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Transistor BJT
Laura María Castro Ortega - 1841327, Carlos Andrés Camacho Peña - 1842773.

Escuela de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad del Valle, A.A. 25360

Abstract—The behavior of the BJT transistor was experimentally

analyzed using The Proteus software where basic circuits were
mounted in the common and base-common emitter configurations and
their respective characteristic curves and load lines were found.
Polarization circuits were also simulated in each configuration and the
working region was found.

Keywords: bipolar, reverse, polarization, rupture, saturation, work.

I. INTRODUCCIÓN

Elelectrónico
transistor de unión bipolar BJT es un dispositivo
semiconductor que permite controlar el paso de
Figura 1. Estructura Transistor BJT tipos NPN y PNP

corriente o disminuir el voltaje por medio de sus terminales y B. Fenómenos físicos internos del BJT
está formado de dos uniones tipo P y tipo N. Este dispositivo Los transistores BJT cuentan con parámetros que son:
puede ser usado como interruptor o como amplificador.[1]
▪ POL: Es la condición de voltaje y de corriente que se
Este trabajo busca comprender el funcionamiento y los modos establece en un transistor para fijar un punto de operación
de trabajo de un transistor BJT, analizando sus curvas (Q), para mantener el transistor en la región activa
características en configuraciones de base-común y emisor- directa.
común e identificando sus características a partir de su hoja de
especificaciones. ▪ VCE: Voltaje Colector Emisor.

II. MARCO TEÓRICO ▪ IC: Corriente de colector, medida en amperios.

A. Transistor BJT
▪ PD: Potencia de disipación, medidas en watts.
Es un dispositivo electrónico de estado sólido compuesto de
dos uniones PN. [1] Existen dos tipos de transistores BJT:
▪ FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz.
▪ Tipo NPN: formado por dos capas tipo N y separadas por
▪ HFE: Ganancia de corriente. Este parámetro de modelo
una capa tipo P
Hibrido “H” de corriente alterna, el cual se usa para el
▪ Tipo PNP: formado por dos capas tipo P y separadas por
diseño de circuitos con transistores, “F” proviene de los
una capa tipo N
términos amplificación con polarización directa y “E” de
configuración de emisor común.
La estructura del transistor BJT se compone de tres terminales
como se muestra en la figura 1. Los terminales son emisor, base
▪ Región de saturación: Las uniones colector-base y base
y colector, siendo la zona central la base y los pines laterales el
emisor están polarizadas directamente, el voltaje
emisor y el colector.
colector-emisor es pequeño y la corriente es muy grande.
▪ Emisor (E): es la zona más fuertemente dopada y se
▪ Región de corte: En esta región la corriente de colector
encarga de inyectar portadores mayoritarios a la base.
es cero o casi cero para cualquier valor de voltaje
colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor
▪ Base (B): su nivel de dopaje es inferior a la zona de emisor.
están inversamente polarizadas.
Su función es dejar pasar la mayor cantidad de portadores
posibles inyectados por el emisor hacia el colector.
▪ Región activa directa: En esta región la unión de
colector-base esta polarizada en inversa y la unión base-
▪ Colector (C): su función es recolectar los portadores
emisor esta polarizada en directa. Esta región nos permite
inyectados que fueron capaces de atravesar la base desde el
utilizar al transistor como amplificador de voltaje, de
emisor y su nivel de dopaje es el más pequeño de las tres
corriente o de potencia.[3]
zonas.[1]
 2

