ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA

DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN PROTOTIPO DE INVERSOR

TRIFÁSICO DC-AC ACOPLADO A UN PANEL FOTOVOLTAICO,
UTILIZANDO EL ALGORITMO DE SEGUIMIENTO DEL PUNTO DE
MÁXIMA POTENCIA MEDIANTE UN MICROCONTROLADOR

PROYECTO PREVIO A LA OBTENCIÓN DEL TÍTULO DE INGENIERO

ELÉCTRICO

OSWALDO JAVIER ALOMOTO FAJARDO

[Link]@[Link]

DIEGO DAVID PILCO PILCO

[Link]@[Link]

DIRECTOR: Franklin Lenin Quilumba Gudiño, Ph.D.

[Link]@[Link]

Quito, Mayo 2017

 i

DECLARACIÓN

Nosotros, OSWALDO JAVIER ALOMOTO FAJARDO, DIEGO DAVID PILCO

PILCO declaramos bajo juramento que el trabajo aquí descrito es de muestra
autoría; que no ha sido previamente presentada para ningún grado o calificación
profesional; y, que hemos consultado las referencias bibliográficas que se
incluyen en este documento.

A través de la presente declaración cedemos nuestros derechos de propiedad

intelectual correspondientes a este trabajo, a la Escuela Politécnica Nacional,
según lo establecido por la Ley de Propiedad Intelectual, por su Reglamento y por
la normatividad institucional vigente.

OSWALDO JAVIER ALOMOTO FAJARDO DIEGO DAVID PILCO PILCO

 ii

CERTIFICACIÓN

Certifico que el presente trabajo fue desarrollado por OSWALDO JAVIER

ALOMOTO FAJARDO y DIEGO DAVID PILCO PILCO, bajo mi supervisión.

FRANKLIN L. QUILUMBA GUDIÑO, Ph.D.

Director del Proyecto
 iii

AGRADECIMIENTO

A Dios por sus bendiciones, por darme la fortaleza de seguir adelante y por
permitirme tener una buena experiencia dentro de la universidad.

A mis tías: Norma, Patricia y Cristina por su amor, apoyo, por tener siempre las
palabras correctas para guiarme, por sus consejos, por haberme dado lo
necesario para llegar a ser una persona de bien.

A mi hermano Carlos y mis primos Lennin y Viviana por sus consejos.

A la Escuela Politécnica Nacional por haberme aceptado ser parte de ella, que por
medio de sus profesores me formaron como profesional.

Al director del proyecto de titulación el Dr. Franklin Quilumba por su ayuda,

colaboración y orientación en el desarrollo del prototipo, de igual manera al Dr.
Gabriel Salazar por su colaboración con lo que se requirió en la realización del
proyecto.

A mis amigos de la universidad por todos los buenos momentos compartidos

durante esta vida estudiantil.

A los ingenieros encargados de los laboratorios de electrónica de potencia y

maquinas eléctricas por su constante apoyo y ayuda en la elaboración y
culminación de este proyecto.

Javier Alomoto
(Xavi)
 iv

DEDICATORIA

Dedico este proyecto a mi abuelita Manuela, que con su demostración de abuela

y madre ejemplar me ha enseñado a no desfallecer ni rendirme ante nada, por
inculcarme en el camino de la responsabilidad, honestidad y siempre perseverar a
través de sus sabios consejos.

A mi abuelito Carlos, a mi madre Amparo y mi prima Aitana las personas que

extraño, que me dan fuerza todos los días para seguir adelante.

Muchos de mis logros se los debo a ustedes, los amo y los amaré por siempre.

Javier Alomoto
(Xavi)
 v

AGRADECIMIENTO

Agradezco a Dios por cuidarme y llenarme de bendiciones día a día.

A todos mis familiares que de algún modo me apoyaron, en especial a mi tío

Franklin Geovanny Pilco, quien me apoyo de manera desinteresada en los
momentos que necesite ayuda, por creer en mis capacidades.

A mis amigos y amigas que con su amistad y confianza me inspiraron y motivaron

para ver mi sueño concluido.

A mi amiga Gabriela Chancusig, por su sincera amistad en estos años de estudios

en la universidad.

A Mariela de la Cadena, por su ayuda incondicional durante estos años.

A la Escuela Politécnica Nacional, quien a través de sus profesores me

proporcionó el conocimiento científico que se requiere para ser un profesional,
una vez concluidos mis estudios universitarios, aplicarlos en beneficio de las
necesidades que requiera soluciones de alta calidad técnica sin olvidar la parte
social de mi país.

De igual manera la colaboración de Gabriel Salazar, Ph.D. quien estuvo en todo

momento presto a colaborar con lo que se requirió en la realización del proyecto
practico, a Franklin Quilumba, Ph.D. por su ayuda y dirección en las partes claves
como profesor guía en la culminación final del prototipo implementado.

Diego Pilco
 vi

DEDICATORIA

Dedico el presente estudio técnico a mi padre Segundo Pilco, mi madre Tomasa

Pilco, mis hermanos Juan Carlos, Santiago, Rosa, quienes me apoyaron todo el
tiempo a través de mi vida estudiantil, me vieron crecer, me formaron con valores
morales guiándome por el camino del bien para llegar a ser una persona útil a la
sociedad.

Diego Pilco
 vii

CONTENIDO

DECLARACIÓN ...................................................................................................... i
CERTIFICACIÓN ................................................................................................... ii
AGRADECIMIENTO ............................................................................................. iii
DEDICATORIA ..................................................................................................... iv
AGRADECIMIENTO .............................................................................................. v
DEDICATORIA ..................................................................................................... vi
CONTENIDO ........................................................................................................ vii
ÍNDICE GENERAL .............................................................................................. viii
RESUMEN .......................................................................................................... xiii
PRESENTACIÓN ................................................................................................ xiv
 viii

ÍNDICE GENERAL

CAPÍTULO 1 .......................................................................................................... 1
INTRODUCCIÓN ................................................................................................... 1
1.1 OBJETIVOS .............................................................................................. 2
1.1.1 OBJETIVO GENERAL ........................................................................ 2
1.1.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS .............................................................. 2
1.2 ALCANCE ................................................................................................. 2
1.3 JUSTIFICACIÓN DEL PROYECTO .......................................................... 3
CAPÍTULO 2 .......................................................................................................... 5
MARCO TEÓRICO ................................................................................................ 5
2.1 INVERSOR TRIFÁSICO ........................................................................... 5
2.1.1 APLICACIONES ................................................................................. 5
2.1.2 CLASIFICACIÓN DE LOS INVERSORES .......................................... 6
[Link] Inversor en Puente de Onda Completa ........................................ 6
[Link] Inversor de Onda Cuadrada ......................................................... 8
[Link] Inversor Trifásico Tipo Puente ..................................................... 8
[Link] Inversor Alimentado por Voltaje ................................................. 11
[Link] Inversor Alimentado por Corriente ............................................. 11
2.2 OPERACIÓN DE UN INVERSOR TRIFÁSICO ....................................... 12
2.3 TÉCNICAS DE CONTROL PARA INVERSORES .................................. 14
2.3.1 INVERSORES MONOFÁSICOS ...................................................... 14
[Link] PWM con Conmutación por Voltaje Unipolar ............................. 15
[Link] Operación de Ondas Cuadradas................................................ 16
2.3.2 INVERSORES TRIFÁSICOS ............................................................ 17
[Link] PWM Senoidal ........................................................................... 17
[Link] Onda Cuadrada.......................................................................... 19
[Link] Inversor de Onda Cuadrada ....................................................... 19
[Link] Inversor de Seis Pasos .............................................................. 21
2.4 EFECTOS SOBRE LA RED ELÉCTRICA ............................................... 24
2.4.1 ARMÓNICOS.................................................................................... 24
2.4.2 INDICADORES DE LA DISTORSIÓN ARMÓNICA .......................... 25
[Link] Factor de Potencia ..................................................................... 25
[Link] Factor de Cresta ........................................................................ 25
 ix

[Link] Potencia Activa .......................................................................... 26

[Link] Potencia Reactiva ...................................................................... 26
[Link] Potencia de Distorsión ............................................................... 26
[Link] Tasa De Distorsión Armónica..................................................... 27
[Link] Distorsión Armónica Total .......................................................... 28
[Link] Factor Armónico Total ................................................................ 29
[Link] Distorsión Total de Demanda TDD ............................................ 29
[Link] Factor K...................................................................................... 30
2.5 MÉTODOS DE ELIMINACIÓN DE ARMÓNICOS ................................... 30
2.5.1 POR MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO .................................. 30
2.5.2 ANÁLISIS DE ARMÓNICOS ............................................................ 30
2.6 MODULACIÓN SINUSOIDAL POR ANCHO DE PULSO (SPWM) ......... 32
2.6.1 VARIACIÓN DE LA FRECUENCIA .................................................. 33
2.6.2 SOBREMODULACIÓN ..................................................................... 35
2.6.3 GENERACIÓN DE SPWM TRIFÁSICO ........................................... 36
2.7 INVERSOR FOTOVOLTAICO SPWM UTILIZANDO IGBTs ................... 38
2.8 PANEL FOTOVOLTAICO ....................................................................... 40
2.8.1 PANEL SOLAR DE 181 W ............................................................... 40
[Link] Curva del Panel Solar ................................................................ 41
[Link].1 Corriente de Corto Circuito ................................................... 41
[Link].2 Voltaje de Circuito Abierto ..................................................... 42
2.9 ALGORITMO MPPT ................................................................................ 44
2.9.1 PERTURBACIÓN Y OBSERVACIÓN (P&O) .................................... 44
2.9.2 CONDUCTANCIA INCREMENTAL .................................................. 46
2.9.3 VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO FRACCIONAL ......................... 47
2.9.4 CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO FRACCIONAL ....................... 47
2.9.5 CONTROL DE LÓGICA DIFUSA...................................................... 48
2.9.6 RED NEURONAL ............................................................................. 48
2.9.7 CORRIENTE DE CARGA O MÁXIMO VOLTAJE DE CARGA ......... 49
2.9.8 COMPARACIÓN DE LOS ALGORITMOS MPPT ............................. 50
CAPÍTULO 3 ........................................................................................................ 51
DISEÑO CIRCUITOS DE CONTROL Y POTENCIA DEL PROTOTIPO ............. 51
3.1 ETAPA DE CONTROL ............................................................................ 51
3.1.1 CONVERTIDOR BOOST .................................................................. 51
[Link] Estructura y Funcionamiento...................................................... 51
 x

[Link] Cálculo de los Elementos del Convertidor Boost ....................... 53

[Link] Bobina con Transformador de Núcleo de Hierro ........................ 55
3.1.2 RESISTENCIA DE CARGA .............................................................. 56
3.1.3 RED SNUBBER ELEVADOR ........................................................... 57
3.2 ETAPA DE FUERZA ............................................................................... 58
3.2.1 DIMENSIONAMIENTO DE LOS IGBTs ............................................ 59
3.2.2 CIRCUITO OPTOACOPLADOR ....................................................... 60
3.2.3 RED SNUBBER IGBTs ..................................................................... 61
3.3 PROGRAMA MPPT EN MIKRO C .......................................................... 61
3.3.1 VISUALIZACIÓN Y DECLARACIÓN DE VARIABLES ..................... 61
[Link] Declaración y Asignación de Variables ...................................... 62
[Link] Inicialización de Entradas y Salidas ........................................... 62
[Link] Conversión y Visualización ........................................................ 63
3.3.2 INICIALIZACIÓN DE LA SEÑAL PWM Y ALGORITMO MPPT ........ 64
[Link] Inicialización señal PWM............................................................ 64
[Link] Inicialización para el MPPT ........................................................ 64
CAPÍTULO 4 ........................................................................................................ 67
IMPLEMENTACIÓN DEL PROTOTIPO .............................................................. 67
4.1 DIAGRAMA DEL INVERSOR TRIFÁSICO ............................................. 67
4.2 CIRCUITO DE CONTROL SEÑAL SPWM Y PWM................................. 67
4.3 CIRCUITO SEÑAL SPWM ...................................................................... 67
4.3.1 DESCRIPCION DE ELEMENTOS .................................................... 68
[Link] Microcontrolador STM 32F4 Discovery ...................................... 68
[Link].1 Características ...................................................................... 69
[Link] Optoacoplador 6N137 ................................................................ 71
[Link] Regulador Ajustable LM317T ..................................................... 72
[Link].1 Características ...................................................................... 73
[Link] Fuente aislada CC10-2405SF-E ................................................ 73
[Link].1 Características ...................................................................... 74
[Link] IGBT ........................................................................................... 74
[Link].1 Características ...................................................................... 75
[Link] IGBT GP50B60PD1 ................................................................... 76
[Link].1 Aplicaciones: ......................................................................... 76
[Link].2 Características: ..................................................................... 77
[Link].3 Beneficios: ............................................................................ 77
4.4 CIRCUITO SEÑAL PWM ........................................................................ 77
 xi

4.4.1 DESCRIPCIÓN DE LOS ELEMENTOS ............................................ 80

[Link] PIC 18F4431 .............................................................................. 80
[Link] LCD 16X2................................................................................... 82
[Link].1 Características [42] ............................................................... 82
[Link] Optoacoplador 6N136 ................................................................ 83
[Link] LM358P ...................................................................................... 84
[Link].1 Características ...................................................................... 85
4.5 CIRCUITO ELEVADOR BOOST ............................................................. 85
4.5.1 DESCRIPCIÓN DE LOS ELEMENTOS ............................................ 86
[Link] Mosfet IRFP460 ......................................................................... 86
[Link].1 Características: ..................................................................... 86
[Link] Diodo NTE6080.......................................................................... 87
[Link].1 Características ...................................................................... 87
[Link] Inductor ...................................................................................... 88
[Link] Capacitor .................................................................................... 89
[Link] Sensor de Corriente y Voltaje YB27VA ...................................... 89
[Link].1 Características ...................................................................... 90
[Link] Disipadores de calor .................................................................. 90
[Link].1 Radiación .............................................................................. 91
[Link].2 Convección ........................................................................... 92
[Link] Circuito Impreso ......................................................................... 92
4.6 FUENTES DE 5 Y 12 VOLTIOS .............................................................. 93
4.6.1 REGULADORES LM7805, LM7812 ................................................. 93
[Link] LM7805 ...................................................................................... 93
[Link].1 Características ...................................................................... 93
[Link].2 Descripción ........................................................................... 94
[Link] LM7812 ...................................................................................... 94
[Link].1 Características ...................................................................... 95
[Link].2 Aplicaciones .......................................................................... 95
CAPÍTULO 5 ........................................................................................................ 97
PRUEBAS Y RESULTADOS DEL PROTOTIPO ................................................. 97
5.1 PRUEBAS ............................................................................................... 97
5.1.1 CIRCUITO SEÑAL SPWM ............................................................... 97
[Link] Pruebas ...................................................................................... 97
5.1.2 CIRCUITO SEÑAL PWM .................................................................. 98
[Link] Pruebas ...................................................................................... 98
5.1.3 CIRCUITO DE FUERZA IGBTs ...................................................... 100
 xii

[Link] Pruebas Carga Resistiva ......................................................... 100

[Link].1 Conexión Delta.................................................................... 100
[Link].2 Conexión Estrella ................................................................ 102
[Link] Pruebas Carga Resistiva - Inductiva ........................................ 104
[Link].1 Conexión Delta.................................................................... 104
[Link].2 Conexión Estrella ................................................................ 105
CAPÍTULO 6 ...................................................................................................... 110
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES ..................................................... 110
6.1 CONCLUSIONES.................................................................................. 110
6.2 RECOMENDACIONES ......................................................................... 113
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS .................................................................. 115
ANEXOS ............................................................................................................ 120
ANEXO A ........................................................................................................ 120
CIRCUITOS IMPLEMENTADOS EN EL PROTOTIPO ................................... 120
ANEXO B ........................................................................................................ 130
HOJAS TÉCNICAS ELEMENTOS UTILIZADOS............................................ 130
ANEXO C........................................................................................................ 149
CÁLCULOS VOLTAJE DE SALIDA Y BOBINA .............................................. 149
ANEXO D........................................................................................................ 155
DATOS OBTENIDOS MEDIANTE EL ANALIZADOR FLUKE 1735 ............... 155
ANEXO E ........................................................................................................ 167
INSTRUCCIONES DE USO Y PROTOTIPO FINAL ....................................... 167
 xiii

RESUMEN

En la actualidad el uso de energías renovables se encuentra en auge, debido al

alto grado de contaminación producido por el uso de combustibles fósiles, la
energía solar se ha vuelto de suma importancia debido a su ilimitado uso
mediante paneles solares, al existir una gran demanda de este tipo de energía se
ve necesario el diseño de equipos que ayuden a su óptimo consumo, para el cual
el proyecto se enfoca en el diseño de un inversor DC/AC para aprovechar la
energía proporcionada por el panel solar gracias a la radiación solar.

Para ello es necesario el análisis de diferentes tipos de inversores y sus etapas

para su desarrollo, además del uso de circuitos de control y de potencia.

En estudio técnico se diseñó e implementó un prototipo de inversor trifásico DC –

AC acoplado a un panel fotovoltaico, utilizando el algoritmo de seguimiento del
punto de máxima potencia mediante un microcontrolador.

La etapa de potencia que conforman los IGBTs para la obtención de la energía en

AC, requiere de un control adecuado para evitar el disparo de los elementos
simultáneamente, en este estudio técnico se utilizó la señal SPWM
(MODULACIÓN SINUSOIDAL POR ANCHO DE PULSO) para el control del
disparo de los mismos, para ello la programación de la señal se la realizó en el
microcontrolador STM 32F4DISCOVERY.

Para obtener la máxima energía del panel solar se analizaron varios métodos de
control, el presente estudio técnico utiliza el algoritmo MPPT (Maximum Power
Point Tracking) de conductancia incremental, desarrollado mediante la
programación de un código fuente en el paquete computacional MikroC for PIC el
mismo que será ejecutado por un microcontrolador.
 xiv

PRESENTACIÓN

En el presente proyecto se llevará a cabo procesos de diseño e implementación

de circuitos de control y potencia del inversor trifásico, además del uso del
algoritmo MPPT (Maximum Power Point Tracking) que será implementado a
través de un microcontrolador para aprovechar al máximo el rendimiento del panel
fotovoltaico.

En el Capítulo 1 se desarrolla una introducción, donde se dará a conocer el

objetivo general y objetivos específicos de la ejecución del proyecto, su alcance y
justificación.

El Capítulo 2 presenta el marco teórico de los inversores trifásicos analizando sus

diferentes topologías, técnicas de control, efectos sobre la red eléctrica, y el
análisis de la señal SPWM para el encendido de los IGBTs que conforman el
circuito de potencia del inversor. Además, una breve descripción del panel
fotovoltaico a utilizar y los tipos de algoritmos MPPT, donde se elegirá el más
adecuado.

El Capítulo 3 presenta el dimensionamiento de los elementos que conforman el

inversor tanto para los circuitos de control, de potencia, además de la
programación del MPPT (seguimiento del máximo punto de potencia) en el
paquete computacional MikroC for PIC.

El Capítulo 4 está enfocado en el desarrollo del hardware de control y de potencia

del inversor, además de una descripción de los elementos más importantes que
conforman los circuitos. Se ensamblarán cada uno de los dispositivos electrónicos
y partes eléctricas.

En el Capítulo 5 se presentan las pruebas de laboratorio con cargas de baja

potencia comparándolas para determinar el cumplimiento del MPPT (seguimiento
del máximo punto de potencia).

Por último, el Capítulo 6 presenta las conclusiones y recomendaciones obtenidas

a lo largo del desarrollo del proyecto.
 1

CAPÍTULO 1

INTRODUCCIÓN

En las últimas décadas según registros especializados, informan que debido a los
avances de la tecnología, medicina, educación, desarrollo de algunos países,
mejores condiciones de vida, han producido un incremento de la población
mundial, contribuyendo a que la demanda de energía aumente, las mismas que
son actualmente suministradas en grandes cantidades por energías fósiles, sólo
un pequeño porcentaje es debido a las energías renovables, esto debido a que no
se ha dado paso al cambio energético por parte de los países industrializados que
son los de mayor emisión de gases de efecto invernadero como se aprecia en la
Figura 1.1 [1].

