III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

III – DIODOS

El diodo ideal
El primer dispositivo electrónico que estudiaremos es el que se denomina diodo, que es el más sencillo de
los dispositivos semiconductores, pero que desempeña un papel muy importante en los dispositivos electrónicos.
Por sus características, que son muy similares a las de un interruptor sencillo, se utiliza en una amplia variedad de
aplicaciones, que van desde las extremadamente sencillas hasta las más complejas.
Antes de analizar la construcción y las características de un diodo real, primero consideraremos el
dispositivo ideal para establecer una base de comparación. El diodo ideal es un dispositivo (no importa el material
del que esté hecho) con dos terminales, cuyo símbolo y características se indican en la figura 3.1. Estos dos
terminales se denominan ánodo y cátodo, según cual deba tener el mayor potencial y cuál el menor para hacer
que el diodo entre en estado de conducción.

Figura 3.1 – Comportamiento del diodo ideal

De manera ideal, un diodo conduce corriente en la dirección que define la flecha en el símbolo, y actuará
como un circuito abierto en cualquier intento por establecer una corriente en la dirección opuesta. En esencia, se
puede decir que un diodo ideal actúa como un interruptor que puede conducir corriente en una sola dirección.
Podemos expresar también este comportamiento de la siguiente manera: el diodo ideal es un circuito cerrado en
su región de operación de conducción, y un circuito abierto en la de no conducción. Y expresado en términos de
resistencia eléctrica, el diodo ideal en estado de conducción presenta una resistencia nula, mientras que cuando
se encuentra bloqueado o en estado de no conducción su resistencia es infinita.
Por lo general, resulta sencillo determinar si un diodo ideal se encuentra en la región de conducción o de
no conducción, simplemente observando la dirección de la corriente I D que se establece mediante un voltaje o
diferencia de potencial aplicado. Para el flujo convencional (de mayor a menor potencial, opuesto al flujo de
electrones), si la corriente resultante del diodo tiene la misma dirección que la punta de la flecha del símbolo del
diodo, éste está operando en la región de conducción (tal como se indica en la figura 3.1). Si la corriente resultante
tiene la dirección opuesta, el circuito abierto equivalente es el apropiado.
El término diodo fue acuñado en 1919 por William Eccles, basándose en las palabras griegas dia, que
significa separado, y ode, que significa camino.

Diodo Termoiónico o de estado gaseoso

Los primeros diodos prácticos eran tubos de vacío, habitualmente llamados válvulas termoiónicas. Estos
dispositivos están constituidos por dos electrodos rodeados de vacío o un gas inerte a muy baja presión, todo
encapsulado dentro de un tubo de cristal sellado, y se basan en el efecto Edison, descubierto por el famoso
inventor estadounidense. Los primeros modelos tenían un aspecto similar al de las lámparas incandescentes,
razón por la cual también se les llamó también lámparas. Estos diodos, que en un primer momento se llamaron

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rectificadores, fueron inventados en 1904 por John Fleming, de la empresa Marconi, para ser utilizados como
detectores de señales de radio.

Figura 3.2 – Diodo de estado gaseoso o válvula termoiónica.

En 1880 Thomas Edison descubre que en sus lámparas de filamento de carbón, fluía una corriente
eléctrica desde el filamento incandescente hacia una lámina metálica dispuesta en el vidrio de la lámpara, por lo
que el flujo se producía a través del vacío. Este fenómeno sólo se producía cuando la lámina estaba conectada a
un potencial positivo, y no cuando el potencial era negativo o la lámina estaba desconectada.
Al igual que las lámparas incandescentes de Edison, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a
través del cual circula corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está recubierto por un metal especial,
como óxido de bario o de estroncio, de forma tal que al calentarse emite fácilmente una nube de electrones a su
alrededor. A veces se utiliza un filamento de tungsteno para calentar el cátodo de los materiales mencionados.
Estos electrones son atraídos electrostáticamente hacia una placa cargada positivamente (el ánodo),
produciéndose así la conducción electrónica. Si el cátodo no se calienta, no puede emitir electrones. Y tampoco
los emite el ánodo (o si lo hace es insignificante), aunque se invierta la polaridad, ya que no dispone de
mecanismo de calentamiento, ni está constituido por materiales que emitan fácilmente electrones. Por eso, los
circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder
funcionar. También era frecuente que las válvulas se quemaran con mucha facilidad, además de la fragilidad
mecánica del vidrio ante golpes y vibraciones.

Figura 3.3 – Constitución, principio de funcionamiento y símbolo del diodo termoiónico o valvular.

En la primera mitad del siglo XX, los diodos de válvula termoiónica o de estado gaseoso se utilizaron en
aplicaciones para señales analógicas, de rectificación y de potencia. Actualmente, estos dispositivos se utilizan
exclusivamente para amplificadores de audio de muy alta calidad (High-End) y de guitarras eléctricas, así como en
equipos especializados de alta tensión.

