Semiconductor

Ir a la navegaciónIr a la búsqueda
Un semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta o
bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos
factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación
que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. 1 Los
elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la
tabla adjunta.

Silicio purificado

Electrones en
Elemento Grupos la última capa

Cd 12 2 e-

Al, Ga, B, I
13 3 e-
n

Si, C, Ge 14 4 e-

P, As, Sb 15 5 e-

Se, Te, (S) 16 6 e-

El elemento semiconductor más usado es el Silicio,2 seguido del Germanio,

aunque presentan un idéntico comportamiento las combinaciones de elementos
de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P
In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S Cd). Posteriormente se ha comenzado a
emplear también el Azufre. La característica común a todos ellos es que son
tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².
Los dispositivos semiconductores pueden presentar una serie de propiedades
útiles, como pasar la corriente más fácilmente en una dirección que en otra,
mostrar una resistencia variable y ser sensibles a la luz o al calor. Dado que las
propiedades eléctricas de un material semiconductor pueden modificarse
mediante el dopaje o la aplicación de campos eléctricos o luz, los dispositivos
fabricados con semiconductores pueden utilizarse para la amplificación, la
conmutación y la conversión de energía.
La conductividad del silicio se aumenta añadiendo una pequeña cantidad (del
orden de 1 a 108) de átomos pentavalentes (antimonio, fósforo o arsénico) o
trivalentes (boro, galio, indio). Este proceso se conoce como dopaje y los
semiconductores resultantes se conocen como semiconductores dopados o
extrínsecos. Aparte del dopaje, la conductividad de un semiconductor puede
mejorarse aumentando su temperatura. Esto es contrario al comportamiento de
un metal en el que la conductividad disminuye con el aumento de la
temperatura.
La comprensión moderna de las propiedades de un semiconductor se basa en
la física cuántica para explicar el movimiento de los portadores de carga en
una red cristalina.3 El dopaje aumenta en gran medida el número de portadores
de carga dentro del cristal. Cuando un semiconductor dopado contiene huecos
libres se denomina tipo p, y cuando contiene electrones libres se conoce
como tipo n. Los materiales semiconductores utilizados en los dispositivos
electrónicos se dopan en condiciones precisas para controlar la concentración
y las regiones de los dopantes de tipo p y n. Un solo cristal de dispositivo
semiconductor puede tener muchas regiones de tipo p y n; las uniones p-n
entre estas regiones son las responsables del comportamiento electrónico útil.
Utilizando una sonda de punto caliente, se puede determinar rápidamente si
una muestra de semiconductor es de tipo p o n.4
Algunas de las propiedades de los materiales semiconductores se observaron
a mediados del siglo XIX y en las primeras décadas del siglo XX. La primera
aplicación práctica de los semiconductores en electrónica fue el desarrollo en
1904 del detector de bigotes de gato, un primitivo diodo semiconductor utilizado
en los primeros receptores de radio. Los avances de la física cuántica
condujeron a su vez a la invención del transistor en 1947,5 el circuito
integrado en 1958 y el MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-óxido-
semiconductor) en 1959.

Índice

 1Información general
 2Propiedades
o 2.1Conductividad eléctrica variable
o 2.2Heterouniones
o 2.3Electrones excitados
o 2.4Emisión de luz
o 2.5Alta conductividad térmica
o 2.6Conversión de energía térmica
 3Física de los semiconductores
o 3.1Bandas de energía y conducción
eléctrica
o 3.2Portadores de carga (electrones y
huecos)
  3.2.1Generación de
portadores y recombinación
o 3.3Dopaje
o 3.4Semiconductores amorfos
 4Tipos de semiconductores
o 4.1Semiconductores intrínsecos
o 4.2Semiconductores extrínsecos
 4.2.1Semiconductor tipo N
 4.2.2Semiconductor tipo p
 5Referencias
 6Véase también
 7Bibliografía
 8Enlaces externos
 9Semiconductores y electrónica
Información general[editar]
1. Los materiales semiconductores
provienen de diferentes grupos de la
tabla periódica, sin embargo, comparten
ciertas similitudes.
2. Las propiedades del material
semiconductor están relacionados con
sus características atómicas, y cambian
de un grupo a otro.
3. Los investigadores y los diseñadores se
aprovechan de estas diferencias para
mejorar el diseño y elegir el material
óptimo para una aplicación PV.6

