INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1.

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PROGRAMA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA Periodo 2020-2

Diseño y simulación de circuitos con transistores

Alza Alejandra, Medina Johan, y Rodriguez Carlos

{u1803605, u1803623, y u1803752}@unimilitar.edu.co

Profesor: Bernal Luis

de configuraciones de estos dopajes, npn y pnp, cuyos

Resumen—Por medio del análisis de circuitos sımbolos eléctricos se representan El BJT.
analógicos se diseñaron e implementaron cinco
circuitos diferentes con el fin de comprender el
correcto funcionamiento de los transistores y su
implementación en el giro de motores, como lo son
las configuraciones Push-pull y puente H .

Palabras clave—Transistor, MOSFET, polarización,

motor, Push Pull, Puente H, corriente, voltaje.
Figura 1.Transistor npn y pnp.

posee tres terminales (uno por cada dopaje), el emisor

I. INTRODUCCIÓN (E) que corresponde a una región altamente dopada (n+
o p+) y se encarga de emitir portadores de carga
En el primer punto desarrollaremos un circuito básico (terminal con la flecha en el s´ımbolo); el colector (C)
con un transistor bjt al cual le encontraremos el valor de que se encarga de recolectarlos o absorberlos; y la base
las tres corrientes y de los tres voltajes del transistor, en (B) que es un regi ´on levemente dopada, con un área
el punto dos…, en el punto tres utilizamos un transistor muy peque˜na (en comparación con el emisor y el
2N3904 y un relé, con el cual podremos controlar el colector), y controla la cantidad de portadores que
movimiento de un motor dc con escobillas, en el punto pasan de emisor a colector. Se conoce como transistor
cuatro se realiza un circuito push-pull con el cual bipolar porque las corrientes a través del dispositivo
controlamos el sentido de giro de un motor dc de (generadas por difusión) son producto del flujo de
escobillas y disminuyendo la distorsión de cruce, ya por
electrones y huecos.
último en el punto cinco realizamos un puente H el cual
consiste de cuatro transistores para poder controlar el Operación y caracterıstica I-V
sentido de giro de un motor DC.
De acuerdo a la polarización de las uniones Base-
Emisor (BE) y Base-Colector (BC) se determina la
A. Marco teórico región de operación del transistor. La unión Base-
Emisor determina si hay emisión de portadores, por lo
Los transistores son dispositivos semiconductores cuyos tanto, si se polariza inversamente, por el transistor no
principales usos son como interruptores (especialmente circula corriente y se dice que está en corte. Por otro
en circuitos digitales) y como aplicadores (en el dominio lado, si esta unión se polariza directamente, hay flujo de
analógico). La segunda aplicación se obtiene de corriente y dependiendo de la polarización de la unión
aprovechar que el transistor puede modelarse como una BC el transistor puede operar en región activa o en
fuente de corriente controlada por tensión y puede saturación. Si la unión BC es polarizada inversamente el
demostrarse que estas pueden amplificar. Existen dos transistor se encuentra en región activa, y si se
tipos principales de transistores, el transistor de unión encuentra polarizada directamente el transistor está en
bipolar o BJT y el transistor de efecto de campo o FET. saturación. En región activa la corriente de colector del
transistor puede expresarse como:
El transistor de unión bipolar BJT