Diodo Semiconductor o de estado sólido

Reseña histórica
En 1874 el científico alemán Karl Braun descubrió la propiedad de conducción unidireccional de los
cristales semiconductores, y patentó el rectificador de cristal en 1899. El detector de cristal semiconductor se

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desarrolló para la recepción de señales inalámbricas en 1903. Luego se empezó a utilizar ampliamente el sulfuro
de plomo (también conocido como galena, de ahí el nombre de las famosas radios de comienzos de la transmisión
inalámbrica), debido principalmente a su bajo costo y facilidad de obtención. La sintonización se obtenía moviendo
una aguja dispuesta sobre la superficie de la piedra de galena. Aunque aún no se conocía a ciencia cierta cuál era
la explicación física para tal fenómeno. Hacia 1930 se desarrollaron algunas aplicaciones de alta potencia para
rectificadores de óxido de cobre y selenio. Pero hasta ese momento, los diodos elaborados con cristales no
llegaban a los niveles de eficiencia y costos de los diodos termoiónicos.
En 1940 el ingeniero estadounidense Russell Ohl (1898-1987), investigador de los laboratorios Bell,
estaba trabajando con cristales semiconductores. Como no disponía de germanio en ese momento, recurrió al
silicio, desarrollando una técnica para purificarlo al 99,8%. Pero en un momento, Ohl se dio cuenta de que una de
las muestras tenía una grieta, y que curiosamente la corriente se elevaba significativamente al acercar una fuente
luminosa. Este descubrimiento condujo a investigaciones posteriores, en las que se reveló que los niveles de
pureza a cada lado de la grieta eran diferentes, y que se formaba una barrera en la unión que permitía el paso de
la corriente en una sola dirección: se había identificado y explicado el primer diodo de estado sólido. Además,
también marcó el inicio del desarrollo de las celdas solares. Por una cuestión de costos y de tecnología, esos
descubrimientos originalmente hechos con Silicio, primero se transfirieron a la industria del germanio.

Figura 3.4 – El ingeniero Russell Ohl, descubridor de las junturas semiconductoras e inventor del diodo y de la
fotocelda.

La juntura semiconductora: células fotovoltaicas y diodos de juntura

La unión de un semiconductor extrínseco tipo P con otro semiconductor extrínseco tipo N es un dispositivo
se llama juntura y da origen a dos componentes fundamentales actualmente: la célula fotovoltaica y el diodo
semiconductor o diodo de juntura.
En el momento en que los dos materiales se “unen” (en realidad se fabrican sobre una única pieza de
silicio, en la que se difunden los dos tipos de impurezas), los electrones y los huecos en la región de la unión se
difunden de un material al otro y se combinan, provocando una carencia de portadores libres en la región próxima
a la unión, como se muestra en la figura. Las únicas partículas mostradas en esta región son los iones positivos y
negativos que quedan una vez que los portadores libres han sido absorbidos. Esta región de iones positivos y
negativos se llama región de empobrecimiento, de agotamiento o de deplexión, debido a la disminución de los
portadores libres en la zona de juntura.

Figura 3.5- Símbolo del diodo, con la polaridad definida y la dirección de la corriente. Demostración de que el flujo de
portadores neto es cero en los terminales externos del dispositivo cuando Vd=0.

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Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un dispositivo de dos
terminales, como se muestra en la figura 3.5. Se puede entonces utilizar la juntura de dos maneras: si se la
expone a la luz se puede aprovechar como elemento generador de corriente (célula fotovoltaica), o bien la puede
utilizar como un componente electrónico que permite o bloquee la circulación de corriente en un circuito (diodo de
juntura). En este último caso se dispone además de tres opciones operativas desde el punto de vista eléctrico: sin
polarización, polarización en directa y polarización en inversa. El término polarización se refiere a la aplicación de
un voltaje externo a través de los dos terminales del dispositivo para obtener algún tipo de respuesta eléctrica del
mismo.

Figura 3.6 – Juntura P-N. Difusión y bandas de energía.

Juntura sin polarización aplicada (Vd=0V)

La condición mostrada en la figura 3.7 es la situación sin polarización, porque no hay ningún voltaje
eléctrico externo aplicado. En la figura se muestra el símbolo de un diodo semiconductor, mostrando su
correspondencia con la unión P-N. La ausencia de voltaje de polarización produce una corriente nula a través del
dispositivo.

Figura 3.7- Unión P-N con polarización interna y sin externa, con su distribución de carga

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Figura 3.8 – Polaridad y bandas de energía

En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios del material tipo N (huecos) que se encuentren
en la región de empobrecimiento, pasarán de inmediato al material tipo P por un fenómeno de difusión. Cuanto
más cerca de la unión esté el portador minoritario, mayor será la atracción de la capa de iones negativos y menor
la oposición ofrecida por los iones positivos en la región de empobrecimiento del material tipo N. Este flujo de
portadores se indica en la parte superior de la figura para los portadores minoritarios de cada material.

Los portadores mayoritarios del material tipo N (electrones) deben vencer las fuerzas de atracción de la
capa de iones positivos en el material tipo N y el escudo de iones negativos en el material tipo P para que emigren
al área más allá de la región de empobrecimiento del material tipo P. Sin embargo, el número de portadores
mayoritarios es tan grande en el material tipo N que invariablemente habrá un menor número de portadores
mayoritarios con suficiente energía cinética para que atraviesen para que atraviesen la región de empobrecimiento
hacia el material tipo P. Se puede aplicar el mismo tipo de planteo para los portadores mayoritarios del material
tipo P (huecos). El flujo resultante producido por los portadores mayoritarios se muestra en la figura.

Se observa que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo neto en una u otra
dirección es cero. Las líneas transversales indican esta cancelación de los vectores de cada tipo de flujo de
portadores. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se traza más larga que la del flujo de
electrones para demostrar que las dos magnitudes no tienen que ser iguales para la cancelación, y que los niveles
de dopado de cada material pueden producir un flujo desigual de huecos y electrones.