Propiedades[editar]
Conductividad eléctrica variable[editar]
Los semiconductores en su estado natural son malos conductores porque una
corriente requiere el flujo de electrones, y los semiconductores tienen sus
bandas de valencia llenas, impidiendo todo el flujo de nuevos electrones.
Varias técnicas desarrolladas permiten que los materiales semiconductores se
comporten como materiales conductores, como el dopaje o el gating. Estas
modificaciones tienen dos resultados: tipo n y tipo p. Se refieren al exceso o a
la escasez de electrones, respectivamente. Un número desequilibrado de
electrones provocaría el paso de una corriente a través del material. [4]
Heterouniones[editar]
Las heterouniones se producen cuando se unen dos materiales
semiconductores con dopaje diferente. Por ejemplo, una configuración podría
consistir en germanio dopado con p y dopado con n. Esto da lugar a un
intercambio de electrones y huecos entre los materiales semiconductores con
diferentes dopajes. El germanio dopado con n tendría un exceso de electrones
y el germanio dopado con p tendría un exceso de huecos. La transferencia se
produce hasta que se alcanza un equilibrio mediante un proceso llamado
recombinación, que hace que los electrones que migran del tipo n entren en
contacto con los huecos que migran del tipo p. El resultado de este proceso es
una estrecha franja de iones inmóviles, que provoca un campo eléctrico a
través de la unión[1][4].
Electrones excitados[editar]
Una diferencia de potencial eléctrico en un material semiconductor hace que
éste abandone el equilibrio térmico y cree una situación de no equilibrio. Esto
introduce electrones y huecos en el sistema, que interactúan mediante un
proceso llamado difusión ambipolar. Siempre que se altera el equilibrio térmico
en un material semiconductor, cambia el número de huecos y electrones. Estas
alteraciones pueden producirse como resultado de una diferencia de
temperatura o de fotones, que pueden entrar en el sistema y crear electrones y
huecos. El proceso de creación y aniquilación de electrones y huecos se
denomina generación y recombinación, respectivamente[4].
Emisión de luz[editar]
En ciertos semiconductores, los electrones excitados pueden relajarse
emitiendo luz en lugar de producir calor[5] Estos semiconductores se utilizan en
la construcción de diodos emisores de luz y puntos cuánticos fluorescentes.
Alta conductividad térmica[editar]
Los semiconductores con alta conductividad térmica pueden utilizarse para
disipar el calor y mejorar la gestión térmica de la electrónica[6].
Conversión de energía térmica[editar]
Los semiconductores tienen grandes factores de potencia termoeléctrica que
los hacen útiles en los generadores termoeléctricos, así como altas figuras de
mérito termoeléctricas que los hacen útiles en los refrigeradores
termoeléctricos. [7]

Física de los semiconductores[editar]

