en general, para alimentar los aparatos electrónicos, ya que es
una tensión cuyo valor y sentido de circulación cambia periódicamente. La
mayoría de los circuitos electrónicos necesitan una tensión de menor
amplitud y valor continuo en el tiempo.

» Lo primero que se hace es reducir esta tensión con un transformador,

después se rectifica para que circule en un solo sentido, y luego se añade
un filtro que absorberá las variaciones de tensión; todos estos bloques
componen la fuente de alimentación regulada básica.

» Para circuitos más sensibles o para dar una alimentación de mayor calidad,
se hace necesaria la inserción en la fuente de alimentación del
bloque regulador de tensión, el cual va a proporcionar una tensión
constante, además de disminuir el pequeño rizado que queda en la
tensión tras pasar por el filtro.
CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA

UNIDAD III. EL TRANSISTOR BIPOLAR

COMPONENTES ELECTRÓNICOS: EL TRANSISTOR BIPOLAR

• Introducción: definición y tipos de transistores

• Principio de funcionamiento del transistor bipolar
 Transistor tipo PNP
 Transistor tipo NPN
• Características eléctricas de un transistor bipolar
• Conclusiones
TRANSISTORES
C

• Este es el primer componente

N- que tiene tres terminales.
• Funciona como un interruptor
P N+ controlado por la corriente que
entra por una de sus “patas”
B E
• Los más utilizados son los de
unión o BJT, cuyos terminales se
llaman base (b), emisor (e) y
colector (c)
• En la imagen puedes ver el
primer transistor y sus creadores.
TIPOS DE TRANSISTORES

NPN
BIPOLARES
PNP
CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO (FET) CANAL N (MOSFET-N)
METAL-OXIDO-
TRANSISTORES SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

UNIPOLAR CANAL N (UJT-N)

(UJT)
CANAL P (UJT-P)

TRANSISTORES DE POTENCIA

•FET : Field Effect Transistor

•UJT: Uni-Juntion Transistor
POLARIZACIÓN Y CIRCUITOS EQUIVALENTES

Equivalente de diodos
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

Corriente base-emisor Corriente colector-emisor

ZONAS DE OPERACIÓN: CORTE, ACTIVA Y SATURACIÓN

Transistor en saturació
Transistor en activa

Transistor en corte
Polarización con una fuente
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

- -
+
- - -

+
-

+
+

+
+

+
- - - + - - -

+
+
-

+
- + + - -
-

+ +
-
+

+
+

+
- - - - -
+
-

+
+
-

+
-
+

- - +

+
- - -

+
+

+
P N N + - P

Concentración
de huecos
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

P N P

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en

serie: el funcionamiento de la primera unión no afecta al de la segunda
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

P N P

El terminal central (base) maneja una fracción de la corriente que

circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO
TRANSISTOR
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Base

Emisor Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base actúa como terminal de control manejando una

fracción de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN

N P N

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente

se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conducción, la corriente por emisor, colector y
base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN

Base

Emisor Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las

características del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de
forma y tamaño equivalente. Los NPN se emplean en mayor número de
aplicaciones.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN En principio necesitamos conocer 3

tensiones y 3 corrientes:
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada
IC, IB, IE
IC
+ + VCE, VBE, VCB
VCB
En la práctica basta con conocer solo
IB - VCE 2 corrientes y 2 tensiones.
+
VBE Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE
IE y VBE.
-
-
Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fácilmente:

IE = I C + I B
IC = f(VCE, IB) Característica de salida VCB = VCE - VBE
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada  VCE

IC IB
+

IB VCE
+
VBE VBE
-
-

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN

IC = f(IB, VCE) Característica de salida

IC IC
+

IB
IB VCE
+
VBE
-
- VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la

corriente de base IB.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR
BIPOLAR: LINEALIZACIÓN

Transistor NPN: Linealización de la característica de salida

Zona activa: IC=·IB

IC IC (mA) IB (μA)
+ 400
40

IB 30 300
+ VCE
20 200
VBE
- 10 100
- 0
Zona de 1 2 VCE (V)
saturación
Zona de corte

El parámetro fundamental que describe la característica de salida del

transistor es la ganancia de corriente .
 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Transistor NPN: linealización de la característica de entrada
 VCE
IC IB
+

IB Ideal
+ VCE
VBE
-
- VBE

La característica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las

aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal

IC
+
IC Zona IB
+ activa + ·IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturación + IC<·IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
FUNCIONAMIENTO EN CONMUTACIÓN DE UN TRANSISTOR NPN

12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I  = 100
40 mA

Sustituimos el interruptor principal por un

IC
transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturación. PF (ON) 3 A ON
Ventajas: OFF
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
control desde sistema lógico.
12 V VCE
Electrónica de Potencia y Electrónica PF (OFF)
digital
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor PNP

IB = f(VBE, VEC) Característica de entrada  VEC

IC IB
-

IB VEC
-
VEB VEB
+ +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN.

Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es

saliente.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor PNP

IC = f(IB, VCE) Característica de salida

IC IC
-

IB
IB VEC
-
VEB

+ + VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante

la corriente de base IB.
FUNCIONAMIENTO EN CONMUTACIÓN DE UN TRANSISTOR
PNP

12 V  = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W

IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un transistor. 4A IB = 40 mA
La corriente de base (ahora circula al PF (ON) 3 A ON
reves) debe ser suficiente para asegurar la
zona de saturación. OFF

12 V VEC
PF (OFF)
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Características reales (NPN)

Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB
IB6
I
VCE = 0 VCE1 VCE2 CMax

IB5

Saturación IB4 PMax = VCEIC

IB3
Avalancha
IB2 Primaria

IB1

VBE
IB= 0

1V VCEMax VCE
Característica
de Entrada Corte

Característica
de Salida
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Características reales: datos proporcionados por los fabricantes

IC
C
IC-MAX Corriente máxima de colector B
ICMAX
VCE-MAX Tensión máxima CE E
PMAX Potencia máxima PMAX

VCE-SAT Tensión C.E. de saturación SOAR

VCE-MAX
HFE   Ganancia

VCE
Área de operación segura
(Safety Operation Area)
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
MONTAJES

Amplificador de sonido Control de velocidad de un motor

MONTAJES

Control de temperatura con NTC

MONTAJES EN SIMULADOR EWB.
MONTAJES EN SIMULADOR EWB.

Entrada (Señal Roja) y Salida (Señal Azul) vista en el osciloscopio

CONCLUSIONES
Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN.

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones:
•La zona de Base debe ser muy estrecha.
•El emisor debe de estar muy dopado.

Generalmente, el colector está muy poco dopado y es mucho mayor.

Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrónica

Analógica.

Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y

constructivamente similares.

Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona básicamente con

electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en
cada caso).

Reacuérdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es

decir, el transistor NPN es mas rápido que le PNP en igualdad de condiciones.
Universidad Politécnica de Chiapas
Ing. Biomédica
Fundamentos de Electrónica
Ing. Othoniel Hernández Ovando

CONFIGURACIÓN
EMISOR COMÚN

Suchiapa, 22 de Febrero de 2012

 Configuración Emisor Común

La terminología de EC se deriva del hecho de

que el emisor es común tanto a la entrada
como a la salida de la configuración.

El emisor se conecta a las masas tanto de la

señal de entrada como a la de salida.
Configuración Emisor Común

El emisor es común a la entrada (base-

emisor) y a la salida (colector-emisor).
Configuración Emisor Común

Para describir el comportamiento de la

configuración EC, se requiere de dos
conjuntos de características:

Parámetros
de Entrada Parámetros
de Salida
 Parámetros de Entrada

Se relaciona la
corriente de entrada
(IB) con el voltaje de
entrada (VBE) para
varios niveles de
voltaje de salida (VCE).

Una vez que el transistor

esta “encendido” se
supondrá que el VBE es:
VBE = 0.7V
 Parámetros de Salida

Se relaciona la
corriente de salida
(IC) con el voltaje
de salida (VCE) para
varios niveles de
corriente de
entrada (IB).
 Región Activa

La unión colector-emisor se polariza

inversamente, mientras que la unión base-
emisor se polariza directamente.

Esta es la región más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como

amplificador.
 Región Activa

La corriente de emisor, que es la corriente

de salida, está formada por la suma de la
corriente de base y la de colector:
IE = IC + IB
En la configuración EC, también se
mantiene la relación siguiente que se usó
en la configuración BC:
IC = 𝜶IE
 Región de Corte

Tanto la unión base-emisor como la unión

colector-emisor de un transistor tienen
polarización inversa.
 Región de Corte
En la región de corte la IC no es igual a cero cuando IB es
cero.

Para propósitos de amplificación lineal (la menor

distorsión), el corte para la configuración EC se definirá
mediante:
IC = ICEO
Para IB = 0µA

La región por debajo de IB = 0µA debe evitarse si se

requiere una señal de salida sin distorsión.
Región de Corte
 Región de Saturación

Tanto la unión base-colector como la unión

base-emisor de un transistor tienen
polarización directa.
 Región de Saturación

Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que

las uniones están en polarización directa, las corrientes se
anulan.

Un transistor está saturado cuando:

(IC = IE = IMáxima)
Región de Saturación
Ganancias de Corriente

Emisor
Base Común
Común

Ganancia Ganancia
𝜶 (alfa) 𝛽 (Beta)
Ganancia de Corriente 𝛽 (beta)

La ganancia de corriente se encuentra

dividiendo la corriente de salida (IC) entre la
de entrada (IB)
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la
corriente de salida (IC) es mayor que la corriente del entrada (IB).
Suele tener un rango entre 40 y 400, con la mayoría dentro del rango
medio.
Ganancia de Corriente 𝛽 (beta)

𝛽 es un parámetro importante porque ofrece una relación

directa entre los niveles de corriente de los circuitos de
entrada y los de salida en EC.

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
Y dado que
IE = IC + IB
IE = 𝛽IB + IB
Se tiene que

𝐼𝐶 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵
 Relaciones entre 𝜶 y 𝛽

Es posible establecer una relación entre 𝜶 y 𝛽

utilizando las relaciones dadas anteriormente.

𝛽 𝛼
𝛼= 𝛽=
𝛽+1 1−𝛼
La ganancia 𝛽 es proporcionada por el fabricante y también es
conocida como hFE.
 Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden
proporcionar ganancias de voltaje y de potencia mucho
mayores que los de base común.

𝑉𝐶 𝑅𝐶
𝐺𝑉 = =−
𝑉𝐸 𝑅𝐸
 Características Generales

Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 700Ω y

1000Ω. Un poco más que la Base Común.
• Alta impedancia de salida (ZOUT), entre
(50kΩ). Más baja que la de Base Común.

Alta ganancia de corriente entre 20 y 300

• Alta ganancia de voltaje.

Impedancia (Z): Es la oposición al flujo de corriente eléctrica. Concepto “similar” a la resistencia.

 Aplicaciones Configuración EC

Es la configuración más usada, puesto que

amplifica tanto corriente como voltaje.

El más usado para circuitos de baja frecuencia,

debido a la alta impedancia de entrada.

Usado en amplificadores de audio y de altas

frecuencias de radio.