Tercera Práctica de Microondas
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Trabajo Monográfico: Diodo de Avalancha
Característica I(V) de una unión PN, en la que se muestra la región de ruptura b) Campo eléctrico de
ruptura en función del menor de los dopajes de una unión PN abrupta
Hay dos mecanismos que permiten explicar la ruptura de la unión. Uno es el efecto avalancha, causado
por la ionización por impacto. El otro se denomina efecto Zener. Este último es dominante en el silicio
para tenciones Vz inferiores a unos 5V, mientras que para tensiones superiores domina el efecto
avalancha. Alrededor de Vz= 5V se da la superposición de ambos efectos.
Efecto Avalancha
Un portador arrastrado por un campo eléctrico adquiere energía cinética durante el trayecto libre
entre dispersiones. Si el campo eléctrico es suficientemente intenso, el portador puede llegar a tener
energía para arrancar en una colisión un electrón de valencia, y cederle suficiente energía como para
convertirlo en un electrón de conducción, con lo que se genera un par electrón-hueco. Ese proceso se
denomina generación o ionización por impacto.
Los portadores generados son a su vez acelerados también por el campo eléctrico. Si se dan las
condiciones para que esos portadores generen nuevos pares por impacto, tiene lugar entonces una
multiplicación del número de portadores –conocida como multiplicación por impacto- que produce un
rápido incremento de la corriente de arrastre, denominado efecto avalancha. En la figura se esquematiza
esta idea para unos de los dos tipos de portadores de electrones. Las condiciones necesarias para que se
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de este fenómeno son: que el campo eléctrico sea intenso, y que la anchura de la región en la que hay
campo sea grande con relación al recorrido libre medio de los portadores –a fin de que la mayoría de ellos
produzcan impactos dentro de la región antes de abandonarla-.
Diodo de Avalancha
Es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. (Es la máxima
tensión en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conducción)
Diodo avalancha: dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa.
Un diodo avalancha, es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en
tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión de polarización inversa alcanza el
valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la
temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al
colisionar con electrones de valencia los liberan; estos a su vez, se aceleran y colisionan con otros
electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto
es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión
Usos
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Protección
La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos contra
sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra de modo que, mientras la tensión se
mantenga por debajo de la tensión de ruptura, sólo será atravesado por la corriente inversa de
saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto del circuito será mínima; a efectos
prácticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por encima del
valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando
daños en los componentes del circuito.
Fuentes de ruido de RF
Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son comúnmente utilizados como
fuentes de ruido en equipos de radio frecuencia. También son usados como fuentes de ruido en
los analizadores de antena y como generadores de ruido blanco.
Datasheet del Diodo de Avalancha
Dimensiones
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz,
resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
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Referencias
Lluís Prat Viñas,Josep Calderer Cardona, Dispositivos electrónicos y fotónicos: fundamentos
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