Bandas de energía y conducción eléctrica[editar]
Artículos principales: Teoría de bandas,  Conductividad eléctrica y  Resistividad.
Los semiconductores se definen por su singular comportamiento de conducción
eléctrica, a medio camino entre el de un conductor y el de un aislante. 7 Las
diferencias entre estos materiales pueden entenderse en términos de
los estados cuánticos de los electrones, cada uno de los cuales puede contener
cero o un electrón, por el principio de exclusión de Pauli. Estos estados están
asociados a la estructura de banda electrónica del material. La conductividad
eléctrica surge debido a la presencia de electrones en
estados deslocalizados que se extienden por el material, sin embargo, para
transportar electrones un estado debe estar parcialmente lleno, conteniendo un
electrón sólo una parte del tiempo.8 Si el estado está siempre ocupado con un
electrón, entonces es inerte, bloqueando el paso de otros electrones a través
de ese estado. Las energías de estos estados cuánticos son críticas, ya que un
estado está parcialmente ocupado sólo si su energía está cerca del nivel de
Fermi.
La alta conductividad de un material se debe a que tiene muchos estados
parcialmente llenos y mucha deslocalización de estados. Los metales son
buenos conductores eléctricos y tienen muchos estados parcialmente
llenos con energías cercanas a su nivel de Fermi. Los aislantes, por el
contrario, tienen pocos estados parcialmente llenos, sus niveles de Fermi se
sitúan dentro de huecos de banda con pocos estados de energía que ocupar.
Es importante destacar que un aislante puede convertirse en conductor
aumentando su temperatura: el calentamiento proporciona energía para
promover algunos electrones a través dela banda prohibida, induciendo
estados parcialmente llenos tanto en la banda de estados por debajo del banda
prohibida (banda de valencia) como en la banda de estados por encima de la
banda prohibida (banda de conducción). Un semiconductor (intrínseco) tiene
una banda prohibida menor que el de un aislante y, a temperatura ambiente, un
número significativo de electrones puede ser excitado para cruzar la banda
prohibida.9
Sin embargo, un semiconductor puro no es muy útil, ya que no es ni un buen
aislante ni un buen conductor. Sin embargo, una característica importante de
los semiconductores (y de algunos aislantes, conocidos como semiinsuladores)
es que su conductividad puede aumentarse y controlarse mediante el dopaje
con impurezas y la activación de campos eléctricos. El dopaje y la activación
mueven la banda de conducción o de valencia mucho más cerca del nivel de
Fermi y aumentan en gran medida el número de estados parcialmente llenos.
Algunos materiales semiconductores de banda ancha se denominan a
veces semiinsuladores. Cuando no están dopados, tienen una conductividad
eléctrica más cercana a la de los aislantes eléctricos, pero pueden doparse, lo
que los hace tan útiles como los semiconductores. Los semiinsuladores tienen
aplicaciones especializadas en microelectrónica, como los sustratos para
HEMT. Un ejemplo de semiinsulador común es el arseniuro de galio.10 Algunos
materiales, como el dióxido de titanio, pueden incluso utilizarse como
materiales aislantes para algunas aplicaciones, mientras se tratan como
semiconductores de brecha ancha para otras.
Portadores de carga (electrones y huecos)[editar]
Artículo principal: Hueco de electrón
El llenado parcial de los estados en la parte inferior de la banda de conducción
puede entenderse como la adición de electrones a dicha banda. Los electrones
no permanecen indefinidamente debido a la recombinación térmica natural,
pero pueden desplazarse durante algún tiempo. La concentración real de
electrones suele ser muy diluida, por lo que, a diferencia de los metales, es
posible pensar en los electrones de la banda de conducción de un
semiconductor como una especie de gas ideal clásico, en el que los electrones
vuelan libremente sin estar sujetos al principio de exclusión de Pauli. En la
mayoría de los semiconductores, las bandas de conducción tienen una relación
de dispersión parabólica, por lo que estos electrones responden a las fuerzas
(campo eléctrico, campo magnético, etc.) de forma muy parecida a como lo
harían en el vacío, aunque con una masa efectiva diferente. 9 Dado que los
electrones se comportan como un gas ideal, también se puede pensar en la
conducción en términos muy simplistas, como el modelo de Drude, e introducir
conceptos como la movilidad de los electrones.
Para el llenado parcial en la parte superior de la banda de valencia, es útil
introducir el concepto de agujero electrónico. Aunque los electrones de la
banda de valencia están siempre en movimiento, una banda de valencia
completamente llena es inerte, no conduce ninguna corriente. Si se saca un
electrón de la banda de valencia, la trayectoria que normalmente habría
seguido el electrón pierde ahora su carga. Para los fines de la corriente
eléctrica, esta combinación de la banda de valencia completa, menos el
electrón, puede convertirse en una imagen de una banda completamente vacía
que contiene una partícula cargada positivamente que se mueve de la misma
manera que el electrón. Combinado con la masa efectiva negativa de los
electrones en la parte superior de la banda de valencia, llegamos a una imagen
de una partícula cargada positivamente que responde a los campos eléctricos y
magnéticos igual que lo haría una partícula normal cargada positivamente en el
vacío, de nuevo con alguna masa efectiva positiva.9 Esta partícula se llama
