MODELAMIENTO DE PROTECCIONES

UTILIZANDO ATP

Cesar Ramírez Landínez

Carlos Gómez Vargas
Jairo Arias Ruiz
Henry López Salamanca
Francisco Román Campos

Grupo de investigación en
Compatibilidad Electromagnética
EMC-UN

Prologo
Guillermo Vinasco
2
 PROLOGO
A finales de los años 60, Herman Dommell desarrolló para la Bonneville Power
Administration (BPA), el Electromagnetic Transients Program (EMTP), como una
aplicación para la simulación en computadora digital de circuitos eléctricos, sistemas
electromecánicos, y sistemas de control; este desarrollo ha continuado durante los últimos
40 años.

La historia del desarrollo del EMTP, es la de un desarrollo informático realizado con el

trabajo arduo y desinteresado de la comunidad internacional de ingenieros, gracias al cual,
y transcurridos muchos años, se ha logrado una buena cantidad de material para cubrir los
aspectos básicos en la utilización de la aplicación, material de fácil consecución vía
Internet, o a través algún grupo de usuarios

En el año 1984 se concluyó el desarrollo de una versión de EMTP para ser utilizada en
computadoras personales (PC), denominada Alternative Transient Program (ATP), que
hizo accesible el EMTP a un número mucho mayor de usuarios, permitiendo su uso
incluso en nuestras casas, y ya NO solo en la oficina o la universidad. Lo anterior impulsó
innumerables trabajos, y fue de la mano con la creación de abundante material sobre el
campo de transitorios electromagnéticos y el EMTP/ATP mismo.

A pesar que el trabajo sobre EMTP realizado con la BPA se mantiene en el dominio
publico, NO es así con el ATP, el cual requiere un licenciamiento; éste es gratuito, y puede
realizarse a través de cualquier de los grupos de usuarios

Actualmente la versión ATP del EMTP es la herramienta de simulación digital más

conocida y utilizada para transitorios electromagnéticos, con un campo de aplicación que
cubre desde la simulación de circuitos, hasta la de elementos máquinas rotativas.

En Colombia, corría el año 1985, cuando el ingeniero Luis Fernando Blandón (Q.E.P.D.) de
la oficina de Planeación de ISA viajó al Brasil, recibió un curso sobre la aplicación, y trajo
consigo la primera versión de EMTP en cinta magnética. En el año 1988 se crea el grupo
nacional del EMTP, con el fin de mejorar la capacitación en el manejo del EMTP.

Otro hito en la historia del EMTP/ATP ocurrió a finales de los años 80’, cuando se
presentó la primera versión del ATPDraw, una herramienta independiente que permite en
lugar de describir en un archivo de texto el caso a simular (usual hasta aquella época), más
bien dibujar en un ambiente gráfico los componentes de la simulación, e introducir con él
los datos y parámetros de la simulación deseada. Este cambio fue de tal impacto, que hoy
en día muchas personas NO perciben (o desconocen completamente) la diferencia entre el
ATP y el ATPDraw, o que se trata de dos aplicaciones diferentes, que deben configurarse
para que trabajen juntas.

Partiendo de toda esta rica historia, de la existencia de excelente y abundante

documentación sobre los aspectos básicos del EMTP. El presente trabajo NO se enfocó
como una guía de inicio en EMTP, ATP o ATPDraw, sino como un material dirigido a

3
personas expertas en el uso de éstos programas, y que deseen conocer aplicaciones
concretas y prácticas. Estas aplicaciones fueron tomadas de diversos tópicos que han sido
de objeto de estudio por varios años en la Universidad Nacional de Colombia, trabajo que
es ampliamente reconocido, por ello el gran valor del material que se está entregando.

El contenido del presente material se puede describir de la siguiente forma:

• En el capitulo 1 se describe la funcionalidad MODELS del ATP, su incorporación en el

ATPDraw, y las características de este lenguaje de programación propio del ATP, etc.
Esto debido al uso que se hará de MODELS en capítulos posteriores.
• En el capitulo 2 se trabaja el modelamiento de generadores y limitadores de
sobretensiones. Para ello se inicia con el modelamiento de generadores de impulsos de
corriente y voltaje, indispensables para conocer, modelar y calcular la magnitud y la
forma de onda de sobretensiones inducidas. Al final de este capítulo se presenta un
modelo completo para calcular las sobretensiones inducidas por rayos en líneas aéreas,
basándose en todos los contenidos desarrollados en éste capitulo.
• El capitulo 3 trata el tópico del modelamiento de descargadores de sobretensiones,
incluyendo varistores de bajo voltaje (con el circuito propuesto por la IEEE.),
descargadores de ZnO en media tensión, así como el comportamiento dinámico de
varistores a partir de las curvas características V-I suministradas por los fabricantes, u
obtenidas mediante pruebas de laboratorio.
• El capitulo 4 trata el tópico del modelamiento de diodos supresores de sobretensiones,
zener y diodos de avalancha, su modelamiento especificaciones técnicas y aplicaciones.
• En el capitulo 5 trabaja el modelamiento de tubos de Descarga en gas, sus
características, operación y problemas propios y metodología de simulación..
• Finalmente el capitulo 6, aborda el tema de la coordinación de protecciones de baja
tensión, aprovechando las características de los dispositivos ya estudiados (tubos de
gas, varistores, diodos supresores).

La organización recopilación, y publicación de material incluido en este trabajo son una

excelente contribución NO solo a acrecentar el conocimiento a través de la investigación,
sino también a transmitir el saber a través del proceso de enseñanza aprendizaje, tal como
es contemplado en la visión de la Universidad Nacional de Colombia.

También deseo agradecer a la Universidad nacional, y en especial al ingeniero Francisco

Román Campos, por la oportunidad que me fue brindada, en la revisión y realización de
comentarios acerca del presente material.

Guillermo Vinasco
gevinasco@[Link]
Interconexión Eléctrica S.A, E.S.P.
Medellín, Colombia, Julio de 2005

4
 CONTENIDOS

PROLOGO................................................................................................................... 3
1 Subrutina MODELS ............................................................................................. 7
1.1 Introducción .................................................................................................................. 7
1.2 Aplicaciones y usos...................................................................................................... 8
1.3 Generalidades del lenguaje MODELS..................................................................... 9
1.4 Características del lenguaje de programación ........................................................ 9
1.5 Particularidades de MODELS.................................................................................. 10
1.6 Uso de la librería TACS para acoplar un model a un circuito eléctrico ........... 10
1.6.1 TACS (Transients Analysis of Control Systems) ........................................................... 10
1.6.2 Interruptor controlado en el tiempo (TACSWITCH) por medio de model ................. 11
1.6.3 Fuente controlada en el tiempo (TACSSOURCE) por medio de model....................... 11
1.6.4 Resistencia controlada en el tiempo (TACSRES) por medio de model ........................ 11
1.7 Implementación de MODELS en ATPDRAW ..................................................... 12
1.8 Ejemplo ilustrativo .................................................................................................... 12
1.8.1 Creación del archivo *.MOD ............................................................................................ 13
1.8.2 Creación del archivo de soporte (*.SUP) ........................................................................ 13
1.8.3 Incorporación del model en ATPDRAW.......................................................................... 16
1.9 Programación en lenguaje MODELS ..................................................................... 16
1.9.1 Formato general de descripción de un model ................................................................. 17
1.9.2 Declaraciones...................................................................................................................... 17
1.9.3 Submodels .......................................................................................................................... 19
1.9.4 Funciones (FUNCTION)................................................................................................... 20
1.9.5 Directrices de simulación.................................................................................................. 23
1.9.6 Procedimientos................................................................................................................... 25
1.9.7 Determinación de variables a graficar (RECORD)........................................................ 27
1.9.8 Complemento..................................................................................................................... 28
Referencias Bibliográficas del capítulo 1 .................................................................... 29
2 Generadores y Limitadores de Sobretensiones............................................... 30
2.1 Dispositivos de protección contra transitorios y sobretensiones................. 30
2.2 Modelamiento de generadores de impulsos .................................................... 34
2.2.1 Modelo de generador de impulsos de corriente..................................................... 34
2.2.2 Generador de impulsos de voltaje............................................................................ 35
2.3 Cálculo de Sobretensiones Inducidas por Rayos en Líneas Aéreas (SIR).. 37
2.3.1 sobrevoltajes inducidos en líneas aéreas ....................................................................... 37
2.3.2 Validación del modelo ..................................................................................................... 40
Referencias Bibliográficas del capítulo 2 .................................................................... 42
3 Modelamiento de Descargadores de Sobretensiones..................................... 44

5
 3.1 Varistores de bajo voltaje ......................................................................................... 44
3.1.1 Curvas características................................................................................................ 45
3.1.2 Especificaciones. ........................................................................................................ 46
3.1.3 Circuitos equivalentes .............................................................................................. 50
3.2 Descargadores de ZnO en media tensión.............................................................. 60
3.3 Modelamiento de varistores..................................................................................... 60
3.3.1 Modelo convencional del varistor de óxido metálico................................................... 61
3.3.2 Comparación y análisis de los resultados obtenidos en la simulación de varistores
en ATP .................................................................................................................................................... 64
Referencias Bibliográficas del capítulo 3 .................................................................... 66
4 Diodos Supresores de Sobretensiones.............................................................. 68
4.1 Curvas características ................................................................................................ 68
4.2 Especificaciones técnicas .......................................................................................... 70
4.2.1 Circuitos equivalentes ..................................................................................................... 71
4.3 Modelamiento de diodos Zener y Avalancha....................................................... 71
Referencias Bibliográficas del capítulo 4 .................................................................... 74
5 Tubos de Descarga en Gas ................................................................................. 75
5.1 Curvas características ................................................................................................ 76
5.1.1 Operación transitoria ....................................................................................................... 79
5.2 Problemas con los tubos de descarga ..................................................................... 81
5.3 Especificaciones técnicas .......................................................................................... 82
5.3.1 Circuito equivalente......................................................................................................... 84
5.4 Modelamiento de Tubos de Descarga en Gas ...................................................... 87
5.4.1 Modelamiento del interruptor controlado por voltaje ICV ...................................... 88
5.4.2 Modelamiento de la resistencia del arco (Rarco) ........................................................ 91
5.4.3 Comparación y análisis de los resultados obtenidos en la simulación de tubos de
descarga en gas en ATP ...................................................................................................................... 92
Referencias Bibliográficas del capítulo 5 .................................................................. 103
6 Coordinación de Protecciones......................................................................... 104
6.1 Introducción .............................................................................................................. 104
6.2 Esquemas de coordinación de protecciones ................................................... 104
6.3 Circuitos en paralelo directo ............................................................................. 105
6.4 Circuitos en paralelo indirecto.......................................................................... 106
6.5 Circuito serie ........................................................................................................ 106
6.6 Protección escalonada de tres componentes................................................... 106
6.7 Protección en cascada con cable de instalación ............................................. 107
6.8 Simulación de Coordinación de protecciones................................................ 108
Referencias Bibliográficas del capítulo 6 .................................................................. 113

6
 1 Subrutina MODELS

1.1 Introducción
En este capítulo se explicará la subrutina MODELS siguiendo, en muchos casos casi una
traducción textual de lo expuesto por Laurent Dubé en su texto MODELS Course [1].
MODELS es una subrutina que, al igual que los TACS fue desarrollada e incorporada al
programa ATP por Laurent Dubé en 1989. Se caracteriza por ser un lenguaje de
programación de descripción técnica, en el cual se utiliza un grupo de instrucciones
sencillas (módulos) que permiten la representación y estudio de sistemas variables en el
tiempo, al igual que el modelamiento de sistemas físicos complejos o con características
muy específicas y sistemas de control de forma estructurada, con lo cual se logran
descomponer tareas complejas en forma modular.

Señal de
Medición
control
CIRCUITO MÓDULO
ELÉCTRICO
Thevenin/Norton Entradas TACS
equivalente DE MODELS externas

Figura 1.1. Representación de un circuito con MODELS.

Los módulos de esta subrutina reciben como entradas señales provenientes del circuito
eléctrico (voltajes, corrientes, estado de interruptores, etc.) o señales asumidas
externamente por el usuario (ecuaciones, funciones especiales, listados de puntos, etc.) y
entregan señales a elementos tipo TACS (elementos de control del circuito eléctrico) o
directamente al circuito como un Thevenin o Norton equivalente (Figura 1.1).

7
1.2 Aplicaciones y usos
Mediante MODELS Se pueden generar, entre otras las siguientes aplicaciones:
- Construcción o control de fuentes de voltaje o corriente con características muy
particulares, basadas en alguna ecuación u obtenidas a partir de un listado externo de
puntos.
- Resistencias no lineales, variables en el tiempo o con el voltaje, la corriente, obtenidas a
partir de un listado de puntos o controladas por una ecuación.
- Control para interruptores, a partir del voltaje, corriente, tiempo, por comparación
entre variables o basado en alguna ecuación.
- Medidores de parámetros eléctricos como potencia, energía, factor de potencia,
frecuencia, valores R.M.S, etc., en cualquier punto de un circuito.
- Obtención de la función de transferencia para circuitos eléctricos o su equivalente
Thevenin/Norton.
- Manipulación de señales de voltaje, corriente, estado de interruptores, estado de
máquinas eléctricas, en cualquier punto del circuito para hacer estudios de
sensibilidad, análisis de potencia, caracterizaciones, estudio de armónicos, etc.
Sus características y ventajas más importantes son:

Es completamente estructurado, lo cual facilita el diseño modular de sus aplicaciones.

Un modelo se puede separar en submodelos, permitiendo así futuras modificaciones
sobre algunos segmentos del mismo.

Su lenguaje de programación está compuesto por instrucciones y sentencias sencillas y
fáciles de recordar, similares a las utilizadas en lenguaje FORTRAN.

Posee un grupo de variables residentes que facilitan la programación, tales como el
tiempo de simulación y la duración del paso de integración.

El usuario puede utilizar un delta de tiempo dentro de la subrutina diferente al
utilizado durante la simulación en ATP, lo que garantiza la convergencia de los
resultados.

Permite desarrollar modelos que manejen variables tales como voltajes, corrientes y
señales de control. Esto permite modelar componentes sin requerir un conocimiento
acerca de la programación interna del ATP.

Permite diferenciar la descripción del modelo de su uso. Esto significa que después de
definir un modelo, este se puede aplicar las veces que se desee sin necesidad de
redefinirlo.
Algunas diferencias (ventajas) de la subrutina MODELS con respecto a la subrutina TACS
son las siguientes:

Los modelos incorporados no se encuentran disponibles como bloques de transferencia
preestablecidos y a cambio el usuario puede modelar nuevos componentes de circuito
a partir de módulos de programación y agregarlos a la librería del programa ATP.

El lenguaje de programación que utiliza no requiere tener en cuenta las columnas y
espacios típicos del formato ATP o de los TACS, lo cual facilita la programación.

8

Su lenguaje de programación es completo, por lo que no es necesario interactuar con el
ATP al nivel de programación o hacer modificaciones en su código fuente.
Algunas desventajas de la subrutina MODELS son las siguientes:

Los modelos desarrollados no pueden usarse directamente como elementos de un
circuito eléctrico tal como sí sucede con los TACS, pues requieren de estos últimos
como dispositivos de acople para interactuar al nivel de programación con el ATP. Es
decir, actúan como interfaces entre el circuito y su control. Sin embargo, existe una
posibilidad de conectar directamente los modelos a partir de elementos denominados
type-94 (1), pero esto requiere introducir las ecuaciones de mallas y nodos del circuito,
lo cual puede resultar muy dispendioso. En el caso de la Figura 1.1, el nuevo elemento
del circuito estaría compuesto por un módulo de MODELS y un elemento tipo TACS.

1.3 Generalidades del lenguaje MODELS

La subrutina MODELS del programa ATP posee su propio lenguaje de programación,
cuya estructura es parecida a la de otros lenguajes como Pascal o Modula-2 y cuenta con
un número reducido de palabras claves que pueden recordarse fácilmente. El módulo
básico de la subrutina se denomina “model“(2).
Sus principales aplicaciones en ATP son: su uso como interfase entre este y programas
externos como los TACS, la descripción de la operación de componentes de circuito y de
control y para generar señales y realizar o analizar mediciones desde el circuito. El
propósito de tener la subrutina MODELS disponible en ATP se resume en los siguientes
puntos:

Tener una herramienta para desarrollar modelos de elementos de circuito y controlar
componentes (resistencias no lineales, operación de interruptores, control de máquinas
eléctricas, creación de fuentes con características especiales, entre otros), los cuales no
pueden construirse fácilmente con los elementos disponibles en el programa ATP o
con la subrutina TACS.

Tener la flexibilidad de un lenguaje de programación completo, sin tener que
interactuar con ATP al nivel de programación.

Describir la operación de un componente, estableciendo su estado inicial (valores
iniciales y su historia), con la precisión que se requiera.

1.4 Características del lenguaje de programación

MODELS es un lenguaje para desarrollar modelos de componentes y construir librerías,
pero a la vez permite representar componentes o procesos numéricos y por ser un lenguaje
simple, puede usarse y leerse con familiaridad. MODELS se caracteriza por:

Una sintaxis regular para el uso de variables, órdenes, expresiones, y funciones.

(1) Línea especial de la subrutina MODELS que permite hallar el equivalente Thevenin o Norton de un
circuito eléctrico
(2) Los autores hemos querido utilizar literalmente el término “model”, usado comúnmente en inglés para

referirnos al módulo básico de la subrutina MODELS

9

El uso de diversos tipos de variables (value holding) con valores dados según los
procedimientos establecidos en el model y los cuales pueden ser numéricos o lógicos,
dados en forma escalar o en forma de conjuntos.

Un conjunto de funciones numéricas y lógicas pre-definidas; funciones adicionales que
pueden ser definidas por el usuario en forma de expresiones parametrizadas, listado
de puntos (pointlist), y funciones programadas externamente.

El uso de condiciones y ciclos (if, while, for, etc.) para estructurar la forma de ejecución
de un procedimiento.

El uso de comentarios dentro de una descripción, que facilitan la explicación de los
procedimientos e instrucciones dadas.

Un campo de nombres individuales para cada model, para permitir al usuario asignar
nombres a las variables usadas, sin el riesgo de entrar en conflicto con nombres
utilizados en otras instancias de la simulación.

El uso de aplicaciones múltiples para un mismo componente.

Un mecanismo para dividir un gran bloque de descripción de un componente en
unidades menores para reducir la complejidad del model (submodels), identificar
explícitamente interfases y operaciones, facilitar las pruebas y usar prototipos durante
el desarrollo del model.

La posibilidad de condicionar la operación del model a ciertas circunstancias, cuando la
simulación se dificulta o se detectan errores.

1.5 Particularidades de MODELS

Dos aspectos diferencian a la subrutina MODELS de un lenguaje de programación
regular. Un aspecto es el tipo de operaciones y funciones requeridas para la representación
de sistemas variables en el tiempo, puesto que:

El tiempo se incrementa automáticamente durante la simulación.

Los componentes individuales de los models de un sistema actualizan automáticamente
su operación, a medida que se incrementa el tiempo de simulación.

Disponibilidad de funciones predefinidas dependientes del tiempo, tales como:
integrales, derivadas, ecuaciones diferenciales, transformadas de Laplace y Z, etc.
El otro aspecto es que MODELS administra de forma automática el almacenamiento y
recuperación de los valores de las variables de un model durante la simulación. Las
funciones que dependen del tiempo acceden directamente a valores previos de las
distintas variables, sin necesidad de que el usuario especifique la forma de hacerlo.

1.6 Uso de la librería TACS para acoplar un model a un

circuito eléctrico

1.6.1 TACS (Transients Analysis of Control Systems)

TACS es un subprograma del ATP que simula un computador análogo en forma de
bloques de control. La teoría de incorporación y manejo de los dispositivos de control tipo
TACS es bastante extensa, por lo que en esta sección solo nos limitaremos a aquellos TACS

10
que se pueden controlar en el tiempo por medio de MODELS (como señal de control) y
que sirven como interfaz entre este y un circuito eléctrico(1).

Cada uno de estos dispositivos de control recibe una señal proveniente de un model que le
indica su comportamiento dentro del circuito, ya sea como interruptor (Figura 1.2 (b)),
fuente (Figura 1.2 (c)), o como resistencia (Figura 1.2 (d)).

Figura 1.2 Dispositivos de control empleando TACS activados por models. (a)
TACS básico (b) Interruptor controlado por MODEL (c) Fuente controlada por
MODEL (d) Resistencia controlada por MODEL.

1.6.2 Interruptor controlado en el tiempo (TACSWITCH) por medio

de model
Las condiciones de operación de este dispositivo son las siguientes: por defecto se
encuentra normalmente abierto (cero lógico) y cuando se desee que el dispositivo se cierre
(uno lógico) se le da una orden por medio del model de control (Figura 1.2 (b)). Los
terminales del dispositivo se conectan entre aquellos nodos del circuito sobre los que se
desea operar el dispositivo y las entradas del model corresponden a aquellas señales
tomadas del circuito (voltajes, corrientes, estados lógicos, etc.) y de las que depende el
cierre o apertura del interruptor.

1.6.3 Fuente controlada en el tiempo (TACSSOURCE) por medio de

model
Este dispositivo recibe una orden a partir de un model (Figura 1.2(c)) que determina su
comportamiento en el tiempo. Esta orden dada por el módulo de control puede incluir
funciones en el tiempo, relaciones entre las variables de entrada y demás funciones
relacionadas en esta guía. La fuente creada puede ser de voltaje (tipo 0) ó corriente (tipo 1)
y se puede ejercer control sobre los tiempos de encendido y apagado de la fuente.

1.6.4 Resistencia controlada en el tiempo (TACSRES) por medio de

model
Al igual que los anteriores dispositivos, la resistencia TACSRES recibe una orden de
control a partir de un model (Figura 1.2 (d)), encargado de procesar las señales censadas

Para una mayor información sobre la teoría y las aplicaciones de los dispositivos tipo TACS de
(1)

control, se recomienda consultar la referencia [6], teoría y práctica con el ATP.

11
en el circuito. Los extremos de la resistencia se conectan entre los modos del circuito sobre
los que esta resistencia especial debe actuar.

1.7 Implementación de MODELS en ATPDRAW

Un model se puede incorporar como nuevo elemento de la librería MODELS del
ATPDRAW (interfase gráfica del programa ATP), de tal forma que aparezca en forma de
icono cada vez que sea adicionado a un caso de simulación en ATP. Si en particular se
utiliza la versión 3.5 o superior del programa ATPDRAW para Windows, se requiere la
creación de 2 archivos con las siguientes extensiones para tal fin:

*.MOD (model editado)

*.SUP (archivo de soporte)
Estos archivos son creados directamente en el ATPDRAW a partir del menú objects. El
archivo *.MOD lo crea el usuario en el editor de texto del programa y el archivo *.SUP
mediante una ventana que se despliega para introducir las variables de entrada, salida y
datos del modelo y para la creación del icono del nuevo model. Para ejemplificar el
procedimiento de incorporación, utilizaremos un ejemplo sencillo.

1.8 Ejemplo ilustrativo

En este sencillo ejemplo utilizaremos el lenguaje MODELS para crear una resistencia no
lineal variable en el tiempo y que tenga las siguientes características:

r (i, d ) =
kd
1
t 2  2 Ecuación 1.1
 ∫ i (t )·dt 
 
0 
Siendo:
i: Corriente censada (A)
d: distancia entre electrodos (m)
k: Constante (k = 70 ... 100 Vs1/2 m-1)

La ecuación anterior representa la resistencia del arco en un spark gap, propuesta por
Rompe-Weizel y es función de la corriente y la distancia entre los electrodos.
Este model debe censar la corriente que circula por la rama del circuito (por medio de un
amperímetro) y aplicar la ecuación para controlar una resistencia tipo TACSRES. El
siguiente circuito ilustra el procedimiento:

12
 Figura 1.3. MODELS para el cálculo de la resistencia del canal de la descarga
según Rompe-Weizel

1.8.1 Creación del archivo *.MOD

Este archivo puede ser creado desde cualquier editor de texto (DOS, NOTEPAD,
WORDPAD, WORD, etc.) fuera del ATPDRAW o utilizando la opción Objects – model –
New Mod File dentro de ATPDRAW y debe ser guardado en la carpeta de trabajo /MOD.

El texto correspondiente es el siguiente:

MODEL Rgap
-- Modelo de la resistencia del canal(gap) --
DATA k_rw {dflt: 70.000} -- Constante de Rompe-weizel (70...100)
d {dflt: 1.0E-03} -- [m] Longitud del Gap
INPUT i {dflt: sin(t)} -- [ A ], muestra de corriente a traves del gap
VAR p, integral_rw, rw, r, rgap -- variables utilizadas
OUTPUT rgap -- resistencia del gap
HISTORY integral(p) {dflt: 0}
EXEC
P := i**2 -- corriente elevada al cuadrado
integral_rw := integral(p) –- integral de la corriente al cuadrado
rw := integral_rw**0.5

r:=k_rw*d*recip(rw) --resolución de la ecuación para obtener la resistencia

rgap:= r {max: 1e8, min: -1e8}
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD Rgap.i AS inputI
[Link] AS Rgap

Este texto está escrito en lenguaje MODELS. Posteriormente serán explicadas las
instrucciones y comandos de la subrutina con mayor detenimiento, con lo cual se
entenderá mejor la forma en que ha sido incorporada la ecuación.

1.8.2 Creación del archivo de soporte (*.SUP)

Este archivo es creado mediante la opción Objects – model – New Sup File del menú del
ATPDRAW, la Figura 1.4 presenta las opciones del menú Objects.

13
 Figura 1.4. Menú “Objects” utilizado para incorporar models en ATPDRAW
(a) Especificación del tamaño del model: Esta determinado por la cantidad de datos y de
nodos, ya sea de entrada o de salida que el model utiliza, definidos como:

Número de datos ( Number of data): es la cantidad de variables declaradas en la
sección DATA cuando se define el model. Para el caso del model [Link] tenemos
que Number of data = 2 (k_rw, d).