C. Aplicaciones del BJT El modelo de Eber Moll responde a tres ecuaciones que
Los transistores BJT son usados comúnmente como corresponden a las corrientes del transistor definidas como IC,
interruptores electrónicos, amplificadores de señales o como IC e IC, en función de los voltajes del transistor VBC, VEB y
conmutadores de baja potencia. Para que el BJT funcione como VEC.[3]
interruptor se debe operar en la zona de corte y saturación para
𝑉𝐵𝐸 𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐶 (2)
impedir o permitir el paso de corriente al circuito. Para impedir
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1) − (𝑒 𝑇 − 1)
el paso de corriente debe polarizarse la región de corte y para 𝛼𝐼
permitir el paso de la corriente debe polarizarse la región de
𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐶 (3)
saturación. [2] 𝐼𝐸 = (𝑒 𝑇 − 1) − 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1)
𝛼𝐷
Para que el BJT funcione como amplificador se debe aplicar 𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐸 𝐼𝑆 𝑉𝐵𝐶 (4)
una señal de corriente pequeña en la terminal base para 𝐼𝐵 = (𝑒 𝑇 − 1) + (𝑒 𝑉𝑇 − 1)
𝛽𝐷 𝛽𝐼
controlar una corriente de salida mayor en las terminales
colector y emisor. En este tipo de transistores la amplificación
se da en la corriente y se comporta siguiendo la ecuación 1 Cuyos parámetros son: IS = corriente de saturación VT =
constante que depende de la temperatura 25mV y las constantes
𝐼𝐶 = ℎ𝐹𝐸 × 𝐼𝑏 (1) αD = 1 y αI = 0.5, de estas dos últimas se obtienen βD y βI por
medio de las fórmulas 8 y 9.[3]
Donde Ic es la corriente de colector, hFE es la Beta del
transistor e Ib es la corriente en la base.[2] α𝐷 (5)
β𝐷 =
1 − α𝐷
D. Configuraciones del Transistor BJT α𝐼 (6)
Los transistores BJT tienen tres formas de configuración las β𝐼 =
1 − α𝐼
cuales son:

▪ Configuración Base Común: en esta configuración la En las ecuaciones 2, 3 y 4 se puede notar que cada una de las
base es común tanto para la entrada como para la salida, corrientes depende exponencialmente de las tensiones VBC y
además, la base suele ser el terminal mas cercano a la tierra. VEB. Teniendo eso como referencia se pasa a simplificar las
expresiones de las corrientes comenzando por definir las
▪ Configuración Colector Común: esta configuración se tensiones en la en la zona que se trabajan siendo VEB = 0.7 y
usa para igualar impedancias ya que tiene una impedancia VBC = -VBC. Con esto definido se procede a reemplazar en las
alta de entrada y baja de salida. ecuaciones 2, 3 y 4.
𝑉𝐵𝐶
▪ Configuración Emisor Común: en esta configuración el Primero se analiza 𝑒 𝑉𝑇 y se encuentra que, la división del
emisor sirve como referencia para los terminales de entrada exponente sería un número negativo sobre un número menor
y salida. Para describir el comportamiento de esta que 1, por lo que el exponente sería un número negativo y
configuración se necesita de dos conjuntos de grande, lo que en consecuencia transforma la exponencial en un
características, una para el circuito de entrada base-emisor 𝑉𝐵𝐶
y otro para el circuito de salida colector-emisor. [2] número despreciable entonces 𝑒 𝑉𝑇 = 0. [3]

E. Modelo Analítico de Ebers Moll Segundo se hace factor común con la corriente de saturación
En la figura 2 se presentan los voltajes y las corrientes que en cada ecuación.
trabajan en el transistor.
En la corriente del colector se tiene:
𝑉𝐵𝐸 𝐼𝑆
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1) − (−1)
𝛼𝐼
𝑉𝐵𝐸 𝐼𝑆
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1) +
𝛼𝐼
𝑉𝐵𝐸 1
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 ((𝑒 𝑉𝑇 − 1) + )
𝛼𝐼
𝑉𝐵𝐸 1
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 ((𝑒 𝑉𝑇 − 1) + )
1
𝑉𝐵𝐸 (7)
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 )
Figura 2. Corrientes y Voltajes en un Transistor
 3

En la corriente del emisor se tiene: De las ecuaciones 9 y 13 se obtiene que la corriente de la base
y la corriente del colector se relacionan exponencialmente del
𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐸 voltaje VEB como se muestra en la figura 3.
𝐼𝐸 ≅ (𝑒 𝑇 − 1) − 𝐼𝑆 (−1)
𝛼𝐷
𝑉𝐵𝐸
𝑒 𝑉𝑇 − 1
𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝑆 ( )+1
𝛼𝐷

