Instituto Tecnológico de Costa Rica – Laboratorio de Circuitos Discretos 1

Experimento 6 – Diseño de circuitos de

polarización de JFET
Rosales, Luis

valores necesarios para los elementos externos a usar en el

Objetivos— 1) Diseñar un circuito de auto-polarización de un circuito.
JFET para un punto de operación dado. En este experimento se trabajará con el diseño de 2
2) Diseñar un circuito de polarización de JFET por divisor de circuitos: el de autopolarización y el de divisor de tensión. En
tensión para un punto de operación dado.
cada caso, se sugerirá un punto de operación Q donde se
3) Probar experimentalmente ambos diseños en el laboratorio y
re-diseñar si es necesario satisfagan las condiciones de operación en CD mientras que se
permite una operación en AC que permita amplificar sin
distorsionar la señal. En el experimento se construirá el
I. EQUIPO REQUERIDO circuito diseñado para confirmar que tanto se alejan las
condiciones reales del diseño y se realizarán ajustes para
Instrumentos:
lograr la operación.
• Multímetro Digital (DMM)
• Osciloscopio de 2 canales.
III. PROCEDIMIENTO
• Fuente de tensión CD
• Bateria de 9V con conectores (opcional) Parte A – Determinar IDSS y VPinchOff.
Componentes:
A-1 Construya el circuito de la figura E6-1.
• Resistencias:
A-2 Lleve el JFET a saturación. Varíe el potenciómetro
o 1 kΩ [1]
hasta que el valor de VGS a 0v y mida VRD. Calcule (use el
o Potenciómetro 1 kΩ [1]
valor medido para RD):
o Como este experimento se trata de diseño, se
ID=IDSS=VRD/RD
deben calcular los valores de componentes
A-3 Lleve el JFET a corte, esto es hacer que VGS sea cada
necesarios antes de ensamblar el circuito en
vez más negativo hasta lograr que VRD≈1mV, y por ende
el laboratorio.
ID=VRD/RD.
• Transistores:
Como ID es pequeño (ID≈0µA), el voltaje resultante VGS es
o JFET 2N4416 (ó equivalente) (1)
el voltaje de pinchado (VPinchOff)
II. RESUMEN TEÓRICO
Al igual que los BJT, los JFET pueden operar en 3 modos:
corte, saturación y lineal. Las características físicas del JFET y
los elementos externos que se conectan al mismo son los que
determinan la ubicación del punto de operación Q dentro de
una de estas 3 regiones. En este experimento se buscará
diseñar circuitos que logren ubicar al JFET en un punto de
operación Q dado.
JFETs, incluso del mismo tipo y fabricante pueden tener
variaciones significativas de sus características, en
consecuencia, en raras ocasiones los fabricantes publican
curvas características de corriente de drenador. En su lugar, se
especifican los valores de corriente de saturación (IDSS) y el
voltaje de pinchado (VPinchOff). El diseñador puede construir
las curvas características de polarización del transistor a partir
de estos valores y un punto cualquiera elegido de la ecuación
de Shockley que describe la relación entre ID y VGS.
Las curvas determinadas y la especificación del punto de
operación Q son los valores necesarios para calcular los
Figura E6-1 – Circuito para determinar IDSS y VPinchOff
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Parte B – Circuito de auto-polarización. transferencia como el punto de operación Q para el circuito de

autopolarización.
Para esta parte del experimento se determinarán los valores
de RD y RS en un circuito de auto-polarización. B-4 Determine el valor de RS a partir de:
Asuma que el punto de operación Q se ubique en: ∆𝑉 ∆𝑉𝐺𝑆
𝑅𝑆 = � � = � �
IDQ=IDSS/2 ∆𝐼 ∆𝐼𝐷
VDSQ=VDSMAX/2 Donde Δ representa la variación desde el punto de origen
VDD= 2VDSQ hasta el punto de operación Q.
RS=__________________
B-1 Usando el punto de operación especificado, los Determine el valor comercial de RS más cercano al
resultados de la parte A y la siguiente constante de diseño: calculado.
VDSMAX=30V RS-Comercial=__________________
Calcule y anote en la figura E6-1 los valores de IDQ, VDSQ y
VDD B-5 Calcule el valor de RD a partir de la ley de Kirchoff en
la malla externa del circuito y de la aplicación de la ley de
Ohm:
VRD=VDD-VDSQ-VRS
VRS=IDQ*RS
Donde RS es el valor medido y VDSQ y VDD son los valores
calculados en B-1.
Anote el valor de VRD.
VRD=__________________

B-6 Con los valores calculados en VRD (B-5) y de IDQ (B-1),

calcule y anote RD. Anote el valor comercial más cercano al
valor calculado.
RD=__________________
RD-Comercial=_____________

B-7 Usando los valores calculados de RD, RS y VDD, arme el

circuito de la figura E6-2 en el protoboard. Mida
experimentalmente los valores de la tabla E6-1 y compare con
Figura E6-2 – Circuito por auto-polarización respecto a los valores calculados

B-2 Usando los valores de IDSS y VPinchOff calculados en la Tabla E6-1 Mediciones y valores teóricos
parte A, dibuje la curva de transferencia. Utilice la figura E6-3 Calculado Medido %Diferencia
de ser necesario. VDSQ(V)
IDQ(mA)

B-8 ¿Qué tan altos son los porcentajes de variación? ¿Se dá

por satisfecho con los resultados del diseño? ¿Cómo lo
optimizaría?