Número de nodos de entrada/salida (Number of nodes): es la suma de las entradas y
salidas definidas en las secciones INPUT y OUTPUT del model y corresponden a los
nodos del circuito en los cuales se toman y entregan las distintas señales/valores.
En nuestro caso Number of nodes = 2, como se muestra en la Figura 1.5 :
(b) Definición de los datos de entrada: para los ‘Number of data’ anteriores se deberá
ingresar el nombre (Name), cantidad de dígitos admitidos (Dig), valor por defecto (Def) y
valores mínimo (Min) y máximo (Max) de la variable (opcional) y los nombres deben
coincidir con los utilizados en la sección DATA del archivo MODELS. De la observación
del model [Link], se deduce que para nuestro caso se deberá ingresar en la ventana
‘Support-DATA’ los siguientes datos que se muestran en la Figura 1.6:

14
 Figura 1.5. Ventana para el ingreso de datos del modelo.

(c) Especificación del tipo de nodos: para cada nodo del archivo de soporte se debe
indicar tanto el nombre (Name) como el tipo (Kind), posición que ocupa dentro de los
bordes del ícono (12 posiciones posibles) y el número de fases. El tipo de nodo se establece
con base en la siguiente nomenclatura:
0: nodo de salida.
1: entrada de corriente.
2: entrada de voltaje.
3: entrada de señal de estado de un interruptor.
4: entrada de variable de máquina eléctrica.
Los datos correspondientes para nuestro ejemplo son mostrados en la Figura 1.6 :

Figura 1.6. Ventana para identificación de los nodos

15
A continuación el usuario puede crear el icono de su aplicación, haciendo clic en el ícono
amarillo (bombillo) de la ventana anterior. Aquí se podrá observar una grilla de 41x41
cuadros (que representan los pixeles de la pantalla), en la cual se delinea el ícono
utilizando cualquiera de los colores que se muestran en la parte inferior de la grilla, que
posee además líneas rojas demarcadas para orientar al usuario sobre las 12 posibles
posiciones de las variables de entrada y salida del archivo *.SUP. Después de seleccionar el
color, se hace click sobre cada uno de los cuadros que finalmente darán forma al ícono
deseado. Para el caso del model [Link] se diseñó el icono que aparece en la Figura 1.7.

Figura 1.7. Icono para la representación de la resistencia del canal usando MODELS.
Mediante la opción Edit model del menú object, se puede hacer la modificación y/o
corrección de un archivo *.SUP y para que el circuito en el cual se incluye el model presente
los cambios correspondientes, se deberá borrar el ícono del model y volver a incorporarlo al
circuito.
El archivo *.SUP debe ser salvado con el mismo nombre que se le asignó en MODELS, con
la extensión *.SUP. Para el ejemplo presente el archivo de soporte creado deberá guardarse
con el nombre de [Link].

1.8.3 Incorporación del model en ATPDRAW

El nuevo modelo de resistencia no lineal creado queda guardado en la librería propia de
MODELS del programa ATP. Para su incorporación al circuito, hacemos clic con el botón
derecho para buscar en el menú rápido del programa la opción MODELS, e incorporamos
el archivo *.SUP, en este caso el archivo [Link].
El ícono que aparece nos permite cambiar las opciones de datos y nos indica los nodos de
conexión del nuevo elemento al circuito, de acuerdo con el archivo de soporte (*.SUP)
creado. Con este sencillo ejemplo se ha ilustrado la forma de crear nuevos elementos de
circuito eléctrico a partir de MODELS e incorporarlos a una simulación.

1.9 Programación en lenguaje MODELS

La subrutina MODELS se ejecuta alternamente con el programa ATP sin presentar
retardos de tiempo entre la ejecución de la subrutina y la solución del circuito eléctrico.
Básicamente lo que hace el programa ATP es ejecutar las instrucciones y procedimientos
descritos en el model para cada paso de tiempo durante la simulación y almacenar la
respuesta obtenida para graficar o tabular los resultados. A continuación se presentan los
aspectos y características más importantes del lenguaje de programación MODELS.

16
1.9.1 Formato general de descripción de un model
El formato general de descripción para un model particular se presenta a continuación:
MODEL default -- model name

INPUT -- Name of input variables. Variable names separated by ',' or CR

OUTPUT -- Name of output variables

DATA -- Name of data variables

VAR -- Name of local+output variables

HISTORY -- Default values of variables and expressions {DFLT:n}

INIT -- Initialization

ENDINIT

EXEC -- Execution

ENDEXEC

ENDMODEL

Las palabras MODEL y ENDMODEL del formato corresponden al inicio y final de algún
model en particular incorporado a la simulación y debe contener las instrucciones en
lenguaje MODELS (INPUT, OUTPUT, VAR, DATA, etc) que lo describen.
La descripción de un model se hace mediante diferentes tipos de asignaciones y ciclos
repetitivos clasificados en declaraciones, directrices de simulación y procedimientos. A
continuación en los numerales 1.9.2 a 1.9.4 se describen cada uno de estas clasificaciones.

1.9.2 Declaraciones
Dentro de las declaraciones usadas el lenguaje MODELS se encuentran las siguientes:

CONST: Especifica el nombre y valor de las constantes usadas en el model y su valor es

el mismo durante toda la simulación. Existe un grupo de constantes cuyos nombres y
valores están predefinidos y que pueden ser utilizados sin necesidad de ser declarados:
pi (3.14159), inf (1E20), undefined (88888.88888), false, no, open, off (valor 0), yes, true,
closed, on (valor 1). Un ejemplo de declaración de constantes es el siguiente:

CONST dos_pi {val:2*pi}

Pot_n[0..6] {val:1,2,4,8,16,32,64}
Frec {val:60}
Vn {val:120}

En este ejemplo las constantes declaradas son:

- Dos_pi: constante a la cual se le asigna un valor de 2π.
- Pot_n[0..6]: es una constante expresada en forma vectorial a la que se le asigna un
valor mediante un vector fila. De esta forma el usuario se puede evitar la
declaración de varias constantes de manera individual.
17
 - Frec, Vn: constantes a las cuales se les asignan valores de 60 y 120 respectivamente.

DATA: declaración específica de elementos visibles (datos) dentro del model donde son
declarados y que no varían durante la simulación. Su valor se puede asignar por
defecto (dflt) o por medio de una asignación USE en la línea de uso del model, así:
DATA n -- El valor del dato n será asignado en una decalaración
tipo USE
Frec {dflt:60} -- El valor del dato Frec es 60 por defecto (no será
necesario declararlo mediante USE)

Los elementos data son usados también por parámetros implícitos y dimensiones que
pueden tomar un valor diferente en diferentes instantes durante la simulación,
aunque no varíen en el tiempo o para definir el valor de otros elementos data:
DATA n
DATA n2 {dflt: n*n} --- Corresponde al cuadrado de n por defecto

INPUT: Son elementos de entrada variables durante la simulación. Su valor puede ser
asignado en el módulo USE del formato de la subrutina MODELS, o por defecto (dflt)
dentro del model:
INPUT v {dflt: sin(t)} -- La variable v asume como valor la función seno por
defecto
i -- En este caso, el valor de la variable i debe ser
asignado con elementos tipo USE fuera del model
v_ref {dflt: 0} -- La variable v_ref asume el valor cero por defecto

El siguiente ejemplo ilustra la forma de asignar valores a las variables de entrada

cuando no han sido asignados por defecto (dflt):
USE makro AS yeser
DATA n:=10
INPUT i:=i_source
v:=v_source
OUTPUT rgap:=r2
ENDUSE

OUTPUT: corresponde a las variables de salida declaradas dentro del model. Estas no
pueden asumir valores por defecto y según su uso se deben hacer corresponder con las
salidas declaradas en el formato de la subrutina MODELS (ver cuadro en sección 1.9.1
Formato general de descripción de un model) y declaración de salidas, en la sección
USE. La forma de declarar las variables de salida (OUTPUT) del model es similar a la
utilizada con las entradas, por ejemplo:

OUTPUT rgap -- comentario ...

v_flash –- comentario ...

VAR: corresponde a la declaración de aquellos elementos que varían dentro del model.
El valor de los elementos VAR puede ser utilizado en alguna expresión de los
procedimientos del model y también como elemento de salida (OUTPUT). Se declaran
en fila y separados por coma o en columna, lo que facilita hacer algún comentario
sobre su propósito en el model:

18
 VAR x,y,i2
Rgap --- comentario …
V_flash --- comentario …

1.9.3 Submodels
La representación de la operación dinámica de un model puede ser descompuesta en
“jerarquías” de models, donde cada uno conserva un aspecto específico de lo que está
siendo modelado, sin necesidad de definirlo como un procedimiento o una función. Un
submodel es un model declarado y utilizado dentro de otro, y por consiguiente escrito en
lenguaje MODELS. Existen varias formas de declarar submodels, entre ellas tenemos:

Submodels definidos localmente (Local submodels)
Esta es una forma estándar de introducir un submodel. Una vez declarado, puede usarse
tantas veces como se requiera dentro del model, manteniendo separado en cada ocasión su
propio estado de operación. A continuación se ilustra como hacer este tipo de declaración:
MODEL rgap -- Declaración de un modelo.
CONST ...
DATA ...
INPUT ...
VAR ...
OUTPUT ...
MODEL control -- Declaración de un submodelo local
CONST ...
DATA ...
...
ENDMODEL
...
EXEC
...
USE control AS control_1 -- uso del submodelo
...
ENDUSE
...
ENDEXEC
ENDMODEL

Una forma alterna de declarar submodels de forma local, es cambiar su descripción actual
por una referencia a un archivo que contiene dicha descripción, utilizando para ello la
instrucción $INCLUDE, la cual debe ser escrita en la columna 1 de una nueva línea, como
se observa en el siguiente ejemplo:
MODEL rgap -- declaración del modelo
CONST ...
DATA ...
$INCLUDE control { inserta un submodel local }
...
EXEC
...
USE control AS control_1 -- uso del submodel
...
ENDUSE
...
ENDEXEC
ENDMODEL

19
1.9.4 Funciones (FUNCTION)
Una función describe el método por el cual es calculado un valor o conjunto de valores,
asignando valores a los argumentos de la función. En la definición de un model pueden ser
declarados cuatro tipos de funciones:

Funciones de declaración (Statement functions)
Son expresiones parametrizadas evaluadas de acuerdo con los valores asignados a sus
argumentos. Estas calculan un valor o conjunto de valores numéricos, y son definidas en
un model de la siguiente forma:
FUNCTION nombre(argumento1, argumento2, ... ) := expresión

Un ejemplo de este tipo de funciones se presenta a continuación:

FUNCTION Beta(x1,x2) := [10*(x1+x2), x1*x2]
Gama(x1,x2) := x1 + x2 - 5

La forma como se especifica esta lista es bastante flexible, y puede ser una mezcla de
valores individuales con elementos de conjuntos, así:
nombre(expr, array_expr, ... )

Un ejemplo de esto sería una función de dos argumentos usada para calcular la magnitud
de un número complejo, dando su parte real y su parte imaginaria y los argumentos
pueden ser suministrados como una lista de dos valores separados, así:

FUNCTION c_ampl(real, imag) := sqrt(real*real +imag*imag)

...
ym := c_ampl(xr, xi)

Funciones de listado de puntos (Pointlist functions)

Las funciones de listado de puntos son útiles cuando los datos de una función están dados
en forma tabulada. Son funciones de valor simple expresadas como una lista de
coordenadas en un plano de dos dimensiones, clasificadas de menor a mayor según el
valor de la coordenada de entrada. Por ejemplo una curva de resistencia en función de la
temperatura podría ser expresada como:

FUNCTION temp_dep POINTLIST (-273, 1.e-6), (-60, 1.e-4), (0, 1.e2), etc...

La primera coordenada de cada pareja corresponde al valor de la entrada, y la segunda

corresponde al valor de salida de la función, es decir, el valor de resistencia para esa
temperatura. El valor de las coordenadas puede ser expresado usando expresiones
regulares que hacen referencia a otras variables o funciones del model. Mediante esta
posibilidad pueden usarse funciones muy complejas.

Listado de puntos externos (External pointlist)
Es posible usar el comando $INCLUDE de ATP para acceder a un listado de puntos
almacenados en un archivo separado, posiblemente generado por otro programa. Para su
formato, se requiere que cada pareja sea encerrada en paréntesis, con las coordenadas
separadas por una coma. Las parejas deben estar ubicadas en forma ascendente de
acuerdo con la primera coordenada, por ejemplo:

20
 (0,0)
(1,2)
(2,4)
(3,6)
etc...

No se requiere que los datos estén dispuestos en columnas, también pueden ubicarse en
fila teniendo en cuenta que el formato de ATP solo permite un máximo de 80 caracteres
por línea, de la siguiente forma:
(0,0) (1,2) (2,4) (3,6) etc...

Si suponemos que estas coordenadas están disponibles en un archivo llamado "[Link]",

estas deben ser incluidas en el model así:
FUNCTION grafo POINTLIST -- con los datos ubicados en el siguiente archivo:
$INCLUDE [Link]

Adicionalmente, existen dos tipos de funciones pre-definidas que pueden ser utilizadas en
cualquier model:
- Funciones numéricas y lógicas residentes: este tipo de funciones pueden ser usadas
directamente sin necesidad de ser declaradas. La siguiente es la lista de funciones
lógicas y numéricas residentes disponibles en MODELS:
FUNCIÓN DESCRIPCIÓN
Abs Valor absoluto del argumento
Sqrt Raíz cuadrada
Exp Exponencial
Ln Logaritmo natural
Log10 Logaritmo base 10
Recip Recíproco (1/x), utilizado para evitar dividir
por cero
Factorial Factorial del argumento
Trunc Parte entera
Sign Aplica la función signo (-1, 0, 1)
Rad Convierte el valor de un ángulo de grados a
radianes
Sin, cos, tan, asin, acos, atan Funciones trigonométricas básicas
Sinh, cosh, tanh, asinh, acosh, atanh Funciones trigonométricas hiperbólicas
Atan2(x1/x2) Tan^-1(x1/x2)
Norm(x1,x2,…,xn) Normal euclidiana = sqrt(x1^2,x2^2,…,xn^2)
And(x1,x2,…,xn) Aplica el operador AND a x1,x2,…,xn
Or(x1,x2,…,xn) Aplica el operador OR a x1,x2,…,xn
Min(x1,x2,…,xn) Valor mínimo entre x1,x2,…,xn

- Funciones residentes de simulación: También pueden ser usadas sin declaración previa y
están relacionadas directamente con el tiempo de simulación. Se usan indicando el
nombre de la función, el elemento simple al cual la función es aplicada y sus
argumentos, así:
Nombre (elemento, expresión( ), argumentos)

21
 Donde el elemento puede ser alguna entrada o variable del model y la expresión puede
ser una función dependiente del tiempo, como la integral de una entrada o variable del
model. La siguiente es la lista de funciones de simulación residentes de MODELS:

FUNCION DESCRIPCION
Deriv(x) Primera derivada de x
Deriv2(x) Segunda derivada de x
Delay(x,d,pol) valor anterior de x en un tiempo (t-d) y referenciado a un
tiempo anterior a la simulación usando la función histórica
asignada a x
Histdef(x) Hace referencia a la definición de la función histórica
asociada con x, usada cuando se define la historia de un
elemento en términos de la historia de otro elemento
Histval(x,t) El valor de x evaluado a un tiempo t, calculado usando una
función histórica asociada con x
Backval(x,t,pol) Valor de x a un tiempo t con el paso de tiempo anterior
Backtime(x,val,pol) Tiempo al cual x tuvo un valor val durante el último paso de
tiempo
Predtime(x,val,pol) Valor de tiempo predecido al cual x tendrá un valor val
Prevval(x) El valor de x para un tiempo t previo a la simulación

Funciones especiales
Es posible implementar otras funciones de tipo matemático en MODELS sin necesidad de
una declaración previa, tales como:
− Ecuaciones diferenciales. Una ecuación diferencial de la forma:
Ecuación 1.2
(a0 + a1 + a2 D 2 + ...) y = x
puede ser usada para expresar el valor de una variable "y" donde "D" es el operador
derivador. Esta ecuación diferencial se especifica en MODELS así:

DIFFEQ( D − Polynomial) | y : = x Ecuación 1.3

Donde "y" puede referirse a alguna variable del model y "x" a alguna variable o entrada del
model. El D-polynomial describe los términos aiDi de la ecuación y cada coeficiente puede
ser representado como una expresión arbitraria (lineal o no lineal, constante o variable en
el tiempo) y separada del operador D por una barra vertical ( | ) que es el operador
"aplicar a " de MODELS. Adicionalmente la palabra DIFFEQ puede ser sustituida por la
palabra CDIFFEQ para indicar que se trata de una ecuación diferencial con coeficientes
constantes.
En una ecuación diferencial se pueden colocar límites dinámicos máximos y mínimos al
valor de "y" de la siguiente forma:

DIFFEQ( D − Polynomial) | y{DMIN : e x p r : = x DMAX : e x p r} Ecuación 1.4

− Función transformada de Laplace. Una función transformada de Laplace de la forma:

22
 Y N ( s ) b0 + b1 S + b2 S 2 + ...
= = Ecuación 1.5
X D( s ) a 0 + a1 S + a 2 S 2 + ...
Puede ser usada para expresar el valor de una variable "y", donde "S" es el operador de la
transformada de Laplace. Una función de este tipo se especifica en MODELS de la
siguiente manera:

LAPLACE ( y / x) : = ( S − polynomial ) /( S − polynomial ) Ecuación 1.6

Donde "y" puede referirse a alguna variable del model y "x" a alguna variable o entrada del
model. El S-polynomial describe los términos aiSi y biSi de una función de transferencia en
el dominio de la transformada de Laplace. Adicionalmente la palabra LAPLACE puede ser
sustituida por la palabra CLAPLACE para indicar que se trata de una función Laplaciana
con coeficientes constantes, donde los límites dinámicos son expresados en forma similar a
las ecuaciones diferenciales.
El siguiente ejemplo presenta la utilización de este tipo de ecuaciones en MODELS:
MODEL lap
VAR y[1..7], x
HISTORY y[1..7] {dflt: [0, 0, 0, 0, 0, 0, 1] }
x {dflt: 0 }
EXEC
x: = t > 0
cdiffeq( 1|d0 + 1|d1 ) | y[1] := x --- 1 / (1+s)
cdiffeq( 1|d0 + 1|d1 ) | y[4] := | y[1] --- 1 / (1+s)
cdiffeq( 1|d0 + 2|d1 + 1|d2 ) | y[5] := x --- 1 / (1+2s+s2)
claplace(y[2]/y[1]):= (1|s0 + 1|s1) / (1|s0) --- (1+s) / 1
claplace(y[3]/x ) := (1|s0 + 1|s1) / (1|s0 + 1|s1) --- (1+s) / (1+s)
claplace(y[6]/y[5]):= (1|s0 + 1|s1) / (1|s0) --- (1+s) / 1
claplace(y[7] / x) := (1|s0 + 1|s1) / (1|s0 + 2|s1 + 1|s2) --- (1+s)/(1+2s+s2)
ENDEXEC
ENDMODEL

− Función de transferencia Z. Una función de transferencia Z de la forma:

Y N ( z −1 ) b0 + b1 z −1 + b2 z −2 + ... Ecuación 1.7

= =
X D ( z −1 ) a0 + a1 z −1 + a2 z − 2 + ...
Puede ser usada para expresar el valor de una variable "y", donde "z" es el operador Z.
Una función de este tipo se especifica en MODELS de la siguiente manera:

ZFUN ( y / x) : = ( Z − polynomial ) /( Z − polynomial ) Ecuación 1.8

Donde "y" puede referirse a alguna variable del model y "x" a alguna variable o entrada del
model. El Z-polynomial describe los términos aiz-i y biz-i de la función Z. Adicionalmente la
palabra ZFUN puede ser sustituida por la palabra CZFUN para indicar que se trata de una
función Z con coeficientes constantes, donde los límites dinámicos son expresados en
forma similar a las ecuaciones diferenciales.

1.9.5 Directrices de simulación

Estas directrices tienen que ver con el manejo del tiempo de simulación al ser ejecutado un
model y no son de uso obligatorio, pero pueden conducir a una mejor visualización y

23
convergencia de los resultados. Las principales directrices de simulación usadas en
lenguaje MODELS son las siguientes:

TIMESTEP: Especifica un valor mínimo y máximo opcional por defecto para el paso
de tiempo (time step) para el model durante la simulación. Mediante esta directriz el
model puede ser ejecutado con un paso de tiempo mayor o menor al usado en el
ambiente de simulación (sub-pasos de tiempo). Esta directriz se realiza de la siguiente
forma:
TIMESTEP
MIN: expresión
MAX: expresión

INTERPOLATION: Un model puede ser ejecutado dentro de la subrutina MODELS

con un delta de tiempo distinto al utilizado en el resto de la simulación, aplicando a las
entradas del mismo una interpolación. Las entradas pueden ser tratadas continua o
discontinuamente, dependiendo del nivel de interpolación usado para calcular su
valor durante ejecución en sub-pasos del paso de tiempo externo (0=discontinuo;
1=lineal; 2=cuadrática; por defecto=1). El grado de interpolación a ser aplicado puede ser
especificado en la definición del model y modificado posteriormente en la sección USE.
Un ejemplo de este procedimiento es el siguiente:
INTERPOLATION DEGREE(input1, input2):0 -- discontinuo
DEGREE(input3, input4):1 -- interpolación lineal
DEGREE(input5, input6):2 -- interpolación cuadrática
TIMESTEP MAX: 0.15 -- sub-paso de tiempo máximo de 0.15s
MIN: 0.0
...
USE ...
TIMESTEP MAX:0.30
MIN:0.1

DELAY: muchas funciones de MODELS requieren de valores previos de una variable

para calcular el valor de una función, por ejemplo las derivadas e integrales. El
procedimiento DELAY tiene acceso a dichos valores de las entradas y variables del
model, reservando un cierto número de celdas de registro a cada elemento al que se le
aplique la función delay(); un número diferente de celdas puede ser especificado para
diferentes listas de elementos. La función delay( ) se aplica de la siguiente forma:
DELAY CELLS(V1,V2,…,Vn): 10
CELLS(I1,I2,…,In): 20
CELLS dflt: 2

HISTORY: Durante la simulación del model se puede hacer referencia a valores que
anteriormente un elemento pudo tener, incluso antes de iniciar la simulación y en los
siguientes casos:
− Cuando se hace referencia a una variable para la cual no ha sido determinado un
valor en el tiempo real de simulación.
− Cuando se usa en la simulación una variable como argumento de funciones histdef,
delay, prevval, predtime, backval, deriv, deriv2, entre otras.
− Cuando se están aplicando transformadas de Laplace o Z, ecuaciones diferenciales
y expresiones integrales o diferenciales.

24
 − Cuando se está aplicando interpolación a las entradas del model durante ejecución
de sub-pasos de tiempo (INTERPOLATION).
Las funciones HISTORY pueden ser definidas como directrices de simulación en la
definición del model, mediante estamentos USE en el uso del model o como asignación
dentro de la línea INIT del mismo,
MODEL example_history
VAR x,y,dx, z
INIT
Histdef(dx):= t+x -- Define por defecto un valor en el tiempo a dx
como dx(t)= t+x
ENDINIT
HISTORY x {dflt: 0} -– Fija por defecto un valor HISTORY a x como
x(t)= 0
y {dflt: 0}
integral(x){dflt: 0} -– El valor de la integral antes de la simulación
es cero
integral(z) {dflt: t**2}
EXEC
...
ENDEXEC
ENDMODEL
USE Ejemplo_history AS model_1
HISTORY y:= t -- Reemplaza el valor HISTORY asignado por
defecto en el model para la variable “y”
ENDUSE

1.9.6 Procedimientos
Corresponde al procesamiento histórico y algorítmico de las variables y elementos
declarados previamente en el model. Los principales procedimientos usados en MODELS
son:

EXEC: Es el procedimiento más importante realizado en un model. Contiene la
descripción del algoritmo operacional que se desarrollará durante el tiempo de
simulación y es ejecutado para cada paso de tiempo en el cual el model ha sido
utilizado por una declaración hecha en USE. Cada vez que el model es usado, el
procedimiento de ejecución asigna nuevos valores durante el tiempo de simulación a
las variables declaradas, llevando un registro de los valores asignados a las entradas
declaradas mediante USE para permitir su graficación. Este procedimiento se inicia y
termina con las palabras EXEC y ENDEXEC, respectivamente, dentro de las cuales
estará descrito el algoritmo de simulación, constituido por ciclos de instrucciones del
tipo IF THEN ELSE, DO, REDO, FOR DO, WRITE, WHILE, etc. y por un grupo de
funciones residentes propias del programa, entre las cuales encontramos integrales,
derivadas y límites estáticos y dinámicos. El siguiente ejemplo ilustra el uso del
procedimiento EXEC en MODELS:

25
 MODEL Rcanal -- Modelo de la resistencia del canal
DATA k_t {dflt: 0.0050} -- Constante de Toepler (0.005)
k_rw {dflt: 70.000} -- Constante de Rompe-weizel (70...100)
cte {dflt: 0} -- [0] -> Fórmula de Toepler para calcular Rcanal
-- [1] -> Fórmula de Rompe-weizel para Rcanal
d {dflt: 1.0E-03} -- [m] Longitud del canal
INPUT i {dflt: sin(t)} -- [ A ], muestra de corriente a través del canal
VAR p, y, integral_t, temporal_rw, integral_rw, r, rcanal
OUTPUT rgap -- resistencia del gap interelectródico
HISTORY integral(y) {dflt: 0}
integral(i) {dflt: 0}
integral(p) {dflt: 0}
EXEC
p:= i**2
y:= p**0.3333333
integral_t := integral(i)
temporal_rw := integral(p)
integral_rw := temporal_rw**0.5
IF cte<=0 THEN r:=k_t*d*recip(integral_t)
ELSE r:=k_rw*d*recip(integral_rw)
ENDIF
IF i>-1E-6 AND i<=0 THEN rcanal:= 1E8
ELSIF i>0 AND i<0.5 THEN rcanal:= 100*RECIP(i)
ELSIF i>=0.5 THEN rcanal:= r
ELSIF i<1E-6 AND i>-0.5 THEN rcanal:=-100*RECIP(i)
ELSIF i<=-0.5 THEN rcanal:=-r
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL

INIT: Este procedimiento describe la inicialización del algoritmo del model,

independiente de las aplicaciones del mismo. Se realiza al mismo tiempo que la
primera ejecución de cada uso (USE) del model y se utiliza típicamente para completar
la asignación de funciones tipo history en el model y para verificar, corregir y cambiar
las condiciones bajo las cuales el model está siendo usado. El procedimiento de
inicialización se especifica con las sentencias INIT y ENDINIT y puede incluir algunas
declaraciones y funciones que no requieren de la existencia de antecedentes tipo history
para su ejecución: Ecuaciones diferenciales, transformadas de Laplace y Z, derivadas,
integrales, funciones histdef, histval, entre otras. En el siguiente ejemplo se ilustra la
utilización del procedimiento INIT:

26
 MODEL sin_integral_limit
VAR
x1 , x2 --- variables integradas
y --- integral simple
k, h --- variables independientes
INIT
k := 0
h := timestep/2
histdef(x1):=sin(t) histdef(integral(x1):= 0
histdef(x2):=sin(t) histdef(integral(x2):= 0
ENDINIT
EXEC
x1 := sin(t)
x2 := x1
y := integral(x2) --- equivalente a -cos(t)
ENDEXEC
ENDMODEL

1.9.7 Determinación de variables a graficar (RECORD)

Para guardar o archivar la respuesta de aquellas variables que se desean graficar o tabular
del model se utiliza el comando RECORD y opcionalmente ENDRECORD al final. El
nombre grabado debe tener máximo seis caracteres y el procedimiento general utilizado se
ilustra a continuación:
RECORD nombre model . nombre dado a la variable AS Nombre que aparecerá en
en su utilización (USE) la graficación
ENDRECORD

El siguiente ejemplo ilustra más claramente la forma de grabar variables pertenecientes a

un model:
RECORD Rgap.v AS voltaj --- Graba la variable v del model rgap como voltaj
Rgap.i AS cte --- Graba la variable i del model rgap como cte
[Link] AS rgap --- Graba la variable res del model rgap como rgap

Otra forma igualmente sencilla para observar la salida gráfica de las variables en MODELS
es solicitar la salida gráfica mediante la opción RECORD en el menú Atp-settings:

Figura 1.8. Ventana indicando las variables a graficar.