𝑉𝐵𝐸
𝑒 𝑉𝑇 − 1
𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝑆 ( )+1
1

𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐸 (8)
𝐼𝐸 ≅ (𝑒 𝑇 )
𝛼𝐷

Figura 3. Curva característica de entrada de un Transistor BJT

Y en la corriente de la base, considerando que 1/βD y 1/βI son
despreciables sería:
Se observa que se esta curva se comporta igual a la del diodo
𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐸 𝐼𝑆 y que la tensión VEB tiende a ser 0.7 V, con esto puede decirse
𝐼𝐵 ≅ (𝑒 𝑇 − 1) + (−1) que para un gran rango de corrientes de base la tensión VEB va
𝛽𝐷 𝛽𝐼 a ser 0.7 V. [4]
𝑉𝐵𝐸
𝑒 𝑉𝑇 1 1 Ahora la curva característica de salida del transistor esta dada
𝐼𝐵 ≅ 𝐼𝑆 ( − )−
𝛽𝐷 𝛽𝐷 𝛽𝐼 por la relación entre la corriente del colector IC y el voltaje VCE.
Siguiendo las ecuaciones de Ebers Moll se tiene que:
𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐸 (9)
𝐼𝐵 ≅ (𝑒 𝑇 ) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐵𝐶 (14)
𝛽𝐷
Con esto se tiene ahora, a IC queda en función de VCE y la
Se puede observar ahora en las fórmulas 7, 8 y 9 que ahora las gráfica entonces quedaría como se muestra en la figura 4.
corrientes quedaron solo en función de VEB y de las constantes
y ahora con las ecuaciones simplificadas podemos obtener las
ecuaciones de corriente en funciones de ellas mismas. [3]

𝐼𝐶 (10)
𝐼𝐸 =
𝛼𝐷
𝐼𝐶 (11)
𝐼𝐵 =
𝛽𝐷
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (12)

Con estas tres ecuaciones puede describirse el

comportamiento de las corrientes del transistor.
Figura 3. Curva característica de salida de un Transistor BJT

F. Curva característica de un transistor BJT Las curvas corresponden a valores de corriente de base y
La curva característica representa el comportamiento en el flujo crecen a medida que aumenta la IB. [4]
de electrones (corriente) que ocurre al ser sometido el transistor
a una tensión que polarice al. Para graficar las curvas G. Recta de carga
características del transistor se basa en las ecuaciones 9 y 12
La recta de carga es una herramienta que refleja todos los
obtenidas del modelo de Ebers Moll, y la ecuación 13 que se
puntos de funcionamiento que pueden darse para unos valores
deriva de la ecuación 11. [4]
determinados de RC y tensión de alimentación. La recta de carga
se traza sobre las curvas características del transistor, siendo un
𝐼𝑆 𝑉𝑉𝐵𝐸 (9)
𝐼𝐵 = (𝑒 𝑇 ) punto la intensidad de colector y otro el voltaje de alimentación.
𝛽𝐷
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (12) La ecuación que define la recta de carga es:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 ∙ 𝑅𝐶 (15)
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 ∙ 𝛼𝐷 (13)
 4

Para hallar los puntos de corte que definen la recta de carga, La figura 7 muestra la polarización fija de un transistor BJT
se toman dos situaciones, la primera cuando: la cual es la mas sencilla pero también es la más inestables ante
las variaciones de β, por esta razón es la menos usada. Esta
𝐼𝐶 = 0 polarización se usa solo en la configuración emisor común, ya
que en las configuraciones base-común y colector-común
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∙ 𝑅𝐶 cortocircuita la salida.[5]
𝑉𝐶𝐶 (16)
𝐼𝐶 = Las ecuaciones básicas de la polarización fija son:
𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 (18)

Para el segundo punto de corte se tiene que:
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (19)
𝑉𝐶𝐸 = 0 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (20)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 (17) 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (21)

Las ecuaciones 16 y 17 darán las coordenadas necesarias para En le caso en que se les da valor a las resistencias y se necesite
graficar la recta de carga como se muestra en la figura 5. hallar el valor del punto Q: IBQ, ICQ y VCEQ, las ecuaciones serían
las siguientes:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 (22)

𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐵
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄 (23)
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑄 (24)

2. Polarización estabilizada en emisor

Figura 5. Recta de carga de un transistor BJT

En la figura 5 también se muestra la representación gráfica del

punto de trabajo Q del transistor, el cual es especificado por los
parámetros ICQ, IBQ y VCEQ. Si Q se encuentra en el límite
superior de la recta del transistor, este estará saturado.[1]

H. Polarización del BJT Figura 7. Circuito de Polarización estabilizada en emisor

El transistor BJT al ser un elemento activo, da una potencia
de salida mayor a la de entrada, ya que amplifica el voltaje y la Esta polarización presenta una mejor estabilidad que la
corriente que ingresa a él. Para lograr que la potencia de salida polarización fija pero no es mejor que las polarizaciones por
sea mayor, el transistor se polariza por medio de una fuente o divisor de voltaje y por retroalimentación de colector. La
dos fuentes y un arreglo de resistencias. El transistor BJT puede polarización estabilizada en emisor puede usarse en las tres
polarizarse distintas formas.[3] configuraciones, emisor-común, base-común y colector-
común. [5]
1. Polarización fija BJT
Las ecuaciones básicas de la polarización estabilizada por
emisor son casi iguales a las de polarización fija, donde IC, IE y
VBE se definen por las ecuaciones 19 20 y 21 respectivamente.
Pero la ecuación del voltaje VCE se presenta en la 25.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 (25)

Cuando se tiene el valor de las resistencias y es necesario

encontrar el punto Q las ecuaciones son: para ICQ la ecuación es
la misma de la polarización fija, 23. Para IBQ y VCEQ, las
Figura 6. Circuito de Polarización fija ecuaciones son:
 5
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 (26)
𝐼𝐵𝑄 = los valores de las resistencias del circuito y se necesita hallar el
𝑅𝐸 (𝛽 + 1) + 𝑅𝐵
punto Q, la ecuación 23 define ICQ es las ecuaciones de IBQ y
𝛽+1 (27) VCEQ son:
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − [𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ( )] 𝐼𝐶𝑄
𝛽
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 (30)
𝐼𝐵𝑄 =
3. Polarización por divisor de voltaje BJT 𝑅𝐸 (𝛽 + 1) + 𝑅𝐹
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 (𝛽 + 1)𝐼𝐵𝑄 (31)

III. MATERIALES Y MÉTODOS

Para el desarrollo del laboratorio se hizo uso del software de
diseño y simulación Proteus, el cual permitió construir y medir
los valores entregados por cada circuito de manera óptima y
eficiente. Se construyeron dos circuitos, uno por cada
configuración, con dos fuentes de voltaje, dos resistencias, y un
transistor BC337 cuyo β mínimo es de 100 y el máximo es de
630. En las figuras 10 y 11 se pueden observar las
Figura 8. Circuito de Polarización por divisor de voltaje representaciones de la configuración de base-común y emisor-
común, respectivamente.
La polarización por divisor de voltaje es la polarización mas
estable respecto al punto de trabajo Q y se puede usar en todas
las configuraciones del transistor BJT. Sus ecuaciones básicas
están son: para VCE la 25, para para IC la 19, para IE la 20 y para
VBE la 21. [5]

En el caso de tener el valor de las resistencias y querer hallar

el valor del punto de trabajo la ecuación 23 define ICQ es las
ecuaciones de IBQ y VCEQ son:

𝑅𝐵2 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 )𝑉𝐵𝐸 (28)

𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐸 𝛽 + 1)(𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 ) + 𝑅𝐵1 𝑅𝐵2
(
(𝛽 + 1)𝑅𝐸 (29) Figura 10. Circuito base-común
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + )
𝛽

4. Polarización por retroalimentación de colector

Figura 11. Circuito emisor-común

Figura 9. Circuito de Polarización por retroalimentación de colector
Para la elaboración de las familias de curvas en emisor común,
La figura 9 muestra un circuito de polarización por se varió la resistencia de la base para establecer la corriente de
retroalimentación de colector, la cual presenta mejor estabilidad base, y se varió el voltaje de colector para medir la corriente de
que la polarización fija pero menor que la polarización por colector y el voltaje colector-emisor.
divisor de voltaje. Esta polarización solo puede usarse en
configuración emisor-común, ya que en configuración base- Para las familias de curvas en configuración de base común,
común cortocircuita la entrada y en configuración colector- se utilizaron de igual manera dos resistencias, pero en este caso
común, cortocircuita la salida. [5] de un valor mucho más bajo que en configuración de emisor
común. Se varió la resistencia de emisor para establecer la
Al igual que en la polarización anterior, sus ecuaciones corriente de emisor.
básicas están dadas por 25, 19, 20 y 21. Para cuando se conoce
 6

