CRISTINA TAVAREZ DOSEN 2020’0442
FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA
Guías de estudios #2 24/mayo/17
Unidad I: Diodos semiconductores. En esta guía se aborda la base fundamental de la
electrónica como la conocemos hoy en día, nos referimos a la unión PN. Los dispositivos
tales como diodos y otros tipos de semiconductores como el transistor y los circuitos
integrados, dominan en su totalidad toda la tecnología actual. Por esto, es muy importante
que el estudiante tenga una comprensión de la estructura básica de los diodos
semiconductores.
Estudie el capítulo 1 “Introducción a los semiconductores” del libro Floyd, Thomas L.
“Dispositivos electrónicos”, 8a ed. Pearson Education, Mexico, 2008 Y responda las
siguientes preguntas:
RESUMEN
Sección 1.1
De acuerdo con el modelo clásico de Bohr, el átomo tiene una estructura tipo planetaria con
los electrones en órbita a varias distancias alrededor del núcleo central.
El núcleo de un átomo se compone de protones y neutrones. Los protones tienen una carga
positiva y los neutrones no tienen carga. El número de protones es el número atómico del
átomo.
Los electrones tienen una carga negativa y giran alrededor del núcleo a distancias que
dependen de su nivel de energía. Un átomo tiene bandas discretas de energía llamadas
capas en las cuales orbitan los electrones. La estructura atómica permite un cierto número
máximo de electrones en cada capa. En su estado natural, todos los átomos son neutros
porque tienen un número igual de protones y electrones.
La capa o banda más externa de un átomo se llama banda de valencia y los electrones que
orbitan en esta banda se llaman electrones de valencia. Estos electrones tienen el más alto
nivel de energía de todos aquellos presentes en el átomo. Si un electrón de valencia
adquiere suficiente energía de una fuente externa, tal como calor, puede saltar de la banda
de valencia y escaparse del átomo.
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Sección 1–2
Los materiales aislantes tienen muy pocos electrones libres y no conducen corriente en
absoluto en circunstancias normales. Los materiales que son conductores tienen un gran
número de electrones libres y conducen corriente muy bien.
Los materiales semiconductores se encuentran entre los conductores y los aislantes en
cuanto a su capacidad para conducir corriente.
Los átomos de los materiales semiconductores tienen cuatro átomos de valencia. El silicio
es el material semiconductor más ampliamente utilizado.
Los átomos de los materiales semiconductores están enlazados en una configuración
simétrica para formar un material sólido llamado cristal. Los enlaces que mantienen unido
a un cristal se llaman enlaces covalentes.
Sección 1–3
Los electrones de valencia que logran escaparse de su átomo padre se llaman electrones de
conducción o electrones libres. Tienen más energía que los electrones presentes en la banda
de valencia y están libres para andar a la deriva por todo el material. Cuando un electrón se
escapa y se libera, deja un hueco en la banda de valencia que crea lo que se llama par
electrón- hueco. Estos pares electrón- hueco son térmicamente producidos porque el
electrón ha adquirido suficiente energía de una fuente calorífica externa para escaparse de
su átomo.
A la larga, un electrón libre pierde energía y regresa a un hueco. Esto se llama
recombinación. Los pares de electrón- hueco continuamente están siendo generados
térmicamente de tal forma que siempre hay electrones libres en el material. Cuando se
aplica un voltaje a través del semiconductor, los electrones libres producidos térmicamente
se desplazan hacia el extremo positivo y forman la corriente. Éste es un tipo de corriente y
se llama corriente de electrones. Otro tipo de corriente es la corriente de huecos. Esta
ocurre a medida que los electrones de valencia se desplazan de hueco en hueco con lo que
se crea, en realidad, un movimiento de huecos en la dirección opuesta.
Sección 1–4
Se crea un semiconductor tipo n agregando átomos de impureza que tienen cinco electrones
de valencia.
Estas impurezas son átomos pentavalentes. Se crea un semiconductor tipo p agregando
átomos de impureza con sólo tres electrones de valencia. Estas impurezas son átomos
trivalentes.
El proceso de agregar impurezas pentavalentes o trivalentes a un semiconductor se llama
dopado.
Los portadores mayoritarios de un semiconductor tipo n son electrones libres adquiridos
mediante el proceso de dopado y los portadores minoritarios son huecos libres producidos
por pares de electrón-hueco generados térmicamente.