En síntesis, la corriente en condiciones sin polarización es cero, o sea, sin ninguna polarización aplicada a
través de una juntura semiconductora el flujo neto de carga en una dirección es cero.

Aplicación de la juntura semiconductora como célula fotovoltaica

Antes de estudiar el componente principal de esta unidad, que es el diodo semiconductor, veremos
brevemente la aplicación de las junturas como elementos de conversión de energía lumínica en energía eléctrica.
Cuando la luz solar incide sobre una juntura de Silicio (es el material más utilizado por su respuesta espectral,
compatible con la radiación solar), la energía de los fotones arranca electrones de la banda de valencia y crea
pares de cargas libres de manera masiva, las que se pueden desplazar libremente por la banda de conducción de
la estructura del cristal. Si bien algunos portadores se recombinan, un elevado porcentaje de electrones del
material P y similar cantidad de huecos del lado N serán impulsados a través de la juntura, y el campo eléctrico de
la misma, como se explicó en el punto anterior, impide el retorno de estas cargas a su material de origen, con lo
que se altera el estado de equilibrio original. Este agrupamiento de cargas opuestas refuerza la diferencia de
potencial original, estableciéndose una tensión de manera idéntica a la de una pila. Y como mientras haya luz
incidiendo sobre la juntura (que en este caso se denomina célula fotovoltaica) continuarán liberándose pares de
electron-hueco, el dispositivo podrá abastecer de corriente a cualquier carga que se conecte a sus terminales.
Pero como una sola juntura no posee la capacidad de generar un volumen elevado de portadores, para que este
fenómeno (que se denomina efecto fotovoltaico) sea aprovechable se realizan conexiones serie-paralelo de un
gran número de células fotovoltaicas para conformar un panel (conexiones en serie incrementan voltaje, que
usualmente alcanza 24V, y en paralelo hacen lo mismo con la corriente)

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La eficiencia de estos dispositivos depende de la forma en que se depura y dispone el silicio para la
juntura, con alrededor del 6% para las células de silicio amorfo, pasando por el 16% de las de silicio policristalino
(las que se usan con mayor frecuencia) hasta el 22% de las células de silicio monocristalino, que son bastante
más caras que las anteriores (pero por su mayor eficiencia suelen usarse en los paneles solares de los satélites).
Actualmente se están ensayando otras tecnologías, como las junturas multicapa de arseniuro de Galio, que
alcanzan el 30% de eficiencia. En cuanto a la vida útil de estos dispositivos, si bien depende mucho de las
condiciones ambientales en las que operen (polvo, arena abrasiva, heladas, viento, gran amplitud térmica, etc), en
condiciones controladas pueden exceder los 25 años con el máximo rendimiento, el cual luego decae, aunque la
célula puede seguir considerándose operativa.

Aplicación de la juntura semiconductora como diodo

Condiciones de polarización del diodo
Se llama polarización de un dispositivo a las diferentes maneras en las que se puede aplicar o no una
tensión o diferencia de potencial a un dispositivo electrónico. A continuación, se analizarán las dos condiciones
posibles de polarización para un diodo.
2. Polarización en inversa (Vd<0V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión P-N con el terminal positivo conectado al
material tipo N y el negativo conectado al material tipo P, el número de iones positivos revelados en la región de
empobrecimiento del material tipo N se incrementará por la gran cantidad de electrones libres atraídos por el
potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el número de iones negativos se incrementará en
el material tipo P. El efecto neto, por consiguiente, es un aumento de la región de empobrecimiento, la cual crea
una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de
portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como se muestra en la figura 3.9.

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran en la región de empobrecimiento no

cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud indicada en la figura 3.9,
cuando el diodo estaba sin un voltaje aplicado. La corriente en condiciones de polarización inversa se llama

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corriente de saturación inversa y está representada por Is, y se debe al flujo de los portadores minoritarios de
ambos tipos de materiales.

Figura 3.9 – Unión P-N polarizada en inversa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de polarización
inversa; (b) polaridad de polarización en inversa y dirección de la corriente de saturación en inversa.

La corriente de saturación en inversa rara vez es de más de algunos microamperios, excepto en el caso
de dispositivos de alta potencia. De hecho, en los últimos años su nivel, por lo general, se encuentra en el rango
de los nA en dispositivos de Silicio. El término saturación se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con
rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarización inversa, como
se muestra en las características del diodo de la figura 3.13, con Vd<0V. Las condiciones de polarización en
inversa se ilustran en la figura b para el símbolo de diodo y unión P-N. Observar que la dirección de la corriente Is
se opone a la flecha del símbolo. El lado negativo del voltaje aplicado está conectado al material tipo P y el lado
positivo al material tipo N, y la diferencia indicada con las letras subrayadas por cada región revela una condición
de polarización en inversa.

Figura 3.10- Niveles de energía en equilibrio y en polarización inversa.

3. Polarización en directa (Vd>0V)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el potencial positivo al

material tipo P y el potencial negativo al tipo N, como se muestra en la figura 3.11.

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Figura 3.11 – Unión P-N polarizada en directa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de polarización en
directa; (b) polaridad de polarización en directa y dirección de la corriente resultante.