B-9 Intercambie el JFET 2N4416 con el de los compañeros de

otro grupo e insértelo en su circuito.
¿Cuáles son los valores de IDSS y VPinchado para el nuevo
JFET?
IDSS=__________________
Vpinchado=_______________

Mida nuevamente IDQ y VDSQ. ¿Qué tanto difieren de los

Figura E6-3 – Curva de transferencia circuito auto-
valores calculados? Comente los resultados. ¿Qué tan
polarización
dependiente es el diseño de las características del transistor?
B-3 Con la escogencia de IDQ=IDSS/2 se permite una VDQ=__________________
extensión del rango de operación de AC. Trace una línea IDQ=___________________
horizontal en la figura E6-3 en ID=IDSS/2.
Identifique el punto donde se interseca con la curva de B-10 Las especificaciones para el JFET 2N4416 indica un
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rango desde 5mA hasta 15mA para IDSS y desde -1V a -6V Calcule y anote VRD:
para Vpinchado. VRD=__________________
¿Los valores estimados para los 2 JFET están dentro del rango
especificado? A partir de la ley de Ohm, calcule RD:
¿Determine si utilizar el valor medio de los rangos (10mA y - RD= VRD/IDQ __________________
3.5V) como escogencia de diseño es una técnica acertada para Anote el valor comercial más cercano al valor calculado:
los casos en que IDSS y VPinchado no son conocidos? RD-Comercial=_____________

Parte C – Circuito por división de tensión.

En esta parte del experimento se determinará el valor de RD,

RS, R1 y R2 necesarios para construir el circuito de
polarización por división de tensión a partir de un punto de
operación Q dado. En este caso, se va a trabajar con:
• IDQ=4mA
• VDSQ=8V

Además,
• VDD=20V
• R2=10RS

C-1 Primero ubique el punto de operación Q en la figura

E6-3 trazando una línea horizontal en ID=IDQ=4mA y busque Figura E6-4 – Circuito por divisor de tensión
el punto de intersección con la curva de transferencia.
Identifique y anote el valor de voltaje que corresponde al
punto de operación: C-4 Calcule R1 y R2 a partir de la siguiente ecuación:
VGS-Gráfico=__________________ 𝑅2 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2
El método para calcular VGS es:
VGS=VG – ID*RS Además recuerde que: R2=10RS.
Calcule el valor de R2 a partir del valor calculado de RS.
C-2 Ahora se debe tomar una decisión de diseño. Los Determine el valor comercial de R2 que más se acerca al
valores de VG y RS son desconocidos. Se sabe que VG debe ser calculado.
positivo, pero si se hace muy pequeño causa que RS sea R2=__________________
reducido lo que causa efecto indeseable de tener un nivel de R2-Comercial=_____________
disipación de CD alto. Al mismo tiempo, si se hace muy
grande, se compromete la capacidad de entrega de voltaje de C-5 Usando el valor especificado de VDD, el valor calculado
la fuente. Por lo que se sugiere utilizar: de VG y el valor comercial de R2, calcule el valor de R1.
VG=|VPinchado| Determine el valor comercial más cercano.
R1=__________________
Con este dato y el valor calculado de VGS se puede obtener R1-Comercial=_____________
el valor de RS. Anote el valor calculado y el valor comercial
más cercano. C-6 Usando los valores comerciales calculados, ensamble el
RS =__________________ circuito de la figura E6-4, mida experimentalmente los valores
RS-Comercial=_____________ de VDSQ y IDQ. Anótelos en la tabla E6-2. Compare contra los
valores especificados como restricciones de diseño.
Con el valor calculado de RS, VDSQ y de IDQ, calcule el
valor de VG. Tabla E6-2 Mediciones y valores teóricos
RS =__________________ Diseño Medido %Diferencia
VDSQ(V) 8V
¿Qué tanto se aleja del valor de VPinchado? (Comente) IDQ(mA) 4mA

C-3 Para la malla de salida, se cumple que: Considerando los porcentajes de diferencia: ¿Se siente
VRD=VDD-VDSQ-VRS satisfecho con el diseño logrado?
Describa ¿Cómo puede mejorarse el diseño de manera que
Donde: los porcentajes de diferencia queden por debajo del 10%?
VRS=IDQ*RS-Medido
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C-7 Nuevamente, tome prestado un JFET de otro grupo de

trabajo. Insértelo en su circuito de pruebas y mida IDQ, VDSQ y
VRD. Anote también los valores de IDSS y VPinchado para el
nuevo JFET.
¿Qué tanto varían los valores?
Comparado con el circuito de auto-polarización, ¿Cuál de
los 2 presenta mayor variación por dependencia de las
características propias del JFET?

IV. PROBLEMAS Y EJERCICIOS

A) Suponga un punto de operación Q dado por IDSS=10mA
y VPinchado=-3.5V. Re-diseñe el circuito de auto-
polarización y anote los valores calculados de RD y RS.
RD=_______________
RS=_______________

Determine si los valores calculados tienen un

porcentaje de variación menor a 20% con respecto a los
valores calculados en el experimento.
Comente.

B) Suponga un punto de operación Q dado por IDSS=10mA

y VPinchado=-3.5V. Re-diseñe el circuito de polarización
por división de tensión y anote los valores calculados
de R1, R2, RD y RS.
R1=_______________
R2=_______________
RD=_______________
RS=_______________

Determine si los valores calculados tienen un

porcentaje de variación menor a 20% con respecto a los
valores calculados en el experimento.
Comente.

C) ¿Cómo manejaría las variaciones de las características

propias de un JFET que a su vez causan variaciones en
IDSS y VPinchado para que su interferencia en el diseño
sea minimizada?

BIBLIOGRAFÍA
[1] Boylestad, R. & Naschelsky, L. "Electrónica: Teoría de Circuitos".