Sección 1–5
Se forma una unión pn cuando una parte del material se dopa con impurezas tipo n y otra
parte de él se dopa con impurezas tipo p. Se forma una región de empobrecimiento a partir
de la unión que se queda sin portadores mayoritarios. La región de empobrecimiento se
forma por ionización.
El potencial de barrera es por lo general de 0.7 V para un diodo de silicio y de 0.3 V para
germanio.
Sección 1–6
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Existe corriente a través de un diodo sólo cuando está polarizado en directa. Idealmente, no
hay corriente cuando no hay polarización ni cuando se polariza en inversa. En realidad, se
presenta una corriente muy pequeña en la condición de polarización en inversa debido a los
portadores minoritarios generados térmicamente, pero en general se puede despreciar. La
situación de avalancha ocurre en un diodo polarizado en inversa si el voltaje de
polarización es igual a o excede el voltaje de ruptura.
Un diodo conduce corriente cuando está polarizado en directa y la bloquea cuando está
polarizado en inversa.
El voltaje de ruptura con polarización en inversa para un diodo es por lo general mayor que
50 V.
Sección 1–7
La curva de característica V-I muestra la corriente a través del diodo como una función del
voltaje a través de él.
La resistencia de un diodo polarizado en directa se llama resistencia dinámica o de ca.
La corriente de polarización en inversa se incrementa con rapidez con el voltaje de ruptura
de polarización en inversa.
La ruptura de polarización en inversa deberá ser evitada en la mayoría de los diodos.
Sección 1–8
El modelo ideal representa el diodo como un interruptor cerrado con polarización en directa
y como interruptor abierto con polarización en inversa.
El modelo práctico representa el diodo como un interruptor en serie con el potencial de
barrera.
El modelo completo incluye la resistencia dinámica de polarización en directa en serie con
el modelo práctico de polarización en directa y la resistencia de polarización en inversa en
paralelo con el interruptor abierto con polarización en inversa.
Sección 1–9
Muchos DMM cuentan con la función de prueba de diodo.
Los DMM muestran la caída en el diodo cuando éste se encuentra operando
apropiadamente con polarización en directa.
Muchos DMM indican “OL” cuando el diodo está abierto.
Cuestionario
Sección 1.1
1. Describa un átomo.
Parte más pequeña de una sustancia que no se puede descomponer químicamente.
Cada átomo tiene un núcleo (centro) compuesto de protones (partículas positivas) y
neutrones (partículas sin carga). Los átomos de diferentes elementos contienen
diferentes números de protones, neutrones y electrones
2. ¿Qué es un electrón?
Un electrón es una partícula con carga eléctrica negativa. Los electrones forman la
corteza exterior “reactiva” de los átomos que interacciona con otros y forman los
vínculos químicos que mantienen a las moléculas unidas
3. ¿Qué es un electrón de valencia? Los electrones de valencia son los electrones de un
átomo que se encuentran en el nivel de energía superior
4. ¿Qué es un electrón libre?
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son los que determinan las propiedades eléctricas de los átomos, también tienen la
propiedad de ser desalojados con relativa facilidad y convertirse en electrones activos para
la producción de los fenómenos eléctricos.
5. ¿Cómo se forman los iones?
Los iones se forman cuando un átomo neutro (eléctricamente neutro) pierde o gana
electrones. Los aniones tienen más electrones que protones y los cationes tienen un número
de protones más alto.
Estudie la sección 1.2 “Aislantes, conductores y semiconductores” del mismo autor y
responda las preguntas a continuación:
1. ¿Cuál es la diferencia básica entre conductores y aislantes?
Los conductores son los materiales que permiten el paso de la corriente eléctrica, los
aislantes impiden el paso de la electricidad
2. ¿Cómo difieren los semiconductores de los conductores y aislantes?
Los semiconductores son los que se pueden comportar como conductores o como
aislantes y los conductores son los materiales que permiten el paso de la corriente eléctrica,
los aislantes impiden el paso de la electricidad.
3. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un conductor tal como el cobre?
Para conocer el número de electrones de valencia de un elemento, se debe realizar
su configuración electrónica. La configuración electrónica muestra cómo se
encuentran distribuidos los electrones por niveles y subniveles de energía. De este
modo, se observar que en el último nivel de energía o capa de valencia hay 1
electrón
4. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un semiconductor?
Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de
valencia. Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y los
aislantes 8 electrones de valencia.
5. Nombre tres de los mejores materiales conductores.
como el cobre, el oro, el hierro, la plata.
6. ¿Cuál es el material semiconductor más utilizado?
Silicio
7. ¿Por qué un semiconductor tiene menos electrones libres que un conductor?
un semiconductor no dispone de tantos electrones, ya que las bandas de valencia y
conducción están separadas por una barrera de energía o intervalo prohibido, la cual
solo la pueden superar por agitación térmica una pequeña fracción de electrones.
8. ¿Cuántos enlaces covalentes se forman?
Enlace covalente polar. ...
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Enlace covalente no polar. ...
Enlace covalente dativo o coordinado. ...
Enlace covalente simple. ...
Enlace covalente doble. ...
Enlace covalente triple.
9. ¿Qué significa el término intrínseco?
se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de
otro tipo dentro de su estructura.
Estudie la sección 1.3 “Corriente en semiconductores” del mismo autor y responda estas
preguntas:
1. ¿Hay electrones libres en la banda de valencia o en la banda de conducción?
En la banda de condición
2. ¿Cuáles electrones son responsables de la corriente de electrón en el silicio?
Los electrones de valencia
3. ¿Qué es un hueco?
s la ausencia de un electrón en la banda de valencia
4. ¿A qué nivel de energía ocurre un hueco?
A 0 ºK los 4 electrones de cada átomo están en la Banda de Valencia
Estudie la sección 1.4 “Semiconductores tipo N y tipo P” Esta sección describe las regiones
en los semiconductores que se pueden formar y combinar para la fabricación de decenas de
dispositivos electrónico.
Conteste lo siguiente:
1. Defina dopado.
agregar impurezas en un semiconductor
2. ¿Cuál es la diferencia entre un átomo pentavalente y un átomo trivalente? ¿Cuáles
otros nombres reciben estos átomos? Un átomo pentavalente (donador) tiene cinco
electrones de valencia y un átomo trivalente (aceptor) tiene tres electrones de
valencia.
3. ¿Cómo se forma un semiconductor tipo n?
Se forma un material tipo n con la adición de átomos de impureza pentavalentes al
material semiconductor intrínseco
4. ¿Cómo se forma un semiconductor tipo p?
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Se forma un material tipo p con la adición de átomos de impureza trivalentes al
material semiconductor intrínseco.
5. ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo n?
El portador mayoritario en un semiconductor tipo n es el electrón libre
6. ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo p?
portador mayoritario en un semiconductor tipo p es el hueco
7. ¿Mediante qué proceso se producen los portadores mayoritarios?
Los portadores mayoritarios se producen mediante dopado
8. ¿Mediante qué proceso se producen los portadores minoritarios?
Los portadores minoritarios se producen térmicamente cuando se generan pares de
electrón-hueco.
9. ¿Cuál es la diferencia entre semiconductores intrínsecos y extrínsecos? Un
semiconductor puro es intrínseco. Un semiconductor dopado (con impurezas) es extrínseco
Estudie las secciones 1.5 “El diodo”
¿Qué es una unión pn?
Una unión pn es el límite entre semiconductores tipo p y tipo n en un diodo.
2. Explique qué es la difusión?
Es el movimiento de electrones libres (portadores mayoritarios) en la región n a
través de la unión pn hacia la región p
3. Describa la región de empobrecimiento.?
La región de empobrecimiento está constituida por las delgadas capas de iones
positivos y negativos que existen a ambos lados de la unión pn
.4. Explique qué es el potencial de barrera y cómo se crea.?
El potencial de barrera es la diferencia de potencial del campo eléctrico en la región
de empobrecimiento y es la cantidad de energía requerida para desplazar a los
electrones a través de la región de empobrecimiento.
.5. ¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de silicio?
El potencial de barrera para un diodo de silicio es de aproximadamente 0.7 V6.
6¨ ¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de germanio?
El potencial de barrera para un diodo de germanio es de aproximadamente 0.3 V
Polarización se refiere al uso de un voltaje de cc para establecer ciertas condiciones de
operación para un dispositivo electrónico.ç
Estudie la sección 1.6 “Polarización de un diodo” y responda lo siguiente:
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1. Describa la polarización en inversa de un diodo.