Figura 1.1 Cambio energético de países industrializados [1]

Debido a la contaminación ambiental que existe actualmente se presentan serios

efectos en el planeta, por ejemplo: aumento del nivel del mar, aumento de la
temperatura global, retroceso de los glaciares, entre otros [2].

Las soluciones a largo plazo para combatir lo antes mencionado es la utilización

de energías limpias: energía solar, energía eólica, energía hidráulica,
 2

energía térmica, energía nuclear, esta última es considerada renovable cuando

se utiliza el hidrógeno en lugar de uranio, este tipo de energía tiene ventajas
como: la no emisión de gases de efecto invernadero, son más amigables con el
medio ambiente al reciclarse, al ser generadas a nivel local no se incurre en
gasto de transporte, no están sujetas a los cambios de precio en el mercado
internacional [3].

Para el presente proyecto se ha optado por la utilización de la energía solar

obtenida a partir de la utilización de paneles solares, que en comparación de los
otros tipos de energía renovable es la más accesible, y puede ser instalado en
cualquier punto que se requiera, así como su utilización inmediata.

1.1 OBJETIVOS

1.1.1 OBJETIVO GENERAL

Diseñar e implementar un prototipo de inversor trifásico DC-AC acoplado a un

panel fotovoltaico, utilizando el algoritmo de seguimiento del punto de máxima
potencia mediante un microcontrolador.

1.1.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS

· Realizar una breve descripción del tipo de inversor, enfocado en sus

clasificaciones, topologías básicas.
· Analizar el algoritmo de seguimiento del punto de máxima potencia
(Maximum Power Point Tracking, MPPT).
· Diseñar e implementar los circuitos de control y potencia del inversor
trifásico, así como también la programación del microcontrolador.
· Analizar los resultados del sistema panel fotovoltaico/inversor mediante
pruebas de laboratorio.

1.2 ALCANCE

El presente proyecto comprenderá el diseño y la implementación de un prototipo

de inversor trifásico con componentes electrónicos de alta velocidad en el circuito
de control. El inversor se constituye en el acoplamiento entre un panel fotovoltaico
 3

que alimentará a cargas de prueba. El algoritmo que gobernará la producción de

potencia eléctrica de los paneles fotovoltaicos será el MPPT. En el inversor se
utilizará un microcontrolador que coordinará los tiempos de disparo de los
elementos no lineales (IGBTs) para obtener una forma de onda sinusoidal en AC
a la salida del inversor que alimentará a la carga.

El desarrollo del proyecto utilizará el menor número de recursos de hardware y

software de fácil acceso y existente actualmente dentro del país para reducir
costo de construcción y de reemplazo de piezas en caso de ser requerido.

El diseño del inversor abastecerá de energía renovable a una carga que requiera
un consumo de baja potencia. A nivel técnico se analizarán los principales
elementos constitutivos para asegurar su correcto funcionamiento, se pretende
optimizar al máximo la energía que se obtenga del panel fotovoltaico para
conseguir un prototipo eficiente.

1.3 JUSTIFICACIÓN DEL PROYECTO

Los paneles solares son una forma de energía alternativa muy usada en la
actualidad debido a su baja contaminación, tiempo de utilización es
considerablemente alto, pero su eficiencia es baja, por lo cual se pretende en el
trabajo propuesto aprovechar la máxima capacidad del panel fotovoltaico. Estas
energías sostenibles, generadas por el viento, el sol, el agua, etc., contribuirán de
forma significativa a reducir la excesiva dependencia de los hidrocarburos,
además la incidencia de rayos solares en el país es muy alta durante todo el año
por lo que podría ser usado para el aprendizaje de las energías fotovoltaicas.

Se necesita una amplia investigación ya que es un futuro energético prometedor,

resaltando la evolución de la energía fotovoltaica y toda la electrónica que
envuelve a este tipo de captura de energía, uno de los desafíos a enfrentarse en
la investigación consiste en aumentar la eficacia de los instrumentos de
explotación de los diversos recursos renovables, en este caso el panel
fotovoltaico, es ahí donde puede comprobarse la capacidad de funcionamiento,
desarrollo, inventiva y su interés económico, en aplicaciones bien focalizadas. Y
este aspecto es decisivo si queremos seguir abriendo y dinamizando este
mercado con un elevado potencial de creación de fuentes de empleo.
 4

El desarrollo del proyecto utilizará el menor número de recursos de hardware y

software de fácil acceso y existente actualmente dentro del país para reducir
costo de construcción y de reemplazo de piezas en caso de ser requerido. El
diseño abastecerá de energía renovable a una carga que requiera un consumo de
baja potencia.

El presente proyecto comprenderá el diseño y la implementación de un prototipo

de inversor trifásico con componentes electrónicos de alta velocidad en el circuito
de control, para optimizar al máximo la energía que se obtenga del panel
fotovoltaico.

El inversor se constituye en el acoplamiento entre un panel fotovoltaico que

alimentará a cargas de prueba. El algoritmo que gobernará la producción de
potencia eléctrica de los paneles fotovoltaicos será el MPPT.

Actualmente la materia de energías alternativas solo se direcciona al campo

teórico y de simulación sin contar con las pérdidas de energía por lo que el
prototipo puede ser aprovechado para realizar proyectos de asimilación de
conocimientos debido al uso de datos y obtención de resultados que se acerquen
a la realidad.

Se pretende que el prototipo pueda trabajar en cualquier punto de la curva V-I de

un panel fotovoltaico, pero principalmente en el rango de funcionamiento cercano
al MPPT, además de la posibilidad de programar un microcontrolador con un nivel
de abstracción mayor en lenguaje computacional. La programación se llevará a
cabo mediante un programa computacional, con un conocimiento de los registros
de memoria del microcontrolador.
 5

CAPÍTULO 2

MARCO TEÓRICO

2.1 INVERSOR TRIFÁSICO

Un inversor trifásico DC - AC, o también llamado convertidor, es un dispositivo

utilizado para convertir la corriente continua en corriente alterna, está compuesto
por seis semiconductores los mismos que se encuentran desfasados 120°, los
semiconductores transfieren potencia desde una fuente de continua a una carga
de alterna [4].

Un inversor trifásico tiene la función de cambiar un voltaje generado en DC1 a un

voltaje de salida en AC2 sinusoidal, dependiendo de la magnitud y frecuencia que
requiera el usuario [5].

2.1.1 APLICACIONES

En la actualidad los inversores trifásicos tienen un amplio uso, debido al uso de

energía renovable para abastecer cargas trifásicas que requieran energía en
corriente alterna, por ejemplo, en la industria para el control de motores de
corriente alterna [6].

Las aplicaciones más comunes de inversores son las siguientes [5]:

· Fuentes de voltaje alterna trifásica sin interrupciones.

· Puesta en marcha de motores de corriente alterna trifásicos.
· Conexión de fuentes que producen energía en continua, por ejemplo, un
panel fotovoltaico, para abastecer cargar trifásicas.
· Transmisión de energía en DC y sistemas bidireccionales.
· Compensación de armónicos y energía reactiva.
· Sistemas flexibles de transmisión en alterna (FACTS3).

1
DC: Corriente Continua.
2
AC: Corriente Alterna.
 6

La función de los inversores es en el cambio de un voltaje de entrada en DC a un

voltaje simétrico en AC a la salida, con magnitud y frecuencia deseadas.

Si se modifica el voltaje de entrada DC, y a su vez la ganancia del inversor se

mantiene constante el valor del voltaje de salida será variable, por otro lado, si el
voltaje DC es fijo y la ganancia del inversor es variable se obtiene a la salida un
voltaje variable. Esto se lo hace mediante la PWM4 dentro del inversor [7].

2.1.2 CLASIFICACIÓN DE LOS INVERSORES

Cada inversor según su diseño utiliza dispositivos con activación y desactivación

controlada (por ejemplo: GTO, MOSFET, BJT, SIT, IGBT, MCT) o son diseñados
a través de tiristores de conmutación forzada [8].

Los inversores al ser muy usados, existen en una gran variedad dependiendo del
tipo de aplicación, los cuales se clasifican de la siguiente manera:

Según su forma de onda:

[Link] Inversor en Puente de Onda Completa

El inversor en puente de onda completa se lo puede considerar como un circuito

básico para convertir la corriente continua en corriente alterna.

Mediante una entrada de corriente continua se obtiene una salida de corriente

alterna abriendo y cerrando interruptores en una determinada secuencia.

El voltaje de salida ! puede ser + "" ,− "" o cero dependiendo de que

interruptores estén cerrados como se muestra en la Tabla 2.1. La Figura 2.1
muestra los circuitos equivalentes de las combinaciones de los interruptores [4].

3
FACTS: Flexible A.C. Transmission Systems.
4
PWM: Modulación de Ancho de Pulso.
 7

Tabla 2.1 Secuencia de Interruptores

Voltaje de salida, $%
&' ) &* + ""
Interruptores Cerrados

&, ) &. − ""

&' ) &,
&* ) &.
0
0

(a)

(b) (c)

(d) (e)

Figura 2.1 (a) Inversor en puente de onda completa. (b) /3 y /4 cerrados. (c) /5 y
/6 cerrados. (d) /3 y /5 cerrados. (e) /4 y /6 cerrados [4]
 8

Cabe señalar que los interruptores /3 y /6 no deben estar cerrados al mismo

tiempo al igual que /4 y /5 . Al no cumplir con esa condición se ocasiona un
cortocircuito en la fuente de continua.

Al abrir y cerrar los interruptores se debe tener en cuenta el tiempo de transición

de la conmutación al momento de diseñar el circuito de control. El tiempo
permitido en la conmutación se llama tiempo muerto (Dead Time) [4].

[Link] Inversor de Onda Cuadrada

El circuito más sencillo del inversor en puente de onda completa produce una
salida de voltaje en forma de onda cuadrada. Esto se debe a que los interruptores
conectan la carga a + "" cuando /3 y /4 están cerrados, cuando los interruptores
/5 y /6 están cerrados la carga tendrá una salida − "" .

La conmutación periódica del voltaje de la carga entre + "" y− "" genera en la

misma un voltaje con forma de onda cuadrada, al no tener una salida en alterna
sinusoidal, se la considera como una onda de alterna adecuada para algunas
aplicaciones.

Con respecto a la corriente la forma de onda de la carga dependerá del tipo o de

los componentes de la carga, por ejemplo:

· Carga resistiva, la forma de onda de la corriente concuerda con la forma de

onda del voltaje de salida.
· Carga inductiva, la forma de onda de la corriente tendrá mayor forma
sinusoidal con respecto a la forma de onda del voltaje de salida.

Al utilizar una carga inductiva se requieren ciertas condiciones en los interruptores

al momento del diseño del circuito en puente de onda completa, debido a que las
corrientes de los interruptores deben ser bidireccionales [4].

[Link] Inversor Trifásico Tipo Puente

Para aplicaciones de mayor potencia se requieren inversores trifásicos, los

mismos pueden ser diseñados por tres inversores monofásicos independientes
conectados a una misma fuente, como se muestra en la Figura 2.2.
 9

Figura 2.2 Inversor trifásico tipo puente [9]

Al estar formados por tres inversores monofásicos se debe considerar el disparo

de cada inversor, se considera un disparo de 120° de cada inversor con respecto
a los demás, para obtener un voltaje de salida equilibrado, el disparo de cada
tiristor será de 120° si dos de ellos conduzcen al mismo tiempo.

Mediante la siguiente secuencia de disparo (12, 23, 34, 45, 56, 61…) se
obtendrán 3 intervalos de funcionamiento distintos en un semiciclo del voltaje de
salida [9].

Cada interruptor debe bloquear únicamente el voltaje correspondiente al nivel de

voltaje continuo, evitando el inconveniente del equilibrado estático y dinámico
inherente a la asociación serie de dispositivos electrónicos [10].

Este concepto se lo aplica para inversores multinivel, pero es conveniente

considerarlo para el disparo de los interruptores del circuito a diseñar. En la
Figura 2.3 se muestra la secuencia de señales de excitación de los transistores a
180 grados.
 10

Figura 2.3 Secuencia de las señales de excitación de los transistores a 180° [9]

En algunos casos el disparo de cada tiristor es de 180 grados cuando 3 de ellos

conduzcan al mismo tiempo [11].

Los terminales del inversor A, B, C, se encuentran conectados a la carga que el

panel solar abastece. De la secuencia de disparo (156, 126, 123, 234, 345, ...) se
obtendrán 6 intervalos de funcionamiento distintos, agrupados en 3 modos [9],
[11].

Según el tipo de entrada:

 11

[Link] Inversor Alimentado por Voltaje

Por sus siglas en inglés VFI5, mostrado en la Figura 2.4, como su nombre lo indica
es un inversor en el cual su voltaje DC permanece constante, (o cuando la
entrada en DC aparece como una fuente de voltaje DC), en el cual su impedancia
es baja como una batería o un rectificador, además contiene un filtro capacitivo a
en paralelo al inversor a su salida el cual mantiene constante el valor del voltaje
DC.

Debido a esto el inversor es una fuente de voltaje con frecuencia variable, por lo
cual la salida de voltaje es independiente de la corriente que se tiene en la carga
[12].

Figura 2.4 Inversor Alimentado por Voltaje [13]

[Link] Inversor Alimentado por Corriente

Por sus siglas en inglés CSI6, mostrado en la Figura 2.5, este inversor es
alimentado por una corriente controlada, generada desde una fuente DC con una
impedancia de valor alto o que tiende al infinito (fuente de corriente).

5
VFI: Voltage Fed Inverter
6
CSI: Current Source Inverters
 12

Para abastecer de energía a este inversor se necesita un rectificador de tiristores

controlados, el cual la corriente generada se regula mediante un inductor en serie,
esto hace que la corriente de carga sea controlada y el voltaje de salida del
inversor depende de la impedancia de la carga [12].

Figura 2.5 Inversor Alimentado por Corriente [13]

Generalmente se usan transistores IGBT para los inversores VSI7, con unas
frecuencias de conmutación que en pocos casos superan los 20KHz [14].

2.2 OPERACIÓN DE UN INVERSOR TRIFÁSICO

Un inversor transforma las señales continuas (DC) de entrada en señales

simétricas alternas (AC) a la salida, además de la frecuencia y magnitud
deseadas, se lo usa para el intercambio de energía entre subsistemas
interconectados al sistema.

La estructura básica está constituida por una rama por cada fase, como se
muestra en la Figura 2.6, siendo en total tres ramas, el voltaje a la salida de las
ramas, es dependiente del voltaje que esté presente en la entrada y del estado de
conmutación de los interruptores, además es independiente de la corriente a la
salida dado que siempre está un interruptor en estado de conmutación en cada
rama [15].

7
VSI: Voltage Source Inverter
 13

Figura 2.6 Configuración básica de un inversor trifásico

El sistema de señales generado a la salida debe cumplir con algunas condiciones

para que sea considerado un sistema trifásico:

· Los voltajes deben ser igual en módulo.

· Desfase de 120° eléctricos entre fases.
· Los voltajes tendrán la secuencia (a, b, c) o (a, c, b).

Para eliminar la necesidad de utilizar filtros de armónicos a la salida del inversor,

como se indica en la Figura 2.7, se utiliza semiconductores que sean capaces de
conmutar a altas frecuencias, para obtener una señal sinusoidal lo más cercana a
la ideal.

Características de operación de los inversores [16]:

· Voltaje y corriente entrada/salida.

· Tipo de onda (cuadrada, triangular, cuadrada modificada, sinusoidal).
· Bajo autoconsumo y alto rendimiento.
· Capacidad de sobrecarga.
· Regulación de voltaje a la salida.
· Límite de voltaje a la entrada.
· Regulación de la frecuencia.
 14

· Facilidad de reparación y mantenimiento.

· Distorsión armónica total (THD8) baja.

Figura 2.7 Principio de operación de un inversor, generación de distintas formas

de onda alterna al variar los ciclos de apertura y cierre de los interruptores,
configuración de un puente trifásico de tiristores a red [16].

2.3 TÉCNICAS DE CONTROL PARA INVERSORES

2.3.1 INVERSORES MONOFÁSICOS

Para el análisis se utilizará el inversor monofásico de puente completo que se

muestra en la Figura 2.8 [17].

Figura 2.8 Inversor monofásico de puente completo [17].

8
THD: Total Harmonic Distortion
 15

El voltaje de salida es controlado por los interruptores /3, /4 , /5 y /6 . Con las

siguientes técnicas:

[Link] PWM con Conmutación por Voltaje Unipolar

Para obtener este tipo de conmutación los interruptores (/3, /6 ) y (/4 , /5 ) se

conmutan como pares de interruptores.

Al cerrar en pares los interruptores mencionados anteriormente se obtiene un

voltaje de salida ! con niveles de voltaje − "7 y+ "7 . Como se muestran en las
figuras Figura 2.9 y Figura 2.10.

Los interruptores de la Figura 2.8 no se conmutan de forma simultánea. Este tipo

de método PWM, cuando el voltaje de salida cambia de niveles entre 0 y + 7" o
entre 0 y − 7" se lo conoce como PWM con conmutación por voltaje unipolar [18].

(a)

(b)

Figura 2.9 (a) Señal de control y señal triangular de un inversor monofásico de

puente completo. (b) Señal de voltaje de salida en un inversor monofásico de
puente completo (Conmutación de voltaje bipolar) [17].
 16

(a)

(b)

Figura 2.10 (a) Señal de control y señal triangular de un inversor monofásico de

puente completo (Doble señal). (b) Señal de voltaje de salida en un inversor
monofásico de puente completo (Conmutación de voltaje monopolar) [17].

[Link] Operación de Ondas Cuadradas

El inversor mostrado en la Figura 2.11 puede operar con formas de onda

cuadrada como se indica en la Figura 2.12, en el cual los pares de interruptores
(/3, /6 ) y (/4 , /5 ) operan con una relación de trabajo de 0,5. En la operación de
ondas cuadradas la magnitud de voltaje de salida se regula mediante el control
del voltaje.

Figura 2.11 Inversor con operación de onda cuadrada [17].

 17

Figura 2.12 Formas de onda a la salida del inversor [18].

2.3.2 INVERSORES TRIFÁSICOS

Un inversor trifásico puede estar constituido por tres inversores monofásicos, el

cual cada una de sus salidas deben estar desfasadas 120°. A continuación, se
indican algunas técnicas de control de inversores trifásicos:

[Link] PWM Senoidal

Una PWM senoidal tiene como función controlar voltajes de salida trifásicos ya
sea tanto en su magnitud como en su frecuencia a través de una constante en
DC.
 18

En este tipo de control se debe tener voltajes de salida trifásicos equilibrados,

para el cual se compara una forma de onda portadora (Triangular) con tres formas
de onda moduladoras (senoidal) las mismas que se encuentran desfasadas 120°
como se indica en la Figura 2.13 [19].

(a)

(b)

Figura 2.13 (a) Formas de onda moduladora y portadora (b) Modulación senoidal
por ancho de pulso de un inversor trifásico [19].
 19

[Link] Onda Cuadrada

Cuando se tienen formas de onda cuadrada, el inversor mostrado en la Figura

2.14 no puede controlar la magnitud de la onda de salida del voltaje AC del
inversor [19]. Para ello se debe controlar la magnitud del voltaje de entrada en DC
para obtener la forma de onda deseada a la salida del inversor. Para ello el
componente de 89: de línea a línea se obtiene de la ecuación Ec. 2.1:

√3 4 D
= ∙ ∙
√2 C 2
;;3 (89:) Ec. 2.1

√6
=
C D

≈ 0,78 D

Figura 2.14 Inversor trifásico de onda cuadrada [19].

