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ELECTRONICA
INDUSTRIAL
ELECTRONICA
INDUSTRIAL
GENERALIDADES
REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA
DIODO DE POTENCIA
TEMA 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
3.1. INTRODUCCIÓN
3.2. CONSTITUCIÓN DEL BJT
3.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT
3.3.1. Zona Activa
3.3.2. Zona de Cuasi-Saturación
3.3.3. Zona de Saturación
3.3.4. Ganancia
3.4. TRANSISTOR DARLINGTON
3.5. EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN
3.6. EXCITACIÓN DEL BJT
3.7. CONSIDERACIONES TÉRMICAS
3.8. AVALANCHA SECUNDARIA
3.9. ZONA DE OPERACIÓN SEGURA (SOA)
INTRODUCCIÓN. CARACTERÍSTICAS GENERALES DEL BJT
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. ZONA DE CUASI-SATURACIÓN
TEMA 4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA
TEMA 5. EL TIRISTOR
TEMA 6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA
AISLADA (IGBT)
TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR
PUERTA
INTRODUCCIÓN
EL SCR TIENE UNA CAÍDA EN CONDUCCIÓN MUY BAJA, PERO NECESITA QUE EL CIRCUITO DE
POTENCIA ANULE SU CORRIENTE ANÓDICA. ⇒ ESTO HA REDUCIDO SU EMPLEO A CIRCUITOS DE
ALTERNA (BLOQUEO NATURAL CON UNA CONMUTACIÓN POR CICLO). DESDE LOS PRIMEROS AÑOS
DEL SCR LOS FABRICANTES HAN INTENTADO CONSEGUIR QUE LOS SCR PUDIESEN CORTARSE
DESDE LA PUERTA ⇒ A PRINCIPIOS DE LOS AÑOS 80
APARECEN LOS PRIMEROS GTOS.
Al aplicar una
tensión negativa
en la puerta
(VGK<0), circula una
corriente
saliente por la
puerta. Aparece
una focalización
de la corriente
anódo-cátodo
hacia el centro de
la difusión n+
catódica debido a
la tensión lateral.
Esta
corriente polariza
directamente la
zona central de la
unión catódica,
manteniendo al
SCR en
conducción.
CONMUTACIÓN DEL GTO
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA
MOS: MCT
CONTINUA………. PARTE II