27
La opción despliega una ventana en la cual se señalan las variables a graficar y mediante la
opción Add OK estas serán anexadas al archivo de simulación, sin necesidad de incluirlas
en el texto de descripción del model.

1.9.8 Complemento
Esta guía sencilla de programación en lenguaje MODELS es una buena introducción a la
programación avanzada en ATP, y permitirá al lector darse una idea de esta poderosa
herramienta de simulación y familiarizarlo con sus aplicaciones. Además de esta subrutina
existen muchas otras, también interesantes como: TRANSFORMER, XFORMER, BCTRAN,
LINE CONSTANTS, CABLE CONSTANTS, TACS HYBRID y en general los grupos de
investigación y de usuarios en todo el mundo están permanentemente creando y
modificando estas aplicaciones, con el fin de hacer al programa aún mucho más poderoso
como herramienta de análisis de transitorios electromagnéticos.

28
 Referencias Bibliográficas del capítulo 1

[1] DUBE Laurent. MODELS Course. EEUG Meeting 1995. Hannover, November 13-15.
European EMTP-ATP Users Group EEUG. 1995. 89p.
[2] DUBE Laurent. Users Guide to MODELS in ATP. 1996. 150p.
[3] STANDLER Ronald. Protection of electronic circuit from overvoltage. John Wiley &
and sons. USA 1989.
[4] TANG Hong . Transient control in low voltage power installation networks and
electrocnic systems. Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive Summaries of Uppsala
Dissertations fromthe Faculty of Science and Technology. 297 pp. UPPSALA. Sweden.
1997.
[5] RAMIREZ L. César. RODRÍGUEZ J. Fredy. BORBÓN B. Mario. Modelamiento en
ATP-MODELS de varistores y tubos de gas como elementos de protección en Baja Tensión.
Proyecto de grado. Universidad Nacional de Colombia. Facultad de Ingeniería.
Departamento de Eléctrica. 1999.
[6] CARDONA CORREA Leonardo. Teoría y práctica con el ATP. Medellín, Colombia.
Universidad Nacional de Colombia, sede Medellín, Facultad de Minas. 1995. 265p.

29
 2 Generadores y Limitadores de
Sobretensiones

La protección contra sobrevoltajes y descargas directas para sistemas electrónicos y otros

dispositivos que operan en media o baja tensión, se ha convertido en un criterio
importante al momento de realizar un diseño. Esto debido a que las distintas normas que
regulan la operación de los equipos así lo exigen, y a que las estadísticas evidencian la
clara influencia de este tipo de descargas en los daños que se presentan en dichos equipos.
La magnitud de las corrientes transitorias está determinada principalmente por los
parámetros del circuito externo (naturaleza de la fuente, impedancia característica de la
línea de transmisión, resistencia e inductancia presente entre la fuente del transitorio y el
circuito vulnerable, etc.). Por tal razón, este tipo de circuitos debe contar con una adecuada
protección frente a los posibles disturbios ocasionados por sobrevoltajes o sobrecorrientes
de gran magnitud que puedan causar daños.
En este capítulo se presenta una introducción a los dispositivos de protección contra
transitorios y sobretensiones, además algunas aplicaciones especiales de los models y del
programa ATP para la protección de circuitos eléctricos y electrónicos. Dentro de las
aplicaciones están los modelos de generadores de impulsos de voltaje y de corriente,
además una aplicación de generación de sobretensiones inducidas por rayos en líneas
aéreas.

2.1 Dispositivos de protección contra transitorios y

sobretensiones
La función de un circuito o de un elemento supresor de sobrevoltajes es limitar a partir de
una cierta amplitud, el voltaje que ingresa al sistema. Para ello el supresor de sobrevoltajes
se hace conductor presentando a la corriente de descarga una cierta impedancia. De esta
forma se establece un divisor de voltaje entre su propia impedancia y la impedancia de la
línea, limitando así el valor del sobrevoltaje que llega al equipo a proteger. Antes de que el
voltaje llegue al nivel de voltaje de reacción del dispositivo supresor de sobrevoltajes, este
debe presentar una impedancia lo más elevada posible a las señales de información que
maneja el sistema, de modo que su presencia no altere el comportamiento en estado
estacionario del sistema a proteger.
Para la protección contra transitorios en un circuito eléctrico se deben tener en cuenta tres
aspectos:

30
 1. Determinar la magnitud del umbral de daño por sobreesfuerzos de voltaje,
corriente o energía.

2. Determinar el peor caso de sobreesfuerzo eléctrico que se pueda presentar en un

equipo.

3. Diseñar e instalar el equipo de protección que limite el peor sobreesfuerzo a uno

menor a la magnitud del umbral de daño.

La magnitud de voltaje, corriente o energía necesaria para causar daños permanentes a un

dispositivo semiconductor es conocida como umbral de daño o umbral de falla [3]. En general
el valor de este umbral es función del sobreesfuerzo. Esta información es esencial durante
el diseño de los circuitos de protección, puesto que la protección debe atenuar el
sobreesfuerzo antes de llegar al umbral de daño.
En la instalación es importante tener en cuenta que los circuitos de protección se deben
montar lo más cerca posible de la unidad a proteger, evitando así otras tensiones
perturbadoras entre el circuito de protección y ésta. De igual forma, la conexión a tierra de
la unidad a proteger debe disponerse entre el contacto de tierra del circuito de protección
y la barra equipotencial.
En baja tensión los tipos de protección frente a sobrevoltajes en general, se pueden
clasificar en tres categorías: filtros (R-C, R-L-C, etc.), crowbars, y recortadores de baja
tensión [3].
Los recortadores se caracterizan por presentar una impedancia muy elevada para voltajes
inferiores a un determinado valor y por encima de este nivel su impedancia disminuye
notablemente. Cuando el voltaje desciende de nuevo a valores normales, la impedancia se
recupera y vuelve a ser elevada y el dispositivo prácticamente no conduce, recuperando
sus características iniciales. Dentro de este grupo se encuentran los varistores de ZnO,
diodos avalancha y diodos rectificadores de Silicio.
Los dispositivos tipo crowbar tienen también un nivel muy elevado de impedancia por
debajo de un cierto nivel de tensión, pero al ser éste sobrepasado, adoptan un estado de
baja impedancia creando un cortocircuito a través de la línea, hasta que la corriente que
circula por ellos disminuye por debajo de un determinado nivel. Estos dispositivos evitan
que el voltaje supere cierto valor, generando un cortocircuito, pero el elevado valor de la
intensidad que se origina hace que se abra algún otro elemento de protección más lento
(fusibles, termomagnéticos). Por lo tanto dejan fuera de servicio al equipo que protegen
hasta que se produzca una intervención exterior. Dentro de este grupo se encuentran los
tubos de gas y los tiristores.
Los componentes más utilizados para limitar sobreesfuerzos en un circuito eléctrico de
baja tensión son los siguientes: descargadores abiertos (gaps), descargadores con
dieléctrico fijo o de flameo inverso, descargadores de carbón, descargadores de gas (tubos
de gas), varistores de Oxido de Zinc y de Carburo de Silicio y diodos supresores de selenio
y de Silicio. La Tabla 2.1 presenta las principales características de estos dispositivos
limitadores.
Los supresores de Selenio y los descargadores de carbón son limitadores que han caído en
desuso, debido a sus desventajas como limitadores (alto calentamiento, alto costo de
31
mantenimiento, riesgo de fuego, voltaje residual elevado, baja disponibilidad de voltajes
de limitación).
Los descargadores abiertos son utilizados en protecciones secundarias que utilizan el aire
como dieléctrico y su voltaje de encendido está influenciado por factores como la
humedad y las impurezas del aire. Los descargadores de carbón también son
descargadores abiertos pero con una baja capacidad de descarga.
Los descargadores de flameo inverso presentan un voltaje de encendido relativamente alto
(2 o 3 kV) y un voltaje residual elevado. Por otra parte los descargadores a gas o tubos de
gas están rellenos de un gas noble a una determinada presión y a diferencia de los
descargadores abiertos, la composición del gas noble permite un mecanismo de encendido
definido y más controlado.
Los varistores de Óxido de Zinc presentan una limitación de voltaje mejor que los de
Carburo de Silicio y están compuestos por granos de Óxido de Zinc cimentados dentro de
otros gránulos de óxidos metálicos. Su tiempo de respuesta es más rápido que el de un
descargador a gas, pero más lento que el de un diodo supresor de Silicio.
Los diodos de Silicio se caracterizan por su mecanismo de avalancha, su capacidad de
supresión de sobrevoltajes, rápido tiempo de respuesta, baja resistencia de conducción y
mejor capacidad de absorción de energía que un diodo tipo Zener.
Cada uno de estos dispositivos posee sus ventajas y desventajas, lo que los hace aplicables
a determinados casos de protección. Afortunadamente los equipos no necesitan que se
cumplan todos los requerimientos de protección y se pueden establecer conexiones y
combinaciones en serie y paralelo entre los dispositivos, buscando cubrir los casos más
extremos.

32
 Tabla 2.1 Comparación cuantitativa y cualitativa de los dispositivos limitadores de sobretensión
más usados en la actualidad
Características Descargador Descargador de Descargador de gas Varistor de ZnO Diodo supresor de
abierto (gap) flameo inverso (tubo de gas) Si
Ventajas • Intensidad de • Intensidad de • Alta capacidad • Tiempo de • Tiempo de
fuga nula fuga nula de disipación respuesta rápido respuesta rápido
• Baja • Baja capacidad energética • Bajo costo por • Voltaje de
capacidad • Alta capacidad • Buena resistencia Joule conducción muy
• Alta de disipación al calentamiento • Buena cercano al
capacidad de energética • Alta resistencia disponibilidad de voltaje de
disipación • Voltaje de • Baja capacidad voltajes de protección
energética encendido • Amplio margen limitación requerido
independiente de de voltajes • Buena intensidad • Buena
la pendiente del limitadores de fuga disponibilidad de
frente de onda • Larga vida • Buen voltajes de
• Nula intensidad funcionamiento limitación
de fuga en baja tensión
• Muy baja
resistencia en
conducción
• Seguridad
inherente por
cortocircuito
Desventajas • Son lentos • Voltaje de • Tiempo de • Mala disipación • Mala disipación
• Voltaje de encendido respuesta largo de energía de energía
encendido elevado (> 2kV) • Alto costo • Mala resistencia • Alto costo por
dependiente • Voltaje residual • Pueden quedar al calentamiento Joule
de elevado inoperantes con • Envejecimiento • Corriente
condiciones • Riesgo de fuego un voltaje • Alta capacidad admisible
atmosféricas excesivo limitada
• Riesgo de • Tiene voltaje de
fuego seguimiento
• Elevado • Puede aumentar
voltaje su voltaje de
residual reacción por
fugas
• Su voltaje de
encendido
depende de la
pendiente del
impulso aplicado
• No son
autoextinguibles
Voltaje nominal 90 – 60000 2000 – 3000 65 – 20000 10 – 2000 5 - 3500
de limitación [V]
Corriente de pico >100000 > 100000 200 – 60000 100 – 70000 5 - 250
máxima [A]
Tiempo de ~ 1µs ~ 1 µs ~ 500 ns – 1 µs 10 ns – 1000 ns 1 ps – 3 ns
respuesta
Intensidad de - - < 10-11 < 10-3 < 5·10-6
fuga [A]
Capacidad [pF] ~1 ~1 1 – 10 40 – 15000 30 – 10000
Energía en un 100 – 6000 100 – 6000 60 – 1000 10 – 1800 1.5 – 1.7
impulso [Joule]
Característica V/I Simétrica Simétrica Simétrica Simétrica Asimétrica
(unipolar)
Simétrica (bipolar)
Corriente Si Si Si No No
subsecuente
Voltaje residual a > 15 2 –10 2.5 – 25 1.7 1.65
10 A [V]

33
Para realizar un correcto modelado de protecciones se deben estudiar su principio de
funcionamiento, curvas características, circuitos equivalentes y especificaciones, con el fin
de identificar las distintas variables que determinan su comportamiento. Por tal razón en
los capítulos subsecuentes se hará una descripción detallada de estos aspectos para cada
dispositivo de protección en particular, y se plantearán los modelos recomendados para
su simulación.

2.2 Modelamiento de generadores de impulsos

En la protección integral de un equipo contra posibles transitorios y sobretensiones se
debe conocer el máximo voltaje soportable por éste sin sufrir daños, el cual depende de la
magnitud y la pendiente de la onda incidente [2]; al igual que la máxima energía que
puede llegar a disipar el dispositivo de protección antes de entrar en modo de falla, que
depende en gran medida de la máxima corriente transitoria que circulará a través del
dispositivo durante una sobretensión. Debido a esto, es importante predecir el
comportamiento de los descargadores de sobretensión ante perturbaciones, por medio de
impulsos simulados de corriente y voltaje. Los impulsos de corriente y voltaje aplicados a
los dispositivos simulados son del tipo 8/20 µs y 1.2/50 µs respectivamente, con las
especificaciones recomendadas por las normas IEEE C62.31 [4] e IEEE C62.33 [5].

2.2.1 Modelo de generador de impulsos de corriente

El programa ATP posee una librería de fuentes tipo impulso, para las cuales es difícil
asignar parámetros, puesto que los tiempos de frente y de cola no coinciden con los
valores normalizados o porque estos valores se hallan por ensayo y error; además no se les
puede asignar una polaridad negativa. Por tal razón se implementó un generador de
impulsos de corriente, como el de la Figura 2.1 [6].

Figura 2.1 Generador de impulsos de corriente tipo 8/20 µ S aplicando MODELS

Este generador consta de un generador convencional acoplado a un elemento de control

denominado MODEL DE CONTROL. El elemento de control incluye un model (Amp_i), que
nos permite variar la amplitud y polaridad de la onda dada por el generador convencional
sin necesidad de modificar los valores de los elementos que lo componen y cuenta además
con un dispositivo tipo TACS (TACSSOURCE) para hacer el acople de la onda resultante
con el circuito al cual se le aplicará el impulso generado. La filosofía de este generador de
impulsos se describe a continuación:
34
Con el generador convencional se obtiene una señal de amplitud A, la cual es censada por
el amperímetro I. Luego el model Amp_i toma este valor de corriente, lo transforma en un
valor unitario que a continuación es convertido al valor que el usuario haya determinado
externamente y finalmente entrega una señal al elemento tipo TACS. El dispositivo TACS
es necesario para acoplar la señal del model al circuito.
Con este MODEL DE CONTROL se asigna la amplitud, polaridad y tiempo de inicio y
final de la onda con gran facilidad. El programa implementado en MODELS es el
siguiente:

MODEL gen_imp
DATA a {dflt: 100} --- Amplitud del impulso
CONST k {val: 2.814E3} --- Constante de ajuste de amplitud
INPUT i --- Corriente censada por el amperímetro
VAR amp
OUTPUT amp
EXEC
amp:= a*I*k*t**1.1 --- Control de la amplitud
ENDEXEC
ENDMODEL

La Figura 2.2 compara un impulso obtenido utilizando el generador implementado en

MODELS con la fuente tipo impulso del ATP. se puede observar como el generador de
impulsos implementado en MODELS se ajusta mejor a los parámetros normalizados
correspondientes a la onda tipo 8/20 µs.

Figura 2.2 Formas de onda obtenidas al simular en ATP un generador de impulsos

de corriente tipo 8/20 µs: (1) Generador implementado en MODELS; (2) Fuente
tipo impulso propia del ATP

2.2.2 Generador de impulsos de voltaje

Aplicando el mismo principio anteriormente descrito, se implementó el generador de
impulsos de voltaje tipo 1.2/50 µs de la Figura 2.3. En este caso el model Amp_v toma una
muestra de voltaje y entrega a la fuente tipo TACS (TACSSOURCE) los parámetros para
que controle la amplitud, tiempo de inicio, tiempo de corte y la pendiente del frente de
35
onda a partir de las constantes t1 y t2 del model, cuyas instrucciones en MODELS son las
siguientes:

MODEL amp_v
DATA a {dflt: 100} --- amplitud del impulso (por defecto, 100 V)
CONST t1 {val: -0.4074e-6} --- Control del tiempo de frente
t2 {val: -68.22e-6} --- Control del tiempo de cola
--- t1= -0.407E-6 s para generar impulsos 1.2/50 us
--- t2= -68.22E-6 s para generar impulsos 1.2/50 us

INPUT v --- Voltaje censado

VAR amp, g, r
OUTPUT amp
EXEC
g:=1-exp(t/t1)
r:=exp(t/t2)
amp:=1.037*a*g*r --- Control de la amplitud
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD amp_v.a AS AMP

Figura 2.3 Generador de impulsos de voltaje tipo 1.2/50 µ s aplicando MODELS

El generador de impulsos posee una impedancia efectiva de salida, la cual es obtenida a

partir de la relación entre el voltaje de circuito abierto y la corriente de corto circuito(1); el
valor asignado para esta impedancia en las simulaciones fue de 2Ω, que es un valor típico.
La Figura 2.4 permite comparar un impulso obtenido al utilizar el generador
implementado mediante MODELS con la fuente tipo impulso del ATP para una misma
forma de onda. En esta Figura 5.4 se puede observar como el generador implementado en
MODELS se ajusta mejor a la forma de onda del impulso tipo rayo normalizado.

(1)Según recomendaciones de la Norma ANSI/IEEE C62.41-1980. La palabra “impedancia efectiva

se refiere a que el pico de voltaje de circuito abierto y el pico de corriente de corto circuito ocurren
en tiempos diferentes.
36
 Figura 2.4 Formas de onda obtenidas al simular en ATP un generador de impulsos
de voltaje tipo 1.2/50 µ s: (1) Generador implementado en MODELS; (2) Fuente
tipo impulso propia del ATP

2.3 Cálculo de Sobretensiones Inducidas por Rayos en

Líneas Aéreas (SIR)
Para establecer una protección eficaz contra las sobretensiones causadas por los rayos en
sistemas de distribución es necesario conocer, modelar y calcular la magnitud y la forma
de onda de los sobrevoltajes inducidos en las líneas aéreas. En este capítulo se presenta un
modelo para calcular los sobrevoltajes inducidos por rayos en líneas aéreas basado en los
trabajos de Hoidalen [10] y Arias [8].
En las referencias anteriores se realiza un trabajo teórico y matemático detallado para
obtener una ecuación que tiene en cuenta los parámetros más importantes para calcular los
sobrevoltajes inducidos por rayos en líneas aéreas. El punto de partida es la expresión
analítica para el cálculo de sobrevoltajes inducidos en líneas aéreas. Esta fue
implementada en el model SIR, el cual se valida comparando sus resultados con los
obtenidos en otros trabajos.

2.3.1 sobrevoltajes inducidos en líneas aéreas

Para calcular tanto la componente vertical como la horizontal de los campos eléctricos
generados por el canal de la descarga (líder y descarga de retorno) sobre la línea aérea, se
trabajan por separado el campo eléctrico generado por la carga del líder y se utiliza el
modelo clásico de antena, para calcular los campos eléctricos generados por la descarga de
retorno.
Con los campos eléctricos obtenidos, se utiliza el modelo de acoplamiento de Agrawal [14]
para los cálculos de los sobrevoltajes inducidos en líneas aéreas. La expresión analítica
para el cálculo de sobrevoltajes inducidos obtenida del modelo de Agrawal es
implementada en el model SIR en ATP/EMTP.

37
 Figura 2.5 Configuración considerada para el cálculo del voltaje inducido.

La configuración espacial usada en este trabajo para calcular el sobrevoltaje inducido en

una línea aérea se muestra en la Figura 2.5. La línea tiene dos terminales A y B con
coordenadas en el eje x de xA y xB respectivamente con xA > xB. La longitud de la línea es
L=xA-xB. El punto de observación tiene coordenadas (x, y, z).
La ecuación para el cálculo de tensiones inducidas por rayos en líneas aéreas se muestra en
la Ecuación 2.1

 x A + β 2 .η 
U indA (t ) = t ∈ [ t A ,t B ] t > tB
60.I 0 .z.βz.
. + 1 y
y 2 + β 2 .η 2 
 (v.t )2
( )(
+ 1− β . y + x
2 2 2
A ) 


60.I 0 .z.βz.  x A + β 2 .η x A − L + β 2 .η 
= . + 
y 2 + β 2 .η 2 
 (v.t )2 + (1 − β 2 )(. y 2 + x A2 ) (v.(t − τ ))2 + (1 − β 2 ).(y 2 + (x A − L )2 ) 

Ecuación 2.1

donde: t tiempo
z altura del punto de observación (Línea)
y, x posición del punto de observación en la tierra. X dirección a lo largo
de la línea aérea
c velocidad de la luz. c = 3.0*108 [m/s]
v velocidad de la corriente del rayo v = 1 – 2*108 [m/s]
I0 amplitud del paso de corriente
UindA voltaje inducido en el terminal A
xA coordenada x del terminal A en la línea aérea
L longitud del segmento de línea aérea (L = xA – xB)

x A2 + y 2 xB2 + y 2 L v
tA = , tB = , η = c.t − x A , τ = y β=
c c c c

El voltaje inducido en el terminal B se encuentra al sustituir -xB por xA en la Ecuación 2.1.

38
El modelo monofásico desarrollado con la Ecuación 2.1, es implementado en MODELS en
ATP. No hay ningún límite en el número de segmentos de línea que se pueden manejar,
salvo limitaciones de la memoria en el mismo ATP. Para líneas aéreas multifase (de
acuerdo a la Figura 2.5) se asume normalmente que los voltajes inducidos son iguales en
todas las fases. Cuando se tienen en cuenta las perdidas en la tierra, los voltajes inducidos
son medidos e incluidos en ATP por otros medios, un ejemplo lo encontramos en Arias [8].
El código del model realizado es el siguiente:

MODEL SIR
FUNCTION SQR(x):=x*x
CONST Tmax {val:500}
c {val:299792458}
Io {val:1}
INPUT I01AP, I01BP, U01AP, U01BP
DATA Y {dflt: 100}
XA {dflt: 1000}
XB {dflt: 500}
h {dflt: 6}
ZA {dflt: 500}
ZB {dflt: 500}
Im {dflt: 30000}
T1 {dflt: 0.000002}
T2 {dflt: 0.00005}
m {dflt: 5}
v {dflt: 150000000}

OUTPUT OutAP, OutBP

VAR UindA[0..1000],UindB[0..1000],dI[0..1000],Tr, Ti,I,e,dt,
OutAP, OutBP, ta, tb, b, n, L, x, Ko,
UrefAP, UrefBP
HISTORY UrefAP {DFLT:0}
UrefBP {DFLT:0}
INIT
dt:=timestep
FOR Ti:=0 TO Tmax DO
Tr:=Ti*dt
b:=v/c
L:=XA-XB
x:=XA
n:=c*Tr-x
Ta:=sqrt(x*x+y*y)/c
Tb:=sqrt(sqr(x-L)+y*y)/c
IF Tr>Ta
THEN
Ko:=60*Io*h*n*b/(sqr(y)+sqr(b*n))
IF Tr>Tb+L/c
THEN
UindA[Ti]:=Ko*((x+b*b*n)/sqrt(sqr(v*Tr)+(1-b*b)*(y*y+x*x))-
(x-L+b*b*n)/sqrt(sqr(v*(Tr-L/c))+(1-b*b)*(y*y+sqr(x-L))))
ELSE
UindA[Ti]:=Ko*((x+b*b*n)/sqrt(sqr(v*Tr)+(1-b*b)*(y*y+x*x))+1)
ENDIF
ELSE
UindA[Ti]:=0
ENDIF
x:=-XB
n:=c*Tr-x
Ta:=sqrt(x*x+y*y)/c
Tb:=sqrt(sqr(x-L)+y*y)/c
IF Tr>Ta
THEN
Ko:=60*Io*h*n*b/(sqr(y)+sqr(b*n))
IF Tr>Tb+L/c
THEN

39
 UindB[Ti]:=Ko*((x+b*b*n)/sqrt(sqr(v*Tr)+(1-b*b)*(y*y+x*x))-
(x-L+b*b*n)/sqrt(sqr(v*(Tr-L/c))+(1-b*b)*(y*y+sqr(x-L))))
ELSE
UindB[Ti]:=Ko*((x+b*b*n)/sqrt(sqr(v*Tr)+(1-b*b)*(y*y+x*x))+1)
ENDIF
ELSE
UindB[Ti]:=0
ENDIF
IF (Ti=0) THEN dI[0]:=0
ELSE
e:=exp(-(T1/T2)*exp(ln(m*T2/T1)/m))
I:=Im/e*exp(m*ln(Tr/T1))/(exp(m*ln(Tr/T1))+1)*exp(-Tr/T2)
dI[Ti]:=I*((m/Tr)/(exp(m*ln(Tr/T1))+1)-1/T2)
ENDIF
ENDFOR
Ti:=Tmax
WHILE Ti>1 DO
FOR Tr:=1 TO Ti-1 DO
UindA[Ti]:=UindA[Ti]+UindA[Tr]*dI[Ti-Tr]*dt
UindB[Ti]:=UindB[Ti]+UindB[Tr]*dI[Ti-Tr]*dt
ENDFOR
Ti:=Ti-1
ENDWHILE
Tr:=(XA-XB)/c
ENDINIT
EXEC
UrefAP:= ZA*I01AP+U01AP
UrefBP:= ZB*I01BP+U01BP
OutAP:=UindA[round(t/dt)]+delay(UrefBP,Tr-dt,1)
OutBP:=UindB[round(t/dt)]+delay(UrefAP,Tr-dt,1)
ENDEXEC
ENDMODEL

Nucci [15] implementa un modelo para cálculos de Sobrevoltajes Inducidos por Rayos en
el ATP/EMTP, la envuelve la modificación del código fuente del programa, lo que es
complicado para un usuario inexperto.