[Link] Inversor de Onda Cuadrada

Un inversor de onda cuadrada es usado cuando la modulación de la amplitud

adquiere valor elevado. Al ocurrir esto los interruptores se activan durante 180° de
la frecuencia fundamental, cabe recalcar que los interruptores de un mismo
terminal, nunca estarán cerrados ni abiertos simultáneamente.

Existe un desfase de 120° entre la activación de un interruptor y el del mismo

nivel de la terminal consecutiva como se muestra en la Figura 2.15. En un
inversor trifásico de onda cuadrada se debe considerar los siguientes aspectos:
 20

· El voltaje de salida no depende de la intensidad de salida, es decir, resulta

independiente de la carga al considerar que nunca dos interruptores de una
misma terminal estarán desactivados a la vez.
· El voltaje de salida en un inversor trifásico de onda cuadrada contiene
armónicos cuya magnitud disminuye al aumentar el orden del armónico, es
decir, al aumentar la frecuencia.
· No es posible regular en un inversor de onda cuadrada la magnitud del
voltaje de salida [20].

Figura 2.15 Formas de onda inversor de onda cuadrada [21].

 21

Para obtener la forma de onda del voltaje de línea-línea no depende de la carga,

pero si contendrá armónicos como se indica en la Figura 2.16 y sus amplitudes
disminuirán inversamente proporcional al orden de su armónico. Mediante la
ecuación Ec. 2.2 [19].

0,78
= ∙
;;
ℎ D Ec. 2.2

Figura 2.16 Gráfica de armónicos [19].

[Link] Inversor de Seis Pasos

En el circuito mostrado en la Figura 2.17 (a) genera una salida alterna trifásica
mediante una entrada en DC. Este circuito es muy usado para el control de
velocidad de motores de inducción, los mismos que requieren variación de
frecuencia a su salida. Para cumplir con esa condición los interruptores se debe
abrir de acuerdo a la secuencia mostrada en la Figura 2.17 (b).

El ciclo de trabajo de cada interruptor es del 50 % (No permiten tiempos muertos)

y su conmutación tiene lugar cada intervalo de tiempo K⁄6, el mismo que
representa un intervalo angular de 60 grados. Los interruptores /3 y /6 se abren y
cierran de forma complementaria, lo mismo ocurre con los interruptores pares (/4 ,
/M ) y (/5 , /N ).
 22

Los interruptores deben estar coordinados para evitar que se cierren al mismo
tiempo, al no cumplir con esto se ocasiona un cortocircuito en la fuente.

Con este esquema se obtienen los siguientes voltajes:

· O! , P! y "! son + "" o cero son voltajes instantáneos.

· OP , P" y "O son + "" , cero o − "" son voltajes línea-línea de salida.

La Figura 2.17 (b) muestra el esquema de conmutación la misma que produce los
voltajes de salida mostrados en la Figura 2.17 (c).

La carga trifásica conectada al voltaje de salida se la puede conectar en estrella o

triángulo con el neutro sin puesta a tierra.

Si la carga está conectada en estrella, forma más común de conexión, el voltaje

de la carga en cada fase es el voltaje de la línea al neutro, como se muestra en la
Figura 2.17 (d).

La serie de Fourier del voltaje de salida tiene una frecuencia fundamental igual a
la frecuencia de conmutación. Los órdenes de las frecuencias de los armónicos
son de 6Q ± 1 para Q = 1, 2, … ( R = 5, 7, 11, 13, …) el armónico tercero y sus
múltiplos no existen de igual manera sus armónicos pares [4].

(a)
 23

(b)

(c)

(d)

Figura 2.17 (a) Inversor trifásico de seis pulsos (b) Esquema de conmutación
para la salida de seis pulsos (c) Voltajes de línea-línea a la salida (d) Voltajes de
línea-neutro sin puesta a tierra de la carga en estrella [4].
 24

El voltaje de entrada "" tiene los coeficientes de Fourier para una carga en
estrella sin toma de tierra, como se indican en las ecuaciones Ec. 2.3 y Ec. 2.4
respectivamente.

4 "" C
=V ∙ cos WR XV
T, ;U;
RC 6 Ec. 2.3

2 "" C 2C
=V ∙ Z2 + cos WR X − cos [R \]V
T, ;UY
3RC 3 3 Ec. 2.4

R = 1, 5, 7, 11, 13, …
Al variar la frecuencia de conmutación se puede controlar la frecuencia de salida.
El voltaje de alimentación de continua dependerá del valor del voltaje de salida.
Para controlar el voltaje de salida del inversor de 6 pulsos se debe ajustar el
voltaje de la entrada de continua [4].

2.4 EFECTOS SOBRE LA RED ELÉCTRICA

2.4.1 ARMÓNICOS

Un armónico es un valor de voltaje o corriente sinusoidal que tienen valores

enteros múltiplos de la frecuencia fundamental, como se muestra en la Figura
2.18. En ella se puede observar algunas formas de onda sinusoidales de
diferentes valores de amplitud y frecuencia que al sumarlas se aproxima a una
forma de onda cuadrada. El resultado de la suma es una onda sinusoidal con
contenido armónico [22].

Figura 2.18 Contenido armónico de una señal sinusoidal [22].

 25

2.4.2 INDICADORES DE LA DISTORSIÓN ARMÓNICA

Los indicadores permiten determinar los valores de la distorsión armónica de las

ondas de voltaje y corriente, los indicadores más usados son [23]:

· Factor de potencia.
· Factor de cresta.
· Potencia de distorsión.
· Espectro en frecuencia.
· Tasa de distorsión armónica.

[Link] Factor de Potencia

Se define al factor de potencia como la relación entre la potencia activa P sobre la

potencia aparente S mostrado en la ecuación Ec. 2.5.

_
^_ =
/ Ec. 2.5

O comúnmente definido el factor de potencia como cos `, como se indica en la

ecuación Ec. 2.6.

_1
cos ` =
/1 Ec. 2.6

Dónde:

P1: Potencia activa de la componente fundamental

S1: Potencia reactiva de la componente fundamental

El cos ` se lo toma como referencia de la frecuencia fundamental, pero cuando

existen armónicos su valor es diferente al factor de potencia [23].

[Link] Factor de Cresta

El factor de cresta se define como la relación entre el valor de cresta de voltaje y

corriente ( 9 , a9 ) con respecto a su valor eficaz, como se indica en la ecuación
Ec. 2.7.
 26

a9
b= g b=
9
adef def
Ec. 2.7

En una señal sinusoidal el valor de cresta respectivo tendrá un valor de √2, pero
una señal no sinusoidal su valor tiende a ser superior o inferior a √2. El factor de
cresta es utilizado para identificar valores excepcionales con respecto a su valor
eficaz [23].

[Link] Potencia Activa

Una señal distorsionada presenta una potencia activa debido a los armónicos
presentes, para identificar la potencia activa se lo hace mediante la suma de las
mismas correspondientes a voltajes y corrientes del mismo orden mediante la
ecuación Ec. 2.8.

_=h i ∙ ai ∙ cos `i Ec. 2.8

ik3

El valor de `i corresponde al desfase entre el voltaje y corriente del armónico de

orden h [23].

[Link] Potencia Reactiva

La potencia reactiva se define únicamente para la componente fundamental

mediante la ecuación Ec. 2.9 [23].

l= 3 ∙ a3 ∙ sin `3
Ec. 2.9

[Link] Potencia de Distorsión

Sin la presencia de armónicos, la potencia de distorsión se la calcula mediante la

ecuación Ec. 2.10.

/= 89: ∙ a89:
Ec. 2.10
 27

Al tener armónicos se la representa en la ecuación Ec. 2.11.

/ =h
4
i ∙ ai ∙ cos `i Ec. 2.11
ik3

Al tener armónicos la relación / 4 = _4 + l 4 no se la representa, por lo tanto, la

potencia de distorsión D se la representa en la ecuación Ec. 2.12 [23].

/ = p_4 + l 4 + q4
Ec. 2.12

[Link] Tasa De Distorsión Armónica

Para su análisis se debe representar matemáticamente la señal en el dominio del

tiempo, la frecuencia debe ser múltiplo de la frecuencia fundamental, en nuestro
caso 60 Hz.

Las fórmulas de voltaje y corriente se definen en la ecuación Ec. 2.13.

r(t) = ∙ cos uv t w(t) = a ∙ cos uv t

Ec. 2.13

Pero al tener señales armónicas presentes en la red las ecuaciones anteriores se

las representa mediante las ecuaciones Ec. 2.14 y Ec. 2.15 [23].

r(t) = 3 ∙ cos(uv t + x3 ) + 4 ∙ cos(2 ∙ uv t + x4 ) + 5

∙ cos(3 ∙ uv t + x5 ) + ⋯
Ec. 2.14

w(t) = a3 ∙ cos(uv t + x3 ) + a4 ∙ cos(2 ∙ uv t + x4 ) + a5 ∙ cos(3 ∙ uv t + x5 )

+⋯
Ec. 2.15

Al resolver las ecuaciones Ec. 2.14 y Ec. 2.15 se obtienen las ecuaciones Ec. 2.16
y Ec. 2.17.

r(t) = h T ∙ cos(R ∙ uv t + xT ) Ec. 2.16

Tk3
z

w(t) = h aT ∙ cos(R ∙ uv t + xT ) Ec. 2.17

Tk3
 28

Dónde:

T: Voltaje armónico de orden n

aT : Corriente armónica de orden n
xT : Ángulo del armónico n.

En la Figura 2.19, se muestra el contenido armónico de una señal fundamental,

en este caso el tercer armónico a 180 Hz.

Figura 2.19 Señal fundamental con tercera armónica [24].

[Link] Distorsión Armónica Total

Conocida como THD. Se la utiliza para definir el contenido armónico de una señal.
Para una señal {(t) el THD se la define como se indica en la ecuación Ec. 2.18.

∑j
ik4 {i
4
K|q = ∙ 100%
{3 Ec. 2.18

La ecuación Ec. 2.19 se la usa para armónicos de voltaje.

p 4
+ 4
+ 4
+⋯
K|q€ = ∙ 100%
4 5 6
Ec. 2.19
3

Para armónicos de corriente se la expresa mediante la ecuación Ec. 2.20.

pa44 + a54 + a64 + ⋯

K|q = ∙ 100%
a3
Ec. 2.20
 29

Al conocer el valor eficaz total el valor de THD para la corriente se la calcula

mediante la ecuación Ec. 2.21.

adef 4
‚
K|q = [ \ − 1 ∙ 100%
a3
Ec. 2.21

Finalmente, la ecuación Ec. 2.22 se la utiliza para valores de armónicos

individuales [23].

a|qT = ∙ 100%
T

3
Ec. 2.22

[Link] Factor Armónico Total

Este es un caso particular para representar la distorsión armónica, en el cual los

valores fundamentales tanto del voltaje 3 y corriente a3 se los sustituye por
valores eficaces def o adef . El cual se lo representa en la ecuación Ec. 2.23.

p 4
+ 4
+ 4
+⋯
K|q€ = ∙ 100%
4 5 6
Ec. 2.23
def

El valor de THF es inferior al 100 %. El cual permite medidas analógicas de las

señales, en la actualidad es menos utilizado debido a que cuando la señal es muy
poco distorsionada el resultado es similar al THD [23].

Al tener señales muy distorsionada sus valores sobrepasan el 100% razón por la
cual no es usado debido a que sobrepasa su valor.

[Link] Distorsión Total de Demanda TDD

La distorsión total de demanda se la define como la relación entre la corriente

armónica y la demanda máxima de la corriente de carga, como se muestra en la
ecuación Ec. 2.24.

pa44 + a54 + a64 + ⋯

Kqq = ∙ 100%
aDƒ9 9„†
Ec. 2.24
 30

Al realizar mediciones con respecto a sus armónicos en los sistemas eléctricos de

potencia, los valores del THD son altos cuando existen condiciones de baja carga,
el mismo que no afecta la operación de los equipos debido a que la energía
distorsionante que circula por el sistema también es baja [23].

[Link] Factor K

Este factor aparece cuando se trabaja con transformadores, los mismos que
abastecen a cargas no lineales, esto hace que el transformador se sobrecaliente,
aun cuando a que el mismo no ha alcanzado sus kVA nominales.

El sobrecalentamiento de un transformador produce armónicos, y hace que su

valor sea directamente proporcional al cuadrado de la armónica multiplicado por
las pérdidas producidas.

El factor K, cuya ecuación mostrada en la ecuación Ec. 2.25, viene especificado

en los datos de placa de algunos transformadores [23].

j
ai 4 4
^‡ˆtg‰ Q = h [ \ ∙ℎ
adef
Ec. 2.25
ik3

Dónde:

ai : Corriente de la carga no lineal alimentada por el transformador

Usualmente los valores del factor K son 4 y 13, para abastecer cargas que usen
rectificación.

2.5 MÉTODOS DE ELIMINACIÓN DE ARMÓNICOS

2.5.1 POR MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO

Esta técnica se desarrolla para la reducción del contenido armónico y minimizar

sus problemas que ocasionan.

2.5.2 ANÁLISIS DE ARMÓNICOS

En la Figura 2.20 se muestra la forma de onda de voltaje, para su análisis se lo

hace en el primer semiciclo, al ser simétrico el eje vertical se lo coloca en la parte
 31

central del semiciclo positivo como un coseno, para determinar los ángulos
Š3 , Š4 , Š5 .

Se eliminarán dos armónicos significativos para este análisis. Para un inversor

bifásico se eliminan los armónicos tercero y quinto los mismos son los más
significativos y los de mayor problema [25].

Figura 2.20 Forma de onda de voltaje de salida con PWM [25].

Para obtener la expresión del voltaje de esta forma de onda, se lo hace mediante
series de Fourier en función de los ángulos alfa. En coeficientes de Fourier la
función se la representa como se indica en las ecuaciones Ec. 2.26 y Ec. 2.27.

 ⁄4
1
‡‹ = Œ (t)Žt
K
Ec. 2.26
U ⁄4
 ⁄4
2 2∙R∙C∙t
T = Œ (t) ∙ sin [ \ Žt
K K
Ec. 2.27
U ⁄4
 32

Al desarrollar las ecuaciones anteriores se obtiene la serie cosenoidal de Fourier

que se muestra en la ecuación Ec. 2.28.

(t) = ‡‹ + h ‡T ∙ cos(Rt) + R ∙ sin(Rt) Ec. 2.28

Tk3

Esta serie cosenoidal de Fourier es una función par mostrada en la ecuación Ec.
2.29.
j

(t) = h ‡T ∙ cos(Rt) Ec. 2.29

Tk3

2.6 MODULACIÓN SINUSOIDAL POR ANCHO DE PULSO (SPWM)

Con la finalidad de variar una onda senoidal ya sea en frecuencia o en voltaje e

implementarla en un puente trifásico se necesita de una técnica que utilice
estados de encendido y apagado (ON Y OFF).

La técnica se la conoce como modulación por ancho de pulso SPWM9, la señal

se la obtiene al variar el ancho de un pulso dependiendo del valor de la señal
moduladora (senoidal). La señal SPWM se la obtiene al comparar una señal
portadora (señal triangular o diente de sierra) que tiene una frecuencia de mayor
valor con una señal moduladora (sinusoidal).

Al tener una magnitud de la moduladora mayor que la magnitud de la portadora su

estado será 1 u ON y viceversa, si la moduladora está en su valor máximo el
ancho de pulso en valor alto será máximo y viceversa, como se indica en la Figura
2.21. Para recobrar la señal moduladora se coloca un filtro pasa bajos a la salida,
la frecuencia del filtro debe ser de corte menor que la frecuencia de la portadora
[26].

Mientras mayor sea la frecuencia de la portadora las componentes armónicas en

el espectro de Fourier se desplazan más hacia el lado de las altas frecuencias
(derecha) siendo más fácil su filtrado. Con el propósito de controlar motores

9
SPWM: Sinusoidal Pulse Width Modulated
 33

eléctricos se necesita tres ondas desfasadas 120° cada una de ellas, lo cual se la
obtiene con tres ondas moduladoras y una portadora.

Figura 2.21 Modulación sinusoidal por ancho de pulso [26].

2.6.1 VARIACIÓN DE LA FRECUENCIA

Con el fin de variar la frecuencia, se debe variar al mismo tiempo la frecuencia de

las tres ondas moduladoras. Mientras que para elegir la frecuencia de la señal
portadora se debe considerar el contenido armónico en los voltajes de salida que
aparecen en las bandas laterales de la frecuencia de la portadora. Las
frecuencias de la señal portadora que se escogen en muchos casos están en
rangos menores de 6 kHz o mayores a 20 kHz para salir del rango audible.

La relación entre la frecuencia de la portadora y moduladora se define ‘ como

se indica en la ecuación Ec. 2.30.

’
‘ =
9 Ec. 2.30

Dónde:

‘: Relación de frecuencias

’ : Frecuencia de la portadora
 34

9 : Frecuencia moduladora.

El valor de ‘ puede tener valores enteros conocidos como SPWM sincronizado,

cabe recalcar que la frecuencia de la portadora no es constante y depende de la
frecuencia modulante. Asimismo, el cruce por cero debe ser el mismo para las
tres señales moduladoras y la señal portadora.

El valor de ‘ de preferencia debe ser un número impar para que los armónicos
impares y múltiplo de tres se eliminen, debido a que como cada onda está
desfasada 120° × 3 = 360° es decir equivalente a cero grados, eliminando los
armónicos comunes más dominantes que tiene cada fase, el cual permite la
sintonización del inicio de la portadora con cada una de las tres senoidales.

El valor típico de ‘ suele ser 21 y así los armónicos aparecen alrededor de 1260
Hz, pero si la frecuencia es baja por ejemplo 5 Hz como se debe mantener
constante la relación ‘, los armónicos están alrededor de 105 Hz.

Al tener un valor fijo de la frecuencia de la señal portadora, la relación ‘

evidentemente no será entero, al tener esto se tiene una modulación asincrónica,
lo cual implica que la frecuencia de la portadora no inicie en el mismo instante que
la correspondiente onda senoidal, esto se da porque al no ser una relación exacta
entre la modulante y la portadora uno o dos anchos de pulso pueden estar fuera
de proporción por cada una de las senoidales como se indica en la figura que al
compararlas con la figura, se observa que el primer ancho de pulso no inicia en
t = 0, además el ancho del pulso marcado 1 es mayor que el 2, que en el caso de
tener sincronización serían iguales [26].

Al no tener una buena sincronización aparecen subarmónicos indeseables que

pueden aparecer en la frecuencia de la modulante, que producen posibles
vibraciones dependiendo de la magnitud.

Como se indica en la Figura 2.22 si la frecuencia de la portadora es mayor se

reducen los subarmónicos, para la modulación se usa un valor ‘ mayor a 21
para reducir el efecto de la falta de sincronismo.
 35

Figura 2.22 Formas de onda SPWM con variación de frecuencia [26].

2.6.2 SOBREMODULACIÓN

La sobremodulación implica que al generar la señal SPWM, los valores de la

señal modulante sean mayores a los valores de la señal de la portadora como se
indica en la Figura 2.23.

Figura 2.23 Forma de onda SPWM con sobremodulación [26].

 36

Como se puede observar la distorsión de la señal modulante que depende de la

relación de frecuencias ‘ y según el índice de modulación ‘ se incremente
hace que la señal tiende a ser cuadrada, por lo general la onda tiende a ser
cuadrada cuando el índice de modulación tome valores mayores a tres.

La sobremodulación se hace necesaria para mantener la relación voltaje-

frecuencia constante, cuando los valores de frecuencia son mayores a 52 Hz
hasta 60 Hz.

Pero al trabajar con sobremodulación se pierde información de las ondas

senoidales modulantes hasta llegar a una onda cuadrada, por lo cual incrementa
el contenido armónico de la salida [26].

2.6.3 GENERACIÓN DE SPWM TRIFÁSICO

Los inversores convierten la corriente continua en corriente alterna para variar

voltaje y frecuencia en un rango deseado. Para nuestro caso de estudio el
inversor consta de 6 interruptores controlables.

