GUIA DE APRENDIZAJE
MÓDULO: ELECTRÓNICA SEDE - TACNA
AUTOMOTRIZ
AÑO 2020 MODULO N° 02
SEMANA N°08 CIRCUITOS DE ECU AUTOMOTRIZ
DURACIÓN 04 HORAS
ESTUDIANTE
LECCION N°08: DRIVERS O SALIDAS DE LA COMPUTADORA DE MOTOR DE COMBUSTIÓN INTERNA.
Actividad N° 01 Empezamos describiendo el tema vinculado a la electrónica de potencia:
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos,
de acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conducción o cierre
(ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no
disponen de ningún terminal de control externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR
(“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en
conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los
terminales del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF)
lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en conducción,
pero no así del bloqueo del dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (“Bipolar
Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor”), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y
los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.
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MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors).
Así como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los MOSFET son transistores controlados
por tensión. Ello se debe al aislamiento (óxido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos
básicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrónica de Potencia los más comunes son los
primeros, por presentar menores pérdidas y mayor velocidad de conmutación, debido a la mayor movilidad de los
electrones con relación a los agujeros.
Si bien el TBP fue inventado a finales de los años 40, ya en 1925 fue registrada una patente que se
refería a un método y un dispositivo para controlar el flujo de una corriente eléctrica entre dos terminales
de un sólido conductor. Así mismo, tal patente, que se puede considerar como la precursora de los
Transistores de Efecto de Campo, no redundó en un componente práctico, puesto que entonces no había
tecnología que permitiese la construcción de los dispositivos. Esto se modificó en los años 60, cuando
surgieron los primeros FETs, pero aún con limitaciones importantes con respecto a las características de
conmutación. En los años 80, con la tecnología MOS, fue posible construir dispositivos capaces de
conmutar valores significativos de corriente y tensión, con velocidad superior al que se obtenía con los
bipolares.
Principio de funcionamiento y estructura
El terminal de puerta G (Gate) está aislado del semiconductor por óxido de silicio (SiO2). La unión PN define un diodo
entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS < 0. El funcionamiento como transistor
ocurre cuando VDS > 0. Cuando una tensión VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los agujeros
en la región P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres.
Cuando esta tensión alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente por efecto
térmico) presentes en la región P son atraídos y forman un canal N dentro de la región P, por el cual se hace posible
la circulación de corriente entre D y S. Aumentando VGS, más portadores son atraídos, ampliando el canal,
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reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada “región
óhmica”.
La circulación de ID por el canal produce una caída de tensión que produce un “efecto embudo”, o sea, el canal es
más ancho en la frontera con la región N+ que cuando se conecta a la región N-. Un aumento de ID lleva a una
mayor caída de tensión en el canal y a un mayor “efecto embudo”, lo que conduciría a su colapso y a la extinción de
la corriente. Obviamente el fenómeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene
constante para cualquier VDS, caracterizando una región activa o de saturación del MOSFET. En la figura siguiente
se muestra la característica estática del MOSFET de potencia. Una pequeña corriente de puerta es necesaria
apenas para cargar y descargar las capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de
1012 Ohms. De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien diferenciadas:
Corte: La tensión entre la puerta y la fuente es más pequeña que una determinada tensión umbral (VT), con lo
que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
Óhmica: Si la tensión entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la tensión entre el
drenador y la fuente es pequeña, el transistor se comporta como un interruptor cerrado, modelado por una
resistencia, denominada RON.
Saturación: Si el transistor está cerrado, pero soporta una tensión drenador-surtidor elevada, éste se comporta
como una fuente de corriente constante, controlada por la tensión entre la puerta y el surtidor.
La disipación de potencia en este caso puede ser elevada dado que el producto tensión-corriente es alto.