IV. RESULTADOS Y ANÁLISIS Se graficaron las diferentes tablas obtenidas para obtener la
familia de curvas, como se puede observar en la figura 13.
En la figura 12 se representa el circuito construido mediante
el software para la configuración de emisor común.

Figura 13. Familia de Curvas características del transistor BJT en

configuración emisor-común.

Figura 12. Circuito en configuración emisor-común en Proteus Para calcular la recta de carga del transistor en configuración
emisor-común se hace uso de las fórmulas 16 y 17, y se usaron
Se realizaron las respectivas simulaciones para cada curva, se los valores:
registraron y organizaron los datos obtenidos en diferentes
tablas. En las tablas 1 y 2 se observan los valores para corrientes 𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉 ; 𝑅𝐶 = 2.5 𝐾Ω
de base de 5μA y 15μA.
Al reemplazar estos valores en las fórmulas 16 y 17
VCE IC obtenemos los puntos de corte con los ejes de la recta de carga.
0.01 0.00000233
0.03 0.000187 20 (16)
0.08 0.000383 𝐼𝐶 =
2.5𝑘
0.12 0.000975
0.9 0.00182 𝐼𝐶 = 8 𝑚𝐴
1.82 0.00184 𝑉𝐶𝐸 = 20 𝑉 (17)
2.73 0.00185
5.48 0.0019
Con los una vez obtenidos las coordenadas de la recta se
10.1 0.00199
procede a graficar la recta de carga.
14.7 0.00207
19.2 0.00215
23.8 0.00224
28.4 0.00232
37.6 0.00249
Tabla 1. Valores de voltaje y corriente para corriente de base 5 μA

VCE IC
0.01 0.00000232
0.06 0.000187
0.08 0.000383
0.12 0.000975
1.1 0.00178
2.02 0.0018
2.94 0.00181 Figura 14. Recta de carga del transistor BJT en configuración emisor-
5.69 0.00186 común
10.3 0.00194
14.9 0.00202 Ahora se procede a diseñar un circuito en configuración base-
19.5 0.00211 común como se muestra en la figura 15
24.1 0.00219
28.7 0.00227
37.8 0.00243
Tabla 2. Valores de voltaje y corriente para corriente de base 15 μA
 7

Figura 15. Circuito en configuración base-común en Proteus

Figura 16. Familia de Curvas características del transistor BJT en

De igual manera, se realizaron las respectivas simulaciones configuración emisor-común.
para tomar y registrar los datos obtenidos, organizándose en las
tablas 3 y 4 para las corrientes de emisor de 0.62 mA y 1.84 mA Ahora se calcula la recta de carga del mismo modo que en la
respectivamente. configuración emisor-común, usando las fórmulas 16 y 17 y los
parámetros
VCB IC
0.68 0.00006 𝑉𝐶𝐶 = 11.5 𝑉 ; 𝑅𝐶 = 5 𝐾Ω
0.67 0.00017
0.65 0.00027
Al reemplazar estos valores en las fórmulas 16 y 17
0.59 0.00056
obtenemos los puntos de corte con los ejes de la recta de carga.
3.81 0.00062
4.81 0.00062 11.5 (16)
5.81 0.00062 𝐼𝐶 =
5𝑘
8.81 0.00062
13.8 0.00062 𝐼𝐶 = 2.3 𝑚𝐴
Tabla 3. Valores de voltaje y corriente para corriente de emisor 0.62 mA
𝑉𝐶𝐵 = 11.5 𝑉 (17)

VCB IC Con los una vez obtenidos las coordenadas de la recta se

0.77 0.00007 procede a graficar la recta de carga.
0.76 0.00018
0.75 0.00028
0.73 0.00053
0.69 0.00107
0.68 0.00117
0.67 0.00127
0.64 0.00156
1.5 0.00185
6.49 0.00185
11.5 0.00185
16.5 0.00185
21.5 0.00185
Tabla 4. Valores de voltaje y corriente para corriente de base 1.84 mA

Una vez obtenidos los valores, se procedió a realizar la familia Figura 17. Recta de carga del transistor BJT en configuración base-común
de curvas características como se muestra en la figura 16.
Posteriormente, se seleccionó dos circuitos en diferente tipo de
polarización y se analizaron para encontrar en cuál región de
trabajo se encontraban.