2.3.2 Validación del modelo

En esta sección se compararán los resultados de los cálculos realizados con el “Model SIR”
implementado en ATP, con resultados obtenidos en otro trabajo. Las localizaciones de los
impactos se denominan de la siguiente manera: α (impacto final) y χ (impacto lateral). Se
compararon los resultados del model SIR con los resultados del modelo de tensiones
inducidas por descargas indirectas en líneas de distribución, desarrollado por Guerreri
[16]. Las características de la simulación son las siguientes: una línea de un solo conductor
de largo L=1 km, ubicada a una altura promedio H=10 m sobre un plano perfectamente
conductor, aterrizada en sus extremos con resistencias iguales a la impedancia
característica de la línea Z=488 Ω. La corriente de descarga de retorno se asume como un
canal recto y vertical con un valor pico de corriente I=12 kA y con tiempo de frente y cola
t1/t2=0.5/23µs respectivamente. La ubicación de la descarga es χ=50m, la velocidad de la
descarga de retorno se asume como v=1.9*108 m/s.
El circuito implementado en ATP se muestra en la Figura 2.6.

40
 ZL= 488ohm ZL= 488ohm
A B
U U

Z=488ohm Z=488ohm

Figura 2.6. Circuito implementado en ATP.

En la Figura 2.7 se observa la tensión inducida en el extremo B de la línea, en el gráfico

2.7a) se compara con la denominada Total Voltage. El código del model utilizado para
simular este caso es el que se presentó anteriormente.

80
[kV]
60

40

20
0
-20

-40 (file st1fGUERRIERI.pl4; x-var t) v:B

-60
0 1 2 3 4 5 6 7 8
t[us]
a) b)
Figura 2.7. Voltaje inducido en cualquiera de los extremos de la línea.
a) Modelo de Guerreri. b) resultados obtenidos con SIR.

La principal ventaja del modelo SIR es su implementación en ATP, lo cual permite simular
sistemas de distribución más complejos. De esta forma es posible estudiar las posibles
consecuencias que los sobrevoltajes inducidos por rayos tienen sobre los equipos
conectados a la red de distribución, tales como transformadores, descargadores de
sobretensión y redes secundarias.
El Modelo SIR se presenta como una buena alternativa para el cálculo de sobretensiones
inducidas por rayos debido a que tiene en cuenta aspectos como el tiempo de viaje y las
reflexiones que la onda de voltaje tiene en la línea de distribución, que otros modelos no
desarrollan. Además el método de cálculo es simple, por lo cual no requiere el desarrollo
de métodos complejos como diferencias finitas ó simulación de carga, que requieren de
programas más complicados y de computadores con mayor capacidad. La implementación
y uso del Model SIR en el programa ATP no requiere ser un programador experto.

41
 Referencias Bibliográficas del capítulo 2

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low-voltage A.C. power circuits. 1991

[2] AVENDAÑO Carlos Alberto, OSPINA TORRES Ingrid. Comparación entre

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sobretensiones en Baja Tensión. Proyecto de grado. Universidad Nacional de
Colombia. Facultad de Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1998

[3] STANDLER Ronald. Protection of electronic circuit from overvoltage. John Wiley &
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surge-protective Devices. 1987.

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surge-protective Devices. 1982.

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ATP-MODELS de varistores y tubos de gas como elementos de protección en Baja
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Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1999.

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[8] ARIAS J. Análisis teórico experimental de la efectividad del sistema de protección

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Colombia. Tesis de Grado para Maestría en Alta Tensión. Universidad Nacional de
Colombia. 2003.
[9] ARIAS J, ROMÁN F. Análisis estadístico de señales inducidas por descargas
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Colombia. V Jornadas Latinoamericanas y II Iberoamericanas, La Habana, Cuba,
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Expenment. IEEE trans. on Power App. and Syst. Vol. PAS-103, No.9, pág. 2519-
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42
[12] THOTTAPPILLIL R. RAKOV V.A., UMAN M.A. Distribution of charge along the
lightning channel Relation to remote electric and magnetic fields to return stroke
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[14] AGRAWAL A. K., Et al. Transient response of multiconductor transmission lines

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MAZZETTI C. Lightning return stroke current models with specified channel-base
current: A review and comparison. J. Geophys Res., Vol. 95, No. D12, pág. 20395-
20408, November, 1990.

43
 3 Modelamiento de Descargadores de
Sobretensiones

Los descargadores de sobretensiones son elementos de protección diseñados para ser

usados en las áreas de baja, media y alta tensión. Estos dispositivos presentan una
característica tensión-corriente no lineal, disminuyendo su impedancia para valores de
voltajes superiores a un valor de referencia dado. Los descargadores son inherentemente
dispositivos bipolares, fabricados actualmente de mezclas de óxidos metálicos (de los
cuales el Zinc es el más representativo) y anteriormente a partir de Carburo de Silicio.
Están diseñados para soportar grandes esfuerzos de corriente (superiores a 1 kA pico para
8/20µs) y son fabricados con un disco de diámetro mínimo de 14 mm. Esta gran área
transversal hace que la densidad de corriente sea pequeña y por consiguiente su capacidad
(nF) sea grande.

3.1 Varistores de bajo voltaje

Figura 3.1 Aspecto físico de un varistor de bajo voltaje

“Varistor” es el nombre genérico dado a una resistencia variable en el tiempo que es

función del voltaje o la corriente y que decrece conforme la magnitud de estas variables
aumenta. Estos elementos tienen la mayor capacidad entre todos los dispositivos comunes
no-lineales de protección contra transitorios. Valores típicos de capacidad parásita están en
el rango de 0.2 a 15 nF. Varistores con pequeños valores de voltaje nominal o grandes
diámetros poseen un valor grande de capacidad parásita.
Los varistores tradicionales se fabrican en configuraciones tipo disco y tipo bloque. Los
tipo disco son varistores cilíndricos conectados con hilos de cobre estañados y con una
capa aisladora de resina epóxica de un milímetro de espesor, que los protege contra
influencias mecánicas y químicas. Los tipo bloque soportan corrientes del orden de los kA
y debido a las energías y fuerzas electromecánicas ocasionadas por esta alta corriente,
exigen conexiones metálicas atornillables. Para elevar la resistencia mecánica se coloca el
elemento varistor dentro de una caja plástica rellena con un compuesto aislante.

44
Los multicapa modernos constan de materiales cerámicos semiconductores y no están
limitados a un único plano de procesamiento, pese a que hace varios años, la mayoría de
ellos eran tipo disco (Figura 3.2a). Los adelantos tecnológicos en el área de materiales
cerámicos han permitido el desarrollo de varistores de mejor respuesta, mediante la
utilización de estructuras multicapa (Figura 3.2b) en lugar del procesamiento sobre un
único plano. Esta tecnología permite conducir altos valores de corriente.

Figura 3.2. Tecnologías utilizadas en la fabricación de varistores de óxido metálico

El dieléctrico de los varistores multicapa está formado de pequeños gránulos de Óxido de
Zinc (ZnO) dopados con Bismuto, Cobalto, Manganeso, y otros óxidos metálicos. La no
linealidad en la característica voltaje-corriente se debe a la formación de gran cantidad de
uniones Schottky entre los granos, estando la máxima densidad de corriente limitada por
la resistividad de los gránulos.
El campo de aplicación de los varistores de óxido metálico es amplio, utilizándose hoy por
hoy en los campos de energía, telecomunicación, electrónica de mediciones, control,
electrónica de potencia y otros.

3.1.1 Curvas características

Una curva V-I característica para varistores de óxido metálico se muestra en la Figura 3.3.
El varistor es un dispositivo asimétrico y bipolar, pues soporta voltajes tanto positivos
como negativos.
Las característica V-I para varistores debe ser determinada por mediciones hechas con
impulsos cortos de corriente (8/20µs) para evitar efectos de calentamiento del varistor.
Adicionalmente el intervalo entre sobrevoltajes consecutivos en el laboratorio debe ser
suficientemente prolongado para lograr que el varistor retorne a su temperatura normal

45
antes de la aplicación del siguiente impulso. La relación entre el voltaje y la corriente en un
varistor se puede expresar como:

I = k ⋅V α Ecuación 3.1

Siendo α el coeficiente de no-linealidad (puesto que caracteriza la región no lineal de la

curva V-I de un varistor), el cual depende fuertemente de la densidad de corriente, y por
lo tanto no es una constante. Por lo regular, α se estima, tomando dos parejas de valores
voltaje-corriente (V1,I1) y (V2, I2), de la curva característica V- I (Figura 3.3), así:
LogI − LogI
α= 2 1 Ecuación 3.2
LogV − LogV
2 1
Generalmente se toma I1 = 1mA e I2=1A. Un resistor ordinario debería tener α = 1 y como
regla general entre mayor sea α, mejor es la respuesta del varistor. Los modernos
varistores de óxido metálico tienen valores de α entre 25 y 60, lo que los ha convertido en
dispositivos de protección casi perfectos, siendo capaces de tener respuestas similares a los
diodos Zener y supresores, con tiempos de respuesta inferiores a 25ns.

Figura 3.3. Curva característica V-I de un varistor

Cuando la característica V-I es dibujada en una escala log-log (Figura 3.3), aparecen tres
regiones características de operación. A corrientes muy pequeñas, inferiores a 0.1mA el
varistor se comporta como un simple resistor (llamado Rleak o resistencia de fuga); para
corrientes muy prolongadas, superiores a 100A el varistor responde con la denominada
resistencia volumétrica (R Bulk). En la zona central el varistor obedece la Ecuación 3.1.

3.1.2 Especificaciones
Después de haber realizado la recopilación bibliográfica(1) (normas técnicas, proyectos de
grado, manuales, etc.) y analizado los distintos términos usados para la especificación de
varistores, presentamos a continuación aquellos términos que consideramos más
relevantes en el proceso de especificación de dichos dispositivos.

(1) Ver referencias [1], [2], [3], [4], [5], [6] y [16].
46
Indices de no-linealidad

Indice de corriente (β). Se define como:

Log (V / V )
β= 1 2 , β >1
Ecuación 3.3
Log ( I / I )
1 2

Indice de Voltaje (α). se define como:

Log ( I / I )
α= 1 2 ,α > 1 Ecuación 3.4
Log (V / V )
1 2
Para dos puntos (I1, V1) e (I2,V2) de la curva característica V-I del varistor (Figura 3.3.).
Voltaje nominal de conducción (VN)
El voltaje VN para el cual la corriente en el varistor es de 1 mA DC es usado como el voltaje
nominal de conducción y se especifica con una tolerancia de ± 10% para modelos con Vn ≥
33 V y de ± 30% aproximadamente, para voltajes inferiores [3].
Máximo voltaje AC continuo (maximum continuous AC voltage)
Es el máximo voltaje AC rms con una forma de onda de menos de un 5% de distorsión
armónica, la cual puede ser aplicada al componente bajo condiciones de operación
continua a 25°C de temperatura. Normalmente este valor será de 1.1 veces el valor del
voltaje nominal.
Máximo voltaje DC continuo (maximum continuous DC voltage)
Es el máximo voltaje DC con menos del 5% de rizado que puede ser aplicado al
componente bajo operación continua, a temperatura ambiente de 25°C.
Voltaje aplicado (supply voltage)
El voltaje al cual el sistema está diseñado y al cual se refieren ciertas características de
operación del sistema.
Voltaje a una corriente especificada
Es el voltaje, a una corriente DC especificada usado como un punto de referencia en las
características del componente.
Voltaje Residual (Voltaje bajo condiciones de impulso)
Es el valor pico del voltaje que aparece en los terminales del varistor cuando se le aplica un
impulso de corriente especificado.
Voltaje a un impulso de corriente tipo 8/20 us.
Es el pico de voltaje desarrollado entre los terminales del varistor bajo condiciones
atmosféricas estándar cuando se le aplica un impulso de corriente de 8/20 µs.

47
Voltaje de aislamiento (aplicable únicamente a varistores aislados)
Es el máximo voltaje pico que puede ser aplicado bajo condiciones de operación continua
entre los terminales del varistor y alguna superficie conductora.
Máxima corriente de choque permitida
Es la máxima corriente de impulso que puede circular por un varistor a una temperatura
ambiente de 25°C para un número de impulsos dados. Depende de la duración del
impulso y del número de cargas que debe soportar el varistor durante el tiempo total de
servicio. La corriente en función de estos parámetros puede obtenerse de las líneas
características derating (reducción por carga, Figura 3.4). Si no se sobrepasan los valores
máximos admisibles de corriente de choque, se garantiza que la tensión del varistor (y por
ende el nivel de protección) varía menos del 10%.

 1 Pulso
 10 Pulsos
 102 Pulsos
 103 Pulsos

Duración del
pulso

Figura 3.4. Curvas características de reducción utilizadas para determinar la

máxima corriente de impulso que puede circular por un varistor

Corriente de fuga (Leakage current)

Es la corriente que pasa a través del varistor al máximo voltaje DC continuo y a una
temperatura de 25°C ó a cualquier otra temperatura especificada.
Impulsos normalizados de corriente
Para efectos de normalización, en las pruebas que se le realizan a los varistores, IEC [5]
recomienda los siguientes tipos de impulsos:

48
 Figura 3.5. a) Impulso normalizado de corriente recomendado por la IEC [5], b)
Impulso normalizado de corriente aproximadamente rectangular, recomendado por
la IEC[5].

El primero tiene una forma de onda que se incrementa desde cero hasta un valor pico
en un corto tiempo, y después decrece hasta cero, ya sea exponencialmente o como una
sinusoidal fuertemente amortiguada. Este tipo de impulso está definido por el tiempo
de frente virtual T1 y el tiempo virtual hasta el valor medio T2 (Figura 3.5a).

El segundo tipo de impulso tiene forma aproximadamente rectangular y está definido

por la duración virtual del pico y la duración total virtual (Figura 3.5b).

Los parámetros utilizados en los impulsos normalizados de corriente son los siguientes:

Tiempo virtual de frente T1. Está definido como 1.25 veces el intervalo entre el
instante en que el pulso alcanza el 10 % y el 90% de su valor pico en el frente de la
onda.

Origen virtual O1. Es el instante en el cual la corriente alcanza el 10% de su valor pico
en un tiempo igual a T1/10.

Tiempo virtual hasta el valor medio T2. Es el intervalo de tiempo entre el origen
virtual y el instante en el que la corriente cae por primera vez a la mitad de su valor
pico.

Duración virtual del pico de corriente de una onda rectangular TD. Es el tiempo
durante el cual la corriente es superior al 90% de su valor pico.

Duración virtual total Tt. Es el tiempo durante el cual la amplitud del pulso es
superior al 10% de su valor pico.
Rango de temperatura
Es el rango de temperatura ambiente para el cual el varistor está diseñado para operar
continuamente.
Disipación nominal
Es la máxima disipación de potencia permitida para una temperatura ambiente de 25ºC.

49
Máxima absorción de energía
Es la máxima energía que puede absorber el varistor sin que se produzca daño, ya sea en
su parte externa o interna. Se calcula mediante:

Emax [J ] = Vmax·I max·t Ecuación 3.5

Vmax: máximo voltaje continuo de operación

Imax: máxima corriente de choque permitida
t : duración del impulso

Máxima carga permanente

Es la máxima potencia que el varistor está en capacidad de disipar permanentemente. Si se

eligen los varistores desde el punto de vista del máximo voltaje de operación, es seguro
que la potencia disipada en el varistor es inferior a la máxima carga permanente admisible.
Es importante respetar la máxima capacidad de carga permanente, por ejemplo para
impulsos de energía periódicos. Con la Ecuación 3.6 se puede calcular el mínimo intervalo
admisible (Tmin) entre impulsos de energía [4].

Tmin [s] = Eˆ / Pmax Ecuación 3.6

Ê: máxima energía posible

Pmax: máxima carga permanente admisible
Capacidad.
Es la capacidad medida entre los terminales del varistor.
Símbolos
Los símbolos utilizados para la representación de varistores de ZnO y SiC son los
indicados en la Figura 3.6:

Figura 3.6. Modelos de los varistores

3.1.3 Circuitos equivalentes

Los circuitos equivalentes más comunes que se utilizan para representar varistores de ZnO
se presentan a continuación:

50

Circuito convencional
El comportamiento del varistor se puede deducir a partir de cada uno de los márgenes de
corriente de la curva V-I (Figura 3.3). En la Figura 3.7 se muestra el circuito convencional
para un varistor [4].

Figura 3.7. Circuito equivalente de un varistor de ZnO (Tomado de la referencia [4])

En el margen de corriente de fuga la resistencia del varistor ideal (Rv) tiende a infinito, por
lo tanto puede ser despreciada. De igual forma tenemos que: Rb << Rz. Con esto se obtiene
el esquema equivalente de la Figura 3.8a. La resistencia óhmica Rz determina el
comportamiento del varistor para corrientes pequeñas y depende fuertemente de la
temperatura, por lo que con su aumento crece la corriente de fuga.
En la región de corriente nominal (10 -3 A a 10 A) la resistencia RV determina el
comportamiento eléctrico del varistor, ya que en esta zona Rv << Rz y Rb << Rv,
obteniéndose así el circuito equivalente de la Figura 3.8b. En esta zona la característica V -
α
I se ajusta con buen grado de aproximación a la ecuación I = kV . La característica ideal
del varistor, en el rango de algunos µA hasta los kA puede ser además expresada por
medio de una interpolación de la forma [6]:

Log (v) = B1 + B2 log(i ) + B3 exp(− log(i )) + B4 exp(log(i )) Ecuación 3.7

Donde los valores de B1 , B2 , B3 y B4 se obtienen a partir de cuatro puntos de la curva V-I

del varistor.
El valor de la resistencia del varistor ideal en el margen de alta corriente de choque tiende
a ser cero. Con esto se tiene RV << RZ y RV < Rb (Figura 3.8(c)). Finalmente, la resistencia
óhmica del ZnO hace que la curva característica V-I tienda de nuevo a un comportamiento
lineal después de evacuar a tierra la corriente de choque. En los esquemas equivalentes se
puede observar también la presencia de una capacidad C, la cual presenta valores
relativamente elevados (generalmente en el rango de 200-15000 pF). Esta capacidad
excluye a los varistores (si no se adoptan medidas adicionales como por ejemplo circuitos
en serie con diodos capacitivos ) de su aplicación en sistemas de alta frecuencia. Desde el
punto de vista de protección contra sobrevoltajes es deseable disponer de la capacidad
más grande posible, porque su carácter de filtro de baja frecuencia recorta flancos
empinados de sobretensión y mejora el nivel de protección.
51
 Figura 3.8. Circuitos equivalentes para cada márgen de corriente de la curva V-I de
un varistor de ZnO.
El tiempo de respuesta del varistor es del orden de los picosegundos(1). La inductancia de
los hilos de conexión L es la causa de que el tiempo de respuesta aumente hasta algunos
nanosegundos. Por eso se debe procurar una instalación de inductancia baja mediante un
montaje lo más próximo posible al objeto a proteger. Normalmente los hilos de conexión
no deben tener un efecto pronunciado sobre el tiempo de respuesta del varistor si su
inductancia es del orden de los nH [3].

Circuito propuesto por la IEEE

El grupo de investigación en modelamiento de descargadores de la IEEE [7] propone un

modelo para descargadores de sobretensión en media tensión, el cual es dependiente de la
frecuencia. La Figura 3.9 ilustra el modelo propuesto.

L0: Inductancia asociada a los campos

magnéticos en la vecindad del
descargador.
R0: Resistencia usada para dar estabilidad
númerica en las simulaciones.
C : Capacidad entre terminales del
descargador.
A0,A1: Resistencias no lineales
L1, R1: Filtro pasa bajos.

Figura 3.9. Circuito equivalente de un descargador de ZnO propuesto por IEEE [7]

Un factor utilizado para medir el tiempo de respuesta de un varistor es la inductancia parásita de

(1)

los conectores y de la envoltura o cerámica.

52
En este modelo, la característica no lineal V-I del descargador está representada por medio
de dos secciones de resistencias no lineales A0 y A1, separadas por el filtro pasa-bajos R1-
L1. Para sobrevoltajes de frente lento este filtro presenta una impedancia muy pequeña,
por lo cual las dos secciones no lineales están virtualmente en paralelo y para sobrevoltajes
de frente rápido, la impedancia del filtro R1-L1 llega a ser más significativa, por lo cual a
través de A0 circula más corriente que a través de A1. Además la característica V-I propia
de A0 presenta un voltaje más alto a una corriente I que la característica V-I de A1, como se
puede apreciar en la Figura 3.10.

Figura 3.10. Característica V-I en P.U. para las secciones no lineales A0 y A1 del
modelo propuesto por la IEEE
La función del filtro compuesto L1 y R1 se explica así:
- Para impulsos de corriente con frentes rápidos, la impedancia del filtro es alta y por
lo tanto solamente actúa la sección no lineal A0 que define un mayor voltaje a través
del modelo del descargador de sobretensiones, gracias a su característica V-I.
- Para impulsos de corriente con frentes lentos, presenta una impedancia baja y por
lo tanto las dos secciones no lineales del modelo A0 y A1 quedan en paralelo. Y por
lo tanto el voltaje a través del descargador es definido por la característica
resultante del paralelo entre los dos elementos, primando en este caso la de A1 con
un menor voltaje, por su menor resistencia.
Para encontrar cada uno de los puntos de las características V-I iniciales, correspondientes
a las resistencias no lineales A0 y A1, se deben aplicar las siguientes ecuaciones:

A0 = [ IR relativo para A0 (i )] ⋅ V10 / 1.6

Ecuación 3.8
A1 = [ IR relativo para A1 (i)] ⋅ V10 / 1.6

53
En donde los IR relativos para A0 y A1 pueden ser estimados de las curvas por unidad de
la Figura 3.10, a donde se acude una vez seleccionados los puntos de corriente que se
utilizan en la simulación. Es de anotar que V10 es el voltaje máximo obtenido al aplicar al
descargador un impulso de corriente tipo rayo de amplitud nominal con forma de onda
8/20µs.
El procedimiento es el siguiente:
- Leer el punto de corriente en el eje X.
- Subir verticalmente hasta encontrar el punto sobre la gráfica de A0 o A1 (cualquiera
que sea el caso).
- Desplazarse horizontalmente al eje Y, donde se ubica la magnitud del voltaje por
unidad correspondiente a esta corriente (IR relativo).
De esta manera se calcula el voltaje del descargador para cada punto de corriente de la
resistencia no lineal buscada. La Tabla 3.1 presenta valores exactos de los IR relativos para
algunos puntos de corriente, evitando así el procedimiento engorroso de leer el gráfico y la
posibilidad de cometer algún error de apreciación:

CARACTERÍSTICA V-I
Corriente [kA] Voltaje para A0 [p.u.] Voltaje para A1 [p.u.]
0.01 1.40 1.23
0.1 1.54 1.36
1 1.68 1.43
2 1.74 1.48
4 1.80 1.50
6 1.82 1.53
8 1.87 1.55
10 1.90 1.56
12 1.93 1.58
14 1.97 1.59
16 2.00 1.60
18 2.05 1.61
20 2.10 1.23

Tabla 3.1. Característica V-I para A0 y A1

El objetivo de este modelo es estudiar el comportamiento de un descargador ante
sobretensiones tipo maniobra y tipo rayo, dado que las frecuencias de estas sobretensiones
son diferentes. Para sobretensiones temporales y por conmutación el comportamiento del
descargador es analizado a partir de pruebas realizadas a baja frecuencia, con ondas
semisinusoidales de 1 ms en el frente.
Para estudiar el comportamiento ante sobretensiones tipo rayo, se usan impulsos de
corriente con frentes de onda entre 0.5 y 40 µs. Las siguiente fórmulas se pueden utilizar
para estimar los parámetros iniciales del circuito equivalente [ 7]:
L1 = 15·d/n[µH]
R1 = 65·d/n [Ω]
L0 = 0.2·d/n [µH] Ecuación 3.9
R0 = 100·d/n [Ω]
C = 100·d/n [pF]

54
Donde:
n: número de columnas de varistores
d: altura estimada del descargador [m]
El paso final en el proceso de modelado requiere un ajuste en los valores encontrados. Este
proceso se lleva a cabo de la siguiente forma:
- Ajuste de las características no lineales A0 y A1 con sobrevoltajes de tipo maniobra
Al circuito de la Figura 3.9 se le aplica un impulso de corriente que debe tener la
misma magnitud y forma de onda que la usada por el fabricante, para determinar
la onda de voltaje del descargador y examinar su valor máximo. Las resistencias no
lineales A0 y A1 son usadas para ajustar el valor pico de la onda de voltaje de
maniobra. Es de aclarar que en la mayoría de los casos no es necesario realizar este
ajuste, debido a que los valores iniciales tienen una buena aproximación con
respecto a las medidas obtenidas por los fabricantes para una onda de corriente
tipo maniobra.