La aplicación de un potencial de polarización en directa Vd “presionará” a los electrones en el material tipo

N y a los huecos en el material tipo P para que se recombinen con los iones próximos al límite, y reducirá el ancho
de la región de empobrecimiento como se muestra en la figura 3.11. El flujo de portadores minoritarios de
electrones resultante del material tipo P al material tipo N (y de huecos del material tipo N al tipo P) no cambia de
magnitud, puesto que el nivel de conducción es controlado principalmente por el número limitado de impurezas en
el material, aunque la reducción del ancho de la región de empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores
mayoritarios a través de la juntura. Un electrón del material tipo P ahora “ve” una barrera reducida en la juntura
debido a la región de empobrecimiento reducida y a una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material
tipo P. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de empobrecimiento
continúa reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la juntura, lo que produce un crecimiento
exponencial de la corriente, como se muestra en la región de polarización en directa de las características de la
figura 3.13. Observar que la escala vertical de la figura está en mA (aunque algunos diodos tienen una escala
vertical expresada en amperes), y la escala horizontal en la región de polarización en directa tiene un máximo de
1V. Por consiguiente, en general el voltaje a través de un diodo polarizado en directa será menor de 1V. Observar
también lo rápido que se eleva la corriente después del codo de la curva.

Figura 3.12. Diagramas de bandas de energía para el diodo sin polarización y con polarización directa.

Curva característica del diodo real

Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las características generales de un diodo
semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuación, conocida como ecuación de Shockley, para las
regiones de polarización en directa y en inversa:

𝑉𝐷
⁄𝑛𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑇 − 1) (1)

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Donde

 Is es la corriente de saturación en inversa.

 Vd es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo.
 N es un factor empírico, el cual es una función de las condiciones de operación y
construcción física. Vale 1 para el Silicio y 2 para el Germanio.
 VT es el voltaje térmico y está determinado por:
𝑘𝑇
𝑉𝑇 = 𝑞
(2)

Donde:

 k es la constante de Boltzmann = 1,38x10-23 J/K

 T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273° + temperatura en °C.
 q es la magnitud de la carga del electrón = 1,6x10-19 C.
Ejemplo: A una temperatura de 27°C, determinar el voltaje térmico VT:

Solución: Sustituyendo en la ecuación 2, se obtiene:

𝑇 = 273°𝐾 + °𝐶 = 273°𝐾 + 27°𝐶 = 300°𝐾

−23 𝐽⁄
𝑘𝑇 (1,38𝑥10 °𝐾 ) (300°𝐾)
𝑉𝑇 = =
𝑞 1,6𝑥10−19 𝐶

El voltaje térmico es un parámetro importante en los análisis circuitales del diodo.

En principio, la ecuación 1 con todas sus cantidades definidas puede parecer un tanto complicada. Pero lo
importante es comprender el origen de las características del diodo y qué factores afectan su forma.

En la figura 3.13 se representa la curva correspondiente a la ecuación 1. Con valores positivos de V D, el

primer término de la ecuación 1 expandida crecerá con rapidez, dado su carácter exponencial, y anulará por
completo el efecto del segundo término. Con valores negativos de V D el término exponencial se reduce con
rapidez por debajo del nivel de I y la ecuación resultante para I D es prácticamente igual a IS.

Figura 3.13 – Curva característica del diodo semiconductor.

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Teóricamente, las características de un diodo de silicio deberían ser como las mostradas en línea
punteada en la figura 3.14. Sin embargo, los diodos de silicio comerciales se desvían de la condición ideal debido
a la resistencia de “cuerpo” interna y la resistencia de contacto externa de los terminales del diodo. Cada uno
contribuye a una diferencia de potencial adicional con el mismo nivel de corriente, tal como lo determina la Ley de
Ohm, lo cual produce un desplazamiento hacia la derecha de la curva (trazo lleno en la figura 3.14).

Cabe mencionar también que la corriente de saturación en inversa del diodo comercial es notoriamente
mayor que la IS de la ecuación de Shockley. Esto se debe a efectos que no están incluídos en dicha ecuación,
como la generación de portadores en la región de empobrecimiento y corrientes de fuga superficiales, las cuales
son sensibles al área de contacto en la unión. O sea que hay una correspondencia directa entre el área de
contacto de la unión y el nivel de corriente de saturación en inversa.

Figura 3.14 – Curvas características del diodo de silicio con y sin resistencia de contacto (comercial).

Efecto avalancha y región Zener

A medida que se incrementa el voltaje inverso a través del diodo, también se incrementa la velocidad de
los portadores minoritarios, los cuales son responsables de la corriente de saturación inversa IS. A mayor
velocidad, mayor es la energía cinética asociada (E K= ½ mv2) de los portadores, por lo que al colisionar con las
estructuras atómicas del cristal aportarán suficiente energía para liberar nuevos portadores, que inmediatamente
serán capturados y acelerados por el campo eléctrico intenso al que está sometido el componente. Es decir, se
producirá un proceso de ionización a través del cual los electrones de valencia adquieren suficiente energía para
abandonar su átomo de origen. Estos portadores adicionales, una vez acelerados por el campo eléctrico,
contribuyen al proceso de ionización hasta el punto que se produce un efecto exponencial de avalancha (o
reacción en cadena), con su respectiva corriente que aumenta exponencialmente.

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Figura 3.15 – Efecto avalancha

Esto determina la región de ruptura inversa o de avalancha en el diodo. Por supuesto, dadas las altas
energías cinéticas de los portadores (debidas a su vez a los altos potenciales inversos y sus consiguientes
aceleraciones de portadores), y la alta cantidad de colisiones, esta ruptura conlleva una elevación importante de la
temperatura en el componente y su posible fusión (el silicio se funde a los 200°C). El potencial de polarización en
inversa que produce este cambio dramático de las características del diodo y el incremento abrupto de la corriente
inversa del diodo se llama potencial Zener, y su símbolo es VZ.