Para generar la señal SPWM se necesita de un patrón de conmutación de los

interruptores del circuito para producir un voltaje de salida balanceado.

Para obtener la señal SPWM se compara dos formas de onda, una señal
triangular, la misma debe tener una frecuencia y amplitud fija (PORTADORA) y
una señal senoidal con una frecuencia y amplitud variables (MODULADORA) [26].

La amplitud de la señal de salida se controla a través del índice de modulación ‘

y se lo calcula mediante la ecuación Ec. 2.31.

“9
‘=
“’ Ec. 2.31

Dónde:

“9 : Amplitud de la señal moduladora

“’ : Amplitud de la señal portadora
 37

La frecuencia de salida ‹ se la obtiene por medio de la frecuencia de la

moduladora. Las características del voltaje de fase se regulan modificando ‘ y ‹ .

Para el análisis se utilizará el circuito mostrado en la Figura 2.24, en el cual se

determinará el patrón de conmutación de l3 , l4 , l5 , l6 , lM , lN para producir una
señal senoidal balanceada en “, ”, • con respecto a –.

El voltaje OY debe estar desfasado 120° en comparación con los voltajes PY y

"Y [27].

Figura 2.24 Inversor trifásico de seis pulsos [27].

El patrón de conmutación se genera al comparar una señal triangular con tres

señales senoidales O, P, " las cuales están desfasadas 120° como se muestra
en la Figura 2.25 [27].

Figura 2.25 Formas de onda portadora y moduladora desfasadas 120° [27].

 38

2.7 INVERSOR FOTOVOLTAICO SPWM UTILIZANDO IGBTs

El circuito de potencia estará conformado por IGBTs, además de ser encendidos

mediante señales obtenidas por la técnica SPWM, donde la señal obtenida con la
modulación PWM estará relacionada con la función senoidal, el ancho de cada
pulso varía en proporción con la amplitud de la onda senoidal [28].

Una razón por la utilización de esta técnica es el desplazamiento de la distorsión

armónica a mayores frecuencias y la utilización de filtros más simples.

Las señales de control se conformarán mediante la técnica SPWM para variar el

voltaje y la frecuencia, las configuraciones de seis IGBTs en pares por cada rama
conforman el inversor trifásico, la misma que es mostrada en la Figura 2.26 [28].

Figura 2.26 Inversor trifásico [20].

Se requiere obtener un sistema trifásico balanceado, con las señales desplazadas

120°, para esto las señales de control deben ser obtenidas con la modulación de
ancho de pulso y necesariamente el uso de tres señales, las mismas que tienen
una señal portadora en común, el SPWM se encuentra sincronizado con la señal
portadora y la moduladora, por lo que se tiene simetría en los anchos de pulsos,
en la entrada se conectará un panel fotovoltaico que alimenta los circuitos de
control y potencia que integran el inversor trifásico.
 39

La Figura 2.27 se presenta los voltajes obtenidos a la salida y además las señales
de control por cada rama del circuito de potencia.

Figura 2.27 Formas de onda para un SPWM trifásico [20].

 40

2.8 PANEL FOTOVOLTAICO

Para las pruebas del inversor se utilizará un panel fotovoltaico, para determinar el
correcto funcionamiento del inversor trifásico, el cual cumple con las
características para el diseño.

2.8.1 PANEL SOLAR DE 181 W

El panel solar que se muestra en la Figura 2.28, es usado en la central

fotovoltaica de Salinas de Ibarra, marca YINGLI, en la Tabla 2.2 se muestran los
parámetros eléctricos más importantes del panel solar a condiciones estándar.

Figura 2.28 Panel fotovoltaico [29].

Tabla 2.2 Parámetros eléctricos del panel fotovoltaico [29].

Parámetros Eléctricos y pruebas en condiciones estándar (STC)

Tipo de módulo —˜™™™ _ − 29(››› = _9„† )
Potencia de salida _9„† W 260 255 250 245 240 235 230
Tolerancias de la ∆_9„† W 0/5

ɳ9
potencia de salida
Eficiencia del % 15,9 15,6 15,3 15,0 14,7 14,4 14,1

Voltaje a žŸ ¡
Módulo
9’’ V 30,9 30,6 30,4 30,2 29,5 29,5 29,5
Corriente a žŸ ¡ a9’’ A 8,41 8,32 8,24 8,11 8,14 7,97 7,80
Voltaje a circuito v¢ V 38,9 38,7 38,4 37,8 37,5 37,0 37,0

a:¢
abierto
Corriente de A 8,98 8,88 8,79 8,63 8,65 8,54 8,40
cortocircuito

STC: irradiación 1000 £ ⁄¤4 , 25℃ de temperatura de la célula, el espectro

AM1.5G según la norma EN 60904-3.
 41

En la Tabla 2.3 se muestran los parámetros eléctricos a condiciones nominales de

temperatura.

Tabla 2.3 Parámetros Eléctricos en Operaciones Nominales de temperatura del

Panel [29].

Parámetros Eléctricos en Operaciones Nominales de temperatura del

Panel (NOCT)
Potencia de _9„† W 188,3 184,7 181,1 177,9 174,3 170,7 167
Salida
9’’
žŸ ¡
Voltaje a V 28,1 27,9 27,6 27,2 26,6 26,6 26,6

a9’’
žŸ ¡
Corriente a A 6,70 6,63 6,56 6,54 6,56 6,42 6,29

Voltaje a v¢ V 35,9 35,7 35,4 34,5 34,2 33,8 33,8

circuito

a:¢
abierto
Corriente de A 7,27 7,19 7,12 6,99 7,01 6,92 6,81
cortocircuito

NOCT: circuito abierto temperatura de funcionamiento del módulo a 800 £ ⁄¤4 de

irradiación, 20℃ de temperatura ambiente, 1 ¤⁄¦ de velocidad del viento.

[Link] Curva del Panel Solar

Una característica muy importante de un panel fotovoltaico es la relación

corriente- voltaje, razón por la cual es necesario analizar como la radiación solar,
la temperatura de cada celda y la carga afecta el comportamiento de la curva.

La prueba se la realizó en un día parcialmente despejado, para determinar la

curva del panel solar se necesita conectar una carga resistiva (varistor de valor
13.2 Ω) para obtener los siguientes datos:

[Link].1 Corriente de Corto Circuito (a:i )

La corriente de corto circuito se la obtiene cuando el valor de la carga es

aproximadamente cero y cuando el voltaje en el panel es cero. Para el panel
fotovoltaico se obtuvo un valor de a:i = 7,8 “.
 42

[Link].2 Voltaje de Circuito Abierto ( v¢ )

El voltaje de circuito abierto se lo mide a través del panel fotovoltaico cuando no

pasa corriente por el mismo, es decir sin conectar la carga. El voltaje de circuito
abierto para el panel es de v¢ = 34,5 .

Después de obtener la corriente de corto circuito y el voltaje de circuito abierto se

procede a tomar los datos que se muestran en la Tabla 2.4.

Tabla 2.4 Datos prueba experimental.

DATOS OBTENIDOS DEL PANEL SOLAR

Voltaje [$] Corriente [“] Potencia [£]
0 7,8 0
0,6 7,8 4,68
1,3 7,7 10,01
2,4 7,7 18,48
3,1 7,7 23,87
4,7 7,7 36,19
5,3 7,7 40,81
6,6 7,7 50,82
7,5 7,6 57
8,6 7,7 66,22
9 7,68 69,12
9,6 7,66 73,536
10,3 7,7 79,31
10,8 7,7 83,16
11,6 7,72 89,552
11,8 7,72 91,096
12 7,71 92,52
12,4 7,71 95,604
13,6 7,7 104,72
14,2 7,63 108,346
15,6 7,55 117,78
16,2 7,44 120,528
17,6 7,31 128,656
18,5 7,17 132,645
19,6 7,02 137,592
20 6,87 137,4
21,7 6,71 145,607
22 6,6 145,2
23,5 6,55 153,925
24 6,4 153,6
 43

25,6 6,2 158,72

26 5,9 153,4
26,5 5,8 153,7
27,8 5,5 152,9
28 5,1 142,8
28,6 4,9 140,14
29,4 4,8 141,12
30 4,6 138
30,4 4 121,6
30,8 3,77 116,116
31,3 3,56 111,428
31,7 3,44 109,048
31,9 3,33 106,227
32,7 3,23 105,621
32,9 3,24 106,596
33 3,2 105,6
33,2 3,11 103,252
33,5 2,8 93,8
33,7 2,5 84,25
33,9 2,1 71,19
34,5 0 0

Las curvas I vs V y Potencia vs V, se muestran en la Figura 2.29, para determinar

el máximo punto de potencia del panel solar.

Figura 2.29 Grafica MPPT del panel solar en cielo parcialmente despejado.
 44

2.9 ALGORITMO MPPT

Las celdas fotovoltaicas presentan características las cuales son representadas a

través de curvas V-I (Voltaje-corriente, como se indican en la Figura 2.30), que
definen su propio funcionamiento dependiendo de las condiciones de operación.

La potencia de la celda solar está dada por el producto del voltaje y corriente de la
misma. El MPP (Punto de máxima potencia) es el resultado del producto del
voltaje en el punto máximo e©© y la corriente en el punto máximo (ae©© ) para los
cuales la potencia extraída del arreglo fotovoltaico es máxima (_e©© ) [30].

Figura 2.30 Grafica de corriente vs voltaje de una celda fotovoltaica [30].

Existen diferentes tipos de algoritmos y métodos de control del MPPT en sistemas
fotovoltaicos, los cuales se explican a continuación:

2.9.1 PERTURBACIÓN Y OBSERVACIÓN (P&O)

El método perturbar y observar, consiste en variar (Perturbar) el voltaje en

continua a la entrada del inversor, y ver el cambio de potencia de la salida.

Al aumentar el voltaje, cambia la potencia de salida. Al existir aumento de la

potencia de salida, la perturbación continúa realizándose en el mismo sentido
para alcanzar el MPP (Máximo punto de potencia). Si la potencia se reduce, la
perturbación debe ser invertida como se indica en la Tabla 2.5 [31].
 45

Tabla 2.5 Resumen de subida de pendiente y del algoritmo P&O [31].

Perturbación Cambio de potencia Siguiente perturbación

Positiva Positiva Positiva
Positiva Negativa Negativa
Negativa Positiva Negativa
Negativa Negativa Positiva

El algoritmo en si consiste en aumentar o disminuir el ciclo de trabajo de la señal

PWM realizada en el microcontrolador, los valores serán determinadas de
acuerdo a las muestras de voltaje y corriente obtenidos mediante el conversor
analógico-digital del microcontrolador.

La Figura 2.31 muestra el diagrama de flujo del algoritmo perturbar y observar.

Figura 2.31 Algoritmo Perturbar y Observar

 46

2.9.2 CONDUCTANCIA INCREMENTAL

El algoritmo por conductancia incremental, como se indica en la Figura 2.32,

consiste en la comparación entre la conductancia instantánea (− a ⁄ ) y la
conductancia incremental (∆a ⁄∆ ) para obtener el MPP.

Figura 2.32 Algoritmo de conductancia incremental [7].

 47

El algoritmo utiliza la variación de potencia de salida con respecto al voltaje

mediante la ecuación Ec. 2.32.

Ž_ Ž(a ) Ža ∆a
= =a+ ≅a+
Ž Ž Ž ∆ Ec. 2.32

En el punto de máxima potencia la expresión anterior se la representa mediante la

Ec. 2.33.

Ž_ a Ža
V =0→− =
Ž e©© Ž Ec. 2.33

El nivel de voltaje en el cual el panel fotovoltaico es forzado a operar lo establece

el voltaje de referencia 8ƒ¬ . Al alcanzar el MPP, el panel fotovoltaico funciona en
esas condiciones a menos que exista un cambio en las condiciones atmosféricas,
lo que produce una variación de la corriente (∆a), para explicar el sentido del MPP
se utilizan las ecuaciones mostradas en la Ec. 2.34 [31].

∆a ⁄∆ = − a ⁄ , ­R ‘__
∆a ⁄∆ > − a ⁄ , w¯²³w­‰Ž‡ Ž­´ ‘__ Ec. 2.34
∆a ⁄∆ < − a ⁄ , Ž­‰­ˆℎ‡ Ž­´ ‘__

2.9.3 VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO FRACCIONAL

Este método consiste en la relación entre el e©© (Voltaje en el punto de máxima

potencia) y !" (Voltaje a circuito abierto) como se indica en la Ec. 2.35 [31].

e©© = b3 ∙ !"
Ec. 2.35

Donde la constante de proporcionalidad es b3 y sus valores están en el rango de

0,71 y 0,78. el valor de b3 se lo obtiene mediante mediciones, para ello se debe
desconectar por un momento el convertidor de potencia. Si bien no es
estrictamente un método MPPT es muy fácil de implementar [6].

2.9.4 CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO FRACCIONAL

Este método se basa en el anterior (VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO

FRACCIONAL) mediante la siguiente Ec. 2.36 [6].
 48

ae©© = b4 ∙ af"
Ec. 2.36

Donde b4 es una constante de proporcionalidad y sus valores varían entre 0,78 y

0,92.

Para determinar el valor de af" durante la operación es difícil, por el cual se debe
agregar un switch adicional en el convertidor para provocar el corto
periódicamente a la salida de la instalación de panel fotovoltaico [31].

2.9.5 CONTROL DE LÓGICA DIFUSA

En su traducción al inglés Fuzzy Logic Control, este método es utilizado en

microcontroladores, los controladores de lógica difusa trabajan con entradas
imprecisas como principal ventaja, esto hace que no sea necesario un modelo
matemático preciso.

El control de lógica difusa consta de tres etapas que mencionamos a

continuación:

· Fuzzificación.
· Tabla de base.
· Defuzzificación.

Las entradas utilizadas en este método normalmente es el error E y la variación

del mismo ∆¶. Luego convierte las entradas a variables lingüísticas a partir de la
tabla de base de reglas (rule base table).

La efectividad de este método depende de la mejor forma de cálculo del error [31].

2.9.6 RED NEURONAL

La red neuronal consta de tres etapas como se indica en la Figura 2.33.

Su característica principal es que determina de forma precisa el MPP mediante

parámetros ocultos [6]. Las variables de entrada son los parámetros del
generador fotovoltaico. La salida es normalmente una o varias señales de
 49

referencia (s), como una señal de ciclo de trabajo utilizado para conducir el
convertidor de energía para operar en o cerca del MPP [31].

Figura 2.33 Etapas de la red neuronal [10].

2.9.7 CORRIENTE DE CARGA O MÁXIMO VOLTAJE DE CARGA

Esta técnica se basa en usar la corriente o el voltaje, esto dependerá del tipo de
carga, a la salida del convertidor a modo de variable de control para maximizar la
potencia extraída del panel fotovoltaico como se indica en la Figura 2.34 [6].

Figura 2.34 Curvas I-V de un panel fotovoltaico con diferentes niveles de

insolación.
 50

2.9.8 COMPARACIÓN DE LOS ALGORITMOS MPPT

El algoritmo de voltaje constante es un método fijo que se lo obtiene mediante los

datos establecidos por el panel solar. Su particularidad es que no tolera los
cambios de temperatura, debido a que esto provoca un cambio en el MPP.

El algoritmo de P&O es un método de aproximación en el cual se toman medidas

de voltaje y corriente para calcular la potencia. Al permanecer constante la
potencia se siguen realizando dichas mediciones. Al aumentar o disminuir la
potencia, se examina la variación de voltaje y en función de su dirección se varía
el voltaje aumentándolo o disminuyéndolo. Esto hará que se mueva a lo largo de
la curva buscando el MPP.

El algoritmo de conductancia incremental es un método en el cual se utiliza la

pendiente, que tiene la derivada de la corriente con respecto al voltaje, para
obtener el MPP. Al variar el voltaje teniendo valores mayores o menores, el
tiempo de la potencia cambia, al aumentar la potencia, el voltaje variará en la
misma dirección. Lo mismo ocurre si disminuye la potencia.

De los algoritmos expuestos anteriormente, el algoritmo de conductancia

incremental es más óptimo ya que estabiliza de forma más rápida y no produce
oscilación en el punto de máxima potencia.

Razón por el cual será implementado en la programación del microcontrolador

para la operación correcta del inversor trifásico.
 51

CAPÍTULO 3

DISEÑO CIRCUITOS DE CONTROL Y POTENCIA DEL

PROTOTIPO

3.1 ETAPA DE CONTROL

3.1.1 CONVERTIDOR BOOST

En el diseño del inversor, el convertidor BOOST constituye la primera etapa del

inversor, la misma que actúa como una fuente que elevará el valor del voltaje de
entrada con respecto al voltaje de salida, procurando mantener el voltaje
constante a la salida del convertidor para el correcto funcionamiento del inversor.

[Link] Estructura y Funcionamiento

El convertidor BOOST mostrado en la Figura 3.1, está formado por un inductor y

capacitor, elementos necesarios para mantener el voltaje y reducir el rizado
presente en la salida del convertidor [32].

Figura 3.1 Convertidor BOOST [32].

El funcionamiento del convertidor depende del estado del elemento de

conmutación, el mismo que actúa como interruptor, implicando dos tipos de
estados ON y OFF.

Cuando el elemento de conmutación está en estado ON como se muestra en la

Figura 3.2, el diodo se polariza inversamente, haciendo que la corriente en la
bobina aumente linealmente, a su vez que almacena la energía sin transferirla a la
 52

carga, el condensador se comporta como una fuente de alimentación

proporcionando energía a la carga, la Figura 3.2 muestra el circuito equivalente
cuando el elemento de conmutación se encuentra en estado ON.

Figura 3.2 Topología en estado ON [32].

El valor del voltaje de entrada ( · ) es transferido directamente a la bobina, lo que

causa una variación de corriente (a; ) durante un periodo (t), representada en la
ecuación Ec. 3.1.

∆a;
=
·
∆t ˜ Ec. 3.1

Al final de estado ON, la corriente en el inductor se calcula mediante la ecuación

Ec. 3.2:

7.
∙q∙K
∆a;vT = Œ Žt =
· ·

‹ ˜ ˜ Ec. 3.2

El Duty Cycle (D) representa el periodo en el cual el elemento de conmutación

está en ON.

Cuando el elemento de conmutación está en estado OFF como se muestra en la

Figura 3.3, el diodo se polariza directamente, el cual hace que la bobina actué
como una fuente de alimentación, cediendo la energía que almacenó al
condensador, el condensador ahora actúa como carga, la Figura 3.3 muestra el
circuito equivalente cuando el elemento de conmutación se encuentra en estado
OFF.
 53

La corriente en el inductor pasa directamente hacia la carga. Se debe considerar

que no exista caída de voltaje en el diodo, necesario para que el condensador no
devuelva corriente, además que el valor del condensador debe ser alto en voltaje.

La ecuación Ec. 3.3, muestra la relación entre el voltaje de entrada · y el voltaje

de salida v en el estado OFF.

Figura 3.3 Topología en estado OFF [32].

Ža;
− =˜∙
· v
Žt Ec. 3.3

Por lo tanto, la variación de a; durante el estado OFF se calcula mediante la

ecuación Ec. 3.4:

(3U7)∙
( − !) ( − !) ∙ (1 − q) ∙ K
∆a;v¬¬ = Œ Žt =
· ·
˜ ˜
Ec. 3.4
‹

[Link] Cálculo de los Elementos del Convertidor Boost

A continuación, se indica los cálculos de los elementos del convertidor BOOST.

Los datos panel solar se indican en la Tabla 3.1:

Tabla 3.1 Datos del panel solar.

Potencia Máxima, žŸ ¡ 181,1 £

Característica Valor

Voltaje Máximo, $Ÿ ¡ 27,6

Corriente Máxima, ¹Ÿ ¡ 6,56 “
Voltaje a Circuito Abierto, $º» 35,4
Corriente de corto circuito, ¹&» 7,12 “
 54

Para el cálculo de la relación de trabajo ¼, se lo realiza mediante la ecuación Ec.