agujero, y la colección de agujeros en la banda de valencia puede entenderse
de nuevo en términos clásicos simples (como con los electrones en la banda de
conducción).
Generación de portadores y recombinación[editar]
Cuando la radiación ionizante incide en un semiconductor, puede excitar un
electrón fuera de su nivel de energía y, en consecuencia, dejar un hueco. Este
proceso se conoce como generación de pares electrón-hueco. Los pares
electrón-hueco también se generan constantemente a partir de la energía
térmica, en ausencia de cualquier fuente de energía externa.
Los pares electrón-hueco también son aptos para recombinarse.
La conservación de la energía exige que estos eventos de recombinación, en
los que un electrón pierde una cantidad de energía mayor que la brecha de
banda, vayan acompañados de la emisión de energía térmica o de radiación,
en ambos casos en forma de fotones).
En algunos estados, la generación y recombinación de pares electrón-hueco
están en equilibrio. El número de pares electrón-hueco en el estado
estacionario a una temperatura dada está determinado por la mecánica
estadística cuántica. Los mecanismos mecánicos cuánticos precisos de
generación y recombinación se rigen por la conservación de la energía y la
conservación del momento.
Dado que la probabilidad de que los electrones y los huecos se reúnan es
proporcional al producto de sus números, el producto es en el estado
estacionario casi constante a una temperatura determinada, siempre que no
haya un campo eléctrico significativo, que podría "tirar" portadores de ambos
tipos, o moverlos desde regiones vecinas que contengan más de ellos para que
se reúnan, o una generación de pares impulsada externamente. El producto es
una función de la temperatura, ya que la probabilidad de obtener suficiente
energía térmica para producir un par aumenta con la temperatura, siendo
aproximadamente exp(−EG/kT), donde k es la constante de Boltzmann, T es la
temperatura absoluta y EG es la banda prohibida.
La probabilidad de encuentro se ve incrementada por las trampas de
portadores, impurezas o dislocaciones que pueden atrapar un electrón o un
agujero y retenerlo hasta que se complete el par. Estas trampas de portadores
se añaden a veces a propósito para reducir el tiempo necesario para alcanzar
el estado estacionario.11
Dopaje[editar]
Artículo principal: Dopaje (semiconductores)
La conductividad de los semiconductores puede modificarse fácilmente
introduciendo impurezas en su red cristalina. El proceso de añadir impurezas
controladas a un semiconductor se conoce como dopaje. La cantidad de
impureza, o dopante, añadida a un intrínseco (puro) varía su nivel de
conductividad.12 Los semiconductores dopados se denominan extrínseco.13
Añadiendo impurezas a los semiconductores puros, la conductividad eléctrica
puede variar en factores de miles o millones.14
Una muestra de 1 cm3 de un metal o semiconductor tiene el orden de
1022 átomos.15 En un metal, cada átomo dona al menos un electrón libre para la
conducción, por lo que 1 cm3 de metal contiene del orden de 1022 electrones
libres,16 mientras que una muestra de 1 cm3 de germanio puro a 20 °C contiene
unos 4,2<e<22 átomos, pero sólo para 2,5<e<13 electrones libres y 2,5<e<13
huecos. La adición de 0,001% de arsénico (una impureza) dona un extra
de 1017 electrones libres en el mismo volumen y la conductividad eléctrica se
incrementa en un factor de 10 000.1718.
Los materiales elegidos como dopantes adecuados dependen de las
propiedades atómicas tanto del dopante como del material a dopar. En general,
los dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican
como aceptantes o donantes. Los semiconductores dopados con
impurezas donantes se denominan tipo n, mientras que los dopados con
impurezas aceptantes se conocen como tipo p. Las designaciones de tipo n y p
indican qué portador de carga actúa como portador mayoritario del material. El
portador opuesto se denomina portador minoritario, que existe debido a la
excitación térmica en una concentración mucho menor en comparación con el
portador mayoritario.19
Por ejemplo, el semiconductor puro silicio tiene cuatro electrones de valencia
que enlazan cada átomo de silicio con sus vecinos.20 En el silicio, los dopantes
más comunes son elementos del grupo III y del grupo V. Todos los elementos
del grupo III contienen tres electrones de valencia, por lo que funcionan como
aceptores cuando se utilizan para dopar el silicio. Cuando un átomo aceptor
sustituye a un átomo de silicio en el cristal, se crea un estado vacante (un
"agujero" de electrones), que puede moverse por la red y funcionar como
portador de carga. Los elementos del grupo V tienen cinco electrones de
valencia, lo que les permite actuar como donantes; la sustitución de estos
átomos por silicio crea un electrón libre adicional. Por lo tanto, un cristal de
silicio dopado con boro crea un semiconductor de tipo p, mientras que uno
dopado con fósforo da lugar a un material de tipo n.21
Durante la fabricación, los dopantes pueden difundirse en el cuerpo del
semiconductor por contacto con compuestos gaseosos del elemento deseado,
o bien puede utilizarse la implantación de iones para posicionar con precisión
las regiones dopadas.
Semiconductores amorfos[editar]
Algunos materiales, cuando se enfrían rápidamente a un estado amorfo vítreo,
tienen propiedades semiconductoras. Entre ellos se encuentran el B, el Si, el
Ge, el Se y el Te, y existen múltiples teorías para explicarlos. 2223