Figura 3.16- Región Zener.

Se puede hacer que la región de avalancha (VZ) se acerque al eje vertical (con la consiguiente disminución
de peligro para el componente, ya que a menor voltaje hay menos energía cinética y la avalancha está más
“controlada”) incrementando los niveles de dopado del diodo. Pero conforme se reduce V Z a niveles muy bajos
(por ejemplo -5V), el mecanismo llamado ruptura Zener contribuirá al cambio abrupto de la característica, que ya
no puede llamarse avalancha. Esto ocurre porque cuando el material está muy dopado, menor es el ancho de la
zona de empobrecimiento y mayor es el campo eléctrico en la zona de la unión. Esto puede desbaratar las fuerzas
de enlace dentro del átomo y arrancar electrones de valencia, generando portadores libres. Este efecto se produce
para tensiones menores a 4V en diodos muy dopados. Aún cuando el mecanismo de ruptura Zener contribuye
significativamente sólo a niveles bajos de VZ, este cambio abrupto de la característica a cualquier nivel se llama
región Zener, y se trata de evitar siempre, excepto en los diodos que utilizan esta parte única de la unión P-N y
que se llaman diodos Zener. Se evita esta región para que las características del diodo no se modifiquen por
completo.

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El máximo potencial de polarización en inversa que se puede aplicar al diodo antes de entrar a la región
Zener se llama Voltaje Inverso Pico (PIV, por sus siglas en inglés), o Voltaje Reverso Pico (PRV), y se indica
siempre en las hojas de datos de estos componentes. Si en un circuito dado se requiere un valor PIV mayor que el
de un diodo en particular, se pueden conectar en serie varios diodos, ya que sus PIV se suman. Los diodos
también se pueden conectar en paralelo para incrementar la capacidad de corriente de los mismos.

Un último dato a tener en cuenta es que, a una dada temperatura fija, la corriente de saturación inversa de
un diodo se incrementa con un incremento de la polarización inversa aplicada.

Variación de la curva según el tipo de material

Hasta ahora sólo se consideró como material semiconductor base al silicio. Pero es importante comparar
su comportamiento con otros materiales semiconductores de uso en la industria, tales como el germanio y e
arseniuro de galio. En la figura 3.17 se comparan las curvas características de diodos de Si y Ge comerciales. Es
notorio que el punto de levantamiento vertical de las curvas es diferente para cada material, aunque la forma
general de las curvas es muy semejante. El germanio es el más cercano al eje vertical, y el silicio el más distante.
Y el arseniuro de galio es aún más distante. Los centros de los codos de las curvas están aproximadamente en
0,3V para el germanio, 0,7V para el silicio y 1,2V para el arseniuro de galio.

Figura 3.17- Comparación de diodos de germanio y silicio

La forma de la curva en la región de polarización inversa también es bastante parecida para los diferentes
materiales, pero hay diferencias medibles en las magnitudes de las corrientes de saturación inversa. Para GaAs
esta corriente es típicamente de alrededor de 1pA, de 10pA para el Si y de 1A para el Ge, lo cual es una
diferencia significativa de niveles.

También las magnitudes relativas de los voltajes de ruptura en inversa varían para cada material. El GaAs
en general tiene niveles de ruptura máximos que superan a los de los dispositivos de Si del mismo nivel de
potencia n aproximadamente 10%, y ambos tienen voltajes de ruptura de por lo general entre 50V y 1KV. Hay
diodos de potencia de Si con voltajes de ruptura que llegan a los 20 KV. El Ge suele tener voltajes de ruptura de
menos de 100V, con máximos alrededor de 400V. Cuando se consideran los niveles de las corrientes de
saturación en inversa y los voltajes de ruptura, el Ge sobresale porque tiene las características mínimas
deseables.

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Efectos de la temperatura

La temperatura puede tener un marcado efecto en las características del diodo semiconductor, tal como se
muestra en la figura 3.18. En la región de polarización directa las características de un diodo de silicio se
desplazan a la izquierda a razón de 2,5mV por grado centígrado de incremento de temperatura. Por ejemplo, un
aumento desde la temperatura ambiente (20°C) hasta 100°C produce una caída de 200mV, lo cual es significativo
para la curva del diodo (es casi el 30% de su voltaje de codo). Una reducción en la temperatura tiene el efecto
inverso.

Figura 3.18- Variación de la curva característica del diodo de Si con el cambio de temperatura.

En la región de polarización inversa, la corriente de saturación inversa de un diodo de silicio se duplica por
cada 10°C de aumento de la temperatura. Con un cambio de 20°C a 100°C como el ya mencionado, el nivel de IS
se incrementa desde 10nA hasta 2,6A, lo cual es un aumento de 250 veces. Continuando hasta 200°C se tendría
una corriente de saturación inversa de 2,6 mA. Por fortuna, tanto el Si como el GaAs tienen corrientes de
saturación en inversa relativamente muy pequeñas a temperatura ambiente, lo cual permite construir dispositivos
aptos para altas temperaturas. Algunos dispositivos de GaAs funcionan muy bien en el intervalo de temperatura de
-200°C a +200°C, y algunos tienen temperaturas máximas que llegan a 400°C. Esto obviamente sería imposible
de lograr con diodos de germanio.

También es importante mencionar que el voltaje de saturación inversa de un diodo semiconductor se

incrementará o reducirá con la temperatura según el potencial Zener. Aunque en la figura se observa que el voltaje
de ruptura se incrementará con la temperatura, si el voltaje de ruptura inicial es menor que 5V, en realidad el
voltaje de ruptura puede reducirse con la temperatura.