El transistor bipolar consiste de tres regiones dopadas

que forman un sandwich. Se pueden encontrar dos tipos Ecuación 1.Corriente de colector.
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donde Is es la corriente de saturación inversa al igual portadores minoritarios del material. En el MOSFET, el
que en los diodos; V es la tensión térmica y V es la material conductor de la puerta está separado del
tensión Base-Emisor. En regi ´on activa el BJT se usa sustrato por un material dieléctrico ( óxido), a lo cual se
para amplificar señales y las corrientes de base y emisor le conoce como la estructura MOS, que es un sandwich
pueden expresarse: Metal- Óxido-Semiconductor, básicamente un
condensador. Consecuencia de lo anterior, en
frecuencias bajas el MOSFET no posee una corriente de
puerta y la única corriente que circula a través del
Ecuación 2. Corriente de base. dispositivo fluye de drenador a surtidor (I). Existen dos
tipos de MOSFET, el de enriquecimiento cuyo canal de
conducción debe formarse aumentando la tensión de
Ecuación 3. Corriente de emisor. puerta, y el de empobrecimiento o agotamiento cuyo
canal está formado desde su fabricación mediante un
A se le conoce como la ganancia de corriente, y entre dopaje.
mayor sea el valor de ésta, mejor será el desempeño del
transistor como amplificador. Por otro lado, cuando el MOSFET de enriquecimiento
transistor se encuentra en saturación, al estar
El MOSFET de enriquecimiento es un transistor cuya
polarizadas directamente las uniones BE y BC, la base
puerta está separada del sustrato o material
debe entregar corriente tanto a colector como emisor,
semiconductor a través de un material dieléctrico. Al
luego la corriente de base aumenta, lo que representa
aumentar la tensión de puerta, las cargas de la tensión
un decremento en el valor de , y por lo tanto el transistor
aplicada se acumulan en la interfaz entre el óxido y la
en saturación no es un buen amplificador.
puerta, atrayendo a los portadores minoritarios del
material semiconductor (sustrato). Estos portadores se
acumulan en el espacio presente entre las difusiones
que forman el drenador y el surtidor, generando un
canal de portadores que reduce la resistividad del
sustrato. Al formarse el canal, mediante una tensión
drenador-surtidor, es posible generar un flujo de
portadores (corriente eléctrica) de surtidor a drenador.
Dependiendo del dopaje del sustrato y las difusiones,
existen dos tipos de transistores, los MOSFET NMOS y
Figura 2. Relación de corriente y voltaje en transistores. los PMOS cuyas estructuras físicas y sımbolos
eléctricos.
El transistor de efecto de campo FET

El FET (Field-Effect Transistor) es un transistor cuyo

flujo de corriente es unipolar (producto del flujo de
electrones o huecos) generado por el campo eléctrico
producto de la tensión de polarización (corriente por
deriva). Consta de tres terminales: el surtidor (S) que se
encarga de surtir portadores de carga, el drenador (D) Figura 3. Transistores MOSFET de enriquecimiento.
que drena o absorbe las cargas enviadas por el surtidor,
y la puerta (G) que define la cantidad de portadores que Operación y caracteıstica I-V
pasan de surtidor a drenador. Entre los transistores de
efecto de campo más conocidos se encuentran el JFET, Dependiendo de las diferencias de tensión aplicadas
el MOSFET y el MESFET, sin embargo el MOSFET es entre los terminales puerta-surtidor (VGS) y drenador-
el transistor más usado en la actualidad debido a los surtidor (VDS), y de tres parámetros caracterısticos del
avances en los procesos de fabricación de circuitos transistor, el MOSFET puede polarizarse para operar en
integrados. corte (apagado, no hay canal formado), en saturación
(amplifica), o en triodo (lineal u óhmica). Los parámetros
El MOSFET caracterısticos mencionados se encuentran
comúnmente en la hoja de datos (datasheet) del
El transistor de efecto de campo de Metal- Óxido- transistor y corresponden a la tensión de umbral (VTH=
Semiconductor (MOSFET) está formado por un material VGS (TH)para el cual se forma el canal, y la tensión y
semiconductor dopado (sustrato) en el cual se realizan corriente de encendido (V) que indica el valor de V
dos difusiones o regiones altamente dopadas con respectivamente). Como se observa en la imagen, se
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considera que el transistor entra en saturación cuando Al igual que el transistor de enriquecimiento, el MOSFET
VDS VGS VTH, y está en triodo cuando V. En de empobrecimiento puede operar en corte (apagado),
saturación, la corriente de drenador se expresa como: en saturación (amplifica), o en triodo (lineal),
DS < VGS GS(on) V e ITH DGS(on) dependiendo de las tensiones aplicadas entre las
regiones puerta-surtidor y drenador-surtidor, y de dos
parámetros caracterısticos del material semiconductor.
Estos parámetros son la tensión de umbral o de
Ecuación 4. Corriente, transistor MOSFET de apagado (V) que indica el valor de VGS TH = VGS(off) =
enriquecimiento. V para el cual cesa el flujo de corriente, y de la corriente
cuando VP). El transistor se satura cuando V DS V GS
donde K depende de valores dados en la hoja de datos
VTH, para V el transistor se encuentra en región lineal o
del transistor :
de triodo:

Ecuación 5. Constante de la ecuación 4.

Ecuación 6. Corriente, transistor MOSFET de
agotamiento.

Figura 4. Relación de corriente y voltaje en transistores

MOSFET de enriquecimiento.
Figura 6. Relación de corriente y voltaje en transistores
MOSFET de empobrecimiento o agotamiento MOSFET de agotamiento.