Tipos de semiconductores[editar]

Semiconductor intrínseco

En 1727 Stephen Gray descubrió la diferencia entre conductores y aislantes.

Después, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y
que describen la proporcionalidad entre la corriente y el voltaje a un conductor
y también es posible determinar la conductividad eléctrica de cualquier objeto.
Semiconductores intrínsecos[editar]
Son los cristales de silicio o germanio que forma una
estructura, tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de
conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia.24 Las
energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el
silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones
pueden caer desde el estado energético correspondiente en la banda de
conducción a un hueco en la banda de valencia, liberando así energía. Este
fenómeno se conoce como "recombinación". A una determinada temperatura,
las velocidades de creación de pares electrón-hueco, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos
permanece constante. Sea "n" la concentración de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se
cumple entonces que:24
ni = n = p
donde ni es la concentración intrínseca del
semiconductor, función exclusiva de la temperatura
y del elemento en cuestión. Los electrones y los
huecos reciben el nombre de portadores. La
densidad o concentración intrínseca de portadores
es muy baja. 24
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente
(27 ºC):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
En los semiconductores, ambos tipos de
portadores contribuyen al paso de la
corriente eléctrica. Si se somete el
cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes eléctricas. Por
un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de
conducción, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia, que tenderán
a saltar a los huecos próximos ,
originando una corriente de
huecos con 4 capas ideales y en la
dirección contraria al campo eléctrico
cuya velocidad y magnitud es muy
inferior a la de la banda de conducción.
Semiconductores
extrínsecos[editar]
Si a un semiconductor intrínseco, como
el anterior, se le añade un pequeño
porcentaje de impurezas, es decir,
elementos trivalentes o pentavalentes,
el semiconductor se denomina
extrínseco, y se dice que está dopado.
Las impurezas deberán formar parte de
la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente átomo de silicio.24
Semiconductor tipo N[editar]

Estructura de bandas de un semiconductor de

tipo N. Los círculos negros representan
 los electrones en la banda de conducción
(naranja), mientras que los blancos serían
los huecos en la banda de valencia (azul). La
imagen muestra que los electrones son los
portadores de carga mayoritarios.