Obviamente, en Electrónica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en corte o en óhmica (interruptor
abierto o cerrado). Atención con los nombres de las zonas de trabajo, que pueda causar confusión al lector cuando
se habla de un bipolar y de un MOSFET. Observar que la zona de saturación de un BJT corresponde a la zona
Óhmica del MOSFET y que la zona de saturación de éste corresponde a la zona activa del BJT. Uno de los
inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden manejar es bastante reducida. Para
grandes potencias es inviable el uso de estos dispositivos, en general, por la limitación de tensión. Sin embargo, son
los transistores más rápidos que existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones donde es necesario altas
velocidades de conmutación (se pueden llegar a tener aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable para los
bipolares). Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conducción RON varía
mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no se tiene un comportamiento de interruptor
casi ideal como en el caso de los bipolares. Sin embargo, su ventaja más relevante es la facilidad de control gracias
al aislamiento de la puerta. El consumo de corriente de puerta es pequeño y se simplifica el diseño del circuito de
disparo (driver) y control correspondiente. Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las
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ventajas de ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT que se describe en el
siguiente apartado.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un dispositivo híbrido, que aprovecha
las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de
los MOSFET con las pequeñas pérdidas en conducción de los BJT de potencia. La puerta está aislada del
dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un
comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. En La siguiente figura se muestra la
simbología para este tipo de transistores.
Su velocidad de conmutación, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha crecido en los últimos años,
permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes para corrientes del orden de algunas decenas de
Amperios.
Principio de funcionamiento y estructura
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión de una capa P+ que forma el colector del
IGBT, como se puede ver en la figura siguiente.
Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, típicamente 1200V y hasta 2000V (algo
impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensión de puerta. La velocidad a la que pueden trabajar
no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando
potencias bastante elevadas. En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la
región N- tiene su conductividad modulada por la inyección de portadores minoritarios (agujeros), a partir de la
región P+, una vez que J1 está directamente polarizada. Esta mayor conductividad produce una menor caída de
tensión en comparación a un MOSFET similar.
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El control del componente es análogo al del MOSFET, o sea, por la aplicación de una polarización entre puerta y
emisor. También para el IGBT el accionamiento o disparo se hace por tensión. La máxima tensión que puede
soportar se determina por la unión J2 (polarización directa) y por J1 (polarización inversa). Como J1 divide 2
regiones muy dopadas, se puede concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es polarizado
inversamente. Los IGBT presentan un tiristor parásito. La construcción del dispositivo debe ser tal que evite el
disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades asociadas a la región P. Los componentes
modernos no presentan problemas relativos a este elemento indeseado.
Actividad N° 02 Ahora focalizaremos nuestro estudio a los actuadores y drivers de la unidad de control del motor:
ETAPA DE POTENCIA DE LA COMPUTADORA AUTOMOTRIZ “ACTUADORES”
Los actuadores constituyen la interfaz entre el procesamiento de la señal (procesamiento de la información) y el
proceso (mecánico). Transforman las señales que aportan la información de ajuste, de baja potencia, en señales
potentes correspondientes a la energía necesaria para intervenir en el proceso. Los convertidores de señales
combinados con elementos amplificadores se apoyan en los principios de transformación física entre distintas
formas de energía (eléctrica – mecánica – hidráulica – térmica).
CLASIFICACIÓN DE LOS ACTUADORES
Al igual que sucede con los sensores, los actuadores son dispositivos que proliferan cada vez más en el automóvil
como consecuencia de la mayor implementación de nuevos sistemas electrónicos. Para su estudio y presentación
los actuadores pueden clasificarse de diversos modos, porque los hay de diversa naturaleza. No obstante, es
preferible clasificarlos según el principio básico de funcionamiento.
a. Electromagnético
b. Calefactores
c. Electromotores
d. Acústicos
e. Pantallas de cristal líquido.
Los actuadores son dispositivos capaces de generar acciones que posibilitan controlar un elemento o
proceso. Como las válvulas, servomotor de aceleración, bombas, actuador de ralentí (motor para paso,
caja de aire adicional), inyectores, módulos de encendido, bobinas de encendido, bobina calefactora de
oxígeno, electro ventilador, etc. Los actuadores son comandados mediante las señales de salida
generadas por la unidad central de proceso del microcontrolador a traves los convertidores digitales
analógico que son derivados mediante los drivers electrónicos de potencia como los transistores.
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Control del sistema de encendido directo.
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Actividad N° 03 Elabore gráficos del sistema de control de inyección de combustible y aceleración electrónica según
el ejemplo” control del sistema de encendido”.
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