Uso actual de Germanio, silicio y arseniuro de galio

A nivel comercial, el germanio se encuentra en producción limitada debido a su sensibilidad a la

temperatura y alta corriente de saturación inversa. Sigue estando comercialmente disponible, aunque está limitado
a algunas aplicaciones de alta velocidad (debido a su factor de movilidad relativamente alto, ver tabla I) y a
aplicaciones que utilizan su sensibilidad a la luz y al calor, tales como fotodetectores y sistemas de seguridad.

El silicio sin duda es el semiconductor más utilizado en la actualidad para todo tipo de dispositivos
electrónicos. Tiene la ventaja de su disponibilidad a bajo costo y sus corrientes de saturación inversa relativamente
bajas. Tiene buenas características ante la temperatura y excelentes niveles de voltaje de ruptura. También se

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beneficia de las décadas de enorme atención al diseño de circuitos integrados a gran escala y a la tecnología de
procesamiento desarrollada.

En cuanto al arseniuro de galio, desde principios de la década de 1990 el interés en este material creció a
pasos agigantados, y con el tiempo seguramente se apropiará de buena parte del desarrollo de dispositivos que
hoy se hacen de silicio, sobre todo en circuitos integrados a gran escala. Sus características de alta velocidad
tienen mayor demanda cada día, con las características adicionales de bajas corrientes de saturación inversa,
excelentes sensibilidades a la temperatura y altos voltajes de ruptura. Más del 80% de sus aplicaciones se dan en
la optoelectrónica con el desarrollo de diodos emisores de luz, celdas solares y otros dispositivos fotodetectores,
pero probablemente todo esto cambie dramáticamente a medida que se reduzcan sus costos de fabricación y
continúe creciendo su uso en el diseño de circuitos integrados. Hay quien lo llama el material semiconductor del
futuro.

Niveles de resistencia del diodo

El punto de operación (también llamado punto de trabajo o punto Q, del término inglés quiescent = fijo
o invariable) de un diodo son las coordenadas de tensión y de corriente que presenta el componente en cada
momento en que está polarizado, y está definido por un punto sobre la curva característica. A medida que el punto
de operación del diodo se mueve de una región a otra, su resistencia (la pendiente de la curva) también cambia,
debido a la forma no lineal de la curva característica. El tipo de voltaje o señal aplicada al diodo define el nivel de
resistencia. Se consideran tres tipos o niveles de resistencia:

1. Resistencia de CC o estática

La aplicación de un voltaje de cc a un circuito que contiene un diodo semiconductor produce un punto de

operación en la curva característica que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo en ese punto de
operación se halla definida por los niveles correspondientes de VD e ID, como se muestra en la figura 3.19, y
aplicando la siguiente ecuación:

𝑉𝐷
𝑅𝐷 = 𝐼𝐷
(3)

Figura 3.19- Determinación de la resistencia de cc de un diodo en un punto de operación particular.

Se puede observar que los niveles de resistencia de cc en el codo y debajo de él son mayores que los
niveles de resistencia obtenidos por encima del voltaje de codo. Por otro lado, los niveles de resistencia en la
región de polarización inversa son por naturaleza bastante altos.

En general, cuanto mayor sea la corriente a través de un diodo, menor será su nivel de resistencia de cc.

2. Resistencia de CA o dinámica

La resistencia de cc es independiente de la forma de las características en la región alrededor del punto de

interés. Pero si se aplica una señal senoidal en lugar de una cc, la situación cambia por completo. La entrada
variable mueve el punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia debajo de una región de las características,

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

por lo que define un cambio específico de la corriente y voltaje, como se muestra en la figura 3.20. Sin ninguna
señal variable aplicada, el punto Q sería el de la figura, determinado por los niveles de cc aplicados.

Figura 3.20- Definición de la resistencia dinámica o ca, y determinación de la resistencia en un punto Q.

Una línea recta tangente a la curva por el punto Q, como se muestra en la figura, define un cambio
particular del voltaje y corriente que se puede utilizar para determinar la resistencia dinámica en esta región de
características del diodo. Se busca mantener el cambio de voltaje y corriente lo más pequeño posible y
equidistante a ambos lados del punto Q. Expresado como ecuación, donde  indica un cambio finito de la
cantidad:

∆𝑉𝑑
𝑟𝑑 = (4)
∆𝐼𝑑

Cuanto más inclinada es la pendiente, menor es el valor de Vd con el mismo cambio de Id, y menor es la
resistencia. En general, cuanto más bajo esté el punto de operación (menor corriente o menor voltaje), más alta es
la resistencia dinámica o de ca.

Pero hay una forma más simple de estimar la resistencia dinámica. Sabemos que la derivada de una
función en un punto es igual a la pendiente de la recta tangente a ese punto. Por lo que si se realiza la derivada de
la ecuación general de Shockley, no hará falta disponer de la curva característica o de trazar líneas tangentes
sobre la curva. Derivando se obtiene:
26𝑚𝑉
𝑟𝑑= (5)
𝐼𝐷

Esto implica que la resistencia dinámica se puede hallar simplemente sustituyendo el valor quiescente de
la corriente del diodo en la ecuación 5.