Un semiconductor tipo N se obtiene

llevando a cabo un proceso
de dopado añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso negativos
o electrones).25
Cuando se añade el material dopante,
aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del
semiconductor. Este tipo de agente
dopante es también conocido
como material donante, ya que da
algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de
producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a
entender cómo se produce
el dopaje tipo n considérese el caso
del silicio (Si). Los átomos del silicio
tienen una valencia atómica de cuatro,
por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los átomos
de silicio adyacentes. Si un átomo con
cinco electrones de valencia, tales como
los del grupo 15 de la tabla periódica —
p. ej., fósforo (P), arsénico (As)
o antimonio (Sb)—, se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un átomo de
silicio, entonces ese átomo tendrá
cuatro enlaces covalentes y un electrón
no enlazado. Este electrón extra da
como resultado la formación de
"electrones libres", el número de
electrones en el material supera
ampliamente el número de huecos, en
ese caso los electrones son
los portadores mayoritarios y los huecos
son los portadores minoritarios. A causa
de que los átomos con cinco electrones
de valencia tienen un electrón extra que
"dar", son llamados átomos donadores.
Nótese que cada electrón libre en el
semiconductor nunca está lejos de un
ion dopante positivo inmóvil, y el
material dopado tipo N generalmente
tiene una carga eléctrica neta final de
cero.
Semiconductor tipo p[editar]

Estructura de bandas de un semiconductor de

tipo P. Los círculos negros representan los
electrones en la banda de conducción
(naranja), mientras que los blancos serían los
huecos en la banda de valencia (azul). La
imagen muestra que los huecos son los
portadores de carga mayoritarios.

Un semiconductor tipo P se obtiene

llevando a cabo un proceso de dopado,
añadiendo un cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres
(en este caso positivos o huecos).25
Cuando se añade el material dopante
libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del
semiconductor. Este agente dopante es
también conocido como material
aceptor y los átomos del semiconductor
que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de
crear abundancia de huecos.26 En el
caso del silicio, un átomo tetravalente
(típicamente del grupo 14 de la tabla
periódica) se le une un átomo con tres
electrones de valencia, tales como los
del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al,
Ga, B, In), y se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un átomo de
silicio, entonces ese átomo tendrá tres
enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrará en
condición de aceptar un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No
obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protón del
átomo situado en la posición del hueco
se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado como una cierta carga
positiva. Cuando un número suficiente
de aceptores son añadidos, los huecos
superan ampliamente la excitación
térmica de los electrones. Así, los
huecos son los portadores mayoritarios,
mientras que los electrones son
los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules
(tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.