3.5.
¶
=
1−¼ Ec. 3.5

¶= ·T = 30 , a la salida de elevador se desea obtener un voltaje de = 60 ,

por lo tanto, la relación de trabajo es:

30
¼ =1−
60

½ = %, ¾

Para el dimensionamiento del inductor, se utiliza la ecuación Ec. 3.6, el valor de D

representa la relación de trabajo, el valor de  es de 40 b|¯ valor de la velocidad
máxima del microcontrolador:

q ∙ (1 − q)4
˜¤wR =
2 Ec. 3.6

Para un adecuado valor del inductor se multiplica por un factor de seguridad, ¦

de 1,2.
0,5(1 − 0,5)4
˜¤wR = ∙ 1,2 = 1,56 ¤|
2 ∙ 40

Por lo tanto, al no tener un valor del inductor calculado, se aproxima a su valor

comercial más cercano, el mínimo valor del inductor será de ¿ŸÀÁ = *,  ŸÃ.

El valor del capacitor se lo obtiene mediante la ecuación Ec. 3.7, el valor del
rizado del capacitor será del 5%.

q
•>
 ∗ Å ∗ (Åw¯‡Žg) Ec. 3.7

Para un adecuado valor del capacitor, se multiplica por un factor de seguridad de

1,2.
0,5
•> ∗ 1,2 = 0,166 Æ^
40 ∗ 1,5 ∗ (0,05)
 55

Por lo tanto, al no tener un valor comercial del capacitor de 0.188 Æ^ se aproxima

a su valor comercial más cercano, que es de » = ' ÇÈ que será el valor mínimo
del capacitor.

[Link] Bobina con Transformador de Núcleo de Hierro

La bobina con transformador núcleo de hierro mostrado en la Figura 3.4,

constituye bobina del convertidor BOOST, para el diseño de la bobina se utiliza la
ecuación Ec. 3.8.

– ∙ – ∙ w –4
˜= =
w∙ℛ ℛ Ec. 3.8

Donde:

ℛ: Reluctancia.
–: Número de vueltas.
˜: Inductancia.

De la ecuación Ec. 3.8, despejamos – para su respectivo cálculo.

Figura 3.4 Bobina con transformador núcleo de hierro.

57¤¤ 2 ∙ 57¤¤ + 76¤¤

ℛ= +
19¤¤ ∙ 38¤¤ 2 ∙ 1 ∙ 38¤¤ ∙ 38¤¤
 56

–4 –4
˜= = 250 ¤| =
ℛ 0,1447 ¤¤U3

– = 86 r³­´t‡¦

Se requiere de 86 vueltas para obtener el valor de 250 ¤|, en el ANEXO C se

encuentra el cálculo más detallado de la bobina.

3.1.2 RESISTENCIA DE CARGA

La resistencia de carga mostrada en la Figura 3.5, será abastecida por el elevador

BOOST, para su cálculo se considera el voltaje de salida del elevador y la
potencia máxima del panel solar.

Figura 3.5 Conexión Resistencia de Carga

La ecuación Ec. 3.9, será utilizada para el cálculo de la resistencia de carga.

4
_=
vÊË
Å Ec. 3.9

El valor de vÊË es de 60 , valor de la potencia es de 181,1 £, valor dado por el

datasheet del panel solar.

4
604
Å= = = 20 Ì
vÊË
_ 181,1 £

El valor de la resistencia obtenida es el mínimo, que deberá ser colocado a la

salida del elevador. El valor de la corriente que circula por el elevador BOOST se
la obtiene mediante la ecuación Ec. 3.10.
 57

a:„Í·D„ = (1 − ¼) ∙ a·T
Ec. 3.10

Por lo tanto, el valor de la corriente de salida es:

a:„Í·D„ = (1 − 0,5) ∙ 2“

a:„Í·D„ = 1 “

3.1.3 RED SNUBBER ELEVADOR

La red snubber mostrada en la Figura 3.6, es una parte importante en los circuitos
electrónicos de potencia, son componentes activos o pasivos que se añaden al
circuito de potencia para reducir el estrés generado en el mosfet durante su
conmutación, además de asegurar un régimen de trabajo seguro. Su diseño
depende de las estimaciones y referencias dados por los fabricantes de
semiconductores.

Figura 3.6 Red snubber del elevador.

El valor de la resistencia debe ser capaz de descargar el condensador en un

tiempo inferior al ciclo de trabajo, es recomendable que este tiempo sea 1⁄3 F,
(^ = 40 b|¯, frecuencia del elevador), por lo tanto, se obtiene 3⁄40b|¯ =
0,075¤¦. Para el diseño se asume un valor del condensador de • = 0,047 ³^, el
valor de R se lo obtiene de la ecuación Ec. 3.11.
UË
" = ¬ ∙ (1 − ­ d" ) Ec. 3.11

Donde:

": Voltaje disminución.

 58

¬: Voltaje pico.
t: Tiempo inferior al ciclo de trabajo.
•: Capacitor.
Å: Resistencia.

El voltaje pico es típicamente el 50% del voltaje de alimentación ( „Í·9 =

30 , valor mínimo de voltaje que proporciona el panel fotovoltaico) cuando no se
usa la red snubber, el voltaje pico se obtiene de la ecuación Ec. 3.12.

¬ = „Í·9 + (0,5 ∙ „Í·9 )

Ec. 3.12

Al realizar los cálculos se obtiene el voltaje pico de 45 . Para el cálculo del

voltaje de disminución el condensador debe descargar hasta cuando el ciclo sea
de un 80%, el voltaje de disminución se obtiene de la ecuación Ec. 3.13.

= + (0,2 ∙ )
„Í·9
" „Í·9
2 Ec. 3.13

Al realizar los cálculos se obtiene el voltaje de disminución de 33 . Entonces al

despejar la ecuación Ec. 3.13, obtenemos el valor de la resistencia de la red
snubber que es de 1207 Ì, el cual su valor comercial será de Î = ', * ÏÐ.

3.2 ETAPA DE FUERZA

El inversor DC-AC corresponde a la etapa de fuerza del prototipo, consiste de seis

IGBTs de potencia los cuales funcionan como interruptores que serán activados o
desactivados dependiendo de la señal SPWM enviada por el microcontrolador.

La etapa de fuerza se abastecerá con 60 7" dados por el elevador BOOST, El

circuito mostrado en la Figura 3.7 muestra el circuito de conexión de los IGBTs
con sus respectivas protecciones, el tiempo de disparo lo proporciona el
optoacoplador 6N137, para evitar la activación simultánea de los mismos.
 59

Figura 3.7 Circuito de conexión de los IGBTs.

La señal SPWM llega a través del Gate de los IGBTs.

3.2.1 DIMENSIONAMIENTO DE LOS IGBTs

Para el dimensionamiento de los IGBTs se considera el valor del voltaje a la

salida del elevador BOOST, que para el diseño es de ¶ = 60 7" .

El valor del voltaje de los IGBTs debe ser el doble del valor de salida del elevador
BOOST, como se muestra en la ecuación Ec. 3.14, para evitar un corto circuito en
caso de existir un voltaje mayor de 60 , además para abastecer a la carga de
forma segura.

g´t‡Ñ­ aҔK ≥ 2 ¶
Ec. 3.14

Por el cual el valor del voltaje será de $¹ÔÕÖ = '*% $ El valor de la corriente de
los IGBTs debe ser de tres veces el valor de la corriente de la carga como se
muestra en la ecuación Ec. 3.15, para la protección de los IGBTs, además de
evitar el sobrecalentamiento de los mismos.

aØP = 3 a"OdØO
Ec. 3.15

El valor de la corriente del IGBT deberá ser alta, debido a que la corriente
dependerá de la carga, en este caso el IGBT soporta hasta 20A.
 60

3.2.2 CIRCUITO OPTOACOPLADOR

Para el cálculo de las resistencias Å4 y Å5 mostradas en la Figura 3.8, se utiliza un

divisor de voltaje, el voltaje de alimentación del optoacoplador y del divisor es de
5 .

Figura 3.8 Esquema conexión optoacoplador.

El valor de la resistencia Å3 debe variar entre 200Ì y 330Ì por lo tanto para el
diseño se elige el valor de 330Ì.

El cálculo de las resistencias del divisor de voltaje se lo realiza mediante la

ecuación Ec. 3.16. Por lo tanto, se procede con el cálculo de Å5 , se asume un
valor de Å4 de 2,2 bÌ.

Å4
= ∙
vÊË
Å5 + Å4 ·T Ec. 3.16

El valor de vÊË es de 12 .

2,2 bÌ
5 = ∙ 12
Å5 + 2,2 bÌ

2,2 bÌ ∙ 5
Å5 = − 2,2 bÌ
12

Î, = ', Ú ÏÐ

Los valores de las resistencias son: Î* = *, * ÏÐ, Î, = ', Ú ÏÐ

 61

3.2.3 RED SNUBBER IGBTs

El cálculo de la red snubber mostrado en la Figura 3.9, es similar al desarrollado

para la red snubber del elevador, el valor de la resistencia debe ser capaz de
descargar el condensador en un tiempo inferior al ciclo de trabajo, es
recomendable que este tiempo sea 1⁄3 F, (^ = 12 b|¯, frecuencia de la señal
SPWM), por lo tanto, se obtiene 3⁄12 b|¯ = 0,25¤¦.

Figura 3.9 Red snubber IGBT.

El valor del capacitor es el mismo asumido anteriormente • = 0.047 ³^, para

obtener el valor de R se utiliza la ecuación Ec. 3.11.

El valor de los voltajes de disminución y pico son los mismos obtenidos

anteriormente ( " = 132 y ¬ = 180 ), por lo tanto, se procede a calcular la
resistencia despejándola de la ecuación Ec. 3.11, y se obtiene un valor de
Å = 4.024 Ì, el cual su valor comercial será de Î = ., Â ÏÐ.

3.3 PROGRAMA MPPT EN MIKRO C

El algoritmo de conductancia incremental, se lo implementó en el microcontrolador

PIC18F4431 siguiendo el diagrama mostrado en la Figura 2.32, los registros y
librerías del microcontrolador se los indica en el ANEXO A.

3.3.1 VISUALIZACIÓN Y DECLARACIÓN DE VARIABLES

En el programa se muestran la declaración de variables y librerías, las mismas

que serán utilizadas en la ejecución de las funciones tanto para la señal PWM y
para el algoritmo de conductancia incremental.
 62

[Link] Declaración y Asignación de Variables

En el Código 3.1 se presenta el ingreso de las variables tipo entero, para voltaje,
ciclo de trabajo y corriente, además de la asignación de variables tipo char para la
visualización en el display.

Código 3.1 Declaración y asignación de variables

[Link] Inicialización de Entradas y Salidas

En el Código 3.2 se muestra la configuración del puerto A como entrada

analógica, puerto usado para el ingreso de los valores de voltaje y corriente, el
puerto B como salida digital para la visualización en el display.

La librería Pwm1_Init, inicializa la señal PWM a través del registro CCP1 dado por
el manual de usuario del microcontrolador, la frecuencia de la señal será de 40
kHz.

Código 3.2 Configuración de entradas y salidas analógicas y digitales

 63

En el Código 3.3 se presenta la asignación de entrada AN0 y AN1 para la lectura

de los valores de voltaje y corriente, estos registros se encuentran en los pines 2
y 3 del microcontrolador.

Código 3.3 Asignación de registros

[Link] Conversión y Visualización

El Código 3.4 presenta la conversión mediante el registro IntToStr. y visualización

de los valores de voltaje y corriente a través de registro Lcd_Out.

Código 3.4 Conversión y visualización

 64

3.3.2 INICIALIZACIÓN DE LA SEÑAL PWM Y ALGORITMO MPPT

En el programa se muestra la programación y ejecución de la señal PWM y del

algoritmo MPPT.

[Link] Inicialización señal PWM

En el Código 3.5 se muestra el inicio de la programación de la señal PWM,

además de la lectura de los valores de voltaje y corriente que serán enviados al
display para su visualización.

Código 3.5 Inicialización de la señal PWM y lectura de datos

[Link] Inicialización para el MPPT

El Código 3.6 muestra un lazo infinito para comprobar los estados posibles de las
variables de voltaje y corriente, además la lectura de la variación del voltaje y
corriente para su respectiva comparación ∆ = () − (g) y ∆a = a() − a(g), la
comparación se la visualiza en el display con el mensaje lazo 2, que es el
segundo estado posible, b representa la conductancia instantánea.
 65

Código 3.6 Recepción de datos para el MPPT y segundo estado posible.

El Código 3.7 muestra el tercer y cuarto estado posible, en estos estados tenemos
que ∆ =0 y ∆a > 0, esto indica que ha aumentado la radiación solar,
aumentando así el voltaje del MPPT, el cual implica un incremento del voltaje del
panel solar.

Código 3.7 Tercer estado y cuarto estado posible.

El Código 3.8 presenta el quinto y sexto estado, en el quinto estado tenemos que
∆ =0 y ∆a < 0, esto indica que el nivel de radiación solar ha disminuido,
reduciendo el voltaje del MPPT, por lo tanto, el MPPT debe disminuir el voltaje del
panel solar.
 66

El sexto estado compara los valores de la conductancia instantánea (b) y la

conductancia incremental ∆a/∆ .

Código 3.8 Quinto y sexto estado posible.

En el Código 3.9 se presenta el séptimo y octavo estado, en el séptimo estado

∆
< −b , esto indica que el panel está trabajando a la derecha del
∆€
tenemos que

MPP de la curva P-V, por lo tanto, el voltaje de operación del array debe
disminuir. El octavo y último estado, muestra que el punto de trabajo del array
está a la izquierda del MPP. por lo tanto, el voltaje de operación del array debe
aumentar.

Código 3.9 Séptimo y octavo estado posible.

 67

CAPÍTULO 4

IMPLEMENTACIÓN DEL PROTOTIPO

4.1 DIAGRAMA DEL INVERSOR TRIFÁSICO

En el diagrama mostrado en la Figura 4.1, se presenta las funciones del sistema,

donde se aprecia las etapas del inversor trifásico desde el abastecimiento de
energía pasando por las etapas de control y potencia hasta el abastecimiento de
energía a la carga.

Figura 4.1 Etapas del inversor trifásico.

4.2 CIRCUITO DE CONTROL SEÑAL SPWM Y PWM

4.3 CIRCUITO SEÑAL SPWM

El circuito mostrado en la Figura 4.2 nos permite generar la señal SPWM que
controlará los disparos de los IGBTs que conforman la etapa de potencia del
inversor trifásico, el microcontrolador usado para generar la señal es el
STM32F4DISCOVERY.
 68

Figura 4.2 Circuito señal SPWM.

4.3.1 DESCRIPCION DE ELEMENTOS

[Link] Microcontrolador STM 32F4 Discovery

Para generar la señal SPWM se utilizó el microcontrolador mostrado en la Figura

4.3, el cual dispone de herramientas computacionales y de compilación para su
correcto funcionamiento.

Figura 4.3 Microcontrolador STM 32F4 Discovery.

Este dispositivo es considerado el elemento principal del inversor, debido a que

envía y recibe los datos de los elementos de control y potencia del inversor.
Además, posee una entrada USB para el envío y recepción de datos.
 69

El microcontrolador dispone de sus respectivas protecciones integradas en la

tarjeta mostrada anteriormente, dispone de facilidad de uso y mejor eficiencia en
la realización de los códigos de programación [33].

[Link].1 Características

· El microcontrolador dispone de: 1 GB de memoria flash, 192 KBytes de

memoria RAM y encapsulado LQFP100.
· Oscilador RC
· Dispositivos de entrada y salida (I/O) Interface: la placa del
microcontrolador dispone de cuatro LEDs y dos pulsadores programables
por el usuario (usuario y reset), multiplexados con varios periféricos
internos.
· Fuente de alimentación: desde la entrada USB o a su vez desde una fuente
de alimentación externa de 5 V.
· Sensor de movimiento y acelerómetro con salida digital de 3 pines.
· Sensor de audio y micrófono digital omnidireccional.
· Dispone de 8 LEDs con las siguientes especificaciones como se indica en
la Figura 4.4:

- LED1 (rojo / verde) indica la comunicación USB.

- LED2 (rojo) indica la alimentación de 3,3 V.
- Cuatro LEDS de usuario, LD3 (naranja), LD4 (verde), LD5
(rojo) y LD6 (azul).
- 2 LEDs: USB OTG LD7 (verde), VBus y LD8 (rojo).

· Velocidad de operación de 168 MHz.

· Puerto USB OTG.
· Conexión Ethernet.
· Interfaz LCD paralela.
 70

Figura 4.4 Diseño del microcontrolador [33].

Además, posee de un procesador ARM Cortex-M4 como se indica en la Figura

4.5, con las siguientes características:

· 32 bits con FPU, tiene 210 DMIPS.

· 1 MB de memoria Flash.

· 196 KB de memoria RAM.

· USB OTG HS/FS

· 17 Timers y 3 ADCs.

· 168 MHz/210 DMIPS Cortex-M4.

· Ejecución de algoritmos de control óptima.

 71

· Facilidad de uso.

· Eficiencia de código.

· Reducción de “Time to market”.

Este dispositivo posee un alto rendimiento y elevada transferencia de datos,

eficiencia energética y ultra-bajo consumo de energía RTC<1 Ɠ en modo VBAT
de 3,6 V hasta 1,7 V VDD.

Posee un regulador de voltaje con capacidad de potencia adaptable,

proporcionando una mayor flexibilidad para reducir el consumo de energía en
aplicaciones que requieren de mucho procesamiento y bajo consumo, funciona
con bajo voltaje o con baterías recargables.

Figura 4.5 Procesador ARM Cortex [34].

Los periféricos ofrecen nuevas posibilidades para conectar y comunicar datos a

alta velocidad con mayor precisión dado a su alta resolución.

· Para ejecutar la tarjeta se necesita de los siguientes requisitos:

· PC con Windows (Vista, 7 y 10).

Cable USB tipo A a Mini-B, utilizado para alimentar la placa desde la PC, además
de la instalación de sus respectivos controladores para poder utilizarlo.

[Link] Optoacoplador 6N137

El optoacoplador mostrado en la Figura 4.6, nos permite proteger al

microcontrolador en caso de existir un voltaje mayor al voltaje de alimentación del
mismo, dispone de un retardo de conmutación bajo.
 72

Debido a que los optoacopladores trabajan con lógica negativa, es aconsejable

poner una compuerta NAND para transformarlo a lógica positiva [35].

Figura 4.6 Optoacoplador 6N137.

La Tabla 4.1 indica algunas características del optoacoplador 6N137 [36].

Tabla 4.1 Características del optoacoplador.

Corriente salida ¹Ü 50 ¤“
Parámetro Valor

Voltaje $»» 7
0 ‡ 70 ℃
85 ¤£
Temperatura de Operación

qa_ Ž­ 8 ÝwR­¦
Potencia de disipación
Encapsulado

[Link] Regulador Ajustable LM317T

El regulador LM317T mostrado en la Figura 4.7, nos permite abastecer de energía

al optoacoplador 6N137 encargado del disparo de los IGBTs del inversor trifásico.

Figura 4.7 Regulador Ajustable LM317T.

Su funcionamiento es similar a los reguladores LM7805 y LM7812, es capaz de

suministrar más de 1.5 A cuando el voltaje de salida varié entre 1.2V a 37V, su
 73

uso es muy simple y solo requieren de dos resistencias externas para ajustar el
voltaje de salida [37].

[Link].1 Características

· Regula voltajes desde 1.25V a 37V.

· Dispone de 3 pines de abastecimiento 1 Ajustable, 2 Salida, 3 Entrada
como se muestra en la Figura 4.8.
· Corriente de salida de 1.5 A

Su esquema de conexión se lo muestra en la Figura 4.8, el cálculo de las

resistencias y capacitores dependerá del voltaje de salida que se requiera.