A diferencia del transistor de enriquecimiento, el Polarización de transistores

MOSFET de empobrecimiento tiene el canal formado
desde su fabricación mediante una región dopada con La polarización de un transistor indica en qué región de
portadores minoritarios (respecto al sustrato) ubicada operación se encuentra y por lo tanto sus posibles
entre las regiones de drenador y surtidor Consecuencia aplicaciones. La región de operación depende de las
de lo anterior, no se necesita de una tensión de puerta diferencias de tensión presentes entre sus terminales
para activarlo; sin embargo, al aplicar un tensión de (VBE y VCE MOSFET). A la tensi ´on que se aplica en
puerta opuesta lo suficientemente alta, los portadores la puerta de un MOSFET (V(VB para el BJT, y VGGS y
minoritarios del dopaje del canal son atra´ıdos a la VDS para el) o la base de un BJT) se le conoce como
interfaz recombinarse con los portadores mayoritarios y tensión de polarización, y al par de tensiones que
eliminando el canal (el transistor se apaga). Al tener el pueden aplicarse en las ramas del circuito adjuntas a los
canal formado, mediante una tensión drenador-surtidor, otros terminales del transistor (sea BJT o FET), se les
es posible generar una corriente eléctrica sin tensión en conoce como tensiones de alimentaci ´on. Para
la puerta. Al igual que en el MOSFET de disminuir el uso de fuentes de tensión (y en algunos
enriquecimiento, existen transistores de agotamiento casos mejorar la precisi ´on del valor de tensi ´on), es
NMOS y PMOS: posible, mediante circuitos, generar la tensión de
polarización a partir de las tensiones de alimentación;
consecuencia de lo anterior, en esta sección se
presentan algunos de los circuitos básicos utilizados
para generar esta tensi ´on en diferentes tipos de
transistores.

Polarización del transistor de unión bipolar (BJT)

Figura 5. Transistores MOSFET de agotamiento.
Los métodos de polarización se crearon para garantizar
Operación y caracterıstica I-V una determinada tensión base-emisor y por lo tanto una
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corriente de colector sin la necesidad de una fuente de

tensión de polarización; para esto existen cuatro
técnicas básicas. Aunque en la figura se exponen los Ecuación 11. Resistencia de emisor.
métodos aplicados a transistores npn, estos pueden
implementarse de manera an ´aloga en transistores pnp. La autopolarización permite garantizar que siempre que
Para implementar la polarización simple, se debe el transistor se encuentra encendido está en región
calcular el valor de RB a partir de la tensión y corriente activa. En este caso:
de base deseadas.

Ecuación 12. Resistencia de base.

Ecuación 7. Resistencia de base.
y la resistencia de colector debe garantizar la corriente
Este método es poco recomendado para producción de deseada.
productos en masa ya que la polarización depende
directamente del valor de la ganancia de corriente del
transistor (), la cual puede variar considerablemente de Ecuación 13. Corriente de emisor.
un transistor a otro de la misma referencia.
Polarización del transistor de efecto de campo de
Para disminuir la dependencia de la polarización del Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)
transistor se usa la polarización mediante divisor
resistivo. En este método es común asumir que IR 1>> Para este transistor es necesario analizar los métodos
IB, lo que implica que IR1 IR2 y por lo tanto: de polarización para los dos tipos de transistores que
existen.

MOSFET de enriquecimiento
Ecuación 8. Voltaje de base.
La polarización del MOSFET de enriquecimiento se
presenta de forma breve ya que los métodos
presentados tienen consideraciones similares a las
Ecuación 9. Resistencia 1.
presentadas para el transistor BJT, se presentan las dos
técnicas de polarización con divisor resistivo expuestas
para la polarización del BJT. Sin embargo, en este caso
Ecuación 10. Resistencia 2. la corriente que circula a través de R1 y R es la misma
ya que el MOSFET no tiene corriente de puerta en baja
frecuencia. Es recomendable asumir un valor de I
bastante menor a ID2, de esta forma la polarización no
afecta considerablemente el consumo de potencia del
circuito. Las resistencias de polarización pueden
expresarse mediante el análisis del circuito:

Figura 7. Circuitos con transistores BJT. Ecuación 14. Voltaje G.