Cuando está polarizado en directa, un diodo conduce corriente. Los electrones libres
en la región n se desplazan a través de la unión pn y se combinan con los huecos
presentes en la región p.
2. Explique cómo se polariza en directa un diodo.
se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo
al cátodo.
3. Describa la polarización en inversa de un diodo.
terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión
se denomina
4. Explique cómo se polariza en inversa un diodo.
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo del batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión se
denomina "Polarización Inversa". Esta corriente depende de la tensión de la pila (V
ó VP
5. Compare las regiones de empobrecimiento en las condiciones de polarización en
directa y polarización en inversa.
6. ¿Qué condición de polarización produce corriente de portadores mayoritarios?
En la presencia de un circuito externo que proporciona continuamente portadores
mayoritarios, la recombinación aumenta y agota constantemente la afluencia de portadores
a la célula solar. Esto aumenta la difusión y en última instancia, aumenta la corriente a
través de la región de agotamiento
7. ¿Cómo se produce corriente en inversa en un diodo? Si aplicas un voltaje negativo
al diodo, la terminal − está a un voltaje mayor que la terminal +, lo que nos sitúa en
el lado izquierdo de la gráfica i- v.
8. ¿Cuándo ocurre ruptura en inversa en un diodo?
Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican, existe
un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin
correr el riesgo de destruirlo.
9. Defina el efecto de avalancha tal como se aplica a diodos.
El efecto avalancha ocurre en diodos donde un lado de la juntura está fuertemente dopado
respecto del otro. La tensión de ruptura, en estos casos, es inversamente proporcional a la
concentración de impurezas del lado menos dopado.
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Característica de voltaje-corriente de un diodo. Sección 1.7.
1. Describa el significado de la inflexión de la curva de característica de polarización
en directa.
El punto de inflexión de un diodo en polarización directa, es aquel punto donde el
diodo comienza a trabajar, es decir cuando se supera el potencial de barrera
2. ¿En qué parte de la curva un diodo polarizado en directa opera normalmente?
En diodo polarizado en directa opera normalmente desde que el voltaje inducido
supera el potencial de barrera.
3. ¿Cuál es más grande, el voltaje de ruptura o el potencial de barrera?
El voltaje de rotura es mayor que el de barrera en magnitud!
4. ¿En qué parte de la curva un diodo polarizado en inversa opera normalmente?
En diodo polarizado en inversa opera normalmente desde que el voltaje inducido es
0 hasta que este voltaje inducido llegue al voltaje de rotura.
5. ¿Qué le sucede al potencial de barrera cuando se incrementa la temperatura?
Este disminuye.
El modelo del diodo más utilizado es el modelo práctico; pero es instructivo conocer las
opciones básicas.
Estudie la sección 1.8 “Modelos del diodo” y responda lo siguiente:
1. ¿Cuáles son las dos condiciones en las cuales se opera un diodo? El modelo más
sencillo es el modelo de tensión de codo que desprecia la caída de tensión directa
del diodo en conducción y tampoco tiene en cuenta la tensión de ruptura inversa. El
diodo se sustituirá por un cortocircuito en caso de estar polarizado directamente y
por un circuito abierto si está cortado.
2. ¿En qué condición un diodo nunca se opera intencionalmente?
3. ¿Cuál es la forma más sencilla de visualizar un diodo?
el modelo más sencillo es el modelo de tensión de codo que desprecia la caída de tensión
directa del diodo en conducción y tampoco tiene en cuenta la tensión de ruptura inversa. El
diodo se sustituirá por un cortocircuito en caso de estar polarizado directamente y por un
circuito abierto si está cortado.
4’’Para representar con más precisión un diodo, ¿qué factores se deben incluir?
5. ¿Cuál modelo de diodo representa la aproximación más precisa? La exponencial se
aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este
diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
“Prueba del diodo”
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1. ¿En qué intervalo un diodo que funciona apropiadamente producirá una lectura
cuando está Polarizado en directa? En el primer
2. ¿Qué lecturas podría producir un DMM cuando un diodo está polarizado en inversa?
Cuando el diodo está polarizado inversamente (tercer cuadrante), la corriente es cero y solo
se debe a la temperatura; si se aumenta el voltaje inverso aplicado, es posible que los
electrones rompan los enlaces y se conviertan en una corriente, produciendo la avalancha.
