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Parcial de Ciencia de Materiales I

El documento es un examen parcial de Ciencia de los Materiales I de la Universidad Tecnología de Panamá, que incluye varias preguntas sobre propiedades y comportamientos de materiales, como la difusión de átomos y cálculos relacionados con estructuras cristalinas. Los estudiantes deben seguir instrucciones específicas para la presentación y entrega del examen, incluyendo el uso de un formato PDF. Las preguntas abarcan temas como la retícula constante, la difusión de aluminio en cobre y silicio, y cálculos de densidad y energía de activación.

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Parcial de Ciencia de Materiales I

El documento es un examen parcial de Ciencia de los Materiales I de la Universidad Tecnología de Panamá, que incluye varias preguntas sobre propiedades y comportamientos de materiales, como la difusión de átomos y cálculos relacionados con estructuras cristalinas. Los estudiantes deben seguir instrucciones específicas para la presentación y entrega del examen, incluyendo el uso de un formato PDF. Las preguntas abarcan temas como la retícula constante, la difusión de aluminio en cobre y silicio, y cálculos de densidad y energía de activación.

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UNIVERSIDAD TECNOLOGÍA DE PANAMÁ

FACULTAD DE INGENIERÍA INDUSTRIAL


DEPARTAMENTO DE CIENCIA E INGENIERÍA DE LOS MATERIALES
PARCIAL #1
CIENCIA DE LOS MATERIALES I

Estudiante Cédula Profesor: Plinio R. Hines.


____________________ ___________________
Grupo:

LA TAREA DEBE INCLUIR ESTA PÁGINA, CON EL NOMBRE DEL ESTUDIALES (SIN EXCEPCIONES).
• Sea claro y ordenado.
• Resolver en computadora o a mano (usar lápiz de mina no tenue o bolígrafo), procedimiento
o repuesta que no se entienda no será tomado en cuenta. Realizar el paso a paso de las
operaciones y señalizar sus repuestas.
• Subir en PDF el archivo en la plataforma, en el espacio habilitado según su grupo.
• Los ejercicios cortos y parciales se manejarán tal como lo indica el documento “PLAN DE
DESARROLLO DE ACTIVIDADES ACADÉMICAS”.
• El espacio para subir el parcial se cerrará 15 minutos después del tiempo indicado en este
archivo, impidiendo la entrega de nuevos archivos.

1) El espacio interplanar 𝑑310 en un elemento BCC es 0.1587 nm. [5 puntos c/u]


a) ¿Cuál es su retícula constante a?
b) ¿Cuál es el radio atómico del elemento?
c) ¿Cuál podría ser este elemento?

2) Se difunde Al en Cu puro a 1000 ºC durante 5 horas. Cuál es la profundidad bajo la superficie a la que la
concentración es 1017 at/𝑐𝑚3 si la concentración en la superficie es de 1018 at/𝑐𝑚3 . Datos: 𝐸 = 0.3𝑋10−18
J/at; 𝐷0 = 4𝑋10−5 𝑚2 /𝑠. [15 puntos]

3) Calcular las pérdidas de nitrógeno almacenado a temperatura ambiente en el interior de una esfera de acero de
3 cm de espesor y 1 m de radio, en el instante en que la concentración en el interior es de 1020 𝑎𝑡/𝑐𝑚3 y en el
exterior 1018 𝑎𝑡/𝑐𝑚3. ¿Qué porcentaje de estas pérdidas se eliminaría almacenando el nitrógeno a 0 ºC?
Datos: 𝑄 = 18300 𝑐𝑎𝑙/𝑚𝑜𝑙; 𝐷0 = 0,0047 𝑐𝑚2 /𝑠; 𝑅 = 1,987 𝑐𝑎𝑙/𝑚𝑜𝑙 𝐾. [25 puntos]

4) El espectro de difracción de rayos X de una muestra de litio en polvo, presenta picos de difracción en los
ángulos 2𝜃 de 36,2°, 52°, 65,1° y 76,8°, con una radiación Cu K∝ con una longitud de onda de 0,1542 nm.
a) Sabiendo que el litio cristaliza en el sistema cúbico centrado en el cuerpo, calcular su parámetro de red...
b) Empleando la ley de Bragg, 𝑑 = 𝑛𝜆/2 sin 𝜃, calcular la distancia interplanar correspondiente a los planos
(211).
c) Si su masa atómica es de 6,94 g, calcular la densidad teórica, considerando el número de Avogadro.
d) Calcular el radio del mayor hueco intersticial que encontramos en posiciones octaédricas, sabiendo que se
encuentran en las posiciones cristalinas del tipo (½, ½, 0). [25 puntos]
2
5) La capacidad de difusión de los átomos de cobre en la red del aluminio es de 7.50𝑥10−13 m /s a 600 0C y de
2.50x10−15 𝑚2 /s a 400 0C. Calcule la energía de activación en kJ/mol para este intervalo de temperatura. [10
puntos]

6) Si se difunde aluminio en una oblea gruesa de silicio sin contenido previo de aluminio a la temperatura de
11000C durante 6 horas, ¿Cuál es la profundidad por debajo de la superficie en que la concentración es de 1016
átomos/cm3? D = 2x10-12cm2/s para la difusión del aluminio en silicio a 11000C. [10 puntos]

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