- Ajuste de L1 con los voltajes V10. El modelo con las resistencias no lineales
corregidas se prueba con impulsos de corriente tipo rayo y con la magnitud usada
por el fabricante para este tipo de prueba. Este ajuste se lleva a cabo modificando el
parámetro L1 a partir de su valor inicial por ensayo y error (generalmente
multiplicando o dividiendo por dos la magnitud de la inductancia, según sea el
caso), hasta encontrar el valor pico en la forma de onda del voltaje del descargador,
el cual debe tener una magnitud igual o cercana al valor encontrado por el
fabricante y consignado en los catálogos.

Circuito con inductancia no lineal

El modelo del descargador de óxido de metal con inductancia no lineal, pretende
presentar respuestas de voltaje ante impulsos de corriente tipo rayo con frente rápido, en
el rango de 0.5µs ≤ t ≤ 10µs, teniendo mejor aproximación en la primera mitad del
intervalo. Comprende entre las formas de onda los impulsos estándar de corriente y
especialmente el impulso tipo paso frontal2 (1/2µs), importante en la coordinación de
aislamiento. El modelo de inductancia no lineal consiste en una resistencia no lineal en
serie con una inductancia no lineal (Figura 3.11). Este modelo representa la característica
dinámica o dependiente de la frecuencia, explicada anteriormente.

Figura 3.11. Modelo de Inductancia no Lineal

2 Steep Front Wave, traducido por los autores como Onda tipo paso frontal o escarpada.
55
Las características no lineales de los elementos se consiguen a partir del lazo de histéresis,
que se construye de las características V-I a impulso estándar (modelo convencional) e
impulso paso frontal.

Ambas características se consiguen generalmente en catálogos de fabricantes. De lo

contrario a partir de la característica al impulso estándar se puede calcular la característica
al impulso tipo paso frontal, como se verá más adelante.
Los pasos siguientes ilustran el proceso de construcción y cálculo del modelo
Construcción del lazo de histéresis. El lazo de histéresis como se mencionó anteriormente se
construye a partir de las características V-I a impulso estándar y V-I a impulso tipo paso
frontal.

Figura 3.12. Construcción del lazo de histéresis para el modelo de inductancia

no lineal.
El lazo de histéresis de la Figura 3.12, consiste en la curva de subida (OSHT) y en la
curva de bajada (TLO), donde:
S: Es el voltaje residual del descargador a 1mA (voltaje de referencia).
L, H: Puntos de corriente nominal del descargador.
T: Punto donde la corriente es 1.5 veces la nominal del descargador.

La porción de bajada de L a cero (curva L0) es la característica V-I del modelo

convencional. La porción de curva SH es construida al levantar la curva 0L a lo largo del
eje Y.
La diferencia en porcentaje entre los voltajes pico obtenidos con impulsos de corriente tipo
paso frontal y con impulso tipo estándar, se puede calcular de la Ecuación 3.10. Esta
magnitud se da como un porcentaje del voltaje a impulso de corriente tipo estándar.

RR = ( PV 1 − PV 8) ⋅ 100 / PV 8 Ecuación 3.10

Donde:
RR: Es la diferencia entre los voltajes pico obtenidos con los impulsos tipo paso frontal
y tipo estándar, vista como un porcentaje del segundo.

56
 PV1: Es el voltaje pico ante un impulso de corriente tipo paso frontal (en cada punto)
PV8: Es el voltaje pico ante un impulso de corriente tipo estándar (en cada punto) [V].
Para construir el lazo de histéresis del modelo, la curva L0 se eleva a lo largo del eje Y, a
una distancia determinada hasta conseguir la curva 0SH. Para lograrlo se presentan las
siguientes pautas:
- Los puntos comprendidos entre los valores de corriente de 1mA a la corriente nominal
se elevan sumando a ellos las magnitudes obtenidas de multiplicar por 1.5 las
cantidades (PV1-PV8).
- El punto superior T (corriente igual a 1.5 veces la nominal) es construido levantando la
curva del modelo convencional una cantidad 1.5/2 multiplicado por (PV1-PV8).
- Los puntos H y T son conectados directamente, del mismo modo que los puntos T y L.
- La cantidad de puntos que se seleccionen para trazar el lazo tendrán que ver con las
limitaciones del programa, teniendo en cuenta que la realización del modelo no sea en
exceso dispendiosa.
Método de cálculo de la inductancia no lineal. La inductancia no lineal es calculada con
la característica de histéresis V-I construida en el numeral anterior y que se muestra en la
Figura 3.12. Para efectos del cálculo de la inductancia no lineal, el tiempo de integración se
selecciona igual al tiempo de duración del frente del impulso tipo paso frontal.
El voltaje total a través del bloque del descargador, se divide entre la resistencia no lineal
R(i) y la inductancia no lineal L(i), construyendo de esta manera la Ecuación 3.11 :
di
VT (t ) = VR (t ) + VL (t ) = R(i ) ⋅ i (t ) + L(i ) ⋅ Ecuación 3.11
dt
En donde a VT(t) se le asignan los
valores de la porción de curva 0SHT y a la resistencia no lineal se le asigna la característica
del modelo convencional, curva 0L y la porción LT, Figura 3.12. El voltaje aplicado a la
inductancia no lineal es despejado de la Ecuación 3.11, dando como resultado el voltaje
obtenido de restar el voltaje de la resistencia no lineal del voltaje total, y de ésta se despeja
la inductancia obteniendo la Ecuación 3.12 que describe el comportamiento de la
inductancia no lineal.

VT (t ) − VR(t ) VT (t ) − R(t ) ⋅ i (t ) Ecuación 3.12

L(i ) = =
(di / dt ) (di / dt )
Debido a que el formato de entrada de la inductancia no lineal en el programa ATP/EMTP
es corriente-flujo, éste se calcula integrando la inductancia con respecto a la corriente, así:

φ = ∫ L(i ) ⋅ di Ecuación 3.13

Obteniendo finalmente la ecuación integral en el dominio del tiempo de la que se calcula

el flujo:

φ = ∫ [VT (t ) − R(i ) ⋅ i (t )]dt = ∫ [VT (t ) − R(i ) ⋅ i (t )]dt Ecuación 3.14

Programa para el cálculo de la inductancia no lineal. El cálculo de los parámetros de

dicha inductancia puede hacerse manualmente siguiendo el método explicado
57
anteriormente o mediante la creación de un programa, que pueda implementarse en
herramientas computacionales, que faciliten el procedimiento para la obtención de los
datos.
El diagrama de flujo del programa es mostrado en la Figura 3.13. Al menos 10 puntos de
voltaje-corriente del modelo convencional son necesarios para derivar el modelo de
inductancia no lineal.

Figura3.13. Diagrama de flujo para el programa de cálculo de la inductancia no lineal.

Cálculo de parámetros para L no lineal mediante la subrutina SATURA

Esta subrutina del ATP permite calcular los puntos de corriente-flujo necesarios para la
implementación de la inductancia no lineal, a partir de los puntos de corriente-voltaje
obtenidos de cualquier prueba. De esta manera se convierte en otra posibilidad para
conseguir dichas magnitudes.
Modelo modificado del descargador de óxido de metal con inductancia no lineal
El modelo de inductancia no lineal modificado, pretende solucionar los problemas
evidenciados en el modelo de inductancia no lineal, los cuales consisten en unas pequeñas
oscilaciones presentadas en la curva de voltaje-tiempo, que al ser observadas en la curva
voltaje-corriente se magnifican y de esta manera oscilan alrededor de los valores
esperados para el modelo.
Dicha situación no permite observar el lazo de histéresis que presenta el elemento en la
realidad.

58
La construcción del modelo se lleva a cabo de la misma manera que la del modelo de
inductancia no lineal, con la diferencia que en el modelo modificado se agrega una
resistencia lineal en paralelo con la inductancia no lineal (Figura3.14).

Figura3.14. Modelo de inductancia no lineal modificado

La función de dicha resistencia es estabilizar la integración numérica en el programa
digital, evitando así la presencia de las oscilaciones en la curva voltaje-tiempo y por lo
tanto en la curva voltaje-corriente.
La magnitud de dicha resistencia se puede obtener Con una tabla de valores obtenida por
los autores de este libro, de la cual es posible obtener el valor de la resistencia lineal (Tabla
3.2), interpolando de manera lineal para puntos no anotados. La Tabla 3.2 relaciona la
magnitud del valor de la resistencia con el voltaje V10.

TABLA PARA EL CÁLCULO DE R LINEAL

V10 [kV] Ω]
R [Ω
36 0,609
130 2,200
260 4,400
432 7,311
620 10,492
749 12.675
Tabla 3.2. Tabla para el cálculo de R lineal.
Es de anotar que la relación entre los dos parámetros es lineal y es válida para voltajes con
magnitudes en kilovoltios (Véase Figura 3.15).

59
 Figura3.15. Curva para la obtención de R lineal en el modelo de inductancia
no lineal modificado.

3.2 Descargadores de ZnO en media tensión

Figura 3.16. Aspecto físico de los descargadores de sobrevoltajes empleados en

media tensión.
Los descargadores de ZnO son dispositivos de protección diseñados para ser usados en las
áreas de media y alta tensión. Su funcionamiento es similar al de los varistores, descrito
anteriormente, dado que su componente principal es la resistencia de óxido metálico.
Cuando se presenta un sobrevoltaje que alcance un valor tal, que haga que los
microvaristores (componentes de la resistencia de ZnO) alcancen su voltaje de reacción, se
inicia el proceso de evacuación a tierra de la corriente de descarga.
Entre los terminales del descargador se presenta entonces el denominado voltaje residual,
cuando la corriente de descarga alcanza su mayor magnitud.

Al duplicar el espesor de la resistencia se duplica también la tensión de reacción, ya que

hay doble número de microvaristores en serie. Al duplicar el área transversal se duplica la
capacidad de descarga, pues hay doble número de vías de corriente en paralelo. Al
duplicar el volumen, se duplica aproximadamente la capacidad de absorción de energía.

Aprovechando estas propiedades, es posible utilizar dentro de una sola cubierta

resistencias de ZnO conectadas en serie (para aumentar la tensión de reacción) o paralelo
(para elevar la capacidad de descarga).

3.3 Modelamiento de varistores

El modelo que representa el comportamiento dinámico de un varistor se implementa en el
programa ATP a partir de las curvas características V-I suministradas por los fabricantes u
obtenidas mediante pruebas de laboratorio, ya sea como una resistencia no lineal
dependiente de la corriente (de manera discreta) construida a partir de puntos de la curva
V-I, o utilizando models a partir de ecuaciones representativas de dichas curvas (de manera
continua).
A los modelos implementados se le aplicaron impulsos de voltaje, de corriente (8/20 µs) e
impulsos a frecuencia industrial y se graficaron las señales de voltaje, corriente, potencia y
60
energía en el varistor y la característica V-I. A continuación se presentan los modelos de
varistores implementados.

3.3.1 Modelo convencional del varistor de óxido metálico

Este modelo permite representar un varistor a partir de una resistencia no lineal que varíe
con la corriente y que presente un comportamiento altamente exponencial, característico
de los varistores. La Figura 3.17 presenta los modelos implementados en ATP para
representar esta característica. Los elementos L, Rv, Rb, Rz y C corresponden a los
parámetros del varistor, donde:

- Rv, es la resistencia no lineal ideal del varistor.

- Rb, representa la resistencia de los gránulos de Óxido de Zinc, que es de algunos
mΩ [3]. Para las simulaciones se utilizó un valor de 4 mΩ.
- Rz, es la resistencia de fuga.
- C, es la capacidad entre la envoltura del varistor y los gránulos de Óxido de Zinc.
- L, es la inductancia de línea (de los cables de conexión)

Los valores de C, Rz, y L se muestran en la Tabla 3.3, construida con base en catálogos de
fabricantes [6].

Figura 3.17. Modelado convencional de varistores en ATP: (a) Utilizando la

resistencia no lineal tipo 99; (b) y (c): utilizando la subrutina MODELS

Voltaje Valor de C Valor de L Valor Rz

Referencia
nominal (v) (pF) (nH) (MΩ )
B32K150 150 3700 10 100
B60K250 250 7100 10 100
B32K750 750 800 10 100
Tabla 3.3. Valor de los componentes utilizados en la simulación de
varistores de óxido metálico

En el circuito mostrado en la Figura 3.17a, se utiliza el componente no lineal tipo 99 del

programa ATP-EMTP, al cual se le asigna un listado de puntos propios de la característica
61
V-I tomados de catálogos de fabricantes u obtenidos por medio de pruebas de laboratorio.
La Tabla 3.4 muestra algunos puntos significativos voltaje-corriente de estas curvas, para
varistores con voltajes nominales de 150 V, 250 V, y 750 V.

Voltaje nominal (V)

I [A]
VN = 150 VN = 250 VN = 750
1E-5 160 170 632
1E-4 195 260 870
1E-3 230 420 1400
1E-2 280 434 1440
1E-1 300 465 1570
1 320 505 1600
10 350 532 1650
100 360 600 1850
500 420 632 2000
1000 440 700 2120
10000 800 920 2550

Tabla 3.4. Característica V-I para diferentes varistores de óxido metálico

Una forma alterna para modelar la resistencia no lineal propia del varistor de óxido
metálico, se logra introduciendo las ecuaciones que representan su comportamiento no
lineal a la subrutina MODELS. Algunas de estas ecuaciones se relacionan en la Tabla 3.5 y
fueron encontradas por regresiones realizadas sobre las curvas proporcionadas por los
fabricantes, utilizando las siguientes ecuaciones:

v = k·i α Ecuación 3.15

log (v) = a + b· log (i) + c·e − log (i) + d·e log (i) Ecuación 3.16

La Ecuación 3.15, es válida para la región de corriente nominal, mientras que la Ecuación
3.16, es válida para todo rango de corriente. Los valores de a, b, c y d se obtienen a partir de
cuatro puntos de la característica V-I y la Tabla 3.5 resume las constantes halladas para los
varistores simulados.

Voltaje Datos para el módulo mov2 Datos para el módulo mov

nominal 0 ≤ i < 1000 (i nominal) Para todo rango de corriente
(V)
k α a b c d
150 324.5 0.04576 2.513 4.134e-2 -8.82e-4 5.24e-4
250 513.73 0.03537 2.705 2.468e-2 -5.28e-3 3.297e-3
750 1643.17 0.02790 3.171 4.051e-2 4.783e-3 1.334e-3
Ecuación v=k·iα Log(v)=a+b·log(i)+c·exp(-log(i))+d·exp(log(i))
Tabla 3.5. Parámetros para las ecuaciones que representan varistores de ZnO
62
Los módulos realizados en ATPDRAW para representar estas ecuaciones, se aprecian en
la Figura 3.17 (b) y (c), donde los recuadros representan la característica no lineal del
varistor de ZnO, compuesta por una resistencia controlada por model Rv y su bloque de
control (MOV y MOV2 respectivamente) cuyos requerimientos se observan en las Figuras
3.17 (a) y (b). La resistencia controlada es el elemento denominado TACSRES, propio de la
librería branch nonlin del ATPDRAW y sus requerimientos se aprecian en la Figura 3.17c.

Los módulos MOV y MOV2 representan el control para Rv y son introducidos en

MODELS, utilizando la Ecuación 3.15 (para el módulo MOV2) y la Ecuación 3.16 (para el
módulo MOV), cuyas entradas son la corriente censada a través del varistor y las
constantes a, b, c, y d representativas de las curvas. Después de ejecutar las ecuaciones,
estos módulos entregan una señal de control en el tiempo para la resistencia, que
determinará el comportamiento no lineal del varistor. El siguiente es el texto
correspondiente a los models ([Link] y [Link]):
MODEL MOV2 { [Link]
C Modelo de varistor de ZnO aplicando la ecuación v=k*(i)b
DATA k {dflt: 305.7} --- k= 305.7 y b= 0.04818 para vn=150 v
--- k= 513.73 y b= 0.03537 para vn=250 v
--- k= 1643.17 y b= 0.02790 para vn=750 v
b {dflt: 0.04818}
INPUT i --- Corriente censada
VAR z,r,
OUTPUT r --- Resistencia de Óxido metálico
EXEC
z:=k*(abs(i))**b
if i>=0 then
r:=z*recip(i) {max:9e2}
else
r:=-1*z*recip(i) {max:9e2}
endif
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD MOV2.i AS inp_i
MOV2.r AS r

MODEL MOV { [Link]

C Modelo de varistor de ZnO aplicando la ecuación
C Log(v)=a+b·log(i)+c·exp(-log(i))+d·exp(log(i))
DATA a {dflt: 2.705}
b {dflt: 2.468e-2}
c {dflt: -5.282e-3}
d {dflt: 3.297e-3}
INPUT i, --- Corriente censada
VAR x, y, z, r, v, u, g
OUTPUT r --- Resistencia de óxido metálico
EXEC
x:=log10(abs(i))
y:=exp(x)
z:=recip(y)
u:=a+b*x+c*z+d*y
g:=10**u
IF i>0 THEN r:=g*recip(i) {max: 1000}
ELSE r:=-1*g*recip(i) {max: 1000}
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD MOV.i as INPUT
MOV.r as r

63
3.3.2 Comparación y análisis de los resultados obtenidos en la simulación
de varistores en ATP
A continuación se presentan los resultados de las simulaciones correspondientes a los
distintos modelos implementados en ATP para un varistor de ZnO (S20K150 de
SIEMENS) cuyas especificaciones son las siguientes:

Voltaje nominal A.C. : 150 V

Voltaje nominal D.C. : 200 V

Máxima absorción de energía: 240 J (2 ms).

Voltaje residual: 395 V.

Capacidad típica: 3700 Pf

Los resultados experimentales que se usaron para hacer el análisis (Figura 3.18) fueron
tomados de la referencia [18] y presentan las siguientes características:

Impulso de corriente aplicado: -536.7 A (8/20 µs).

Voltaje máximo residual obtenido: 400.9 V

Simulación en ATP del varistor de ZnO aplicando el modelo convencional

La Figura 3.19 presenta los resultados obtenidos al simular en ATP los casos propuestos
para el modelo convencional del varistor de ZnO. Comparando la Figura 3.19 con la
Figura 3.18 se puede observar que:

En la gráfica experimental el pico de voltaje se presenta antes que el pico de corriente

(en un t ≈ 5µs), mientras que en las gráficas obtenidas en la simulación estos valores se
presentan simultáneamente (t = 12 µs); a su vez, la curva V-I obtenida en la simulación
evidencia este aspecto, ya que claramente se aprecia que no presenta el lazo de
histéresis típico de los varistores. Esto es debido a que el modelo convencional no
permite modelar el desfase, pues no es variable con la frecuencia.

El valor de voltaje que más se aproxima al máximo voltaje residual experimental es el
obtenido mediante la resistencia no lineal propia del ATP, con un error del 1.3%,
mientras que el que menos se aproxima a este valor máximo es el obtenido mediante el
model [Link], con un error estimado del 5.8%.

64
 Figura 3.18. (a) Oscilograma correspondiente al voltaje residual en
varistor de ZnO de 150 V. (b) impulso de corriente de 536,7 A pico
aplicado

Figura 3.19. Resultados de la simulación en ATP de un varistor de ZnO

aplicando el modelo convencional así:
(1) Impulso de corriente aplicado (8/20 µS).
(2) Voltaje entre terminales del varistor utilizando el model [Link]
(3) Voltaje entre terminales del varistor utilizando el model [Link]
(4) Voltaje entre terminales del varistor utilizando la resistencia no lineal tipo 99

Las curvas obtenidas en la simulación se ajustan mejor a los datos de las curvas
experimentales al utilizar models (curvas 2 y 3) que al utilizar la resistencia tipo 99 del
ATP (curva 4).

La curva experimental presenta algunas oscilaciones antes de alcanzar el voltaje pico,
posiblemente ocasionados por problemas de medición o montaje y que no se observan
o son muy leves en las simulaciones.
65
 Referencias Bibliográficas del capítulo 3

[1] International Standard IEEE C62.41. IEEE Recommended practice on surge voltage in
low-voltage A.C. power circuits. 1991
[2] [Link] Varistores multicapa
para protección frente a ESDs. TRANSGUARD. 1998
[3] STANDLER Ronald. Protection of electronic circuit from overvoltage. John Wiley &
and sons. USA 1989.
[4] SIEMENS. Catálogo de descargadores de sobretensión rellenos de gas noble y
varistores de óxido metálico. 1985-86
[5] International Standard IEC 1051-2. Sectional Specifications for Suppression Varistors.
1991.
[6] SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS. SIOV Metal oxide Varistors. Short Form.
Catalog. Austria. 1996.
[7] International Standard ANSI/IEEE C62.33. Standard Test Specifications for Varistor
surge-protective Devices. 1982.
[8] FUNABASHI Toshihisa, KIM Ikmo, SASAKI Haruo. HAGIWARA Toyohisa.
KOBAYASHI Misao. Study of ZnO arrester model for steep front wave. IEEE
transactions on power delivery, Vol 11. # 2. Abril 1992.
[9] SIEMENS. Catálogo gas filled surge arrester. Edition 6. 1990
[10] International Standard IEEE C62.42. Guide for the application of gas tube and air gap
arrester low-voltage. 1992.
[11] TANG Hong . Transient control in low voltage power installation networks and
electrocnic systems. Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive Summaries of
Uppsala Dissertations fromthe Faculty of Science and Technology. 297 pp.
UPPSALA. Sweden. 1997.
[12] ENGEL T.G, DONALDSON Anthony, MAGNE Kristiansen. The pulse discharge
arc resistance and its functional behavior. IEEE transactions on plasma sciense, Vol
17, #2, April 1989.
[13] AKIYAMA H. Current voltage characteristics of a high-current pulsed discharge in
air. IEEE Transactions on plasma science. Vol. 16, pp 312-316. April, 1988.
[14] BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis. Electrónica: Teoría de Circuitos. Ed.
Reverté. Prentice-Hall Iberoamérica. México. 1983.
[15] KAUFMAN Milton, SEIDMAN Arthur, SHENEMAN Perry. Electrónica Moderna
Practica. Editorial McGraw-Hill. Tomos I y II. Colombia. 1990.

66
[16] NERNAL S. Modelo integral de protecciones y transformador de distribución para el
ATP/EMTP y PSPICE, Tesis de grado para optar el título de ingeniería eléctrica,
Universidad Nacional de Colombia, Director Francisco Román, 1999.
[17] RAMIREZ L. César. RODRÍGUEZ J. Fredy. BORBÓN B. Mario. Modelamiento en
ATP-MODELS de varistores y tubos de gas como elementos de protección en Baja
Tensión. Proyecto de grado. Universidad Nacional de Colombia. Facultad de
Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1999.
[18] AVENDAÑO Carlos Alberto, OSPINA TORRES Ingrid. Comparación entre
varistores de Oxido metálico y descargadores a gas para protección contra
sobretensiones en Baja Tensión. Proyecto de grado. Universidad Nacional de
Colombia. Facultad de Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1998

67
 4 Diodos Supresores de Sobretensiones

Los diodos Zener y avalancha son usados tradicionalmente para regular voltajes y
mantener un valor bajo de corriente, pero pueden no ser apropiados en la protección
contra sobrevoltajes, porque no han sido diseñados para soportar grandes corrientes
durante un periodo de tiempo prolongado; por ello se han desarrollado ciertos diodos tipo
avalancha denominados diodos supresores, con características especiales para soportar este
tipo de corriente.

Figura 4.1. Aspecto físico de un diodo supresor

4.1 Curvas características

Los diodos se caracterizan por alcanzar un voltaje disruptivo inverso Vz a un cierto nivel
de corriente Iz. el cual es altamente influenciado por la temperatura, pero es usualmente
cercano a 1 µA para diodos de Silicio y de 100 µA para diodos de Ge; para diodos
supresores de picos es generalmente de 1 mA. La Figura 4.2 muestra la curva característica
V-I típica para un diodo Zener.
Si el voltaje de polarización inversa del diodo (Vz) se vuelve más y más negativo, se
alcanza un punto en el cual los denominados portadores minoritarios(3) alcanzan
suficiente velocidad para liberar portadores adicionales por ionización, los cuales
colisionan con electrones de valencia y les imparten suficiente energía para permitirles
abandonar el átomo.

(3) Los portadores minoritarios son los huecos presentes en un material tipo n.
68
 Figura 4.2. Curva característica V-I para diodos zener
Estos portadores adicionales pueden ayudar al proceso de ionización hasta un punto en el
cual se alcanza una gran corriente (denominada de avalancha) y se establece la región de
ruptura por avalancha.
Cuando el voltaje de ruptura Vz disminuye a niveles muy bajos, tales como –5 V, ocurre
otro mecanismo denominado ruptura Zener, que contribuirá a un cambio abrupto en las
características del diodo, debido al alto campo eléctrico en la región de unión p-n(4) del
diodo que puede romper las fuerzas de unión y generar portadores [4].
En general los diodos con voltajes de ruptura inversa inferiores a los 5 V usan el
mecanismo Zener y cuando este voltaje supera los 8 V usan el mecanismo de avalancha
[1]; cuando el voltaje de ruptura se encuentra entre los 5 y los 8 V se presentan ambos
mecanismos.