En este caso la tensión de polarización generada

depende de la tolerancia de las resistencias R1 y R2.
Ecuación 15. Resistencia 1.
Para reducir la dependencia en la tensión de
polarización de las resistencias R y R del método
anterior, se usa el divisor resistivo con degeneración. La Ecuación 16. Resistencia 2.
degeneración consiste en conectar un dispositivo al
emisor del transistor lo que a su vez aumenta la
linealidad del circuito. En este caso la tensi ´on de base
y las resistencias R2 y R1 se calculan de igual forma Ecuación 17. Resistencia .
que en el anterior; sin embargo, la resistencia de
degeneración (que compensa las variaciones de R1 y La autopolarización en el MOSFET es una técnica
R2) genera una tensión de emisor y se estima mediante: análoga a la técnica presentada para el BJT y de igual
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forma, si el transistor está encendido automáticamente II. COMPETENCIAS A DESARROLLAR

está en saturación. Por otro lado, la resistencia R se
elige de tal forma que no haya se˜nal pasando a través ● Identificar las regiones de operación de
de la rama que conecta la puerta con el drenador (es transistores de unión bipolar (BJT) y de efecto
recomendable usar un valor de RG 15 K). de campo (FET).

● Diseñar y simular circuitos con transistores

usando diferentes técnicas de polarización.
Ecuación 18. Voltaje .
● Investigar, diseñar y simular circuitos que
En este caso, al modificarse la tensión de drenador, se permitan encender y apagar un motor DC con
hace necesario modificar la resistencia en este terminal inversión giro.
si se desea garantizar el valor de la corriente.
III. TRABAJO PREVIO

1. Estudiar las hojas de datos (datasheets) de los

diferentes transistores a ser usados en la
práctica de laboratorio y extraer los principales
parámetros necesarios para realizar cálculos
teóricos.

● TIP41:

Figura 8. Circuitos con transistores MOSFET de

enriquecimiento.

MOSFET de agotamiento

El MOSFET de agotamiento debido a la naturaleza de

su tensión puerta-surtidor (puede tomar valores tanto
positivos como negativos) puede polarizarse mediante
los dos métodos que se presentan en la Fig. 9. Ambos
métodos pueden implementarse sin degeneración
dependiendo de la linealidad y del signo de la tensión
puerta-surtidor. La polarización mediante divisor Figura 10.Transistor TIP41.
resistivo se implementa igual que para el transistor de
La consulta del Datasheet de el transistor TIP41 se
enriquecimiento. Por otro lado, la autopolarización es
realizó en: https://www.datasheetq.com/datasheet-
diferente a la presentada para el transistor de
download/776555/1/THINKISEMI/TIP41
enriquecimiento (la conexión no está directo al
drenador); sin embargo, en este caso la resistencia de ● TIP42:
puerta tambi ´en debe tomar un valor arbitrario para
evitar el flujo de se˜nal a través de la rama que conecta Figura .Transistor TIP 4
la puerta con tierra (RG15 K).

Figura 11.Transistor TIP42.

Figura 9. Circuitos con transistores MOSFET de
agotamiento. La consulta del Datasheet del transistor TIP42 se realizó
en:
https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=46
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901 https://html.alldatasheet.com/html-
pdf/16636/PHILIPS/BS170/493/2/BS170.html
● 2N3904:

2. ¿Por qué se hace necesario usar métodos de

polarización en circuitos con transistores?

R/ Es importante la polarización de un transistor permitir

hacer funcionar correctamente el transistor como
amplificador sin saturarse, ni cortarse y por tanto sin
distorsionar la señal de salida. Es por ello que
acontinuación se presenta una tabla de las
polarizaciones que puede presentar un transistor:

CORTE ACTIVA POLARIZACIÓN

Figura 12.Transistor 2N3904.

La consulta del Datasheet del transistor 2N3904 se

realizó en:https://www.alldatasheet.es/datasheet-
pdf/pdf/155897/STMICROELECTRONICS/2N3904.html Cortocircuito

● 2N2222a Cable

Tabla 1. Polarización de un transistor.

Teniendo como base la tabla anterior es posible aclarar

las formas de polarizar un transistor, las cuales son:

- Polarización fija.

Figura 13. Transistor 2N2222A.

La consulta del Datasheet del transistor 2N3904 se

realizó en:
https://www.electronicoscaldas.com/es/transistores-
bjt/55-transistor-2n2222a.html

● BS170:
Figura 14. Polarización fija en un transistor.

- Polarización por realimentación del emisor.

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Figura 15. Polarización por realimentación de emisor en

Figura 18. Autopolarización de un transistor.
un transistor.
4. ¿En un MOSFET de agotamiento es posible
- Polarización por realimentación de colector.
garantizar una tensión puerta-surtidor igual a
cero mediante los métodos de polarización
presentados? justificar.