Figura 4.8 Esquema de conexión del LM317T. [37]

[Link] Fuente aislada CC10-2405SF-E

La fuente aislada mostrada en la Figura 4.9,usada para el abastecimiento de los

circuitos de control de la señal PWM y SPWM, nos permite crear una tierra de
referencia (Tierra Virtual), el cual nos permite tener una referencia a tierra única
para el abastecimiento de energía de los circuitos de control y de disparo que
generan la señal SPWM. Al no tener una tierra de referencia se crea problemas
en los disparos de los IGBTs y en los circuitos de control.

Figura 4.9 Fuente Aislada CC10-2405SF-E

 74

[Link].1 Características

· Voltaje de salida 12 V.
· Ajuste del voltaje de salida.
· Aislamiento de entrada y salida.
· Múltiples configuraciones de voltajes de entrada.
· Temperatura de operación desde −40 °• ‡ 85 °•.
· Voltaje entra desde 36 V hasta 76 V.

En la Tabla 4.2 se muestran las características técnicas de la fuente aislada

CC10-2405SF-E [38].

Tabla 4.2 Características técnicas de la fuente aislada

Parámetro Valor
Número de Salidas 1
Potencia de Salida 10 W
Voltaje de Entrada 36V a 76V
Voltaje de Salida del Canal 1 5V
Corriente de Salida del Canal 1 2A

−40 °• ‡ 85 °•.
Voltaje de Aislamiento 500 V
Temperatura de Operación
Número de Pines 7

[Link] IGBT

Un transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT10) es un dispositivo electrónico

semiconductor, el cual se lo aplica como un interruptor controlado en el diseño de
circuitos de electrónica de potencia [39].

Su simbología se lo muestra en la Figura 4.10.

10
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor
 75

Figura 4.10 Símbolo de un IGBT

[Link].1 Características

· Dispositivo electrónico resultado de la fusión de características entre el

TBJ11 y MOSFET12.
· Pueden manejar mayores potencias que un MOSFET, pero menor potencia
que un IGBT.
· Mayor velocidad que un TBJ, pero a menor velocidad que un MOSFET.
· Se disparan por voltaje.
· Circuito de control de baja potencia.

En la Figura 4.11, se muestra una comparación entre la potencia y el voltaje de 3

elementos semiconductores.

Figura 4.11 Comparación entre potencia vs frecuencia de elementos

semiconductores

11
TBJ: Transistor Bipolar de Potencia
12
MOSFET: MOSField Effect Transistor
 76

En la Tabla 4.3 se muestra una comparación de características de los elementos

semiconductores.

Tabla 4.3 Comparación entre elementos semiconductores

CARACTERISTICAS TBJ MOSFET IGBT

Método De Manejo Corriente Voltaje Voltaje
Impedancia De Entrada Baja Alta Alta
Potencia del Circuito De Manejo Alta Baja Baja
Velocidad de Conmutación Baja Alta Media
Frecuencia de Operación Baja Alta Media
Voltaje Conducción Baja Alta Baja

[Link] IGBT GP50B60PD1

Para el circuito de potencia del inversor trifásico se implementó el IGBT

GP50B60PD1, mostrado en la Figura 4.12, para la conversión de DC a AC, ya
que el mismo es capaz de soportar 33 A en su colector, además de soportar un
voltaje de 600 V, voltaje suficiente para cumplir con las condiciones del proyecto.

(a) (b)

Figura 4.12 (a) Símbolo, (b) Elemento del IGBT GP50B60PD1 [40]

[Link].1 Aplicaciones:

· Para fuentes de alimentación ininterrumpida.

· Para suministros de consumo eléctrico y electrónico.
 77

[Link].2 Características:

· Dispone de un coeficiente de temperatura positivo.

· Reducido valor de voltaje colector-emisor de saturación.
· Corriente mínima de cola.
· Mayor fiabilidad.

[Link].3 Beneficios:

· En aplicaciones de corrientes altas se lo puede operar en paralelo.

· Menores pérdidas de conducción y conmutación.
· Dispone de una frecuencia de conmutación de 150 kHz.

En la siguiente Tabla 4.4 se muestra las características más relevantes del IGBT
[40].

Tabla 4.4 Características del IGBT

Voltaje colector-emisor saturación $»Þ&

Parámetro Valor
600 V

Voltaje gate-emisor $ÔÞ

Voltaje colector-emisor (on) typ. 2V

Corriente del colector ¹»

15 V
33 A

¹ß (equivalente FET)
Resistencia colector-emisor (on) typ. 61 mΩ
5

4.4 CIRCUITO SEÑAL PWM

El circuito mostrado en la Figura 4.13, nos permite generar el algoritmo MPPT

(Conductancia Incremental) y la señal PWM que activará el disparo del MOSFET
del circuito elevador BOOST, el display permite la visualización de la variación de
voltaje y corriente que será detectada por los sensores de corriente y voltaje.
 78

Figura 4.13 Circuito señal PWM

Como se observa en la Figura 4.14, los potenciómetros RV1 y RV3 simulan la

variación de voltaje y corriente respectivamente, que detectará el sensor de
corriente.

Los valores de los elementos que conforman el circuito de control del

microcontrolador como lo es el cristal y el circuito de reseteo (Master Clear) son
establecidos por el datasheet del microcontrolador.

El cristal establecido para el proyecto es de 40 MHz, nos ayuda a reducir el ruido

que se puede provocar al momento del funcionamiento del microcontrolador, se
recomienda que este cristal debe ser colocado lo más cerca posible a los pines 13
y 14 del microcontrolador.

El circuito de reseteo nos permite reiniciar el funcionamiento del microcontrolador

en caso de existir algún inconveniente al momento del funcionamiento del mismo,
este circuito se lo conecta en el pin 1.
 79

Figura 4.14 Circuito señal PWM en Proteus.

 80

4.4.1 DESCRIPCIÓN DE LOS ELEMENTOS

[Link] PIC 18F4431

Para el funcionamiento de los circuitos de control del elevador del inversor

trifásico se seleccionó el PIC 18F4431 mostrado en la Figura 4.15 de la familia
Microchip Technology. Debido a que dispone de las herramientas
computacionales y de compilación para su correcto funcionamiento, al disponer
de 16 Bits de arquitectura lo hace necesario para el correcto funcionamiento del
proyecto.

Figura 4.15 Microcontrolador 18F4431

En la parte de control el microcontrolador nos proporcionará la señal PWM

enviada al mosfet del circuito elevador, además de la implementación del
algoritmo MPPT usada para el correcto funcionamiento del inversor.

Las características del microcontrolador 18F4431 se describen a continuación, en

la Tabla 4.5 se indica los parámetros más significativos [41].

· Módulo de control PWM de 14 bits de 8 canales.

· Convertidos analógico/digital de 10 bits de alta velocidad.
· Módulo ADC 200 Ksps.
· Oscilador interno de 8 MHz.
· 40 pines.
· 40 MHz de máxima velocidad.
· Estructura del oscilador flexible.
· Modo de ahorro de energía.
 81

Tabla 4.5 Características del microcontrolador PIC 18F4431.

Descripción Valor

$&&
Voltaje en cualquier pin con respecto a 0.3 V a 0.3 V+VDD

Voltaje en VDD con respecto a VSS 0.3 V a 7.5 V

Voltaje en MCLR con respecto a VSS 0 V a 13.25 V
Corriente máxima en VDD 250 mA

En la Tabla 4.6 se muestra las características eléctricas del microcontrolador [41].

Tabla 4.6 Características eléctricas del microcontrolador PIC 18F4431.

CARACTERÍSTICAS VALOR
Tipo de memoria de programa Flash
Memoria de programa (KB) 16
Velocidad del CPU (MIPS) 10
Memoria RAM (Bytes) 768
EEPROM (bytes) 256
Periféricos de comunicación digital 1-UART,1-A/E/USART, 1-SPI, 1-I2C1-
SSP(SPI/I2C)
Periférico Capture/Compare/PWM 2 CCP
Timers 1 x 8 bits, 3 x 16 bits
ADC 9 canales de 10 bits
Rango de temperatura (℃) -40 a 125
Rango de operación de voltaje (V) 2 a 5.5
Numero de pines 40

En la Figura 4.16 se muestra la distribución de pines del microcontrolador PIC

18F4431.

Figura 4.16 Distribución de pines del microcontrolador PIC 18F4431 [41].

 82

[Link] LCD 16X2

El display LCD mostrado en la Figura 4.17, es usado para la visualización de

caracteres, símbolos y dibujos, el LCD dispone de 2 filas de 16 caracteres cada
una, cada uno de los caracteres dispone de una matriz de 5x7 pixeles. El LCD
dispone de un microcontrolador interno el cual regula los parámetros que se
requiera visualizar en la pantalla [42].

Figura 4.17 LCD 2X16

[Link].1 Características [42]

· Pantalla de caracteres ASCII, Kanji y griegos.

· Desplazamiento de caracteres hacia la izquierda o derecha.
· 40 caracteres de memoria por línea de pantalla.
· Movimiento del cursor y cambio de su forma.
· Disponibilidad de que el usuario pueda programar 8 caracteres.
· Conexión a un procesador por medio de una interfaz de 4 u 8 bits.

Para la visualización de caracteres en la pantalla del LCD se puede hacerlo

mediante los pines del microprocesador, con un bus de 4 bits u 8 bits como se
indica en la Figura 4.18.

El valor de alimentación para el LCD es de 5 V con una resistencia variable de 10

kΩ. En la Tabla 4.7, se detallan los pines del LCD.
 83

(a) (b)

Figura 4.18 (a) conexión con bus de 4 bits (b) conexión con bus de 8 bits [42].

Tabla 4.7 Descripción de pines LCD 16X2 [43].

Numero de Nombre Descripción

pin
1 Vss GND
2 Vdd +5V
3 Vo Control de contraste
4 RS Selección de registro
5 R/W Lectura/escritura
6 E Enable (Strobe)
7 D0 Datos LSB
8 D1 Datos
9 D2 Datos
10 D3 Datos
11 D4 Datos
12 D5 Datos
13 D6 Datos
14 D7 Datos MSB

[Link] Optoacoplador 6N136

El optoacoplador mostrado en la Figura 4.19, nos permite aislar dos etapas de un

circuito, además nos permite obtener la señal PWM enviada del microcontrolador
con menor ruido.
 84

Figura 4.19 Optoacoplador 6N136 [44].

La Tabla 4.8 indica algunas características del optoacoplador 6N136.

Tabla 4.8 Características optoacoplador [45].

Voltaje de aislamiento $Îà& 480

Parámetro Valor

Corriente salida promedio ¹Ü 8 ¤“

Voltaje $»» −0.5 ‡ 30
Voltaje base-emisor $ÕÞ 5
Corriente de la base ¹Õ 5 ¤“
−55 ‡ 100 ℃
100 ¤£
Temperatura de Operación

qa_ Ž­ 8 ÝwR­¦
Potencia de disipación
Encapsulado

[Link] LM358P

El integrado LM358P mostrado en la Figura 4.20, actúa como un filtro, nos

permite obtener los valores de voltaje y corriente dados por los sensores, que
serán enviados al microcontrolador.

Figura 4.20 Circuito LM358P.

 85

[Link].1 Características

· Cuenta con dos circuitos independientes de alta ganancia, compensados

con una frecuencia interna.
· Diseñados específicamente para operar desde una sola fuente de
alimentación con ciertos valores de voltaje.
· El abastecimiento del circuito es bajo, e independiente de la magnitud del
voltaje de la fuente de alimentación.

En la Tabla 4.9 se muestran algunas características técnicas del LM358P.

Tabla 4.9 Características técnicas del LM358P [46]

Voltaje de alimentación $»»

Parámetro Valor

Voltaje de entrada $À
16V a 32V

Voltaje de entrada diferencial $Àá

-0.3V a 32V

Potencia de disipación žÖÜâ

32 V

Corriente de entrada ¹ÀÁ

500 W

Temperatura de operación Öãâä -65 a 150 °•

50

4.5 CIRCUITO ELEVADOR BOOST

El circuito elevador boost mostrado en la Figura 4.21, nos permite obtener un

voltaje de 60V a su salida para abastecer de energía a la etapa de potencia del
inversor trifásico.

Figura 4.21 Circuito elevador BOOST.

 86

4.5.1 DESCRIPCIÓN DE LOS ELEMENTOS

[Link] Mosfet IRFP460

Para el circuito conversor elevador (circuito BOOST) del proyecto se implementó

el MOSFET IRFP460 mostrado en la Figura 4.22, el mismo que actúa como
interruptor, que controlará el almacenamiento de energía en el inductor y
capacitor respectivamente, además de receptar la señal PWM dado por el
microcontrolador PIC 18F4431.

(a) (b)

Figura 4.22 (a) Elemento, (b) Símbolo del MOSFET IRFP 460 [47].

[Link].1 Características:

· Dispone de una baja resistencia térmica.

· Características estables en estado desactivado.
· Cambio de voltaje rápido VDSS = 500V.

En la Tabla 4.10 se indica algunas características del MOSFET IRFP460 [47].

Tabla 4.10 Características del MOSFET IRFP460

Parámetros Condiciones Mínimo Máximo Unidad

Kå = 25℃ ‡ 150℃
$ß&&
Voltaje drain-source - 500 V

Voltaje drain-gate $ßÔÎ Kå = 25℃ ‡ 150℃; ÅØf - 500 V

= 20 bÌ
±30
$Ô&
Voltaje gate-source - V

K9ç = 25℃; Øf = 10
continua ¹ß K9ç = 100℃; = 10
Corriente Drain - 20 A
Øf - 12.4 A

žß K9ç = 25℃
Potencia de disipación
- 250 W
 87

[Link] Diodo NTE6080

Para el circuito elevador BOOST del inversor trifásico se utilizó el diodo NTE6080
mostrado en la Figura 4.23, que a su vez es un rectificador de potencia, el mismo
que permite o no el paso de la corriente desde la bobina al capacitor dependiendo
si el diodo está en polarización directa o inversa, mediante el accionamiento del
MOSFET que actúa como interruptor.

Figura 4.23 Diodo NTE6080

El diodo debe ser lo suficientemente rápido para altas frecuencias, y lo más bajo
posible para evitar pérdidas por conmutación.

[Link].1 Características

· Capacidad de corriente hasta 150 amperios.

· Dispone de un anillo protector contra sobretrabajo.
· Voltaje de avance bajo.
· Opera hasta una temperatura de +150℃.
· Baja pérdida de energía y alta eficiencia.
· Alta capacidad de sobrecarga.

En la Tabla 4.11 se indica los índices absolutos máximos del diodo a una
temperatura de 25 ℃ [48].
 88

Tabla 4.11 Índices absolutos máximos del diodo

$ÎÎà
Símbolo Parámetro Valor Unidad
Voltaje máxima repetitiva inversa

¹È&à
60 V
Corriente de operación a 60 Hz.

Öãâä
150 A

−65 ‡ + 175 ℃
Temperatura de almacenamiento

Öè −65 ‡ + 150 ℃
Temperatura de funcionamiento en
empalme

[Link] Inductor

El inductor que se indica en la Figura 4.24, debe asegurar el correcto

funcionamiento del circuito conversor elevador (BOOST) del inversor en modo de
conducción continua, además que su valor depende de la frecuencia, del ciclo de
trabajo y de la carga que se vaya a utilizar.

Figura 4.24 Inductor usado en el convertidor BOOST.

El valor del inductor depende del rizado de la corriente y del voltaje, debido a que
el rizado determinará el esfuerzo de los dispositivos semiconductores, si el rizado
es alto, los picos de corrientes también serán altos, para el cálculo del inductor se
considera:

· La ecuación que define el voltaje del inductor.

· La corriente que tenga mayor amplitud.
· El tiempo de encendido del convertidor.
 89

[Link] Capacitor

El capacitor mostrado en la Figura 4.25, forma parte del conversor elevador

BOOST, el mismo que proporciona el voltaje a la carga, cuando el MOSFET que
actúa como interruptor se encuentra en saturación. El voltaje máximo que
soportará el capacitor será en función del valor del voltaje que ingrese al circuito
BOOST y del ciclo de trabajo de la señal PWM.

Figura 4.25 Capacitor usado en el convertidor BOOST.

[Link] Sensor de Corriente y Voltaje YB27VA

El sensor de corriente y voltaje YB27VA que se indica en la Figura 4.26, detecta la

variación de corriente proporcionada por el panel solar, para el uso del algoritmo
MPPT establecido en el microcontrolador PIC 18F4431.

Figura 4.26 Sensor de corriente y voltaje YB27VA.

 90

En la Figura 4.27, se muestra el esquema de conexión del sensor, considerando

el abastecimiento del panel solar y del elevador BOOST. [49].

Figura 4.27 Conexión del sensor de corriente y voltaje [49].

[Link].1 Características

· Tamaño: 48mm x 29mm x 21mm.

· Pantalla a color: rojo y azul LED (pantalla doble).
· Pantalla: 0,28 “pantalla LED digital”.
· Voltaje de operación: 4,5 Vdc a 30 Vdc.
· Medición de voltaje: 0 Vdc a 100 Vdc.
· Resolución mínima (V): 0,1 V.
· Frecuencia de actualización: ≥ 500 ¤¦/r­ˆ­¦.
· Medición de precisión: 1% (± 1 dígitos).
· Mínima resolución: 0,01 A.
· Corriente de operación: <20 mA.
· Medición de corriente: 0 a 10 A (directa medición).
· Temperatura de operación: −10℃ ‡ 45℃.
· Humedad de funcionamiento: 10 a 80%.

[Link] Disipadores de calor

El disipador de calor usado en el prototipo se muestra en la Figura 4.28, es un

elemento que debe transferir el calor que se produce en el semiconductor a un
 91

medio de refrigeración como aire, agua, aceite, etc., cumpliendo como un

complemento ideal a la propia cápsula del semiconductor.

Figura 4.28 Disipador de Calor.

Se los fabrica con materiales altamente conductores del calor (normalmente

aleaciones de aluminio), deberá además utilizarse pasta termo conductora, en
aplicaciones de elevada potencia.

Existen tres maneras de disipar el calor por conducción térmica:

· Radiación.
· Convección.
· Conducción térmica:

Se la define como la capacidad de transmisión que tiene un material para llevar el

calor de un lugar a otro, para aplicaciones de alta potencia se recomienda la
utilización de materiales como el aluminio y el cobre, además el disipador cumple
como conductor eléctrico, para cumplir con la misión de eliminación del calor debe
cumplir con las condiciones de radiación y convección [50].

[Link].1 Radiación

Cuando un cuerpo es calentado tiende a emitir energía (una forma es emisión

infrarroja) para eliminar al calor de los mismos. Algunos aspectos que influyen en
su cometido son [50]:

· Las características del material inciden en su efectividad al disipar el calor.

 92

· La longitud de onda energética emitida depende de la temperatura.

[Link].2 Convección

De las formas de disipación del calor ya mencionadas, esta es la más eficaz está
basado en la transmisión del calor desde la superficie del disipador al ambiente
(aire, agua o aceite), tiene como punto clave el aprovechamiento al máximo de la
superficie por unidad de volumen.

Entre disipador - ambiente el rendimiento depende también de la cantidad de

fluido refrigerante que circula por dicha superficie, en condiciones normales al
calentarse, tiende a subir, por lo que se coloca las aletas de los radiadores en
posición horizontal (para aprovechar la convección natural) [50].

[Link] Circuito Impreso

Un circuito impreso, como se muestra en la Figura 4.29, se utiliza para realizar la

colocación de los distintos elementos que conforman el circuito y las
interconexiones eléctricas que se requieren para conseguir el funcionamiento del
mismo.

Figura 4.29 Representación del circuito impreso.

Un circuito impreso es una placa de material aislante como: plástico, baquelita,

vidrio entre otros, que interconecta los componentes que posee mediante caminos
de cobre [51].

Los circuitos impresos más simples contienen caminos de cobre recorriendo por
una de las superficies de la placa, y se les conoce como circuitos impresos de una
 93

sola capa o de 1 Layer (Capas) PCB en inglés. Hoy en día son los de 2 capas o 2
Layer PCB son más comunes. Si es más complejo el diseño del circuito, se
fabrica hasta de 8 o más layers [52].

