INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE GUANAJUATO
INGENIERÍA MECATRONICA
ANTEPROYECTO DE TITULACIÓN
[“Diseño de un modulador para generación de pulsos
ultrarrápidos aplicados a sistemas de comunicaciones
por fibra óptica”]
Presenta:
[Javier Juárez Contreras]
Organización:
Instituto Tecnológico Superior de Guanajuato
Guanajuato, Gto. 02 de [MARZO] de 2015
Diseño de un modulador para generación de pulsos
ultrarrápidos aplicados a sistemas de comunicaciones
por fibra óptica
Objetivo
Desarrollar el diseño de un modulador capaz de generar pulsos ultrarrápidos
aplicados a un sistema de comunicaciones por fibra óptica.
Cronograma preliminar de actividades
MES / SEMANAS
ACTIVIDAD
MES 1 MES 2 MES 3
1. Recopilación de información bibliográfica
2. Modelo matemático.
3. Armado del circuito
4. Realizar pruebas
5. Análisis de resultados
6. Redacción de tesis
7. Presentación del proyecto
El modulador de amplitud se selecciono debido a su capacidad para generar un
impulso mas estable en comparación con el modulador de fase, donde los pulsos
tienen la tendencia a cambiar aleatoriamente entre dos fases de señal de
modulación. El modulador esta hecho de piezas discretas de un cristal óptico no
lineal.
Los moduladores integrados ópticos utilizan la tecnología guía de onda para bajar
la tensión de acondicionamiento. Tanto el corte-X como el corte-Z del LiNb O3
(Niobato de Litio) se utilizan comúnmente para la fabricación de moduladores
ópticos en los que se emplean la difusión de titanio para formar guías de onda. El
otro proceso para el patrón de guía de onda óptica mono modo en LiNb O3 puede
ser el intercambio de protones.
Es posible invertir la polaridad del campo eléctrico modular mediante la
compensación del electrodo, formando una estructura de electrodo de inversión de
fases. La falta de coincidencia de velocidad entre las microondas y el campo
óptico en el dispositivo de onda viajera se pueden superar en una amplia gama de
frecuencias de modulación, se debe elegir adecuadamente un patrón de inversión
de fase.
En los dispositivos de corte-X los diseños de inversión de fase no son posibles ya
que la guía de onda debe ser colocada en el espacio entre los electrodos para
utilizar la fuerza r 33 coeficiente electrodo óptico.
Para archivar un funcionamiento rápido, el dispositivo se debe hacer corto para
superar la falta de correspondencia entre la velocidad de las ondas guias ópticas y
las ondas viajeras de microondas.
La respuesta de alta frecuencia esta limitada principalmente por microondas-
ópticas de velocidad de ajuste. La respuesta a altas frecuencias se puede mejorar
mediante el uso de una capa amortiguadora de SiO2(Silicato) entre el electrodo y
la guía de ondas.
La baja constante dieléctrica de la capa amortiguadora aumenta la velocidad de la
microonda más cerca de la velocidad óptica lo que reduce la falta de coincidencia
de velocidad, además la capa amortiguadora reduce la pérdida de inserción óptica
mediante el blindaje del modo óptico de los electrodos conductores.
En frecuencias mas bajas (<40GHz), se prefiere la estructura corte-X debido a su
mejor respuesta de modulación. Es debido a que la estructura corte-X ofrece una
mejor superposición entre lo eléctrico aplicado, los campos ópticos y la ausencia
de las inversiones de fase. Sin embargo, cuando la frecuencia de la operación se
acerca a 40 GHz, el dispositivo corte-Z es más eficiente que el corte-X.
La función de transferencia óptica de un modulador electro-óptico LiNbO 3 puede
ser expresado por:
T ( t )=1+cos ¿
Para un funcionamiento más lineal, el dispositivo debe estar en cuadratura. La
variación en el punto de polarización con el cambio de condición ambiental es un
grave problema en los dispositivos de LiNbO 3. La variación de sesgo debido a los
cambios de temperatura a través del efecto piro eléctrico, deriva a largo plazo
después de la aplicación de una señal eléctrica externa para configurar el cambio
del punto de trabajo.
El efecto piro eléctrico es el cambio de la polarización eléctrica de un cristal debido
al cambio de temperatura, es mucho mas grave en el corte-Z que en el corte-X del
LiNbO 3.
1. Recopilación de información bibliográfica
Con la ayuda de la información bibliográfica podremos determinar el
funcionamiento teórico del modulador así como la descripción de los componentes
electrónicos y darnos una idea de la construcción del dispositivo. Tendremos una
visión mas general sobre el proyecto, determinar los procedimientos que se
tendrán que seguir a partir de los conceptos teóricos.
2. Modelo matemático
Realizaremos un modelo matemático a partir de la función de transferencia del
modulador que nos sirva de referencia al realizar las pruebas físicas con los
dispositivos de medición. Y con esto lograremos dar un sustento matemático a
nuestro proyecto-
3. Armado del circuito
Para empezar elegiremos los componentes que nos servirán para construir el
modulador, explicando su función en el circuito. Con las fichas técnicas obtenidas
con anterioridad verificaremos el buen funcionamiento de cada componente y
como se puede maximizar su rendimiento.
4. Realizar pruebas
Al tener el circuito armado es necesario realizar pruebas para comprobar el buen
funcionamiento que se espera a partir de los resultados obtenidos del modelo
matemático. Y también realizar pruebas de compatibilidad con las otras partes que
conforman este proyecto.
5. Análisis de resultados
De acuerdo a los resultados obtenidos de las pruebas se analizaran para
determinar si se obtuvieron los resultados esperados y continuar así con el
proyecto o realizar algunas mejoras.
6. Redacción de la tesis
Con la recopilación de toda la información obtenida en e desarrollo del proyecto
redactaremos de forma estructurada la tesis que será posteriormente evaluada
para su impresión.
7. Presentación del proyecto
En la presentación del proyecto se mostraran de forma conjunta los resultados
obtenidos dando una explicación del funcionamiento del dispositivo y mostrando
su funcionamiento.
Lugar donde se desarrollara el proyecto
Carretera Guanajuato a Puentecillas km. 10.5 Guanajuato, Gto.
Información sobre la empresa o institución donde se desarrollará
el trabajo
Instituto Tecnológico Superior de Guanajuato
Educación
Misión
Desarrollo de proyectos
Su principal actividad es la generación de proyectos.
Carretera Guanajuato a Puentecillas km. 10.5 Tel. 01 473 734787