R// El MOSFET de agotamiento por naturaleza tiene una

tensión puerta-surtidor, es decir puede tomar valores
tanto negativos como positivos, se puede polarizar de
dos formas mediante la autopolarización o divisor
resistivo, tal y como se muestra a continuación:

Figura 16. Polarización por realimentación de colector

en un transistor.

- Polarización Universal.

Figura 19 .Polarización MOSFET de agotamiento.

5. Investigar en qué consiste la configuración

Darlington de transistores y algunas de sus
aplicaciones.

R// La configuración Darlington en un transistor combina

dos transistores donde los dos conectores van
conectados entre sí y el emisor con la base, lo cual
permite que la corriente amplificada por el primer
transistor ingrese a la base del segundo transistor y sea
nuevamente amplificada; una de sus mayores ventajas
Figura 17. Polarización universal de un transistor. es que proporciona una gran cantidad de corriente y
paralelo permite controlar corrientes de magnitud
3. ¿Cuál es la principal ventaja de polarizar importante con corrientes de base muy pequeñas, sin
mediante autopolarización? embargo genera más inestabilidad en el circuito.
Algunas de sus aplicaciones son:
R// La autopolarización de un transistor se caracteriza
por tener un punto de reposo que depende de β, donde - Control de motores.
debe ser dos vece mayor a y tiene una resistencia , con
base en esto se puede afirmar que la ventaja de la - Accionadores de relé.
autopolarización es garantizar un circuito con
transistores más estable. - Amplificadores de potencia de audio.
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6. Investigar sobre etapas de potencia para el 1. Se implementó un circuito con un transistor y

driver de motores, en específico circuitos de un tres corrientes, donde a partir de este se
transistor y un relé, etapas Push-Pull y el desarrollaron los siguientes literales:
circuito puente H.

R// Las etapas de potencia representan la relación entre

las señales lógicas de control y las señales de potencia,
a continuación se explican las etapas fundamentales y
más usadas en electrónica:

- Push-Pull: Son transistores complementarios

pues uno es pnp y el otro es npn, donde
mientras uno amplifica voltajes menores a 0.7 el
otro está en cortocircuito y viceversa; tal y como
se observa en la siguiente figura:

Figura 23. Circuito con transistores y resistencias

simulado.

a. Se determinó teóricamente los valores de las

diferentes corrientes en el circuito y la región de
operación del transistor, si se asume que
VBE=0,7 V y 300.

Figura 20. Push-Pull Transistores.

- Puente H: Se denomina así por la forma que

tiene a la hora de armarlo, esta configuración en
un circuito electrónico permite el control de un
motor de corriente directa, este puede hacer
girar el motor en ambos sentidos, su
configuración se muestra a continuación:

Figura 24. Nodos, voltaje y corrientes del

circuito.

Figura 21. Puente H transistores.

IV. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

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b. Se simuló el circuito usando el modelo del

transistor.

Figura 27. Corriente que pasa por cada

resistencia(activa).

c. Se procede a realizar dos diseños de

transistores, el 1ro es una polarización simple y
el 2do una polarización divisor resistivo.
● Polarización simple:

Para este diseño se contemplan los valores

conocidos:

Figura 25. Corrientes del circuito.

Figura 26. Voltaje de nodo.

Figura 28. Circuito en polarización simple.

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- Ecuación del voltaje Drain-Source en

saturación:

- A partir del datasheet se halla el parámetro de

Figura 29. Tabla de comparación polarización transconductancia:
simple.

● Divisor resistivo:

Para este diseño se plantea que tiene que ser

10 veces la corriente base.
- Con base en el valor de K, se halla el voltaje
Gate-Source:

0.597mA

Ahora se calcula los valores de las resistencias - Asumiendo el valor de resistencia:

y:

Como la resistencia debe ser comercial se asignó una

de .

- Teniendo en cuenta que la corriente del divisor

resistivo es 10 veces menor a la de Drain:

- Finamente se halla R1 y R2:

Figura 29. Tabla de comparación

autopolarización. Como deben ser resistencias comerciales se aproximan
a y respectivamente.
2. A partir de un transistor BS170 de ON
Semiconductor, diseñó y simuló un circuito.

Alimentación= 9v
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Figura 32. Valores obtenidos del circuito presentado en

la figura 30.
Figura 29. Circuito con degeneración de surtido.r 3. Se implementó y simuló un circuito con un
transistor 2N3904 y un relé de 5V, que
permitiera hacer girar un motor DC de
escobillas.