También se debe tener en cuenta que los valores de resistencia considerados hasta ahora sólo
corresponden a los de la juntura P-N, y no incluyen la resistencia del material semiconductor propiamente dicho
(resistencia del cuerpo) ni la resistencia introducida por la conexión entre el material semiconductor y el
conductor metálico externo (resistencia de contacto). Estas resistencias adicionales (rB) se deberían sumar al
valor de rd de la ecuación 5 para tener un resultado más realista.

Todo lo analizado para este tipo de resistencia es válido sólo en la zona de polarización directa. En la
región de polarización inversa se considera que el cambio de la corriente a lo largo de la línea I S es nulo desde 0V

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

hasta la región Zener, y la resistencia es suficientemente alta como para permitir la aproximación de circuito
abierto.

3. Resistencia de CA promedio

Si la señal de entrada es suficientemente grande como para producir una amplia variación (figura 3.21), a
resistencia asociada con el dispositivo en esta región se llama resistencia de ca promedio, y es, por definición, la
resistencia determinada por una línea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores
máximo y mínimo del voltaje de entrada. Expresado como ecuación:

∆𝑉𝑑
𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚 = | (6)
∆𝐼𝑑 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑎 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜

Figura 3.21- Determinación de la resistencia ca promedio entre los límites indicados.

En este caso también cuanto más bajo sea el nivel de las corrientes utilizadas para determinar la
resistencia promedio, más alto será el nivel de resistencia.

Circuitos equivalentes, modelos o aproximaciones del diodo

Un circuito equivalente o modelo es una combinación de elementos discretos que representan mejor las
características reales de un dispositivo complejo o sistema en una región de operación particular. O sea, una vez
definido el circuito equivalente, el símbolo del dispositivo puede ser eliminado de un esquema, y el circuito
equivalente insertado en su lugar sin afectar gravemente el comportamiento de todo el sistema. Generalmente el
resultado es una red que se puede resolver con técnicas tradicionales de análisis de circuitos. Según el ámbito de
aplicación, se utilizan tres aproximaciones para el diodo.

1. Circuito equivalente ideal

Se utiliza a nivel de service técnico o para una aproximación general que indique si el componente
funciona o no según su utilidad básica. Esto es, si conduce la corriente en un sentido, y en el opuesto no. En este
caso, el circuito equivalente se reduce al de un diodo ideal. Generalmente esta aproximación no implica una
pérdida grave de precisión.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 3.22- Circuito equivalente ideal

2. Circuito equivalente simplificado

En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia promedio es suficientemente pequeña como para ser
ignorada en comparación con los demás elementos de la red. Eliminar esta resistencia promedio implica
considerar que el diodo tiene resistencia nula a partir de los 0,7V necesarios para que el mismo comience a
conducir, o lo que es lo mismo, se considera que el diodo de silicio polarizado en directa en condiciones de cc
experimenta una caída de 0,7V a través de este en estado de conducción para cualquier nivel de corriente en el
diodo (dentro de los valores nominales, por supuesto). Y para la polarización inversa o directa inferior a 0,7V, la
resistencia es infinita y el diodo no conduce. Este corrimiento de 0,7V se representa con una batería de ese valor
opuesta al sentido de polarización directa del diodo ideal. Sólo se debe tener en cuenta que esta “batería” interna
no es una fuente de voltaje independiente, ya que si se coloca un voltímetro en bornes de un diodo desconectado
no se medirá ningún voltaje. La batería representa sólo el nivel umbral que debe ser alcanzado para establecer la
conducción a través del diodo.

Figura 3.23- Circuito equivalente simplificado del diodo semiconductor de silicio.

3. Circuito lineal equivalente por segmentos

Para obtener un circuito equivalente más realista (de utilización en mediciones de precisión o de
laboratorio) se representan las características del dispositivo mediante segmentos de líneas rectas, lo cual da el
nombre a este modelo. Obviamente estos segmentos no duplican con exactitud las características reales, sobre
todo en la región de codo. Pero se aproximan bastante. En esencia, se define el nivel de resistencia del dispositivo
cuando se encuentra en estado de conducción. Se utiliza el diodo ideal, sumado a la fuente de tensión de 0,7V
que representa el corrimiento del codo, y los diferentes segmentos surgen de utilizar una resistencia variable en
serie con los elementos anteriores.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 3.24- Definición del circuito equivalente lineal por segmentos, para representar de forma
aproximada la curva característica del diodo.

Figura 3.25- Comparación de los circuitos equivalentes o modelos del diodo.

Capacitancias de difusión y de transición

Todo dispositivo eléctrico y electrónico es sensible a la frecuencia, por lo que sus características cambian
en función de ella. Incluso un resistor básico, aunque a frecuencias bajas y medias se puede considerar como de
un valor fijo, hacia las altas frecuencias empiezan a hacerse notar efectos parásitos capacitivos e inductivos que
afectan el nivel de impedancia total del dispositivo.

En el caso del diodo, los niveles de capacitancia parásita son los que tienen un mayor efecto. A bajas
frecuencias y a niveles relativamente bajos de capacitancia, la reactancia de un capacitor (Xc=1/2fC) es en
general tan alta que se la puede considerar infinita o como un circuito abierto. Pero a medida que las frecuencias

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

aumentan el nivel de Xc se reduce, hasta el punto de crear un puente o corto de baja reactancia. Si este puenteo
ocurre a través de un diodo, puede evitar que este actúe como debe hacerlo su función básica, esto es, permitir el
flujo en sólo un sentido de la corriente.