La figura 18 muestra el circuito diseñado en Proteus para la

polarización fija.
 8

Figura 18. Circuito en polarización fija BJT Figura 19. Circuito en polarización estabilizada en emisor

Se puede observar entonces, como el voltaje entre base y Se observa entonces que el circuito en polarización
emisor es de 0.69 V, y la corriente de colector es el resultado estabilizado en emisor no se encuentra en la región activa, por
del producto entre la corriente de base y el β del transistor, lo que se realizó cálculos y se encontró el valor a modificar para
confirmando así que se encuentra en región activa. que se halle en la región activa, tal y como se muestra en la
figura 20.
Para encontrar el punto de trabajo Q se usan las ecuaciones
22, 23 y 24.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 (22)

𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐵
16 − 0.7
𝐼𝐵𝑄 =
470𝑘
𝐼𝐵𝑄 = 32.55 μ𝐴
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄 (23)
𝐼𝐶𝑄 = 100 ∙ 32.55μ
𝐼𝐶𝑄 = 3.25 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑄 (24)
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 16 − 2.7𝑘 ∙ 3.25𝑘
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 7.21 𝑉

Figura 20. Circuito en polarización estabilizada en emisor en región activa

El segundo circuito polarizado se puede observar en la figura
19, el diseño empleado es para la polarización estabilizado en
En la figura 20 se puede ver como el circuito cumple con las
emisor.
condiciones de región activa que son VBE = 0.7 e IC = IBβ. Ahora
para calcular el punto de trabajo Q se usan de nuevo las
ecuaciones 26, 23 y 27.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 (26)

𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐸 (𝛽 + 1) + 𝑅𝐵
20 − 0.7
𝐼𝐵𝑄 =
1.5𝑘(100 + 1) + 510𝑘
𝐼𝐵𝑄 = 29.18 μ𝐴
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𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄 (23)

𝐼𝐶𝑄 = 100 ∙ 29.18μ
𝐼𝐶𝑄 = 2.92 𝑚𝐴
𝛽+1 (27)
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − [𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ( )] 𝐼𝐶𝑄
𝛽
0.7 + 1
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 20 − [2400𝑘 + 1.5𝑘 ( ) ] 2.92𝑚
0.7
𝑉𝐶𝐸𝑄 = −6986.69 𝑉

V. CONCLUSIONES
En la configuración base-común al poner resistencias muy
grandes las curvas características mostraban rectas con
pendiente de inclinación, entonces para esa configuración
debían usarse resistencias de valores pequeños para obtener el
comportamiento correcto de las curvas características.

A medida que se aumentaba la resistencia de emisor en

configuración de base común para establecer la corriente de
emisor como reguladora de la corriente de colector, se necesita
menor voltaje en la fuente de colector para romper la región de
saturación.

En configuración de emisor común se necesitaba una

corriente reguladora de la intensidad de colector menor que en
configuración de base común para poder obtener la familia de
curvas características.

VI. BIBLIOGRAFÍA

[1 D. J. B. Albert Malvino, Principios de Electrónica,

] España: McGrawHillEducation.

[2 F. S. R., Electronic Devices, Discrete and Integrated,

] Prentice Hall International Editions, 1990.

[3 B. R. Nashelsky, Teoria de Circuitos y Dispositivos

] Electrónicos, Prentice Hall.

[4 M. J. H. C., Electrónica Integrada, Circuitos y Sistemas

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[5 W. Laiton, «Wilaeba Electrónica,» 05 junio 2018. [En

] línea]. Available:
https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/01/polariza
cion-transistor-bjt.html. [Último acceso: 20 abril 2021].