4.6 FUENTES DE 5 Y 12 VOLTIOS

Para el abastecimiento de energía a los circuitos de control se usarán 2 fuentes:

una de 5 y otra de 12 voltios como se indica en la Figura 4.30, la fuente de 5
voltios abastecerá de energía a los microcontroladores. Mientras que la fuente de
12 voltios abastecerá de energía al amplificador operacional, mediante los
reguladores LM7805 y LM7812.

Figura 4.30 Reguladores de 5 y 12 Voltios.

Las principales características de los reguladores se los presenta a continuación.

4.6.1 REGULADORES LM7805, LM7812

[Link] LM7805

El esquema de conexión se muestra en la Figura 4.31, el valor de los capacitores

•· = 0.33 ³^ y •v = 0.1 ³^ son valores dados por el datasheet del regulador para
su correcto funcionamiento.

[Link].1 Características

· Corriente de salida hasta 1 A.

· Voltajes de salida de 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24V.
· Protección de sobrecarga térmica.
· Protección contra cortocircuitos.
 94

· Salida de protección del transistor de áreas seguras de funcionamiento

Figura 4.31 Esquema 7805 [53].

[Link].2 Descripción

El regulador LM7805 mostrado en la Figura 4.32, posee varios voltajes de salida

fijos, que los hace útiles en una amplia gama de aplicaciones. Cada tipo emplea
limitaciones de corriente, además tiene cierre térmico interno hacia abajo y
protección segura de áreas de operación, por lo que es en esencia indestructible.
Si se proporciona una adecuada disipación de calor, que pueden entregar más de
1 A de corriente de salida.

Figura 4.32 Regulador LM7805.

Aunque se han diseñado principalmente como reguladores de voltaje fijos, estos

dispositivos se pueden utilizar con componentes externos para obtener voltajes y
corrientes ajustables.

[Link] LM7812

El regulador LM7812 mostrado en la Figura 4.33, es implementado en la fuente de

12 voltios, en la Figura 4.34, se indica el esquema de conexión, los valores de los
capacitores son dados por el datasheet.
 95

Figura 4.33 Regulador LM 7812 [54].

El regulador ofrece varios voltajes de salida fija que los hace útiles en una amplia
gama de aplicaciones. Cuando se utiliza como un diodo zener o resistencia de
reemplazo de combinación, el regulador usualmente obtiene una mejora en la
impedancia de salida efectiva de dos órdenes de magnitud con menor corriente
de reposo.

[Link].1 Características

· Salida de corriente 1.5 A.

· Tolerancia a la tensión de salida de 5%.
· Protección de sobrecarga térmica interna.
· Cortocircuito interno limitado.
· Ningún componente externo.
· Voltaje de 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24V de salida

[Link].2 Aplicaciones

· Regulador para la conmutación del convertidor DC / DC.

· Alimentación de polarización para los circuitos analógicos.

Figura 4.34 Esquema de conexión del regulador [55].

 96

En la Tabla 4.12, se realiza una comparación entre los reguladores indicados

anteriormente comparando sus voltajes y temperatura de funcionamiento.

Tabla 4.12 Comparación de voltajes y temperatura de los reguladores [53].

DESCRIPCIÓN VOLTAJE DE RANGO DE TEMPERATURA

SALIDA ENTRADA
LM7805 5V 7 - 20 V 0 a 125°
LM7812 12 V 14,5 – 27 V 6 a 125°
 97

CAPÍTULO 5

PRUEBAS Y RESULTADOS DEL PROTOTIPO

5

5.1 PRUEBAS

Las pruebas realizadas en este proyecto se realizaron con cargas de baja

potencia, para el correcto funcionamiento del prototipo se realizaron las pruebas
de cada etapa del circuito.

5.1.1 CIRCUITO SEÑAL SPWM

[Link] Pruebas

Las siguientes figuras muestran la señal SPWM, se la obtiene mediante el

microcontrolador STM32F4DISCOVERY.

La señal mostrada en la Figura 5.1 se la obtiene al simularla en el programa

computacional ISIS, en la Figura 5.2 se muestra la señal implementada en el
microcontrolador desfasada 120°, las señales simuladas se las realizaron sin
carga, para observar su correcto funcionamiento.

Figura 5.1 Señal SPWM en el programa ISIS.

 98

Figura 5.2 Señal SPWM obtenida en el microcontrolador.

La Figura 5.3 muestra la señal con tiempo muerto para evitar una activación
simultánea de los IGBTs de una misma rama.

Figura 5.3 Señal SPWM con tiempo muerto.

5.1.2 CIRCUITO SEÑAL PWM

[Link] Pruebas

Las siguientes figuras muestran la señal PWM programada en el microcontrolador

PIC18F4431.
 99

La señal mostrada en la Figura 5.4, se la obtiene al simular el circuito mostrado

en la Figura 4.14 en el programa computacional ISIS, en la Figura 5.5 se
muestra el resultado de la señal implementada en el microcontrolador.

Figura 5.4 Señal PWM en el programa ISIS.

La amplitud de la señal PWM depende del valor de voltaje y corriente que recibe
el microcontrolador, la señal activa o desactiva la conmutación del mosfet
implementado en el elevador para elevar el voltaje que se obtiene en la entrada
del elevador.

Figura 5.5 Señal PWM obtenida en el microcontrolador.

 100

5.1.3 CIRCUITO DE FUERZA IGBTs

Las siguientes figuras muestran las señales obtenidas en las cargas de baja
potencia, las señales se encuentran desfasadas 120°.

[Link] Pruebas Carga Resistiva

La Figura 5.6 presenta la forma de onda obtenida de la fase AB del inversor sin
usar filtros a una frecuencia de 60 Hz.

Para obtener una onda sinusoidal es necesario el uso de filtros para eliminar el
ruido producido por los elementos de conmutación.

Figura 5.6 Señal fase AB inversor trifásico sin filtro.

[Link].1 Conexión Delta

Las siguientes figuras muestran las formas de onda obtenidas en cada fase
cuando la carga se conecta en delta.

La Figura 5.7 muestra la señal de la fase AB obtenida, con un desfase de 0°.

 101

Figura 5.7 Señal de la fase AB desfasado 0°.

La Figura 5.8 muestra el resultado de la señal en la fase BC, la señal se

encuentra desfasada 120°.

Figura 5.8 Señal de la fase BC desfasado 120°.

La Figura 5.9 muestra la forma de onda de la fase CA con un desfase de 240°.

 102

Figura 5.9 Señal de la fase CA desfasado 240°.

[Link].2 Conexión Estrella

Las siguientes figuras muestran las formas de onda obtenidas en cada fase
cuando la carga se conecta en estrella.

La Figura 5.10 muestra la forma de onda de la fase AN (fase A - Neutro), la señal

se encuentra desfasada 0°.

Figura 5.10 Señal de la fase AN desfasado 0°.

 103

La Figura 5.11 muestra el resultado de la señal en la fase BN (fase B – Neutro), la

señal se encuentra desfasada 120°.

Figura 5.11 Señal de la fase BN desfasado 120°.

La Figura 5.12 muestra el resultado de la señal en la fase CN (fase C – Neutro), la

señal se encuentra desfasada 240°.

Figura 5.12 Señal de la fase CN desfasado 240°.

 104

[Link] Pruebas Carga Resistiva - Inductiva

Las siguientes figuras muestran las formas de onda obtenidas en cada fase con
carga resistiva – inductiva, cuando las mismas son conectadas en estrella y en
delta.

[Link].1 Conexión Delta

Las siguientes figuras muestran las formas de onda obtenidas en cada fase
cuando la carga resistiva - inductiva se conecta en delta.

La Figura 5.13 muestra la señal de la fase AB obtenida, con un desfase de 0°.

Figura 5.13 Señal de la fase AB desfasado 0°.

La Figura 5.14, muestra el resultado de la señal en la fase BC, la señal se

encuentra desfasada 120°.

La Figura 5.15, muestra la forma de onda de la fase CA con un desfase de 240°.

 105

Figura 5.14 Señal de la fase BC desfasado 120°.

Figura 5.15 Señal de la fase CA desfasado 240°.

[Link].2 Conexión Estrella

Las siguientes figuras muestran las formas de onda obtenidas en cada fase
cuando la carga resistiva – inductiva se conecta en estrella.
 106

La Figura 5.16, muestra la forma de onda de la fase AN (fase A - Neutro), la señal

se encuentra desfasada 0°.

Figura 5.16 Señal de la fase AN desfasado 0°.

La Figura 5.17, muestra el resultado de la señal en la fase BN (fase B – Neutro),

la señal se encuentra desfasada 120°.

Figura 5.17 Señal de la fase BN desfasado 120°.

La Figura 5.18, muestra el resultado de la señal en la fase CN (fase C – Neutro),

la señal se encuentra desfasada 240°.
 107

Figura 5.18 Señal de la fase CN desfasado 240°.

Las siguientes figuras muestran en Matlab el desfase de las ondas mostradas

anteriormente, ya sea en conexión estrella o delta.

La Figura 5.19 muestra el desfase de las ondas con carga resistiva en conexión
delta.

Figura 5.19 Desfase de las señales en conexión delta con carga resistiva.
 108

La Figura 5.20, muestra el desfase de las ondas con carga resistiva en conexión
estrella.

Figura 5.20 Desfase de las señales en conexión estrella con carga resistiva.

La Figura 5.21, muestra el desfase de las ondas con carga resistiva - inductiva en
conexión delta.

Figura 5.21 Desfase de las señales en conexión delta con carga R - L.

 109

La Figura 5.22, muestra el desfase de las ondas con carga resistiva - inductiva en
conexión delta.

Figura 5.22 Desfase de las señales en conexión estrella con carga R - L.

 110

CAPÍTULO 6

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

6.1 CONCLUSIONES

· En este estudio técnico se presenta el diseño e implementación de un

inversor trifásico acoplado a un panel solar con una técnica de control
MPPT (seguimiento del punto de máxima potencia) para extraer la máxima
potencia del mismo. Por lo tanto, se realizó un análisis teórico y de
programación.

· El algoritmo de conductancia incremental presenta una velocidad de

respuesta óptima frente a variaciones de radiación solar y temperatura, ya
sean estos ocasionados por el clima o la hora en que se encuentre
operando.

· La realización de las señales de control SPWM se lo consiguió utilizando

señales sinusoidales desfasadas 120 grados a 60 Hz, comparándola con
una señal triangular frecuencia 21 veces mayor, obteniendo una tabla de
datos que fueron posteriormente insertados en un microcontrolador el cual
se encarga de interpretar las mismas para el encendido y apagado de los
transistores de la etapa de conversión DC – AC, a la salida del prototipo.

· Se logró construir un prototipo funcional, siguiendo los modelos teóricos

con su posterior diseño, y su implementación para las etapas de control y
potencia, la técnica de control elegida para las etapas DC - DC, DC - AC,
permite constatar que su utilización es de gran importancia en las mismas,
en caso de conectar cargas considerables a los terminales del prototipo,
este no responderá satisfactoriamente ya que fue diseñado e
implementado para entregar una potencia máxima de 150 W determinado
en el estudio técnico concluido y presentado en los resultados de pruebas
de laboratorio realizadas.
 111

· Las etapas más críticas del proyecto fueron la integración de las señales
de control SPWM generadas al módulo de potencia conformada por los
IGBTs, ya que las erradas conexiones y sus mediciones por no tener una
buena referencia, ocasionaron daños en los transistores, un poco se ayudó
con la utilización de fusibles entre dos transistores de la misma rama, la
etapa de control se la protegió con optoacopladores para cada uno de los
microcontroladores utilizados en el prototipo, por lo que no se requirió la
elaboración de nuevas tarjetas electrónicas o la pérdida de elementos
sensibles del prototipo.

· Con las experiencias obtenidas en el estudio teórico y su posterior

utilización en el desarrollo e implementación del prototipo en sus diferentes
etapas, se puede asegurar un desprendimiento de la obtención de la
energía eléctrica tradicionales, a través de la conversión de la energía solar
para su uso más racional y eficiente.

· La modulación por control SPWM es una buena opción para la variación de

control y la variación de la amplitud del voltaje en las cargas conectadas al
prototipo, los resultados de armónicos son bajos donde la configuración en
delta de la carga resistiva es la que mejor contenido armónico muestra
comparada a la conexión Y sin neutro resistiva pura, una vez terminada las
pruebas de laboratorio.

· Se cumplió con el diseño e implementación del prototipo de inversor

trifásico, los resultados obtenidos difieren a los teóricos de las
simulaciones, debido a que los elementos utilizados en la parte práctica no
son ideales, produciendo pérdidas de potencia por el consumo de las
mismas, las ondas y amplitudes de voltajes y corrientes son similares a en
su fase de simulación por lo que se asegura que se obtiene resultados
confiables.

· Las tarjetas de control en las etapas de elevación DC - DC y conversión

DC - AC cumplen con un papel fundamental al ser complementados con un
driver comercial que garantiza el encendido y apagado de los transistores
 112

de potencia IGBTs, los cuales aíslan los circuitos de control de la parte de

potencia, para que el prototipo no quede inservible ante fallas producidas
por algún motivo no previsto.

· Se realizó un estudio teórico de los diferentes tipos de conversores

estáticos empezando por DC - DC, finalizando DC - AC, además de los
diferentes tipos de control utilizadas como la PWM y SPWM, concluido el
estudio se procedió con la aplicación del conocimiento adquirido en las
etapas de programación, diseños del prototipo y su implementación final.

· Con respecto a los estudios de microcontroladores, lenguaje de

programación, estructura física y disponibilidad del mercado local, se eligió
al PIC 18F4431 el cual dispone de los puertos suficientes para generar
señales SPWM y PWM para el control de los IGBTs de la etapa de
potencia debido a que generan señales con el voltaje necesario para su
correcto encendido acoplado a un drive comercial que permite su buen
funcionamiento, su conversor analógico digital de alta velocidad permite las
variación de los anchos de pulso del señales de control implementadas en
un tiempo rápido, todos esto programado en un leguaje C de alto nivel y
el paquete computacional MikroC for PIC.

· Al finalizar las pruebas de laboratorio se pudo verificar el correcto

funcionamiento del prototipo, con su adecuada coordinación se puede
utilizar la energía solar a través del mismo, además de cumplir con las
etapas de control y potencia, de acuerdo a los objetivos planteados.
 113

6.2 RECOMENDACIONES

· El prototipo final es una buena base para futuras implementaciones en el

desarrollo de distintas alternativas de control para transistores que estén
siendo utilizados en inversores monofásicos o trifásicos , nuevos algoritmos
de estudio para obtener el máximo punto de potencia aplicado a paneles
solares, la parte dedicada a potencia se puede realizar mejoras de las
protecciones mecánicas, además de incrementar la complejidad en la
topología del puente trifásico conformado por los seis transistores IGBTs.

· Debido a que no se está dentro de los objetivos del presente estudio

técnico, se puede construir un módulo mecánico que realice el seguimiento
del sol en el transcurso del día, con lo que se garantizaría que el panel
solar acoplado al prototipo reciba la mayor incidencia solar, contribuyendo
a garantizar que se entrega la máxima potencia a la carga conectada.

· El prototipo implementado contiene armónicos en las señales de voltaje y

corriente en la carga, esto se debe al uso de transistores de potencia, las
mismas que en el caso de ser conectadas a las redes eléctricas producen
serios problemas, al no estar contemplado el presente estudio técnico para
ser implementado a las redes públicas de energía eléctrica se podría
realizar un diseño de un filtro pasa bajos, para reducir el contenido
armónico de las señales.

· Una alternativa para obtener niveles de voltajes de mayor amplitud a la

salida es la utilización de una nueva etapa de elevación, similar a la
implementada la misma que será conectada en serie en la entrada,
sumando ambas etapas de potencia conservando la misma corriente a la
salida del conversor de elevación, lo que es necesario ya que los
elementos actuales ya están dimensionados para manejar la corriente que
entrega un solo panel solar.

· El prototipo final en caso de mejoras de diseño o nuevas aplicaciones que

no fueron consideradas, se lo puede considerar para la utilización de los
diseños de las etapas de control y potencia y elementos que forman parte
 114

del mismo, inclusive la realización de un estudio técnico económico para

determinar la factibilidad de producción a nivel comercial, debido a que las
condiciones geográficas del país es una gran ventaja para desarrollo y
utilización de energías alternativas como la solar.

· La legislación actual del país no está regularizada para el uso de energías

alternativas a nivel de los usuarios, por lo que este prototipo a futuro de lo
debe considerar como una base de diseños para su utilización y
complementándolo para que permita su trasferir la energía que no se la
utiliza a las redes públicas locales.

· Como las tecnologías son cambiantes conforme los tiempos modernos, y el

prototipo ya está concluido tanto en diseño e implementación en caso de
detectar fallas, nuevos transistores en el campo de los semiconductores
para la parte de potencia, nuevos micro controladores o se presentan
nuevos requerimientos en las cargas conectadas en el prototipo, sea cual
fuera el caso, se puede rediseñar y nuevamente implementar para mejorar
la eficiencia energética, reducir perdidas en las etapas de control y
potencia.

· El prototipo diseñado al ser un microinversor solar, que al ser asociado

con varios de los mismos fácilmente alimentarían la red eléctrica, ya que su
ventaja principal es el seguimiento del punto de máxima potencia del panel
solar que se encuentre conectado, por lo que se recomienda que se
implemente al prototipo final construido nuevos circuitos de alimentación de
energía eléctrica a las placas de potencia, para que sea capaz de funcionar
con dos paneles solares al mismo tiempo, además de los circuitos
necesarios para abastecer de energía a las placas de control, lo que
significaría mayor eficiencia energética, reducción de costos del equipo en
caso de ser considerado para su producción a gran escala.
 115

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] S. Fernández, "Medrocracia," 2 Marzo 2011. [En línea]. Available:

[Link] [Último acceso:
15 octubre 2015].

[2] "CambioClimaticoGlobal," 2013. [En línea]. Available:

[Link] [Último
acceso: 15 octubre 2015].

[3] "ERENOVABLE," 07 agosto 2015. [En línea]. Available:

[Link] [Último acceso: 16 octubre
2015].

[4] H. Daniel, Power Electronics, Madrid: McGraw-Hill, 2001.

[5] Wikipedia, La enciclopedia libre, "Wikipedia," 16 Junio 2014. [En línea].

Available: [Link]

[6] P. Ricardo, E. William, B. Dario y C. Norman, "Diseño y construccion de un

inversor trifasico tipo puente con transistores," Escuela Superior Politecnica
del Litoral, Guayaquil, 2002.

[7] C. Romero, B. Torres, M. Salazar y D. Solorzano, "Inversor trifasico Dewan

Duff," Escuela Superior Politecnica del Litoral, Guayaquil, 1999.

[8] A. C. M. [Link], "INVERSOR TRIFASICO DE VOLTAJE CONSTANTE

CON VARIACION DE FRECUENCIA DESDE 80 HASTA 400 HZ E
INTERFASE OPTOACOPLADA," Escuela Superior Politecnica del Litoral,
Guayaquil, 2009.

[9] J. Juan, "Circuitos Inversores," Istituto Tecnologico de Costa Rica, Costa

Rica.

[10] A. Gomez y L. Trejos, "Simulacion de un inversor trifasico multinivel con

fijacion por diodos usando simulink de matlab," Scientia et Technica, vol. 45,
nº XVI, 2010.

[11] C. Torres, D. Murillo y Patiño, Diseño y construccion de un inversor trifasico,

Pereira : Scientia et Technica, 2008.

[12] S. Artezán, "UDLAP BIBLIOTECAS," Diciembre 2003. [En línea]. Available:

[Link]
[Link]#.

[13] O. Castro, J. Guapisaca y M. Christian, "Diseño y cosntruccion de un

 116

convertidor DC/AC trifasico utilizando la tecnica PWM y control de frecuencia

mediante microcontrolador," Escuela Superior Politecnica del Litoral,
Guayaquil, 2005.