Referencias[editar]
1. ↑ Servicio, Staff Editorial de
Electrónica y (4 de diciembre de
2014). Electrónica y Servicios:
Equipos de tecnología básica en
audio y video. México Digital
Comunicación S.A. de C.V.
Consultado el 10 de febrero de
2018.
2. ↑ Gil, José Moreno; Minassian,
Máximo Romero (2009-
11). Reglamento de eficiencia
energética en instalaciones de
alumbrado exterior  : y sus
instrucciones técnicas
complementarias EA-01 a EA-07.
Editorial
Paraninfo. ISBN 9788428332019.
Consultado el 10 de febrero de
2018.
3. ↑ Feynman, Richard
(1963). Feynman Lectures on
Physics. Basic Books.
4. ↑ «[Link] The "hot-probe"
experiment». [Link].
Consultado el 27 November
2020.
5. ↑ Shockley, William
(1950). Electrons and holes in
semiconductors  : with
applications to transistor
electronics. R. E. Krieger Pub.
Co. ISBN 978-0-88275-382-9.
6. ↑ «Materiales Semiconductores,
PVEducation». [Link]
.org. Consultado el 2 de
diciembre de 2019.
7. ↑ Yu, Peter
(2010). Fundamentals of
Semiconductors. Berlin:
Springer-Verlag. ISBN 978-3-642-
00709-5.
8. ↑ As in the Mott formula for
conductivity, see Cutler, M.; Mott,
N. (1969). «Observation of
Anderson Localization in an
Electron Gas». Physical
Review 181 (3):
1336. Bibcode:1969PhRv..181.1336C. d
oi:10.1103/PhysRev.181.1336.
9. ↑ Saltar a:a b c Charles
Kittel (1995) Introduction to Solid
State Physics, 7th ed.
Wiley, ISBN 0-471-11181-3.
10. ↑ J. W. Allen (1960). «Gallium
Arsenide as a semi-
insulator». Nature187 (4735):
403-05. Bibcode:1960Natur.187..403A. 
S2CID 4183332. doi:10.1038/187403b0.
11. ↑ Louis Nashelsky, Robert
[Link]. Electronic Devices
and Circuit Theory (9th edición).
India: Prentice-Hall of India
Private Limited. pp. 7-
10. ISBN 978-81-203-2967-6.
12. ↑ Nave, R. «Semiconductores
dopados». Consultado el 3 de
mayo de 2021.
13. ↑ Y., Roshni. html «Diferencia
entre semiconductores
intrínsecos y extrínsecos».
Consultado el 3 de mayo de
2021.
14. ↑ «Lección 6: Semiconductores
extrínsecos». Consultado el 3 de
mayo de 2021.
15. ↑ html «Problemas generales de
celdas unitarias». Consultado el
3 de mayo de 2021.
16. ↑ Nave, R. [Link]-
[Link]/hyperphysics/hyper
physics/hbase/electric/[Link]
ml «Ley de Ohm, visión
microscópica». Consultado el 3
de mayo de 2021.
17. ↑ Van Zeghbroeck, Bart
(2000). htm «Densidades de
portadores». Consultado el 3 de
mayo de 2021.
18. ↑ «Corte de banda y
concentración de portadores
 (Ge)». Consultado el 3 de mayo
de 2021.
19. ↑ «Doping: n- y p-
semiconductores». Consultado el
3 de mayo de 2021.
20. ↑ Nave, R. «Silicio y Germanio».
Consultado el 3 de mayo de
2021.
21. ↑ Honsberg, Christiana; Bowden,
Stuart. «Materiales
semiconductores». Consultado el
3 de mayo de 2021.
22. ↑ Semiconductores amorfos 1968
23. ↑ Hulls, K.; McMillan, P. W. (22
de mayo de 1972).
«Semiconductores amorfos: una
revisión de las teorías
actuales». Journal of Physics D:
Applied Physics 5 (5): 865-
82. doi:10.1088/0022-3727/5/5/205.
24. ↑ Saltar a:a b c d Collantes, Daniel
Pardo; Vega, Luis Alberto &
Bailón (2006). Fundamentos de
electrónica digital. Universidad
de
Salamanca. ISBN 9788478004010.
Consultado el 10 de febrero de
2018.
25. ↑ Saltar a:a b Servicio, Staff Editorial
de Electrónica y (4 de diciembre
de 2014). Electrónica y Servicios:
Equipos de tecnología básica en
audio y video. México Digital
Comunicación S.A. de C.V.
Consultado el 10 de febrero de
2018.
26. ↑ Domínguez, Esteban José (7
de octubre de
2011). Componentes eléctricos y
electrónicos básicos (Sistemas
de carga y arranque).
Editex. ISBN 9788490031513.
Consultado el 1 de agosto de
2019.