Figura4.3. Curva característica V-I para diodos avalancha

(4)La unión p-n es el límite existente entre las regiones p (compuesta por impurezas de cinco
electrones de valencia, como el fósforo) y n (compuesta por impurezas de silicio contaminado).
69
La Figura 4.3 muestra la curva característica para un diodo tipo avalancha. Estos diodos
son ampliamente usados como reguladores de voltaje, puesto que en la región de ruptura
la magnitud de dV/dI es muy pequeña. La relación entre el voltaje y la corriente para
diodos Zener y avalancha en la región inversa puede ajustarse a la misma expresión
matemática usada para los varistores:

I = k ⋅V α Ecuación 4.1
Siendo: I es la corriente a través del dispositivo, V es el voltaje que aparece entre
terminales, α el coeficiente de no linealidad y k una constante que varía de acuerdo con la
geometría y material de construcción de los diodos. El valor de la constante α para un
diodo Zener oscila entre 7 y 9 (cuando el voltaje de polarización inversa del diodo está
entre 3.3 V y 3.9 V), mientras que para diodos avalancha oscila entre 80 y 700 (para voltajes
de polarización inversa de 5.6 a 200 V) [1].

4.2 Especificaciones técnicas

Los siguientes son los principales parámetros que se tiene en cuenta para especificar
diodos tipo Zener [5]:

Voltaje Zener (Vz).

Es el voltaje nominal al cual el diodo Zener comienza a regular.
Corriente de Codo (IZK).
Corriente mínima necesaria para el funcionamiento del diodo Zener.
Corriente Zener máxima (IZM).
Corriente máxima que puede circular por un diodo Zener.
Impedancia Zener (ZZ).
Indica cambios en el voltaje Zener ocasionados por pequeños cambios en la corriente
Zener con respecto a una corriente de prueba especificada.
Capacidad (C).
Es la capacidad entre los terminales de un diodo en un estado de polarización directa o
inversa.
Potencia disipada (P).
Máxima potencia que puede disipar un diodo.
Corriente tipo D.C. en inversa (IR).
Es la corriente de fuga que circula a través de un diodo polarizado en inversa.
Corriente tipo D.C. en directa (IF).
Circulación de corriente directa a través de un diodo polarizado en directa.
Tiempo de recuperación en sentido inverso (trr).

70
Es el tiempo necesario para que el voltaje o la corriente inversa alcance un valor
especificado después de que el diodo conmuta de directa a inversa.
Tiempo de recuperación en sentido directo (tfr).
Es el tiempo necesario para que el voltaje o la corriente directa alcance un valor
especificado después de que el diodo conmuta de inversa a directa.

4.2.1 Circuitos equivalentes

La Figura 4.4 muestra el circuito equivalente para diodos tipo Zener y Avalancha [8]. En
la Figura 4.4, L representa la inductancia asociada con los hilos de conexión y C la
capacidad propia de los dispositivos. RZ representa la resistencia no lineal ideal del diodo
Zener o del diodo avalancha. De igual forma, RB representa la resistencia volumétrica del
dispositivo y RL la resistencia de la zona de fuga.

Figura 4.4. Circuito equivalente para diodos

4.3 Modelamiento de diodos Zener y Avalancha

La Figura 4.5 muestra el circuito implementado en ATPDRAW para modelar diodos
Zener y Avalancha. Estos diodos responden a la misma expresión matemática de un
varistor (Ecuación 4.1) Los elementos del circuito corresponden a los descritos en el
circuito equivalente de un varistor (Capítulo 3).

Figura 4.5. Modelo de diodo zener y avalancha implementado en ATPDRAW

71
La resistencia no lineal propia del diodo (Rz) ha sido modelada a partir de una resistencia
controlada por model (TACSRES) y su model de control (model ZENER). El model recibe una
señal de corriente del circuito por medio del amperímetro y después de aplicar la Ecuación
4.1 entrega una señal en el tiempo para la resistencia TACSRES, a partir de las siguientes
instrucciones de MODELS:

MODEL ZENER -- Model para diodos zener y avalancha bipolares

DATA c {dflt:0} -- [0] para diodo zener de 5 V
-- [1] para diodo avalancha de 9 V
INPUT i,
VAR r, x, beta, k
OUTPUT r
EXEC
if c>0 then
k:= 8.3
beta:=0.01
else
k:=5.3
beta:=5.333E-2
endif
x:=k*(abs(i))**beta
if i>0 then
r:=x*recip(i)
else
r:=-1*x*recip(i)
endif
ENDEXEC
ENDMODEL

Los valores del circuito utilizados en las simulaciones son los siguientes: L = 2 nH; RL = 10
MΩ; RB = 4 mΩ; C = 100 pF (la capacidad propia de diodos de este tipo oscila entre 30 y
10000 pF); Z0 = 2 Ω. Las Figuras 4.6a y 4.6b presentan las gráficas obtenidas al simular en
ATP diodos zener y avalancha con voltajes de polarización inversa de -5V y -9V
respectivamente, ajustados a la Ecuación v = k1 ·i β , recíproca de la ecuación 4.1, pues por
motivos de convergencia del programa es más efectiva(1). El texto del model implementado
se muestra a continuación. Un diodo tipo Avalancha presenta una respuesta mucho más
rápida que la del diodo Zener, dado que su coeficiente de no linealidad es mayor. Una
ventaja de los diodos supresores es que su voltaje de conducción es muy cercano al valor
de voltaje de protección requerido, como se observa en las gráficas.

(1)El programa ATP no converge cuando el valor de la función exponencial tiende muy rápido al
infinito, pero al ser β=1/α <1 la exponencial es mucho más suave y el programa tiene mejor
convergencia

72
Figura 4.6. Resultados de la simulación en ATP de diodos zener con: (a) voltaje
disruptivo inverso de 9V y (b) avalancha con voltaje disruptivo inverso de 5 V: (1)
Voltaje senoidal aplicado, (2) Voltaje en el diodo, (3) corriente a través del
dispositivo

73
 Referencias Bibliográficas del capítulo 4

[1] STANDLER Ronald. Protection of electronic circuit from overvoltage. John Wiley &
and sons. USA 1989.

[2] International Standard IEEE C62.41. IEEE Recommended practice on surge voltage in
low-voltage A.C. power circuits. 1991

[3] AKIYAMA H. Current voltage characteristics of a high-current pulsed discharge in

air. IEEE Transactions on plasma science. Vol. 16, pp 312-316. April, 1988.
[4] BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis. Electrónica: Teoría de Circuitos. Ed.
Reverté. Prentice-Hall Iberoamérica. México. 1983.
[5] KAUFMAN Milton, SEIDMAN Arthur, SHENEMAN Perry. Electrónica Moderna
Practica. Editorial McGraw-Hill. Tomos I y II. Colombia. 1990.
[6] SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS. SIOV Metal oxide Varistors. Short Form.
Catalog. Austria. 1996.
[7] International Standard ANSI/IEEE C62.33. Standard Test Specifications for Varistor
surge-protective Devices. 1982.
[8] TANG Hong . Transient control in low voltage power installation networks and
electrocnic systems. Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive Summaries of
Uppsala Dissertations fromthe Faculty of Science and Technology. 297 pp.
UPPSALA. Sweden. 1997.
[9] SIEMENS. Catálogo gas filled surge arrester. Edition 6. 1990
[10] International Standard IEEE C62.42. Guide for the application of gas tube and air gap
arrester low-voltage. 1992.
[11] ENGEL T.G, DONALDSON Anthony, MAGNE Kristiansen. The pulse discharge
arc resistance and its functional behavior. IEEE transactions on plasma sciense, Vol
17, #2, April 1989.

74
 5 Tubos de Descarga en Gas

Los tubos de descarga en gas constan de dos o más electrodos de metal, colocados dentro de
un material altamente aislante, donde el espacio interelectródico (gap) es sellado
herméticamente con una mezcla adecuada de gases a bajas presiones, generalmente Argón y
Neón. Su forma, tipo de superficie y la presión del gas determinan el voltaje de encendido del
dispositivo. Las superficies activas de los electrodos, que se encuentran situadas a menos de
un milímetro de distancia, están cubiertas con una fina capa (masa emisora) que disminuye el
escape de electrones (Figura 5.1).

Electrodo central “c”

Aislamiento en
vidrio ó
Ayuda de
cerámica Ayuda de
encendido
Ayuda de
encendido

Figura 5.1. Construcción básica de un tubo de gas [12]

Son fabricados con voltajes de encendidos que van desde algunos voltios hasta valores de
megavoltios y son utilizados como protección contra las perturbaciones presentadas en D.C.,
circuitos de señal y líneas de potencia.
En la operación normal de los equipos, los tubos de gas son dispositivos imperceptibles en el
sistema, pero siempre que los voltajes excedan el valor de voltaje de encendido de diseño del
tubo de gas, estos entran en modo de conducción desviando la energía de la sobretensión
hacia los electrodos, lejos del equipo que se está protegiendo.

75
Cuando el voltaje aplicado al tubo de gas sea igual o superior a su valor de voltaje de
encendido, este entrará en conducción; primero en el denominado modo “glow”(1) y más
adelante en modo de “arco”. El tubo de gas permanecerá en modo de arco mientras que el
voltaje aplicado sea igual o superior al voltaje de arco y la corriente que fluye a través del
dispositivo sea superior a la corriente de sostenimiento (holdover current) del arco.

Figura 5.2. Aspecto físico de los tubos de descarga en gas

5.1 Curvas características

Los tubos de gas son inherentemente dispositivos bipolares, pues en su construcción no se
distingue cual electrodo tiene carga positiva. Por lo tanto, sólo es necesario un cuadrante de
la curva V-I para entender su comportamiento. En la Figura 5.3, el eje de las ordenadas es el
logaritmo de la corriente. Es necesario usar un eje logarítmico cuando las corrientes superan
el sexto orden de magnitud.
La característica V-I es compleja, pues cada segmento de la curva está asociado con un
proceso físico particular, el cual será discutido posteriormente.
Seguiremos la curva para un bajo incremento en la diferencia de potencial en los terminales
del gap, partiendo del punto A. En este punto el gap conmuta del estado de aislamiento a
conducción y el potencial en este punto es el llamado el voltaje de encendido DC (DC firing
voltage ) del tubo de gas.
Entre A y B el incremento en la resistencia (dV/dI) es negativo, por lo que a esta porción de la
curva se le denomina Región de resistencia negativa. Si el tubo de gas es operado en esta
región, se presenta una reducción en el voltaje y esto puede ocasionar pulsos intermitentes.

(1) El término “glow”, puede interpretarse como halo o manto

76
 Figura 5.3. Curva característica V-I para un tubo de descarga en
gas con voltaje de encendido DC de 150 v
La región de la curva entre B y C es conocida como región normal de glow o de efluvio (normal
glow region) y los tubos reguladores de voltaje operan en esta región, puesto que el voltaje en
los terminales del tubo es aproximadamente independiente de la corriente. La luz que es
emitida desde el tubo en esta zona proviene del manto catódico, una delgada región con
átomos de gas excitados que cubren parte de la superficie del cátodo. El área de este manto es
proporcional a la corriente.
Cuando el manto cubre casi la totalidad del cátodo y la corriente se incrementa, la descarga
entra al denominado régimen anormal de glow (abnormal glow regime) y es la región de la
curva comprendida entre C y D, donde dV/dI es positiva. Cuando el tubo de gas es operado
en la región de glow normal o anormal, los pares electrón-ión acelerados por el intenso campo
eléctrico existente entre los electrodos, alcanzan suficiente energía y pueden llegar a formar
pares de iones adicionales por colisión, ya sea con iones o átomos neutros. Este proceso se
denomina avalancha y está limitado por la formación de carga superficial espacial y por
recombinación de pares de electrones. La luz emitida a partir de esta descarga, ya sea en la
región normal o anormal de glow contiene líneas espectrales que son características de átomos
de gas e iones como neón (rojo-naranja) o argón (azul-violeta).
Para tubos de gas con voltajes de encendido DC entre 90 y 300V la máxima corriente en la
región glow está usualmente entre 0.2 y 1,5 A. Cuando la corriente se incrementa hasta un
valor suficientemente grande, la descarga entra abruptamente al régimen de arco (arc regime),
77
en el punto E. En el régimen de arco la luz emitida proviene de átomos excitados que han
sido removidos del cátodo por bombardeo de iones positivos. Para un tubo de gas con
electrones de níquel esta luz es azul. Los iones positivos son entonces acelerados por el
campo eléctrico entre los electrodos y chocan con el cátodo, tanto en régimen normal como
anormal de glow. El material del cátodo es bombardeado en un proceso denominado
sputtering y este es el origen de los depósitos negros observados en las antiguas lámparas de
neón y tubos de descarga con cubierta de vidrio.
A grandes corrientes, el material del cátodo es removido más rápidamente y los electrodos
son erosionados y consumidos por este proceso. Como consecuencia el espaciamiento del gap
y por lo tanto el voltaje de encendido D.C se incrementan después que el sputtering ha
ocurrido y entonces el tubo de gas no puede operar satisfactoriamente y es por ello que todos
los tubos de descarga son componentes perecederos. Sin embargo, haciendo que los
electrodos sean macizos y teniendo cuidado con el problema de la degradación de su
superficie por sputtering, se pueden fabricar tubos de descarga que pueden conducir cientos
de transitorios prolongados (como por ejemplo, del tipo 8/20 µs con picos de corriente de 10
kA).
El potencial sobre el tubo de descarga es aproximadamente constante cerca de los 20 V
(independiente de la intensidad de la corriente) cuando el dispositivo se encuentra en el
régimen de arco, aunque para tubos con diferentes gases y a diferente presión este voltaje
puede estar entre 10 y 30 V. Para aplicaciones en protección contra sobretensiones es muy
conveniente operar el tubo en régimen de arco, puesto que el voltaje es sostenido en un valor
relativamente pequeño.
Cuando la corriente se reduce a la denominada corriente de extinción de arco, en el punto F de
la curva V-I, el arco se detiene y es reemplazado por una descarga glow; el valor de la
corriente de extinción está usualmente entre 0.1 y 0.5 A. En la Figura 5.2, también se puede
apreciar un lazo de histéresis: la corriente de inicio del arco es más grande que la corriente
mínima que lo sostendrá; entonces, cada una de las dos trayectorias entre las regiones de arco
y glow puede ser recorrida sólo en una dirección.
Cuando un tubo de gas es operado en régimen de arco, el gas y los electrodos de metal
alcanzan temperaturas muy elevadas. Este calentamiento puede causar fallas en el sello entre
la cubierta aisladora (vidrio o cerámica) y los electrodos. Por otra parte, las grandes presiones
del gas caliente pueden destrozar la cubierta aisladora. Una cubierta aisladora de cerámica
puede soportar probablemente temperaturas y presiones mayores que una de vidrio; muchos
tubos de descarga usan un sellamiento de kovar (aleación de hierro-níquel) cuando la
cubierta cerámica es de alúmina. El coeficiente de expansión térmica de estos dos materiales
es casi el mismo, lo cual reduce los esfuerzos mecánicos en el recinto durante la operación. El
electrodo metálico está unido al sello de kovar.
Si un voltaje o una fuente de corriente pueden mantener la descarga, entonces el gas no
retornará a su estado de no-conductividad después que un transitorio se ha completado. Esta
condición, conocida como corriente subsiguiente (follow current ó power follow) puede
arruinar un tubo de descarga y dañar los conductores y la fuente de dicha corriente. Esta
corriente puede mantener la conducción tanto en régimen de arco como de glow. En este caso la
fuente de corriente subsiguiente debe ser capaz de suministrar mínimo 60 V para mantener la
operación en régimen de glow, y al menos 20 V con una corriente superior a la de extinción de
arco para mantener la operación en régimen de arco.
78
Cuando un tubo de descarga es conectado a la red, no se puede garantizar que en el cruce por
cero de la onda de voltaje se extinga la corriente subsiguiente en el gap. Aunque la magnitud
del voltaje 120 V rms a 60 Hz cae a cerca de 20 V durante 0.63 ms en cada paso por cero, la
emisión termoiónica de electrones desde el electrodo caliente puede mantener el arco durante
estos breves cruces. Cuando se conectan tubos de descarga a circuitos D.C. con un potencial
superior a 15 V y una corriente superior a 50 mA, es posible que aparezca una corriente
subsiguiente en el régimen de arco. Generalmente el comportamiento de la corriente
subsiguiente es analizado en régimen de arco, ignorando la posibilidad de que se presente en
régimen de glow. No obstante, en régimen de glow sí se presenta corriente subsiguiente. El
valor mínimo de corriente necesario para la operación en régimen de glow es del orden de 10
µA y depende de la composición, presión del gas, espaciamiento del gap y otros detalles. El
voltaje de operación del gap en este régimen está usualmente entre 50 y 100 V.
La operación de un gap con valores muy grandes de corriente subsiguiente en régimen de
glow puede disipar una potencia apreciable y causar daño térmico al tubo de descarga. Sin
embargo corrientes subsiguientes del orden de los mA en régimen glow que persistan por
varios meses o incluso años, pueden también dañar el dispositivo por bombardeo (sputtering).
Este bombardeo puede incrustar materiales activos sobre la superficie de los electrodos bajo
una capa de material electródico. Estos materiales activos (álcali, haluros como KCl, óxidos
de tierras alcalinas como MgO) son necesarios para una rápida respuesta del dispositivo.

5.1.1 Operación transitoria

Para cambios rápidos en la forma de onda (por ejemplo, dv/dt >1 kV/µs), el voltaje de encendido
real es varias veces mayor al valor de voltaje de encendido DC. El voltaje de encendido DC es
suficiente para producir el campo eléctrico necesario entre los electrodos para obtener iones y
electrones, los que al energizarse producirán ionización por colisión (descarga de arco o
glow).
La creación inicial de pares electrón-ión está condicionada a la introducción de un isótopo
radioactivo de emisión beta dentro del tubo. Es común el uso de gas tritium, gas de kriptón
radiactivo o electrodos radiactivos de Níquel. Aunque una partícula beta (electrón) es
emitida, en promedio, cada 0,3 ms, pares secundarios electrón-ión producidos por colisión de
partículas beta con átomos del gas persistirán por períodos más prolongados de tiempo. Estos
isótopos β-emisores proveen indirectamente una fuente de iones que está continuamente
presente y que elimina el tiempo de retardo “estadístico”.
Se han desarrollado tubos de descarga que conducen en tiempos inferiores a 1 ns cuando es
aplicado un voltaje con frente de onda de al menos 1kV/ns. El tiempo de respuesta para
tubos de descarga es comúnmente medido con una fuente de voltaje que contiene una rampa
constante dv/dt. Para frentes de onda superiores a 0.5 kV/µs, el voltaje de encendido del tubo
de descarga es apreciablemente mayor que el valor de voltaje de encendido DC. El tiempo de
respuesta ∆t viene dado por:
V Ecuación 5.1
∆t = f

dv
dt

79
Donde Vf es el voltaje de encendido medido del tubo de descarga con un frente de onda
constantedV/dt. Una gráfica de Vf como función de ∆t se muestra en la Figura 5.4, donde
también se indican las líneas constantes dV/dt. El valor de ∆t es menor conforme el valor de
dV/dt aumenta, por debajo de los 100 kV/µs. Como los valores de dV/dt se incrementan
por encima de los 100 kV/µs, ∆t presenta un comportamiento asintótico.

Figura5.4. Voltaje de encendido de un tubo de gas, en función del tiempo de respuesta

Para un gap con una tensión de encendido DC de 150 V se tiene la siguiente relación a partir
de la Figura 5.4, para Vf en voltios y ∆t en segundos:

6.2 ⋅ 108 Ecuación 5.2

∆t =
(V − 150)5.67
Válida para: 4x10-8≤ ∆t ≤ 1x10-3 s

La relación entre Vf y el valor de voltaje de encendido DC es conocida como “relación de

impulso”. Tubos de descarga con relaciones de impulso menores a 3 son deseables en la
protección de equipos vulnerables ante sobretensiones de corta duración. Los tubos de
descarga conducen más rápidamente cuando dV/dtse incrementa; por lo que se sugiere
que para una completa selección de un tubo de descarga se indique, entre otros parámetros,
el máximo voltaje de encendido (firing voltage) Vf para tres diferentes frentes de onda
constantes dv/dt: 1 kV/µs, 10 kV/µs, 1 MV/µs. Esto permite que el usuario compare el
desempeño de los componentes para productos de diferentes marcas.

80
5.2 Problemas con los tubos de descarga
Son tres los principales problemas que se presentan cuando se aplican tubos de descarga
de manera efectiva:

Pueden ser lentos para conducir.

Todos los tubos de descarga requieren de al menos 60 a 100 V a través del gap antes de
que el gas entre en conducción.

En algunos casos es difícil apagarlos después que el transitorio ha terminado.

La gran magnitud de dI/dt cuando el tubo conmuta de estado de aislamiento a conducción
puede ser causa de problemas.
El usuario debe considerar estos problemas, que no implican que los tubos de descarga sean
malos o indeseables, pero deben ser usados cuidadosamente. Cuando aparecen
sobretensiones transitorias con magnitudes de dV/dt relativamente pequeñas en extremos del
tubo de gas, el gap conduce durante varios microsegundos o más después de que la
sobretensión ha excedido el valor de encendido DC del gap. De igual forma, cuando aparecen
sobretensiones con una gran magnitud de dV/dt a través del gap, la conducción puede ocurrir
unos pocos nanosegundos después de que la sobretensión ha excedido el valor de encendido
DC del gap.

Mientras que el tiempo de retardo ∆t, sea pequeño (de unos pocos nanosegundos), la
magnitud de dV/dt (Figura 5.4) hace que el producto [(dV/dt) ∆t] alcance valores típicos de
hasta varias veces el voltaje de encendido DC. Por lo tanto, habrá siempre un remanente
apreciable que se propagará por el tubo de gas. Este remanente puede tener un voltaje pico
ligeramente mayor que el voltaje de encendido DC del gas y una duración de µs, ó un voltaje
pico por lo menos varias veces mayor que el voltaje de encendido DC, pero con una duración
de unos pocos nanosegundos, dependiendo del valor dV/dt de la sobretensión.
Debido a la posibilidad de una corriente subsiguiente, los tubos de descarga
individualmente no son apropiados para usarse como protección en la red principal de
AC, fuentes para transmisión de datos DC superiores a 20 V o en protección de radio
transmisores. Si se pretende usar estos dispositivos en alguna de estas situaciones, se debe
insertar algún mecanismo limitador de corriente en serie entre el tubo de descarga y la
fuente que está proporcionando la corriente subsiguiente.
Otro problema que se presenta con el uso de estos dispositivos es la gran magnitud de dI/dt
cuando el gap conmuta de estado de aislamiento al de conducción. El cambio en la corriente,
∆I puede ser del orden de los 10 kA y ∆t del orden de 10 ns, lo cual representa un dI/dt del
orden de 1011 A/s. Estos valores de dI/dt no son comunes en diseño de circuitos electrónicos,
por lo cual es de esperar que valores tan grandes del dI/dt sean causa de problemas. En
particular, este gran valor de dI/dt en un sistema desprotegido puede radiar suficiente energía
electromagnética a cables adyacentes y a otros sistemas.
Cuando los tubos de descarga se encuentran en conducción, son esencialmente corto circuitos
en la línea de transmisión y la mayor parte del transitorio es reflejado más que absorbido en
el tubo de descarga. Este es un problema generalizado en todos los dispositivos protectores
tipo “shunt”, no es solo de los tubos de descarga, pero puede ser más crítico en estos
dispositivos que en varistores y diodos avalancha, puesto que los tubos de descarga pueden
presentar una impedancia muy pequeña durante una sobretensión.
81
5.3 Especificaciones técnicas
Voltaje de encendido DC (DC firing Voltage) VSV
El voltaje disruptivo o de encendido DC es el mínimo valor de voltaje DC que puede causar el
encendido o disrupción en el tubo de gas (paso del estado de aislamiento a conducción). Se
determina con una tensión continua de crecimiento moderado dv/dt de 100 v/s (Figura 5.5),
aplicada a través de los terminales del descargador. Este valor debe ser tan alto que no
interfiera con la operación normal del equipo a ser protegido, y lo suficientemente bajo para
que la disrupción en el tubo de gas ocurra antes de que un voltaje a baja frecuencia pueda
alcanzar magnitudes perjudiciales para el equipo [1].

Figura 5.5. Forma de onda utilizada para determinar el Voltaje de

encendido DC VSV de un tubo de gas

Voltaje nominal de encendido DC (nominal DC firing Voltage) Vsv nominal

Es el valor nominal para la designación del tipo de descargador de sobretensión. Tanto las
propiedades de funcionamiento y tolerancia, así como valores límites y de control, están
referidos a este voltaje.
Voltaje de encendido al impulso (Impulse firing voltage)VISV
Es el máximo voltaje que se obtiene cuando se aplica entre los terminales del descargador
una forma de onda característica, generalmente 1 kv/µs (Figura 5.6), antes de que fluya la
corriente de descarga. Este voltaje caracteriza la capacidad del tubo de gas para limitar
voltajes transitorios de frente rápido y debe ser inferior al voltaje soportable por el
componente o circuito a proteger y superior al voltaje de encendido DC, para que no
interfiera con la operación normal del sistema.

82
 Figura 5.6. Forma de onda utilizada para determinar el Voltaje
de encendido al impulso VISV de un tubo de gas

Voltaje de encendido DC de referencia

Se da generalmente en un tanto por ciento del VSV nominal, pero en casos especiales
también como zona de tolerancia con valores absolutos. Los procesos físicos de la descarga
en gases están sujetos a distribuciones estadísticas. Este comportamiento se expresa para
un descargador de sobretensión en su dispersión individual. Los datos de tolerancia
consideran junto a la dispersión de cada ejemplar, la dispersión colectiva condicionada por
el proceso de fabricación, así como por influencias de luz, temperatura y tiempos de
almacenamiento.
Corriente nominal de descarga al impulso (impulse Discharge Current) IIDC
Es la máxima corriente con forma de onda 8/20 que puede ser aplicada a través de los
terminales del descargador sin alterar sus características de operación normal (resistencia
del aislamiento, voltaje de encendido DC, y voltaje de encendido al impulso). Cuando se
altera alguna de estas características se dice que el descargador ha entrado en modo de
falla(1).
Corriente nominal de descarga AC (AC Discharge Current) IADC
Es la máxima corriente que puede conducir el descargador cuando se aplica una corriente
de 50 o 60 Hz a través de sus terminales por un período de 9 ciclos (50 Hz) o 11 ciclos (60
Hz), sin que este entre en modo de falla.