[14] S. Salvador, G. Fransisco, M. Rafael y O. Salvador, "Control vectorial de

inversor trifasicos / y2," Universidad Politecnica de Valencia , Valencia, 2003.

[15] J. Salazar, "DISEÑO Y ANALISIS DE DESEMPEÑO DE UN INVERSOR DE

VOLTAJE UTILIZANDO MICROCONTROLADORES," Escuela Politécnica
del Ejército, Quito, 2012.

[16] M. Abella, Sistemas Fotovoltaicos, Madrid: Medioambientales y

Tecnológicas.

[17] Vincent, "El Rincon del Vago," [En línea]. Available:

[Link]

[18] C. Luis, "Prezi," 23 Octubre 2012. [En línea]. Available:

[Link]
monofasicos/ .

[19] F. Oscar, "Prezi," 23 Octubre 2012. [En línea]. Available:

[Link]

[20] Jesmc182, "[Link]," 07 noviembre 2012. [En línea]. Available:

[Link] [Último acceso: 16
octubre 2015].

[21] Wikipedia La enciclopedia libre, "Wikipedia," 16 junio 2014. [En línea].

Available:
[Link]
e_onda_cuadrada.jpg.

[22] S. Daniel, "[Link]," 09 Junio 2010. [En línea]. Available:

[Link]
espectro. [Último acceso: 8 Marzo 2017].

[23] V. Victor, "Armonicos en Redes," Universidad Politecnica Salesiana, Quito,

2012.

[24] "Albertama," [En línea]. Available: [Link]

[Último acceso: 8 Marzo 2017].

[25] B. Antonio, "Diseño y construccion de un inversor bifasico con IGBT's,"

Escuela Politecnica Nacional, Quito, 2001.

[26] V. Espinoza, "Inversor trifasico con IGBT's aplicando tecnica PWM," Escuela
Politecnica Nacional, Quito, 2000.
 117

[27] R. A. D. Medellin Miguel, "Diseño didactico de convertidores CD-CA (b):

Trifasico," IEEE.

[28] K. Volker, "Inversor Trifásico con IGBT’s Aplicando Técnica PWM," Escuela
Politécnica Nacional, Quito, 2000.

[29] Y. Solar, "YGE 60 cell 40 mm SERIES," [En línea]. Available:

[Link]
_Series_EN.pdf.

[30] B. J. J. A. S. T. I. M. y. H. L. J. H. Ruiz C. Luis J., "Estudio del Algoritmo de

Seguimiento de Punto de Máxima Potencia Perturbar y Observar," Revista
de Ingenieria Electrica, Electronica y Computacion, vol. 8, nº 1, p. 7, 2010.

[31] D. A. M. A. e. Motaleb, "Seguimiento del punto de máxima potencia en

Sistemas Fotovoltaicos," Departamento de Ingenieria Electrica, p. 18, 2010.

[32] M. S. E. Lopez Alberto Rodenas, "UPCommons," Universidad Politecnica de

Catalunya, 11 Enero 2012. [En línea]. Available:
[Link]
pdf?sequence=1&isAllowed=y. [Último acceso: 8 Agosto 2016].

[33] STMicroelectronics, "[Link]," ALLDATASHEET, [En línea].

Available: [Link]
pdf/view/435284/STMICROELECTRONICS/[Link].
[Último acceso: 28 Febrero 2017].

[34] STMicroelectronics, "[Link]," armcortexm, 09 11 2012. [En línea].

Available:
[Link]
32F4_discovery.pdf. [Último acceso: 27 Febrero 2017].

[35] J. M. Equiza, "UPC," 14 Junio 2010. [En línea]. Available:

[Link]
nce=1. [Último acceso: 31 Octubre 2016].

[36] TOSHIBA, "[Link]," TOSHIBA PHOTOCOUPLER, 27

Febrero 1998. [En línea]. Available: [Link]
pdf/pdf/30862/TOSHIBA/[Link]. [Último acceso: 31 Octubre 2016].

[37] LM317T-STMicroelectronics, "[Link],"

STMICROELECTRONICS, [En línea]. Available:
[Link]
pdf/view/22754/STMICROELECTRONICS/[Link]. [Último acceso: 27
Febrero 2017].

[38] T. Electronics, "[Link]," TDK Lambda, 11 2011. [En línea].

Available: [Link]
 118

[Link]. [Último acceso: 27 Febrero 2017].

[39] Wikipedia, La enciclopedia libre, "Transistor IGBT," 29 Noviembre 2014. [En

línea]. Available: [Link]

[40] I. I. Rectifier, "[Link]," [En línea]. Available: [Link]

info/datasheets/data/[Link]. [Último acceso: 2 Agosto 2016].

[41] P. M. Technology, "[Link]," Microchip, 24 04 2011. [En

línea]. Available: [Link]
pdf/pdf/93058/MICROCHIP/[Link]. [Último acceso: 15 Octubre
2016].

[42] R. Lucho, "Scribd," 28 Noviembre 2010. [En línea]. Available:

[Link] [Último acceso: 20 Julio
2016].

[43] Y. Jovanna, "[Link]," [En línea]. Available:

[Link]
de-la-lcd-16x2/. [Último acceso: 20 Julio 2016].

[44] F. SEMICONDUCTOR, "[Link]," [En línea]. Available:

[Link] [Último acceso:
22 Agosto 2016].

[45] Q. Optoelectronics, "[Link]," [Link], [En línea].

Available: [Link]
pdf/pdf/35184/QT/[Link]. [Último acceso: 31 Octubre 2016].

[46] L. STMicroelectronics, "[Link]," STMicroelectronics, [En

línea]. Available: [Link]
pdf/pdf/22771/STMICROELECTRONICS/[Link]. [Último acceso: 27
Febrero 2017].

[47] VISHAY, "[Link]," [En línea]. Available:

[Link] [Último acceso: 20 Julio
2016].

[48] N.-N. ELECTRONICS, "[Link]," NTE Electronics, [En línea].

Available: [Link]
pdf/pdf/10563/NTE/[Link]. [Último acceso: 01 Marzo 2017].

[49] YOBON TECHNOLOGIES, "[Link]," YOBON, [En línea].

Available: [Link] [Último
acceso: 27 Abril 2017].

[50] Guasch, "DISIPADOR," Barcelona, 2001.

 119

[51] "Platea," [En línea]. Available:

[Link] [Último acceso: 16
octubre 2015].

[52] "Electrosoft," [En línea]. Available: [Link]

circuitos-impresos-desarrollo-sistemas/01-conceptos-circuitos-
impresos/[Link]. [Último acceso: 16 octubre
2015].

[53] "Blogspot," 2 Marzo 2011. [En línea]. Available:

[Link] .

[54] "[Link]," [En línea]. Available:

[Link]

[55] "[Link]," [En línea]. Available:

[Link]
 120

ANEXOS

ANEXO A

CIRCUITOS IMPLEMENTADOS EN EL PROTOTIPO

CIRCUITO ELEVADOR BOOST

El diseño de la placa del elevador boost mostrado en la Figura A.1, se la

implemento en el programa ISIS-ARES, el mismo que dispone de una librería
extensa, además de permitir el diseño de componentes propios.

Figura A.1 Esquema de conexión del elevador boost

En la Figura A.2 y Figura A.3, se muestran los circuitos implementados en ARES,

con su respetiva visualización en 3D.

Figura A.2 Circuito elevador boost en ares.

 121

Figura A.3 Circuito elevador boost en 3D.

En la Figura A.4, se muestra la placa del prototipo final con sus respectivos
elementos.

Figura A.4 Placa del prototipo final.

CIRCUITO SEÑAL PWM

La Figura A.5, muestra el esquema de conexión del microcontrolador que genera

la señal PWM, el led indica la salida de la señal.
 122

Figura A.5 Esquema de conexión del microcontrolador.

En las Figura A.6 y Figura A.7, se muestran los circuitos implementados en

ARES, se debe mencionar que, al no disponer del pulsador en la librería, se
empleó otro elemento con las mismas distancias entre pines y de un sócalo para
la ubicación del display.

Figura A.6 Circuito señal PWM en ARES

 123

Figura A.7 Circuito señal PWM en 3D.

En la Figura A.8, se muestra la placa del prototipo final con sus respectivos
elementos para generar la señal.

Figura A.8 Placa del prototipo final

CIRCUITO SEÑAL SPWM

El diseño de las placas del prototipo se las implemento en el programa ISIS-

ARES, el mismo que dispone de una librería extensa, además de permitir el
diseño de componentes propios.

La Figura A.9, muestra el esquema de conexión del microcontrolador

STM32F4DISCOVERY, además del circuito de control para el disparo de los
IGBTs.
 124

Figura A.9 Circuito de control señal SPWM.

 125

En la Figura A.10 y Figura A.11, se muestran los circuitos implementados en

ARES, se debe mencionar que, al no disponer de las fuentes aisladas se empleó
otro elemento con las mismas distancias entre pines.

Figura A.10 Circuito señal SPWM en ARES.

Figura A.11 Circuito señal SPWM en 3D.

En la Figura A.12, se muestra la placa del prototipo final con sus respectivos
elementos para generar la señal.
 126

Figura A.12 Placa del prototipo final.

CIRCUITO FUERZA IGBTs

La Figura A.13, muestra el circuito de potencia del prototipo, conformados por los
IGBTs que son activados mediante la señal SPWM, además de sus respectivas
protecciones.

En la Figura A.14 y Figura A.15, se muestran los circuitos implementados en

ARES, se debe mencionar que, al no disponer de las resistencias de potencia en
la librería, se empleó otro elemento con similares características.
 127

Figura A.13 Esquema general circuito de fuerza IGBTs

 128

Figura A.14 Circuito de los IGBTs en ARES

Figura A.15 Circuito de fuerza de los IGBTs en 3D.

En la Figura A.16, se muestra la placa del prototipo final con sus respectivos
elementos y disipadores.
 129

Figura A.16 Placa del prototipo final.

 130

ANEXO B

HOJAS TÉCNICAS ELEMENTOS UTILIZADOS

· PANEL SOLAR
131
 132

· STM32F4DISCOVERY
 133

· 6N137
134
 135

· SENSOR YB27VA
136
 137

· CC10-2405SF-E
 138

· 18F4431
139
 140

· LM317
141
 142

· REGULADOR DE VOLTAJE L78XX

143
144
 145

· IRFP460
 146

· NTE 6080
147
 148

· IRGP50B60PD1
 149

ANEXO C

CÁLCULOS VOLTAJE DE SALIDA Y BOBINA

CÁLCULO DEL VOLTAJE A LA SALIDA DEL INVERSOR.

La Figura C.1, muestra la configuración puente H usado en el prototipo, el cual

muestra el voltaje de salida de un conversor trifásico SPWM.

Figura C.1 Configuración puente H inversor trifásico.

Tenemos tres posibles zonas de operación que se detallan a continuación:

Zona lineal:

La relación de amplitud de modulación (Ÿ  ) tiene un rango que va desde 0 a 1. El

voltaje de salida ($¿¿ éŸã ) es proporcional al voltaje de entrada ($êê ) con el factor
de modulación (Ÿ  ):

;;ëìí = ¤„ ∙ ""

Zona de sobre modulación:

La relación de amplitud de modulación es mayor a 1. Se produce mayor cantidad

de armónicos.
 150

Los armónicos dominantes en la zona lineal, no son predominantes en esta zona

de operación. En esta zona el voltaje de salida es dependiente de la amplitud de
modulación (¤„ ) y a amplitud de frecuencias (¤¬ ), por lo que la relación del
voltaje de entrada ya no es lineal.

Zona de operación cuadrada:

El valor máximo del voltaje fundamental es el máximo en todo el periodo de

conducción. El valor máximo de la amplitud de modulación (¤„ ) es 1,27 veces el
voltaje de entrada.

Los armónicos en esta zona de operación son mayores por lo que la señal de
voltaje de salida es menos parecida a una señal seno pura, la Figura C.2 muestra
las zonas de operación de un inversor trifásico en puente H.

Figura C.2 Zonas de Operación.

 151

En el inversor trifásico se determina el valor de ;; (89:) como función de ¤„ , para

determinar las zonas de operación para activar los transistores de potencia,
mediante las siguientes ecuaciones.

√5 6 €ïï
;;ëìí k ∙ ∙
√4 î 4

;;ëìí ≈‹,ðñ∙€ïï

Figura C.3 forma de onda del voltaje de salida de línea a línea

La forma de onda del voltaje de salida de línea a línea, mostrado en la Figura C.3,
no depende de la carga y contiene armónicos (6n ± 1; n = 1, 2, ...), como se
muestra en la Figura C.4, cuyas amplitudes disminuyen a la inversa en proporción
a su orden armónico, como se muestra en la siguiente ecuación.

‹,ðñ
;;ò ≈ ∙€
i ïï

Figura C.4 Contenido armónico en el voltaje de salida línea a línea.

 152

CALCULO BOBINA ELEVADOR BOOST.

La Figura C.5, muestra el esquema del núcleo de hierro que se implementó en la

bobina del elevador BOOST.

Figura C.5 Esquema de la bobina con transformador núcleo de hierro.

Para determinar la permeancia y reluctancia se utilizan las ecuaciones mostradas

a continuación.

Æ∙“
Ƅ=
´

´
ℛ=
Æ∙“

La Figura C.6,muestra la representación de las reluctancias del núcleo empleado.

Figura C.6 Esquema de reluctancias del núcleo de la bobina.

 153

Las Figura C.7, muestra las reluctancias equivalentes para determinar el valor y el
número de vueltas del inductor.

Figura C.7 Reluctancia equivalente del núcleo de hierro.

Las siguientes ecuaciones determinan el valor de la reluctancia con el cual se

determinará el número de vueltas de la bobina.

´3 2 ∙ ´4 + ´3
ℛ= +
Æ ∙ “3 2 ∙ Æ ∙ “4

–∙w
∅=
ℛ

– ∙ – ∙ w –4
˜= =
w∙ℛ ℛ

Diseño de la Bobina

La Figura C.8, muestra las dimensiones del núcleo empleado para el diseño de la
bobina, en la Tabla C.1, se detallan las medidas de las chapas magnéticas para el
cálculo del número de vueltas de la bobina.
 154

Figura C.8 Dimensiones núcleo de la bobina.

Tabla C.1 Medidas de las chapas magnéticas

Medidas de las chapas magnéticas

A B C D E

114 mm 76 mm 38 mm 19 mm 8 mm

Dimensiones del núcleo largo 38 mm Ancho 40 mm

Mediante los datos mostrados en la Tabla C.1, se procede a calcular en número

de vueltas de la bobina, para el diseño se considera una bobina de valor 250 mH
que soporte una corriente de 8 A.

57¤¤ 2 ∙ 57¤¤ + 76¤¤

ℛ= +
19¤¤ ∙ 38¤¤ 2 ∙ 1 ∙ 38¤¤ ∙ 38¤¤

–4 –4
˜= = 250 ¤| =
ℛ 0,1447 ¤¤U3

– = 86 r³­´t‡¦
 155

ANEXO D

DATOS OBTENIDOS MEDIANTE EL ANALIZADOR FLUKE

1735 POWER LOGGER

CARGA RESISTIVA EN CONEXIÓN DELTA.

La Figura D.1, muestra el valor Vrms y la corriente obtenida en la carga.

Figura D.1 Valores de voltaje y corriente en conexión delta con carga resistiva.

Las siguientes figuras muestran la variación promedia del voltaje Vrms en cada
fase de la carga.

La Figura D.2, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase ab.

Figura D.2 Variación de voltaje Vrms en la fase ab.

 156

La Figura D.3, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase bc.

Figura D.3 Variación de voltaje Vrms en la fase bc.

La Figura D.4, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase ca.

Figura D.4 Variación de voltaje Vrms en la fase ca.

La Figura D.5 muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas en la

carga.
 157

Figura D.5 Formas de onda voltaje y corriente.

 158

CARGA RESISTIVA EN CONEXIÓN ESTRELLA

La Figura D.6, muestra el valor de voltaje Vrms y de corriente obtenida en la

carga.

Figura D.6 Valores de voltaje y corriente en conexión estrella con carga resistiva.

Las siguientes figuras muestran la variación promedia del voltaje Vrms en cada
fase de la carga.

La Figura D.7, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase an.

Figura D.7 Variación de voltaje Vrms en la fase an.

 159

La Figura D.8, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase bn.

Figura D.8 Variación de voltaje Vrms en la fase bn.

La Figura D.9, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase cn.

Figura D.9 Variación de voltaje Vrms en la fase cn.

La Figura D.10,muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas en la

carga.
 160

Figura D.10 Formas de onda voltaje y corriente.

 161

CARGA RESISTIVA - INDUCTIVA EN CONEXIÓN DELTA

La Figura D.11, muestra el valor de voltaje Vrms y de corriente obtenida en la

carga.

Figura D.11 Valores de voltaje y corriente en conexión delta con carga resistiva -
inductiva.
Las siguientes figuras muestran la variación promedia del voltaje Vrms en cada
fase de la carga.

La Figura D.12, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase ab.

Figura D.12 Variación de voltaje Vrms en la fase ab.

 162

La Figura D.13, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase bc.

Figura D.13 Variación de voltaje Vrms en la fase bc.

La Figura D.14, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase ca.

Figura D.14 Variación de voltaje Vrms en la fase ca.

La Figura D.15, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas en la

carga.
 163

Figura D.15 Formas de onda voltaje y corriente.

 164

CARGA RESISTIVA - INDUCTIVA EN CONEXIÓN ESTRELLA

La Figura D.16, muestra el valor de voltaje Vrms y de corriente obtenida en la

carga.

Figura D.16 Valores de voltaje y corriente en conexión estrella con carga resistiva
- inductiva.

Las siguientes figuras muestran la variación promedia del voltaje Vrms en cada
fase de la carga.

La Figura D.17, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase an.

Figura D.17 Variación de voltaje Vrms en la fase an.

 165

La Figura D.18, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase bn.

Figura D.18 Variación de voltaje Vrms en la fase bn.

La Figura D.19, muestra la variación de voltaje Vrms en la fase cn.

Figura D.19 Variación de voltaje Vrms en la fase cn.

La Figura D.20,muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas en la

carga.
 166

Figura D.20 Formas de onda voltaje y corriente.

 167

ANEXO E
INSTRUCCIONES DE USO Y PROTOTIPO FINAL

INSTRUCCIONES DE USO

Para el correcto funcionamiento del prototipo se deben seguir los siguientes pasos
para evitar daños en el mismo.

ENCENDIDO DEL PROTOTIPO.

1. Verificar que todos los circuitos se encuentren conectados para iniciar la

activación de los interruptores.

2. Activar el interruptor circuito de control, esto se hace debido a que la etapa

de control y potencia son independientes.

3. Activar el interruptor circuito de potencia, al activar la etapa de potencia el

prototipo se encuentra listo para su funcionamiento.

4. Elevación de voltaje, para iniciar la elevación de voltaje el valor mostrado

en el display (Variación ciclo de trabajo) deberá ser de 255 DUTY o a su
vez 1025 BITS, la elevación se lo hace mediante el potenciómetro
(Variación ciclo de trabajo).

5. Voltaje de elevación, el voltaje de elevación que se muestra en el display

(Voltaje salida elevador) no debe exceder de los 65 7" , voltaje que la
tarjeta de control de la señal SPWM soporta.

APAGADO DEL PROTOTIPO

1. Desactivar el interruptor circuito de potencia, esto se hace para la

protección de la etapa de control.

2. Desactivar el interruptor circuito de control, una vez realizado esto, el

prototipo se apaga.
 168

PROTOTIPO FINAL

Las etapas que conforman el prototipo final se muestran en la Figura E.1, con sus
respectivas conexiones y protecciones para su correcto funcionamiento.

Figura E.1 Etapas del prototipo final.

En la Figura E.2 y Figura E.3, se muestra el prototipo final con sus respectivas
protecciones, para su correcto funcionamiento.

Figura E.2 Prototipo final en funcionamiento.

 169

Figura E.3 Prototipo final