Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada
(conocido por la sigla IGBT, del inglés
Insulated Gate Bipolar Transistor) es un
dispositivo semiconductor que se aplica
como interruptor controlado en circuitos
de electrónica de potencia. Este
dispositivo posee las características de las
señales de puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad de alta
corriente y bajo voltaje de saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un
solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en
particular en los variadores de frecuencia, así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas,
convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.
Historia
os inventores japoneses K. Yamagami y Y. Akakiri, de la empresa japonesa Mitsubishi, propusieron
en 1968 un dispositivo de cuatro capas alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento
fuera controlado mediante una estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico
(MOS), sin acción regenerativa. Esta patente fue concedida en 1972 bajo el código SHO 47-21739.1
2Este modo de operación fue reportado experimentalmente por vez primera en 1978 en un
rectificador controlado de silicio (SCR) por los estadounidenses Brad W. Scharf y James D.
Plummer, quienes no persiguieron la comercialización de sus ideas sobre el dispositivo.3El modo
de operación descrito por ambos investigadores también fue descubierto de manera experimental
por J. Jayant Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó "dispositivo MOSFET con surco vertical
con la región de drenaje reemplazada por una región de ánodo de tipo P".4 Plummer solicitó una
patente para el dispositivo que propuso en 1978.5
Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley quienes presentaron
una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de potencia con una región de
ánodo".6Esta patente ha sido llamada "la patente seminal del transistor bipolar de puerta aislada."
7 En la patente se afirmó que "ninguna acción de tiristores se produce en todas las condiciones de
funcionamiento del dispositivo." Esto significa sustancialmente que el dispositivo exhibe operación
de IGBT sin enclavamiento a lo largo de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.
Características
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido
al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT
consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del
orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de
corriente de un bipolar pero no requiere de la
corriente de base para mantenerse en conducción. Sin
embargo, las corrientes transitorias de
conmutación de la base pueden ser igualmente
altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los MOSFET.
Maneja más potencia que los segundos siendo
más lento que ellos y lo inverso respecto a los
primeros.
Circuito equivalente de un IGBT.
Este es un dispositivo para la conmutación en
sistemas de alta tensión. La tensión de control
de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la
ventaja de controlar sistemas de potencia
aplicando una señal eléctrica de entrada muy
débil en la puerta.