Figura 30. Valores obtenidos del circuito presentado en

la figura 28.

- Para realizar la autopolarización los valores de Figura 33. Circuito con el sw OFF.
resistencias son los mismos ya que los
parámetros iniciales también son los mismos,
por lo cual queda de la siguiente forma:

Figura 34. Circuito con el sw ON.

Se puede observar en la figura 33 cuando el switch está

abierto el relé hace que no haya alimentación y el
transistor actúa como un circuito abierto está conectado
a tierra por lo cual el motor no se va a mover, en la
figura 34 cuando el switch está cerrado el relé hace
pasar alimentación y el transistor actúa como un cable
Figura 31 Autopolarización del circuito presentado en la
conectado a tierra por lo cual el circuito está cerrado y
figura 29.
se mueve el motor.
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4. Se diseñó y simuló un circuito Push-Pull que Figura 38. Circuito Push-Pull para un motor DC, con
hiciera girar un motor DC en ambos sentidos. voltaje de referencia menos cinco().

Para la configuración de este circuito se encuentra

conectado emisor con emisor, tiene dos diodos de
switcheo rápido, al igual que dos resistencias las cuales
dependen de la tensión máxima, tiene un switch el cual
permite variar el voltaje de entrada y finalmente el
motor.

En las figuras 35 a 38 podemos evidenciar el

funcionamiento del circuito Push Pull, lo primero que se
puede identificar es como los dos transistores se
reparten o turnan la rotación del motor, es decir el
transistor TIP41(pnp) funciona con más de 0.7 V,
Figura 35. Circuito Push-Pull para un motor DC. mientras que el transistor TIP42 funciona con menos de
0.7V.

De igual forma se pudo analizar el comportamiento del

motor en el circuito Push Pull, tal y como se menciona a
continuación:

- Cuando el voltaje de entrada es de 0V, el motor

permanecerá en estado de reposo y su voltaje
será de 2.5V.

- Cuando el voltaje de entrada es de 5V el motor

gira en sentido horario y el voltaje será de
Figura 36. Circuito Push-Pull para un motor DC, con 4.99V.
voltaje de referencia cero(tierra)
- Cuando el voltaje de entrada sea de -5V el
motor gira en sentido antihorario y su tensión
será de 0V.

5. Se realizó el montaje de un circuito Puente H

capaz de manejar una carga de máximo 2 A.

Figura 37. Circuito Push-Pull para un motor DC, con

voltaje de referencia cinco().

Figura 39. Circuito puente H motor DC,

apagado.

Podemos observar que nuestro motor gira en

sentido horario debido a que nuestros
transistores Q1 y Q4 están en corto y Q2 y Q3
están abiertos, entonces nuestra corriente vieja
por Q1 después por el motor y pasa por Q4 y
termina en tierra.
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[1] Polarización en transistores. de

https://www.youtube.com/watch?v=8nNFaxzhNmc
Recuperado el 07 de Septiembre del 2020.

[2] Donald A. Neamen. Microelectronics:Circuit Analysis

and Design.

Figura 40. Circuito puente H motor DC, girando

en sentido horario.

Podemos observar que nuestro motor gira en

sentido antihorario debido a que nuestros
transistores Q2 y Q3 están en corto y Q1 y Q4
están abiertos, entonces nuestra corriente vieja
por Q3 después por el motor y pasa por Q2 y
termina en tierra.

Figura 41. Circuito puente H motor DC, girando

en sentido antihorario.

V. CONCLUSIONES

1. Se determinó teóricamente los valores de las

diferentes corrientes en el circuito y la región de
operación de un transistor,a su vez se
identificaron las regiones de operación de los
transistores tipo BJT y tipo FET junto a su
respectiva polarización.

2. Por medio de las simulaciones realizadas en

Proteus se logra reforzar y comprobar la teoría
expuesta en el marco teórico respecto a los
transistores,, por dicha razón fue posible el
correcto desarrollo de la práctica.

3. Se logró investigar, diseñar y simular circuitos

que permiten encender y apagar un motor DC
con inversión de giro, esto usando
configuraciones push-pull y puente H.

4. Con base en datasheets, se identificaron las

características principales de las referencias
usadas de transistores,como lo son el voltaje,
corrientes, potencias, entre otras; de esta forma
se implementaron de forma correcta en cada
uno de los circuitos.

REFERENCIAS