Véase también[editar]
 Circuito integrado
 Conductividad eléctrica
 Diodo
 Nanotecnología
 Silicio
 Transistor
 Unión PN
 Polímero semiconductor
  Anexo:Materiales
semiconductores

Bibliografía[editar]
 A. A. Balandin; K. L. Wang
(2006). Handbook of
Semiconductor
Nanostructures and
Nanodevices (5-Volume Set).
American Scientific
Publishers. ISBN 978-1-58883-
073-9.
 Sze, Simon
M. (1981). Physics of
Semiconductor Devices (2nd
ed.). John Wiley and Sons
(WIE). ISBN 978-0-471-05661-4. (
requiere registro).
 Turley, Jim (2002). The
Essential Guide to
Semiconductors. Prentice Hall
PTR. ISBN 978-0-13-046404-0. (re
quiere registro).
 Yu, Peter Y.; Cardona,
Manuel
(2004). Fundamentals of
Semiconductors : Physics
and Materials Properties.
Springer. ISBN 978-3-540-41323-
3.
 Sadao Adachi (2012). The
Handbook on Optical
Constants of
Semiconductors: In Tables
and Figures. World Scientific
Publishing. ISBN 978-981-4405-
97-3.
 G. B. Abdullayev, T. D.
Dzhafarov, S. Torstveit
(Translator), Atomic Diffusion
in Semiconductor
Structures, Gordon & Breach
Science Pub.,
1987 ISBN 978-2-88124-152-
9

Enlaces externos[editar]
  "Aniquilación de Positrones
en Semiconductores"
 "Algunos estudios de
semiconductores con
Espectroscopía". Positron
Lab, Como, Italy

Semiconductores y
electrónica[editar]
  Wikimedia
Commons alberga una
categoría multimedia
sobre Semiconductor.
 * Física de semiconductores

 Proyectos Wikimedia

  Datos: Q11456

  Multimedia: Semiconductors

 Identificadores

 BNF: 11935848w (data)

 GND: 4022993-2

 LCCN: sh85119903

 NDL: 00562913

 Microsoft Academic: 108225325

 Diccionarios y enciclopedias

 Britannica: url

 Identificadores médicos

 MeSH: D012666

 Ontologías

 Número IEV: 121-12-06
Categorías: 
 Semiconductores
 Terminología electrónica
Menú de navegación
  No has accedido
 Discusión
 Contribuciones
 Crear una cuenta
 Acceder
 Artículo
 Discusión
 Leer
 Editar
 Ver historial
Buscar
Buscar Ir

 Portada
 Portal de la comunidad
 Actualidad
 Cambios recientes
 Páginas nuevas
 Página aleatoria
 Ayuda
 Donaciones
 Notificar un error
Herramientas
 Lo que enlaza aquí
 Cambios en enlazadas
 Subir archivo
 Páginas especiales
 Enlace permanente
 Información de la página
 Citar esta página
 Elemento de Wikidata
Imprimir/exportar
 Crear un libro
 Descargar como PDF
 Versión para imprimir
En otros proyectos
 Wikimedia Commons
En otros idiomas
 ‫العربية‬
 Буряад
 English
 हिन्दी
 Bahasa Indonesia
 Bahasa Melayu
 Русский
 ‫اردو‬
 中文
94 más
Editar enlaces
 Esta página se editó por última vez el 1 jul 2021 a las 21:11.
 El texto está disponible bajo la Licencia Creative Commons Atribución Compartir
Igual 3.0; pueden aplicarse cláusulas adicionales. Al usar este sitio, usted acepta
nuestros términos de uso y nuestra política de privacidad.
Wikipedia® es una marca registrada de la Fundación Wikimedia, Inc., una
organización sin ánimo de lucro.
 Política de privacidad

 Acerca de Wikipedia

 Limitación de responsabilidad

 Versión para móviles

 Desarrolladores

 Estadísticas

 Declaración de cookies