Un tubo de descarga se encuentra en modo de falla si: el voltaje de encendido DC es superior al

(1)

150% o inferior al 50% de su valor nominal; el voltaje de encendido al impulso es superior al 150%
de su valor nominal o su resistencia del aislamiento es menor de 1MΩ.
83
Voltaje de sostenimiento (holdover voltage)
Es el máximo voltaje DC aplicado entre los terminales del descargador, al cual se espera
que este retorne a su estado de alta impedancia, después del paso de una sobretensión.
Durante el tiempo en el que el tubo de gas está en conducción, la transmisión de señales y
de potencia es interrumpida, lo cual puede causar un sobrecalentamiento en el tubo de
gas. El valor de este voltaje está altamente influenciado por las características del circuito
externo que se está protegiendo (circuito abierto, corto circuito, características de la fuente
de regulación y valores de reactancia de los componentes) [9].
Resistencia del aislamiento Ris
Es la resistencia óhmica medida entre los terminales del descargador de sobretensión (Ris
≥108Ω) aplicando un voltaje DC específico 5 a una temperatura ambiente de 25 ºC y una
humedad relativa del 75%. Durante la vida del tubo de gas la resistencia del aislamiento
decrece, debido a deterioros internos y externos de los materiales que componen el tubo
de gas.
Capacidad C
Es la capacidad medida entre los terminales del descargador. En los tubos de dos
electrodos esta capacidad se encuentra usualmente en el rango de 1 pF hasta 5 pF.
Los símbolos utilizados para representar los tubos de descarga en gas de dos y tres
electrodos son los siguientes:
Símbolos gráficos

Figura 5.7. Modelo de un tubo de descarga en gas

5.3.1 Circuito equivalente

El circuito equivalente básico para un tubo de descarga en gas se puede apreciar en la Figura
5.8. Este circuito requiere de algunas consideraciones especiales, debido al complejo
mecanismo de la descarga. Las principales características de este mecanismo para un tubo de
descarga son el tiempo de disrupción bajo diferentes impulsos característicos y la resistencia
dinámica del arco.

5 La resistencia del aislamiento debe ser medida con un voltaje DC de 50 V cuando el voltaje
nominal de encendido DC está entre 90 y 100 V; y con un voltaje de 100 V si el voltaje nominal de
encendido DC se encuentra entre 230 y 350 V

84
 Figura 5.8. Circuito equivalente de un Tubo de Descarga en Gas

Un tubo de gas se comporta como un interruptor controlado por voltaje (ICV), el cual se
encuentra normalmente abierto para un voltaje menor o igual a su voltaje de encendido Vf.
Debido a esto, la resistencia predominante en esta etapa de operación normal es la
denominada resistencia de fuga (Rfuga), la cual alcanza valores superiores a los 10 GΩ. En el
momento de producirse una sobretensión que sobrepase el voltaje de encendido, el ICV debe
cerrarse en un tiempo que depende de la pendiente del frente de onda incidente para desviar
la energía de la sobretensión hacia los electrodos y disiparla a través de la resistencia del arco
interelectródico (o resistencia del canal de la descarga) (Rarco ) propia del tubo de gas. Este
tiempo está dado por las Ecuaciones 5.1 y 5.2.
La resistencia del arco representa la característica dinámica del mecanismo de descarga
estudiada cuando se analizaron las curvas características del tubo de descarga en gas y se han
desarrollado fórmulas empíricas y teóricas que sirven para estimar de manera aproximada el
valor de esta resistencia en el tiempo.
En general, la resistencia del arco es inversamente proporcional a alguna función que
describe la corriente de arco. La Figura 5.9 muestra el comportamiento de la resistencia del
arco en el tiempo, medida experimentalmente por H. Akiyama [13].

85
 Figura 5.9. Comportamiento de la resistencia del arco en el tiempo, para diferentes
separaciones interelectródicas y una presión de 0.86 atmósferas. Tomado de
Akiyama [13].

Algunas fórmulas empíricas desarrolladas hasta el momento se presentan a en la Tabla 5.1 [6]
[10].
Tabla 5.1. Fórmulas empíricas utilizadas para estimar la resistencia del arco

Resistencia del Valor de constantes

INVESTIGADOR canal normalizadas Condiciones de prueba
(Rgap o Rcanal) (0.86 105 Pa)
C ⋅ d ⋅ ρ0
1/ 3
I ≤ 10 kA
Barannik (1975) C = 1.7·10-3
d ≤ 0.4 m
t

∫i
2/3
[10] dt C*= 1.7·10-3
0
Po≤ 12·105 Pa
c⋅d j = (0.3-15) kA/m2
Demenik (1968) C = 0.21 a 3
[10] r ⋅ i 6 / 11
10 / 11
C*=3
d = 0.0006-0.3 m
Po≤0.5·105 Pa
1/ 5
Kushner (1985)  p 3  C=19.1 a 24.7
J = 2E4 MA/m2
C ⋅d
2 6 
0
d = 0.012 m
[10]  A ⋅ i  C*=2.4
Po≤0.5·105 Pa
C ⋅d C=30
Popovic (1974) n
C*=30 d = 0.02 m
 2 
t

[10]  ∫ i dt  Po≤0.5·105 Pa
n=0.33
0 
1/ 2
 
Rompe-Weizel [6]  p0 ⋅ d
2
 C=9.7 d ≤ 0.035 m
(1944)

[
 2 ⋅ C t∫ i 2 dt
0
]


C*=66.58 Po≤ (1-6)·105 Pa

86
 C⋅d
C=4.5·10-2 d = 0.009-0.0175 m
Toepler (1906) [6] t
∫ idt C*=5.0·10-2 Po =1·105 Pa
0
C⋅d
C=0.0010
Braginskii [6] t 2/3
∫i dt C*=0.0010
0
2/5
C⋅d ⋅r

[ ]
C=876 a 1003
Vlastos (1972) [10] t 2 3/ 5 d = 0.13 m
∫ i dt C*=200
0
1
Engel, Donaldson, k = 0.09
 t t i2   3
dt + v (0 ) dt + r ( 0 )  ρ0=1.29
2 3
Kristiansen (para 3 ∫  ∫ 2
  π kρ 0 σ   σ =2.2.104 [Ωm]-1
0 0
estimar el radio del
canal) [10] r(0)=6·10-4 [m]
Nomenclatura:
A = Area seccional del arco del canal (m2) = πr2 d = Longitud del gap (m)
i = Corriente en el arco (A) R = Resistencia del Arco
Po = Presión inicial en el gas (Pa) σ = Conductividad del canal (Ωm)-1
r = Radio en el arco del canal ρo = Densidad inicial del gas kg/m3
σo = Conductividad inicial del canal (Ωm)-1 t = Tiempo (s)
C = Constante normalizada para estimar R C*=Constante corregida para estimar R

5.4 Modelamiento de Tubos de Descarga en Gas

El modelo equivalente para un tubo de descarga en gas es implementado en ATPDRAW a
partir del circuito de la Figura 5.10. Los elementos L, Rfuga, C y Rc corresponden a los
relacionados anteriormente y sus valores asumidos en la simulación se encuentran en la
Tabla 5.2 [9]. Los recuadros de la Figura 5.10 indican los módulos para el interruptor
controlado por voltaje (ICV) y la resistencia del arco (Rarco).

87
 Figura 5.10. Modelo de tubo de descarga en gas implementado en
ATPDRAW (utilizando MODELS)

Valor de L Valor de C Valor de Rc Valor de Rfuga

(nH) (pF) (mΩ ) (MΩ )
10 2 4 100

Tabla 5.2. Valor de los elementos de circuito utilizados para modelar un tubo de
descarga en gas

A continuación se presentan los modelos realizados de estos componentes del circuito

equivalente, para tubos de descarga con voltajes de encendido DC (Vsv) de 150 V, 230 V, 350
V y 470 V.

5.4.1 Modelamiento del interruptor controlado por voltaje ICV

Un tubo de descarga en gas se comporta como un interruptor controlado por voltaje, que se
encuentra normalmente abierto (Cero lógico) para un voltaje menor o igual que su voltaje de
encendido Vf (Figura 5.11 (2) y (3)) y se cierra (uno lógico) en el momento en que la
sobretensión incidente sobrepasa este voltaje. De igual forma, el tiempo de este encendido
depende de la pendiente del frente de onda (entre más escarpado sea este frente, más rápido
será el encendido del dispositivo) [4].

88
 Figura 5.11. Principio de funcionamiento del Interruptor Controlado por Voltaje
ICV diseñado en MODELS: (1) Sobretensión incidente; (2) Operación lógica del
interruptor ICV al registrar una sobretensión: (3) Característica V-t para un tubo de
descarga en gas de 230 V; (4) Respuesta del Tubo de Descarga ante una sobretensión
incidente
Este fenómeno es modelado a partir de curvas características voltaje-tiempo de los tubos de
gas, como las mostradas en la Figura 5.11 (3), cuyas ecuaciones aproximadas se muestran la
Tabla 5.3.

Voltaje de encendido DC Voltaje de encendido

Vsv [V] Vf(t) [V]
150 35.357
t 0.1763
230 29.51
t 0.2068
350 54.492
t 0.166
470 53.270
t 0.168
Tabla 5.3. Voltaje de encendido Vf en función del tiempo de respuesta
Estas ecuaciones determinan el comportamiento del model ICV que controla lógicamente al
interruptor tipo TACS (tacsswitch), el cual recibe muestras de voltaje y corriente del tubo de
descarga. Por medio de instrucciones y ciclos de programación se hace una comparación en el
tiempo entre el valor del voltaje de encendido Vf(t) y el valor del voltaje censado; cuando este
último es superior al voltaje de encendido, el model ICV envía una señal para que el TACS se
cierre y el tubo de descarga entre en la región de arco para disipar la sobretensión a través de la
resistencia de arco. Este interruptor volverá a operar cuando la sobretensión haya sido
disipada para retornar al dispositivo a su estado de alta impedancia. La Figura 5.12 presenta
la ventana de ayuda del model ICV diseñado e implementado en ATPDRAW y el programa
utilizado para este modeles se presenta a continuación ([Link]).

89
 {[Link]

MODEL icv --- Interruptor Controldado por Voltaje

DATA k {dflt: 150} --- Voltaje de encendido DC (150v a 470v)
CONST di {val:0.0005}
dv {val:0.01 }
INPUT v --- [ v ], muestra de voltaje (sobretensi¢n)
i --- [ A ], muestra de corriente
OUTPUT s
VAR s --- [1 ó 0] estado lógico del interruptor
vs --- [v] Característica v-t del tubo de gas para polaridad positiva
vt --- [v] Característica v-t del tubo de gas para polaridad negativa
b --- [1 ó 0] amplificación por mil del estado lógico de s
y --- variable auxiliar
t0 --- variable auxiliar
g --- variable auxiliar
INIT
s :=0
t0:=0
ENDINIT
EXEC
IF v>-dv AND v<dv THEN t0:= t
ELSE
ENDIF
g := t-t0 --- desplazamiento de la curva v-t en el tiempo
-------------------- Determinación de la característica v-t del tubo de gas
IF k<=150 THEN y:= 35.537*recip(g**0.1763)
ELSIF k>150 AND k<=230 THEN y:= 59.243*recip(g**0.163)
ELSIF k>230 AND k<=350 THEN y:= 54.492*recip(g**0.1660)
ELSIF k>350 AND k<=470 THEN y:= 55.270*recip(g**0.1680)
ENDIF
vs:=y {max:2000}
vt:=-1*vs {min:-2000}
------------------- Deteccción de cruce por cero y de sobretensión para el ICV
IF v>0 THEN
IF v<vs THEN
IF i<=di AND i>=-di THEN

s:=0
ELSE
s:=1
ENDIF
ELSE
s:=1
ENDIF

ELSE
IF v>vt THEN
IF i>=-di AND i<di THEN
s:=0
ELSE
s:=1
ENDIF
ELSE
s:=1
ENDIF
ENDIF
-------------------- Amplificación de la señal del interruptor para graficación
b:=1000*s
ENDEXEC
ENDMODEL
-------------------- Variables a graficar
RECORD icv.s AS s
[Link] AS Vp
[Link] AS Vn
icv.b AS Bigs

90
 Figura 5.12. Ventana de ayuda y parámetros del model ICV implementado en ATPDRAW

5.4.2 Modelamiento de la resistencia del arco (Rarco)

Cuando el interruptor ICV se cierra (uno lógico), la resistencia del arco debe pasar de su estado
de alta impedancia a conducción para disipar la sobretensión; esto es modelado a partir de la
resistencia tipo TACS (TACSRES) y el model RGAP de la Figura 5.10. Esta resistencia
representa el proceso físico de la descarga en gases (estado de alta impedancia, descarga en
régimen de glow o efluvio, transición de glow a arco, régimen de arco y descarga glow).
El model RGAP toma una señal de corriente del tubo de descarga por medio de un
amperímetro, le aplica alguna de las ecuaciones descritas para representar la resistencia de
arco y entrega una señal de control para la resistencia TACSRES. A continuación se presenta
el model implementado ([Link] ):
MODEL Rgap {[Link]
--------------------- Modelo de la resistencia del canal(gap), para 3 ecuaciones
DATA k_t {dflt: 0.0050} -- Constante de Toepler (0.005)
k_rw {dflt: 70.000} -- Constante de Rompe-weizel (70...100)
k_b {dflt: 0.0010} -- Constante de Braginskii (0.0010)
cte {dflt: 0} -- [0] -> F¢rmula de Toepler para calcular Rgap
-- [1] -> F¢rmula de Rompe-weizel para calcular Rgap
-- [2] -> F¢rmula de Braginskii para calcular Rgap
d {dflt: 1.0E-03} -- [m] Longitud del Gap
CONST ite {val: 30E-3 -- Corriente estimada en la región de arco
INPUT i {dflt: sin(t)} -- [ A ], muestra de corriente a trav‚s del gap
VAR p, y, integral_t, integral_b, temporal_rw, integral_rw, r, rgap
OUTPUT rgap -- resistencia del gap interelectr¢dico
HISTORY integral(y) {dflt: 0}
integral(i) {dflt: 0}
integral(p) {dflt: 0}

EXEC
p:= i**2
y:= p**0.3333333
integral_b := integral(y)
integral_t := integral(i)
temporal_rw := integral(p)
integral_rw := temporal_rw**0.5

91
 IF cte<=0 THEN r:=k_t*d*recip(integral_t)
ELSIF cte>0 AND cte <=1 THEN r:=k_rw*d*recip(integral_rw)
ELSIF cte>1 AND cte <=2 THEN r:=k_b*d*recip(integral_b)
ENDIF
IF i>0 AND i<ite THEN rgap:= 100*RECIP(i)
ELSIF i>=ite THEN rgap:= r
ELSIF i<=0 AND i>-ite THEN rgap:=-100*RECIP(i)
ELSIF i<=-ite THEN rgap:=-r
ENDIF
Rgap:=Rgap {max: 1e8, min: -1e8}
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD Rgap.i AS inputI
[Link] AS Rgap

5.4.3 Comparación y análisis de los resultados obtenidos en la

simulación de tubos de descarga en gas en ATP
A continuación se presentan los resultados de las simulaciones correspondientes al modelo
desarrollado para tubos de descarga en gas con voltajes de encendido DC de 150 V, 230 V,
350 V y 470 V, cuyas especificaciones son las siguientes:
Voltaje de encendido DC Vsv 150 V 230 V 350 V 470 V
Voltaje de encendido Vf a un impulso de < 600V < 650V < 700V <1000V
1kV/µs
Corriente nominal de descarga (8/20 µs) 5 kA 5 kA 5 kA 5 kA
Corriente alterna nominal de descarga 5A 5A 5A 5A
(50 Hz, 1 s)
Capacidad < 2 pF < 1.5 pF < 1.5 pF < 2pF
Resistencia del aislamiento > 1010 Ω > 1010 Ω > 1010 Ω > 1010 Ω
Tabla 5.4. Especificaciones para los tubos de descarga en gas simulados en ATP [9]

Simulación en ATP de la resistencia del arco (Rarco)

Para la simulación de la resistencia del arco en el tubo de gas se introdujeron en MODELS las
ecuaciones teóricas presentadas en a sección 5.3.1. El texto utilizado para hacer dicha
simulación se presenta a continuación ([Link])
MODEL rarco { [Link]
C Modelo para estimar la resistencia del canal, a partir de 8 ecuaciones teóricas
DATA k_t {dflt: 0.0450} -- Constante de Toepler (0.005)
k_rw {dflt: 66.580} -- Constante de Rompe-weizel (70...100)
k_b {dflt: 0.0010} -- Constante de Braginskii (0.0010)
k_po {dflt: 30} -- cte de popovik
k_de {dflt: 3} -- cte de demenik
k_v {dflt: 880} -- cte de vlastos
k_va {dflt: 1.7e-3} -- cte de varannik
k_ku {dflt: 24.7} -- cte de Kushner
d {dflt: 1.0E-02} -- [m] Longitud del Gap
INPUT i {dflt: sin(t)} -- [ A ], muestra de corriente a trav‚s del gap
VAR x,z, ra, p, y, integral_t, integral_b,q, rpop,int_po, f
g, h, rvla, j,m,rdem, temporal_rw, integral_rw, r, rgap, rbar,
integral_ba, rbar, r_top, r_rw, r_brag, ab, bc, cd, de, ef, fg, reng,
gh, a, r_kush

OUTPUT rgap -- resistencia del gap interelectr¢dico

HISTORY integral(y) {dflt: 0}

integral(i) {dflt: 0}
integral(p) {dflt: 0}
integral(q) {dflt: 0}
integral(cd) {dflt: 0}
EXEC
x:=(i)**0.333333
z:=t**0.5
p:= i**2
y:= p**0.3333333

92
 q:=x**2
-------------------
integral_ba:= integral(q)
rbar:= k_va*d*recip(integral_ba)*(1.29)**0.333 {max: 1}
------------------- --- resist. de barannik
ab:=integral(p)
bc:=1/(pi*pi*0.09*1.29*2.2e4)
cd:=(bc*ab)**0.5
de:=integral(cd)
ef:=3*de+(6e-4)**3
reng:=ef**0.33333 --- radio del canal de Engel
--------------------
int_po:=integral(p)
f:=(int_po)**0.33
rpop:= k_po*d*recip(f) {max: 1} --- resist. de Popovic
--------------------
g:=reng**0.4
h:=int_po**0.6
rvla:=k_v*d*g*recip(h) {max: 1} --- resist. de Vlastos
--------------------
j:=(i)**(6/11)
m:=reng**(10/11)
rdem:=k_de*d*recip(j)*recip(m) {max: 1} --- resist. de Demenik
--------------------
integral_b := integral(y)
integral_t := integral(i)
temporal_rw := integral(p)
integral_rw := temporal_rw**0.5
--------------------
r_top:=k_t*d*recip(integral_t) {max: 1} --- resist. de Topler
r_rw:=k_rw*d*recip(integral_rw) {max: 1} --- resist. de Rompe-Weizel
r_brag:=k_b*d*recip(integral_b) {max: 1} --- resist. de Bragginski
--------------------
a:=pi*reng**2
fg:=(a**2)*(i**6)
gh:=(((1e5)**3)*recip(fg))**0.2
r_kush:=k_ku*d*gh {max:1} --- Resistencia de Kushner
--------------------
rgap:=1
--------------------
ENDEXEC
ENDMODEL
RECORD rgap.i AS inputI
[Link] AS Rbar
[Link] AS Rpop
[Link] AS Rvla
[Link] AS Rdem
[Link] AS rgap
rgap.r_top AS r_top
rgap.r_rw AS r_rw
rgap.r_brag AS r_brag
[Link] AS ra
rgap.r_kush AS r_kush

Para el análisis de resultados se tienen en cuenta los resultados experimentales obtenidos por
Akiyama [13] al realizar la medición empírica de la resistencia del arco interelectródico, bajo
las siguientes condiciones de prueba:
- Distancia interelectródica: 10 mm
- Impulso de corriente aplicado: 20 kA (0,5/2 µs)
- Presión: 0.86 E-05 Pa
La Figura 5.13 presenta estos resultados experimentales y la Figura 5.14 los resultados
obtenidos mediante la simulación en ATP-MODELS de las diferentes ecuaciones propuestas.

93
 Figura 5.13. Resultado de la medición empírica de la resistencia del arco
interelectródico realizada por la referencia [4]: (1) Impulso de corriente aplicado
(kA); (2) resultado de la medición de la resistencia de arco
Debido a que las ecuaciones de Demenik, Kushner y Vlastos son función del radio del canal, fue
necesario utilizar en la simulación la ecuación de Engel y otros (Referencia [12] y Tabla 5.1) para
estimar dicho radio.

Figura 5.14. Resultado de la simulación en ATP-MODELS de la resistencia

del arco interelectródico y del radio del canal, utilizando varias ecuaciones.
De la Figura 5.14 se puede concluir que:

El comportamiento de la resistencia del arco, en el rango de 0 a 0,7 µs y utilizando las

ecuaciones de Rompe-weizel, Vlastos y demenik, es muy similar al registrado en las pruebas
realizadas por Akiyama [13], especialmente esta última.
94

A partir de 0,7 µs el comportamiento de las gráficas teóricas difiere en gran medida del
experimental, a excepción del modelo propuesto por Kushner, que presenta una gran
similitud con los datos experimentales.

La ecuación que más se aproxima al valor mínimo real de resistencia (0.04 Ω) obtenido
experimentalmente es la de Popovic (curva 2), con un error de aproximación del 7.5%.
Aunque no hay un parámetro de comparación para el comportamiento del radio del canal
(curva 10), se puede observar en la simulación un crecimiento exponencial creciente,
contrario al mostrado por la resistencia del canal. Las ecuaciones que tienen en cuenta el
efecto de este radio son las más aproximadas a la realidad, especialmente la propuesta por
Kushner (curva 8).
Simulación en ATP del tubo de descarga en gas
Para este análisis se tienen en cuenta los resultados experimentales obtenidos por Avendaño,
Ospina [2] y Tang [11] y que aparecen en las Figuras 5.15, 5.17, 5.19 y 5.21. Al modelo
finalmente implementado en ATP se le aplicaron impulsos de voltaje y corriente
normalizados a partir de los generadores de impulsos modelados, graficando las señales
obtenidas de voltaje y corriente en el tubo de gas, al igual que la característica V-I. A
continuación se presentan los distintos casos de simulación para el tubo de descarga en gas:
Tubo de descarga en gas al cual se le aplican tres impulsos de voltaje de diferente
amplitud
En las Figuras 5.15 y 5.16 se observan los resultados experimentales y la simulación
respectivamente. Para estimar la resistencia del canal se utiliza la ecuación propuesta por
Toepler. Al observar las Figuras 5.15 y 5.16 vemos que las formas de onda obtenidas en la
simulación, se aproximan bastante a las obtenidas experimentalmente. La única diferencia
apreciable está en el hecho de que las formas de onda simuladas son curvas mucho mas
suaves y que el voltaje en la región de arco es menor en las simulaciones (inferior a los 50 V),
debido principalmente a que se usa la ecuación de Toepler para estimar la resistencia del
canal, aunque en teoría este voltaje es inferior a los 50 V.

Figura 5.15. Oscilograma correspondiente al voltaje entre los terminales de un tubo de

gas de 230 V de voltaje de encendido D.C. [6], cuando se aplican impulsos de voltaje
tipo rayo con amplitud pico de: (1) 500 V, (2) 1000 V, (3) 2000 V

95
 Figura 5.16. Resultados de la simulación en ATP de un tubo de gas de 230 V cuando
se aplican impulsos de voltaje tipo rayo con amplitud pico de: (1) 500 V, (2) 1000 V,
(3) 2000 V
Es difícil establecer un porcentaje de error al comparar los valores pico de las gráficas, debido
a que el oscilograma original de la Figura 5.15 es muy pequeño. Al realizar un aumento sobre
esta gráfica, se puede decir que el error máximo se ha presentado al aplicar los 500 V con el
generador de impulsos diseñado, error relativo cercano al 12%.

Tubo de descarga en gas al cual se le aplica un impulso de voltaje tipo rayo y se utilizan
las distintas ecuaciones propuestas para calcular la resistencia del canal
En este caso se aplica al tubo de gas un impulso tipo rayo de 800 V y la impedancia de salida
del generador es de 2 Ω. La Figura 5.17 corresponde al resultado experimental y las Figuras
5.18, 5.19 y 5.20, a los obtenidos con las simulaciones realizadas.

Figura 5.17. Oscilograma correspondiente al voltaje que aparece entre los

terminales de un tubo de gas de 150 V al, aplicar un impulso de voltaje tipo
rayo de 800 V [11]

96
Figura 5.18. Resultados de la simulación en ATP de un tubo de gas de 150 V
cuando se aplican impulsos de voltaje tipo rayo con amplitud pico de 800 V,
utilizando tres ecuaciones para la resistencia del canal: (1) Braginskii, (2)
Toepler, (3) Rompe-Weizel

Figura 5.19. Resultados de la simulación en ATP de un tubo de gas de 150 V

cuando se aplican impulsos de voltaje tipo rayo con amplitud pico de 800 V,
utilizando tres ecuaciones para la resistencia del canal: (1) Vlastos; (2) Varanik,
(3) Popovic.

Figura 5.20. Resultados de la simulación en ATP de un tubo de gas de 150 V

cuando se aplican impulsos de voltaje tipo rayo con amplitud pico de 800 V,
utilizando tres ecuaciones para la resistencia del canal: (1) Demenik, (2)
Kushner, (3) corriente a través del dispositivo
97
Comparando las gráficas obtenidas mediante la simulación con las experimentales se puede
ver que existe gran similitud entre los valores pico de las ondas, cercano a los 500 V en todos
los casos. De igual forma, se observa que las curvas que más se asemejan a la real en la
simulación son las que utilizan las ecuaciones de Toepler, Braginskii, Kushner y Popovic para
estimar la resistencia del canal. La curva experimental está desplazada en el tiempo,
posiblemente porque el impulso de voltaje no se aplicó en un tiempo cero. Se observa además
que el ancho del pulso durante el encendido es mayor en el oscilograma, en todos los casos.
Tubo de descarga en gas al cual se le aplica un impulso de voltaje tipo rayo con una gran
impedancia de salida.
Para este caso, se utilizó la Ecuación de Toepler para calcular la resistencia del canal y una
impedancia de salida en el generador de impulsos de voltaje de 20 kΩ, para poder observar
claramente la región de descarga glow o fase glow, pues de esta forma se obtiene la corriente
mínima de descarga (entre 0.1 y 0.5 A) necesaria para generar un voltaje de descarga
aproximadamente constante (generalmente entre 50 y 100 V) durante un tiempo mayor. Los
resultados experimentales aparecen en la Figura 5.21 y los obtenidos mediante la simulación
en la Figura 5.22.

