Práctica de laboratorio No.

3:

Características Del MOSFET.

Electrónica II.
Jaime Gandara, Leonardo Garrido, Pedro Tovar

Sincelejo, Sucre.

Programa: Tecnología en Electrónica Industrial, Universidad de Sucre.

Resumen:. Este informe se realizó con el objetivo de

analizar a el transistor de efecto de campo metal- totalidad de los microprocesadores
óxido-semiconductor (MOSFET) (canal n, canal p) y comerciales están basados en transistores
cada una de sus características; esto con el objetivo de MOSFET. Es un dispositivo perteneciente a la
repasar conocimientos obtenidos previamente como
principio básico de funcionamiento de un transistor
estructura MOS de cuatro terminales llamados
MOSFET en cada una de sus configuraciones fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta
(amplificación, conmutación). Teniendo como guía (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el
los circuitos propuestos por el docente, realizamos las sustrato generalmente está conectado
simulaciones de los circuitos y el posterior desarrollo internamente al terminal de fuente y por este
de este informe.
motivo se pueden encontrar dispositivos
Palabras claves: Amplificación, conmutación y MOSFET de tres terminales. Figura 1. [1]
funcionamiento de un MOSFET, medición de
corrientes y voltajes en un MOSFET, terminales del
transistor MOSFET.

[Link]ÓN.

Los problemas que vienen presentando los

transistores bipolares o BJT, como son la
corriente que soportan y la dependencia de la
temperatura a la que se ven sometidos, unas
veces por su emplazamiento, otras por un mal
Figura 1.
trazado y la más evidente, el efecto llamado de
avalancha. Estas evidencias, han llevado a que La estructura MOS está compuesta de dos
se sustituyan por otros transistores más terminales y tres capas: Un Substrato de
avanzados, hasta la llegada de los MOSFET. silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual
[2] se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2)
que, posee características dieléctricas o
El MOSFET es un transistor utilizado para
aislantes, lo que presenta una alta impedancia
amplificar o conmutar señales electrónicas.
de entrada. Por último, sobre esta capa, se
Es el transistor más utilizado en la industria coloca una capa de Metal (Aluminio o
microelectrónica, ya sea en circuitos polisilicio), que posee características
analógicos o digitales. Prácticamente la conductoras. En la parte inferior se coloca un
contacto óhmico, en contacto con la capsula, II. MARCO TEÓRICO.
como se observa en la figura 2. [2]
Procedimiento:
Características de transferencia:
1. Realice el montaje del circuito de la figura
4. (Opcional)

Figura 2.
Figura 4.

2. Al realizar la simulación ajustamos

VDS=10V variando V1, manteniendo R1
ligeramente mayor a ¼ del valor total. Tabla 1.
Tabla 1.

V1=VDS1=10V
VGS (V) ID(mA)

OBJETIVOS: 0V 0,13

 Verificar el funcionamiento de un 8V (máx) 0,10

MOSFET
 Experimentar circuitos de
polarización del MOSFET 3. V2 lo mantuvimos en 0V. Después
cambiamos el valor de VGS variando el valor
de V2. (Manteniendo a R2 en el valor
MATERIALES
mínimo) y observamos la caída de voltaje de
Componentes: VDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS,
llevando VGS a 5V.
 Un MOSFET RF 740 o 2N7000
 Un LED de color 4. Realizamos los pasos anteriores para
 Resistores: 75Ω (2), diferentes valores con:
 Potenciómetros: 4 KΩ y 10KΩ
VDS2 = 12V.
VDS3 = 15V
Los resultados obtenidos se evidencian en la
Tabla 2.
Tabla 2.
III. ANÁLISIS DE RESULTADOS.
V1=VDS2=12V
VGS (V) ID (mA)
0,19 0.16

V1=VDS3=15V
VGS (V) ID(mA)
0.23 0,20

Características de drenaje:
5. Ajustamos el VG variando el valor de V2 a
VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral).
Tabla 3.
Tabla 3.

V1=VGS1=VTH
VDS (V) IDS(mA)

0V 0,00

8V (máx) 0,10

Pregunta de investigación: ¿Por qué

6. Variamos VGS cambiando el valor de V2
los MOSFET no son implementados en
en variaciones de 0.5V y anotamos el valor de
aplicaciones de elevadas potencias?
IDS. (Hasta que IDS sea constante).
7. Repetimos los pasos anteriores para R/ El transistor MOSFET no es
diferentes valores de VGS2 = VTH ± 0.1V. implementado para estas aplicaciones
Tabla 4. porque éste utiliza una velocidad de
conmutación en el orden de los
Tabla 4. nanosegundos, lo que le permite ser
utilizado como convertidores de baja
VGS=VGS2=VTH ±0.1V
potencia y llevar a cabo la disipación de la
VDS (V) IDS (mA) energía; que en términos de pérdida es
muy pequeña, lo que hace que sea un
0V 0.00 componente importante en los modernos
8V (máx) 0,13 ordenadores y dispositivos electrónicos en
la actualidad.
 IV. CONCLUSIÓN.
Los mosfet controlan el paso de la
corriente por el source y drain, mediante
la aplicación de una tensión (tensión
umbral) en el gate. Es controlado por
tensión, al aplicar tensión conduce y
cuando no hay tensión en la puerta no
conduce. Por otro lado si VGS < Vt este
esté esta en zona de corte, y cuando se
satura VGS > Vt y VDS > (VGS – Vt), es
decir, VDS ≥ VGS – VT (Región de
saturación). Este dispositivo trabaja a baja
potencia, por eso las corrientes y voltajes
son pequeños, es decir teniendo en cuenta
la relación que hay de potencia con la
corriente y la resistencia tanto los voltajes
como las corrientes que obtenemos son
bastantes pequeños, entonces se evidencia
que aun teniendo una fuente de 30V y
teniendo el resistor de 4k al máximo lo
que logra salir en VDS es muy diminuto,
el voltaje no llega a 1V y la corriente
tampoco llega a 1A.

V. BIBLIOGRAFÍA.

[1] V. García. (15 Nov/2012). [Online].

Available:
[Link]
l-transistor-mosfet
[2] Componets 101. (23 Mar/2020. [Online].
Available:
[Link]
symbol-working-operation-types-and-
applications
[3] Tesis mosfet (12 dic 2018 [Online].
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