Figura 5.21. Oscilograma correspondiente al voltaje y la corriente que aparecen en un

tubo de gas cuando se aplica un impulso de voltaje tipo rayo (1.2/50 uS) con amplitud
pico de 1 kV [6]: (1) Voltaje, (2) Corriente

Figura 5.22. Voltaje que aparece entre los terminales de un tubo de descarga de 230 V
cuando se aplica un impulso tipo rayo de 1kV, con impedancia de salida de 20 kΩ, así: (1)
corriente a través del tubo de descarga (2) Voltaje que aparece en la simulación cuando se
utiliza la Ecuación de Toepler para calcular Rgap

98
Comparando estas gráficas, se puede observar una gran concordancia entre los resultados
experimentales y teóricos. Las curvas permiten evidenciar la presencia del voltaje de descarga
glow, cercano a los 100 V en la gráfica simulada y cercano a los 75 V en la gráfica
experimental. En teoría, este voltaje oscila entre 50 V y 100 V.
Tubo de descarga en gas al cual se le aplica un impulso de corriente tipo 8/20 µs.
En este caso se utilizaron las ecuaciones de Toepler, y Braginskii para evaluar la resistencia
del canal y se aplicó un impulso de 200 A. Las Figuras 5.23 y 5.24 presentan los datos
experimentales y simulados respectivamente.

Figura 5.23. Respuesta típica de un descargador a gas ante un impulso de corriente

[2]: (a) Voltaje entre terminales (b) Impulso de corriente aplicado.

Figura 5.24. Voltaje que aparece entre los terminales de un tubo de gas de simulado
en ATP cuando se aplica un impulso de corriente tipo8/20 µS (1) Impulso aplicado,
(2) Voltaje obtenido – se aplica la ecuación de Toepler en la simulación - (3) Voltaje
obtenido – se aplica la ecuación de Braginskii en la simulación -

99
Al observar estas gráficas, vemos que la forma de onda global obtenida en las simulaciones se
aproxima a la experimental, pero los tiempos de corte no son muy precisos. Los voltajes en la
zona de arco son bastante aproximados, en teoría cercanos a los 20 V. Ambas gráficas
presentan oscilaciones al comienzo y final de la zona de arco, causados por los cambios
bruscos que se presentan en la corriente al encendido y apagado del dispositivo al cruce por
cero de la corriente.
Respuesta ante una señal sinusoidal
En este caso se utilizó la ecuación de Braginskii durante la simulación para evaluar la
resistencia del canal y se aplicaron voltajes senoidales a frecuencia industrial (50 Hz) y a
media frecuencia (24 kHz). Las Figuras 5.25 y 5.26 presentan los datos experimentales y
simulados respectivamente.

Figura 5.25. Respuesta típica de un tubo de Gas cuando se aplica un voltaje a

frecuencia industrial: (a) Voltaje aplicado, (b) Corriente que circula a través del
dispositivo

100
 Figura 5.26. Resultados al simular en ATP un Tubo de gas de 350 V aplicando un
voltaje sinusoidal de 50 Hz y 1000 V de amplitud (a) y un tubo de gas de 230 V
aplicando un voltaje sinusoidal de 20 kHz y 500 V de amplitud (b) así: (1) Señal de
voltaje aplicada, (2) Voltaje entre los terminales del TDG (3)Corriente a través del
TDG. La impedancia de salida del generador es de 60 kΩ para la Figura (a) y de 2Ω
para la Figura (b)
Comparando las Figuras 5.25 y 5.26 (a), se observa una gran similitud en las formas de onda
obtenidas. En ambos casos el voltaje en la región de descarga glow es cercano a los 100 V, que
es un valor típico. De igual forma, el modelo permite representar el voltaje de descarga,
cercano a los 150 V en la gráfica experimental y de 130 V en la gráfica teórica. Los valores pico
de corriente no coinciden, debido a que en la simulación se utilizó una impedancia de salida
de 60 kΩ para el generador; si se asume un valor mayor a este para disminuir el valor de la
corriente el programa presenta muchas oscilaciones y no permite una mayor visualización de
los resultados. Pese a ello, las gráficas presentan una gran similitud en cuanto a su forma de
onda.
Característica V-I
Para obtener esta característica se utilizan los datos correspondientes a las Figuras 5.22 y 5.26
y se grafica en ATP la señal de voltaje contra la señal de corriente. Los resultados obtenidos
se presentan en la Figura 5.27.

101
 Figura 5.27. Característica V-I obtenida al simular TDGs en ATP: (1) Aplicando un
impulso de voltaje tipo rayo de 1000 V de amplitud, (2) aplicando una señal senoidal de 24
kHz y 1000 V de amplitud pico (3) aplicando una señal senoidal de voltaje de 50 Hz y 500 V
de amplitud pico
En esta gráfica se puede apreciar el inicio de un lazo de histéresis debido al reencendido que
se presenta en la zona de descarga glow.
Medición de Potencia y Energía
Los resultados de la simulación se ilustran en la Figura 5.28.

Figura 5.28. Energía y potencia en un tubo de gas de 230 V, obtenidas en la

simulación y aplicando: (1) 2000 V, (2) 1000 V, (3) 500 V
En estas curvas se puede observar como la potencia y la energía disipadas en el tubo de gas
aumentan, conforme la amplitud del impulso aplicado es mayor. La predicción del
comportamiento energético mediante el modelamiento es muy importante para establecer si
la protección escogida puede realmente soportar los máximos esfuerzos eléctricos que el
fabricante garantiza en los dispositivos.
102
 Referencias Bibliográficas del capítulo 5
[1] International Standard IEEE C62.41. IEEE Recomended practice on surge voltage in
low-voltage A.C. power circuits. 1991

[2] AVENDAÑO Carlos Alberto, OSPINA TORRES Ingrid. Comparación entre varistores
de Oxido metálico y descargadores a gas para protección contra sobretensiones en
Baja Tensión. Proyecto de grado. Universidad Nacional de Colombia. Facultad de
Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1998
[3] STANDLER Ronald. Protection of electronic circuit from overvoltage. John Wiley &
and sons. USA 1989.
[4] RAMIREZ L. César. RODRÍGUEZ J. Fredy. BORBÓN B. Mario. Modelamiento en
ATP-MODELS de varistores y tubos de gas como elementos de protección en Baja
Tensión. Proyecto de grado. Universidad Nacional de Colombia. Facultad de
Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1999.
[5] International Standard ANSI/IEEE C62.31. Standard Test Specifications for gas-tuge
surge-protective Devices. 1987.
[6] SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS. SIOV Metal oxide Varistors. Short Form.
Catalog. Austria. 1996.
[7] International Standard ANSI/IEEE C62.33. Standard Test Specifications for Varistor
surge-protective Devices. 1982.
[8] FUNABASHI Toshihisa, KIM Ikmo, SASAKI Haruo. HAGIWARA Toyohisa.
KOBAYASHI Misao. Study of ZnO arrester model for steep front wave. IEEE
transactions on power delivery, Vol 11. # 2. Abril 1992.
[9] SIEMENS. Catálogo gas filled surge arrester. Edition 6. 1990
[10] International Standard IEEE C62.42. Guide for the application of gas tube and air gap
arrester low-voltage. 1992.
[11] TANG Hong . Transient control in low voltage power installation networks and
electrocnic systems. Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive Summaries of
Uppsala Dissertations fromthe Faculty of Science and Technology. 297 pp.
UPPSALA. Sweden. 1997.
[12] ENGEL T.G, DONALDSON Anthony, MAGNE Kristiansen. The pulse discharge
arc resistance and its functional behavior. IEEE transactions on plasma sciense, Vol
17, #2, April 1989.
[13] AKIYAMA H. Current voltage characteristics of a high-current pulsed discharge in
air. IEEE Transactions on plasma science. Vol. 16, pp 312-316. April, 1988.
[14] BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis. Electrónica: Teoría de Circuitos. Ed.
Reverté. Prentice-Hall Iberoamérica. México. 1983.
[15] KAUFMAN Milton, SEIDMAN Arthur, SHENEMAN Perry. Electrónica Moderna
Práctica. Editorial McGraw-Hill. Tomos I y II. Colombia. 1990.

103
 6 Coordinación de Protecciones

6.1 Introducción
Teniendo en cuenta las propiedades que presentan los diferentes tipos de protecciones
utilizadas en baja tensión, con la coordinación de protecciones se busca aprovechar
simultáneamente las características de los dispositivos (tubos de gas, varistores, diodos
supresores) por medio de su combinación, buscando tener el máximo grado de
confiabilidad y seguridad para los equipos a proteger.
Para lograr la máxima capacidad de protección, normalmente se deben utilizar sistemas de
protección híbrida o de multietapa, donde la adecuada coordinación de las diferentes
protecciones es esencial para obtener una operación continua y confiable de los equipos y
evitar así sobrecargas en los componentes del circuito a proteger. De igual forma se debe
buscar la relación óptima costo-beneficio, teniendo en cuenta para ello el costo de la
protección, el costo del equipo y el nivel de protección que se requiere.

6.2 Esquemas de coordinación de protecciones

No es conveniente aplicar cualquier limitador de sobretensión en cualquier punto de una
instalación o sistema. Los diodos supresores de silicio y los varistores pueden conectarse
en los mismos puntos para proteger un circuito electrónico; pero en algunas situaciones
unos resultan mejores que otros. Por ejemplo cuando se requiera de una protección
bipolar, un varistor puede ser aplicado directamente y los diodos supresores pueden
aplicarse utilizando los que son bipolares o unipolares, pero haciendo una combinación de
ellos en oposición. En todo caso un diodo supresor no puede disponerse como protección
secundaria de por sí, por su baja capacidad de potencia, caso en el cual se debe aplicar un
varistor. A continuación se describen las principales combinaciones utilizadas en la
coordinación de protecciones contra sobretensiones en baja tensión [4].

104
 (a) Circuito en paralelo directo de un descargador a gas con un varistor de ZnO
(b) Circuito en paralelo indirecto de un descargador a gas con un varistor de ZnO e impedancia
de desacople
(c) Circuito serie descargador a gas- varistor de ZnO
(d) Circuito serie con dos descargadores a gas
(e) Circuito en paralelo indirecto de dos descargadores a gas
(f) Circuito básico de protección en modo común con descargador a gas, varistor y diodo
supresor
(g) Protección en cascada
Figura 6.1. Esquemas básicos utilizados en la coordinación de protecciones

6.3 Circuitos en paralelo directo

Consiste en la disposición de dos elementos de protección en paralelo, como se indica en la
Figura 6.1a. Los tubos de gas pueden ser dispositivos lentos en su conducción, lo cual
ocasiona que puedan dejar pasar cantidades apreciables de energía hacia el circuito a
proteger. A su vez, los varistores pueden presentar problemas de degradación a causa de
grandes esfuerzos ocasionados por sobrecorrientes y su capacidad parásita es muy grande.
La combinación de los dos puede traer consigo la corrección de estos problemas.
El varistor puede soportar una sobretensión antes que el tubo de gas entre en conducción
y a su vez, el tubo de gas puede soportar una mayor corriente durante el evento, evitando
así la degradación en el varistor. Los descargadores a gas no pueden utilizarse con niveles
de protección inferiores a los 70 V por motivos basados en la física de los gases [7]. Por ello
no debe elegirse un varistor para un circuito en paralelo directo con un nivel de protección
inferior a los 100 V, pues en caso contrario no se alcanzaría la tensión de encendido del
tubo de gas y el varistor no estaría debidamente apoyado.

105
6.4 Circuitos en paralelo indirecto
Si es necesaria una protección inferior a los 100 V, se debe aplicar una impedancia resistiva
o inductiva entre el tubo de gas y el varistor, para poder alcanzar la tensión de encendido
del descargador de gas, como se muestra en la Figura 6.1b. Esta configuración tiene una
gran capacidad de conducción de corriente, sin necesidad de alcanzar la tensión de
encendido del tubo de gas y empezando a limitar la sobretensión mucho antes de llegar a
esta tensión.
La impedancia inductiva aumenta con la pendiente del frente de onda, por lo cual con una
inductancia puede lograrse una conmutación rápida de la zona de corriente de protección
media a la de alta protección que con una resistencia. El tubo de gas debe estar dispuesto
adelante del varistor, pues su capacidad de disipación de corriente de descarga es mayor.

6.5 Circuito serie

El circuito en serie descargador a gas-varistor mostrado en Figura 6.1c, es especialmente
apropiado para asegurar la extinción del voltaje residual en una red de baja impedancia
durante una sobretensión. Debido a que la caída de voltaje en el varistor es casi constante,
el voltaje que aparece en el tubo de gas llega a ser inferior a su voltaje de arco y así se
garantiza la extinción del voltaje residual del tubo de gas. Esta combinación es también
apropiada para reducir la capacidad parásita propia del varistor.
La disposición serie de dos tubos de descarga tiene una peor respuesta que la obtenida con
un simple tubo de gas, pero permite extinguir la corriente subsiguiente o residual (Figura
6.1d). Con una combinación en serie de un descargador a gas y un varistor (Figura 6.1c) se
logra también extinguir la corriente residual con una mejor respuesta e incluso el circuito
de la Figura 6.1e, permite doblar la capacidad energética de limitación.

6.6 Protección escalonada de tres componentes

Si en una protección escalonada se utiliza como tercer componente un diodo supresor, se
pueden satisfacer los máximos requerimientos de protección. El circuito que comprende
un tubo de gas en paralelo con un diodo supresor y unidos mediante una resistencia,
Figura 6.1f, es adecuado cuando se protegen líneas de comunicaciones, pues se obtiene
una tensión de limitación menor a la obtenida con el esquema del circuito de la Figura
6.1b, pero se tiene el inconveniente de que, cuando se presentan impulsos de sobretensión
con tiempos de subida lentos, la limitación se concentra más sobre el diodo supresor, que
posee una capacidad de disipación menor.
Un circuito mucho más completo de protección en cascada es el presentado en la Figura
6.1g, el cual provee un rango de protección para equipos en un ancho de banda de DC a 5
MHz. En este caso los diodos D son utilizados para reducir la capacidad del circuito y el
tubo de gas TG se encarga de realizar la protección “gruesa” del equipo. Los componentes
R1, L1 y R2 se encargan de limitar la corriente a través del varistor y los diodos avalancha
Da.

106
6.7 Protección en cascada con cable de instalación
Al diseñar una protección eficiente en un sistema de baja tensión, en ocasiones se hace
necesario instalar una de las protecciones cerca al punto de entrada de la potencia al
circuito (protección primaria) y otro dispositivo de protección muy cerca del equipo a
proteger (protección secundaria), tal como se observa en la Figura 6.2a. Las razones para
realizar esta coordinación de protecciones son, entre otras: lograr que en la protección
secundaria el voltaje residual sea mucho menor, que en la protección primaria se disipe la
mayor parte de la energía proveniente de la sobretensión y que solo un voltaje de pequeña
amplitud y corta duración logre llegar hasta el equipo a proteger. Algunos de los circuitos
utilizados en este proceso se indican en las Figuras 6.2 (b) y (c). En la Figura 6.2b, la
combinación de los varistores permite que el voltaje residual del varistor primario sea
mayor que el del secundario, disminuyendo de esta forma los esfuerzos sobre ambos
dispositivos y prolongando su vida media. El circuito de la Figura 6.2c, permite combinar
las ventajas de los circuitos de las Figuras 6.2a y 6.2c para lograr un menor voltaje residual
sobre el equipo a proteger.

Figura 6.2. Coordinación en cascada con cable de instalación:

Esquema general, utilización de dos varistores en cascada y
utilización de varistores y tubos de gas en combinación paralelo-
serie.

107
6.8 Simulación de Coordinación de protecciones
A continuación se presentan los resultados obtenidos al simular en ATP algunos de los
casos de coordinación de protecciones propuestos en esta sección. La Figura 6.3 presenta
los resultados obtenidos al simular los casos propuestos en las Figuras 6.1 (a) a (e),
utilizando un varistor de 150 V de voltaje nominal, un tubo de descarga en gas con voltaje
de encendido DC de 350 V, un diodo supresor de 40 V y una señal aplicada (sobretensión
tipo rayo) de 3 kV en todos los casos. La impedancia de salida del generador se estimó en
2 Ω en todos los casos.
En la Figura 6.3 se puede observar que los casos más favorables para el equipo sensible a
proteger se logran al utilizar los esquemas (a) y (b) de la Figura 6.1, dado que permiten un
voltaje de corta duración y baja amplitud. De igual forma, la Figura 6.3 muestra como el
tubo de gas logra disipar la mayor parte de la energía, dado que posee una mayor
capacidad de disipación; de esta forma los esfuerzos sobre el varistor no son tan exigentes.
Para el caso particular de la Figura6.1b, la energía máxima disipada en el tubo de gas es de
3 J, mientras que en el varistor es de sólo 0.2 J.
Un circuito particularmente inadecuado es el de la Figura 6.1c, cuya respuesta energética
no es buena, puesto que en el varistor se disipan más de 20 J y en el tubo de gas tan solo
1.8 J. Debido a este fenómeno es que es aconsejable que el voltaje Nominal VN del varistor
sea mayor que el voltaje de encendido DC del tubo de gas, de lo contrario puede suceder
que este último nunca entre en conducción y el varistor estaría sometido a un gran
esfuerzo eléctrico.
La Figura 6.4c presenta los resultados obtenidos experimentalmente por Tang [10]. Al
aplicar impulsos tipo rayo al circuito presentado en la Figura 6.1g y la Figura 6.4 (a) y (b)
presenta los resultados de la simulación para las mismas condiciones. En la simulación se
utilizan los modelos propuestos para el tubo de gas, varistor (modelo convencional) y
diodos supresores.

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Figura 6.3. Resultados de la simulación en ATP de coordinación de
protecciones, de acuerdo con los circuitos presentados en la Figura 6.1: (a)
Voltaje al final de la protección, (b) Corriente a través del tubo de gas, (c)
Corriente a través del varistor, (d) Energía en el tubo de gas (e) Energía en
el varistor

109
 (a) (b)

(c)
Figura 6.4. Resultados de la coordinación de protecciones en cascada, de acuerdo con el circuito de
la Figura 6.1g. (a) Voltaje que aparece en el tubo de gas, (b) voltaje en la carga, (c) Resultados
experimentales obtenidos por Tang [10]. Las señales aplicadas son voltajes tipo rayo con amplitud
pico de: (1) 500 V, (2) 1000 V, (3) 3000 V. Los parámetros del circuito son: R1= 5 Ω, R2 = 3 Ω, L1
= 0.4 µH, Dz= Diodo zener 5 V, Da =Diodo avalancha 9 V, TG=tubo de gas 230 V, V= varistor
11 V, Z=carga de 50 Ω
Comparando estas gráficas, se aprecia una gran similitud en cuanto a formas de onda
entre los resultados experimentales y los simulados en ATP. Los modelos de diodos
implementados en MODELS presentan una respuesta muy semejante a la observada
experimentalmente, manteniendo un voltaje residual casi constante de 15 V en la
simulación y de 13 V en la curva experimental. El tubo de gas necesita de un alto voltaje
para encenderse, pero permite evacuar la mayor parte de la corriente para proteger al
varistor y los diodos. Si el frente de onda incidente no es muy escarpado y la resistencia R1
no es lo suficientemente grande, puede ocurrir que el tubo de gas no se encienda y que el
varistor presenta una sobrecarga, de allí la importancia de que el voltaje de encendido del
tubo de gas no sea tan alto y de predecir estos comportamientos por medio de la
simulación.
La Figura 6.5a corresponde a las simulaciones realizadas con base en el circuito de la
Figura 6.2b y la Figura 6.5b a los resultados obtenidos experimentalmente siguiendo el
trabajo de Ramírez, Rodríguez y Borbón [4]. Con base en los siguientes elementos de
circuito:

Protección primaria: varistor de 250 V de voltaje nominal.

Protección secundaria: Varistor de 150 V de Voltaje nominal.

Cable de instalación: cable de 15 m.

110
Mediante este esquema se pretende que la protección secundaria disipe la menor cantidad
de energía posible, pues como se puede observar, tanto el voltaje como la corriente en la
protección primaria son mayores que en la protección secundaria.

(a) (b)
Figura 6.5. Resultados de la simulación en ATP de coordinación de protecciones entre dos
varistores, de acuerdo con en circuito de la Figura 6.2b. Se aplica un voltaje tipo rayo de 3 kV. (a)
resultados experimentales obtenidos por Ramírez, Rodríguez y Borbón [4]. (b) resultados obtenidos
en la simulación. (1) y (3) Voltaje y corriente en la protección primaria. (1) y (4) Voltaje y
corriente en la protección secundaria
La Figura 6.6 presenta los resultados obtenidos al simular el circuito de la Figura 6.1f en
ATP. En la Figura 6.6 se aprecia como la utilización en cascada de los tres componentes
dispuestos de mayor a menor capacidad de disipación energética y de menor a mayor
velocidad de respuesta logra recortar el pico de sobretensión, permitiendo un voltaje muy
estable sobre el equipo a proteger y menores esfuerzos sobre los componentes
individuales, principalmente el varistor y el diodo supresor.

(1) Voltaje y corriente en el tubo de gas (voltaje de encendido de 350 V)

(2) Voltaje y corriente en el varistor de 150 V
(3) Voltaje y corriente en el diodo supresor de 40 V

Figura 5.36. Resultados de la simulación en ATP de coordinación de protecciones,

de acuerdo con el circuito de la Figura 6.1f, aplicando un impulso tipo rayo de 3
kV. (a) Voltaje. (b) Corriente a través de los dispositivos.
111
La Figura 6.7 muestra la operación de varistores y tubos de gas en combinación paralelo-
serie (esquema de la Figura 6.2c). La protección primaria consta de un varistor de 150 V y
un tubo de gas de 470 V; la protección secundaria consta de un varistor de 150 V y un tubo
de gas de 150 V, con un cable de instalación de 15 m y aplicando impulsos de 3 kV y 5 kV
tipo rayo. Esta disposición busca evitar que se presente corriente de fuga a través del
varistor bajo condiciones de operación normal.

Figura 6.7. Resultados de la simulación en ATP de coordinación de protecciones, de

acuerdo con el circuito de la Figura 6.2c. (a) Aplicando un impulso tipo rayo de 3 kV. (b)
aplicando un impulso de 5 kV. (1) Voltaje en la protección primaria (Varistor de 150 V y
tubo de gas de 470 V en paralelo). (2) Voltaje en la protección secundaria (varistor de 150
V tubo de gas de 150 V en serie) (3) Voltaje en el varistor secundario
El elevado voltaje de encendido del tubo de gas en la protección primaria puede ocasionar
que este elemento no se encienda ante bajos voltajes, como se observa en la Figura 6.7a. En
consecuencia, la protección secundaria estaría sobrecargada. En la Figura 6.7b, se aplica un
sobrevoltaje mayor y el dispositivo alcanza su voltaje de encendido, protegiendo tanto al
varistor primario como el secundario y al equipo a proteger más eficientemente. Este
aspecto debe ser tenido en cuenta al momento de realizar un diseño con protecciones de
este tipo, procurando que el voltaje de encendido del tubo de gas sea menor que el voltaje
nominal del varistor.
Las simulaciones realizadas en este capítulo muestran que la protección más idónea para
los equipos sensibles en baja tensión debe incluir la disposición de varios elementos
limitadores en combinaciones diversas, buscando aprovechar en conjunto las ventajas
individuales de los dispositivos de protección. Se debe realizar una simulación previa de
este conjunto, para establecer cuales son los voltajes, corrientes y energías que los
dispositivos tienen que evacuar sin entrar en modo de fallo y así predecir su
comportamiento energético.

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 Referencias Bibliográficas del capítulo 6

[1] AVENDAÑO Carlos Alberto, OSPINA TORRES Ingrid. Comparación entre

varistores de Oxido metálico y descargadores a gas para protección contra
sobretensiones en Baja Tensión. Proyecto de grado. Universidad Nacional de
Colombia. Facultad de Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1998
[2] International Standard ANSI/IEEE C62.31. Standard Test Specifications for gas-tuge
surge-protective Devices. 1987.
[3] International Standard ANSI/IEEE C62.33. Standard Test Specifications for Varistor
surge-protective Devices. 1982.
[4] RAMIREZ L. César. RODRÍGUEZ J. Fredy. BORBÓN B. Mario. Modelamiento en
ATP-MODELS de varistores y tubos de gas como elementos de protección en Baja
Tensión. Proyecto de grado. Universidad Nacional de Colombia. Facultad de
Ingeniería. Departamento de Eléctrica. 1999.
[5] STANDLER Ronald. Protection of electronic circuit from overvoltage. John Wiley &
and sons. USA 1989.
[6] SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS. SIOV Metal oxide Varistors. Short Form.
Catalog. Austria. 1996.
[7] SIEMENS. Catálogo gas filled surge arrester. Edition 6. 1990
[8] AKIYAMA H. Current voltage characteristics of a high-current pulsed
discharge in air. IEEE Transactions on plasma science. Vol. 16, pp 312-316.
April, 1988.
[9] ENGEL T.G, DONALDSON Anthony, MAGNE Kristiansen. The pulse discharge arc
resistance and its functional behavior. IEEE transactions on plasma sciense, Vol 17,
#2, April 1989.
[10] TANG Hong . Transient control in low voltage power installation networks and
electrocnic systems. Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive Summaries of
Uppsala Dissertations fromthe Faculty of Science and Technology. 297 pp.
UPPSALA. Sweden. 1997.

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