En un diodo semiconductor hay dos efectos capacitivos principales. Ambos están presentes tanto en
polarización directa como inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada región, por lo que se considera sólo
el efecto de uno de ellos en cada zona de operación: en la polarización inversa predomina la capacitancia de
transición (CT), mientras que en la directa predomina la de almacenamiento o difusión (C D).

La ecuación básica para la capacitancia de un capacitor de placas paralelas está definida por C=A/d,
donde  es la permitividad del dieléctrico (aislante) entre las placas de área A separadas por una distancia d. En la
región de polarización inversa hay una región de empobrecimiento (libre de portadores) que se comporta en
esencia como un aislante entre las capas extrínsecas ricas en cargas opuestas. Como el ancho de la región de
empobrecimiento (d) se incrementa con el potencial de polarización inversa, disminuye a su vez la capacitancia
de transición, como muestra la figura 3.26. Como la capacitancia depende del potencial de polarización inverso
aplicado, hay aplicaciones en varios sistemas electrónicos, e inclusive hay un diodo especial basado en este
fenómeno.

Aunque el efecto de capacitancia de transición también se da en la región de polarización directa, es

superado por un efecto de capacitancia que depende directamente de la velocidad a la cual se inyecta la carga en
las regiones justo fuera de la zona de empobrecimiento. El resultado es que los niveles incrementados de corriente
aumentan los niveles de capacitancia de difusión. Sin embargo, los niveles incrementados de corriente reducen
el nivel de la resistencia asociada, y la constante de tiempo resultante (=RC), la cual es muy importante en
aplicaciones de alta velocidad, no llega a ser excesiva.

Ambos efectos de capacitancia se representan por medio de capacitores en paralelo con un diodo ideal.
Sin embargo, en aplicaciones de baja a media frecuencia (excepto en el área de potencia), normalmente el
capacitor no se incluye en el símbolo del diodo.

Figura 3.26- Capacitancias de difusión y transición contra polarización aplicada en un diodo de silicio, e inclusión del
efecto de las capacitancias en el símbolo del diodo.

Tiempo de recuperación inverso

En el estado de polarización en directa hay una gran cantidad de electrones del material tipo N que
avanzan a través del material tipo P, y una gran cantidad de huecos en el material tipo N, lo cual es un requisito
para la conducción. Los electrones en el material P y los huecos que avanzan en el material N establecen una
gran cantidad de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado se invierte para establecer una
condición de polarización inversa (lo cual es común al operar con tensiones alternas), el diodo ideal debería
cambiar instantáneamente del estado de conducción al de no conducción. Pero por el gran número de portadores
minoritarios en cada material, la corriente en el diodo se invierte como se muestra en la figura 3.27, y permanece

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

en este nivel durante el intervalo ts (tiempo de almacenamiento) requerido para que los portadores minoritarios
regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. O sea que el diodo permanece en estado
de cortocircuito con una corriente inversa determinada por los parámetros de la red. Con el tiempo, cuando esta
fase de almacenamiento ha pasado, el nivel de la corriente se reduce al nivel asociado con el estado de no
conducción. Este segundo lapso de tiempo está denotado por t t (intervalo de transición). El tiempo de recuperación
inversa (trr) está denotado por la suma de ambos intervalos. Este es un valor muy importante en aplicaciones de
conmutación de alta velocidad. La mayoría de los diodos de conmutación comerciales tienen un t rr en el intervalo
de algunos ns a 1ms, mientras que hay algunos optimizados para conmutar a alta velocidad con un t rr de sólo unos
cientos de picosegundos (10-12s).

Figura 3.27- Tiempo de recuperación inversa.

Hojas de especificaciones (datasheets)

Normalmente, el fabricante proporciona un informe con datos técnicos y especificaciones sobre los
dispositivos semiconductores que manufactura. Puede ser una descripción breve o un examen completo de las
características, mediante gráficos, tablas, imágenes, etc.

En el caso de los diodos, los datos habitualmente suministrados son:

 Voltaje en directa (VF) o tensión umbral, para una corriente y temperatura especificadas. La
tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor
con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el
diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral,
la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente
 Corriente máxima en directa (IF), para una temperatura especificada. Es la intensidad de corriente
máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
 Corriente de saturación inversa (IR). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura,
admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
 Valor nominal de voltaje inverso (PIV, PRV o VBR). Es la tensión inversa máxima que el diodo
puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
 Nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura particular.
 Nivel de capacitancia.
 Tiempo de recuperación en inversa trr.
 Intervalo de temperatura de operación.
 Potencia máxima o coeficiente de disipación (PDmax= VD.ID)

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

 Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Según el tipo de diodo, es posible que también se suministren más datos, como intervalos de frecuencia,
nivel de ruido, tiempo de conmutación, niveles de resistencia térmica y valores repetitivos de pico. En las figuras
3.28 y 3.29 se muestran los datos correspondientes a un diodo de alto voltaje y fugas escasas. Este ejemplo
representa la lista ampliada de datos y características.

Figura 3.28- Características eléctricas de un diodo de fugas escasas y alto voltaje.

De la figura 3.28, se resaltan las siguientes áreas o secciones de la hoja de datos:

A- Se resalta el hecho de que el diodo de silicio de alto voltaje tiene un voltaje de polarización inversa
mínimo de 125V con una corriente de polarización inversa especificada.
B- Amplio intervalo de temperatura (en general dado en grados centígrados)

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C- Nivel máximo de disipación de potencia (PDmax= VD.ID). Según la gráfica de la figura 3.29, una vez que
la temperatura supera los 25°C el coeficiente de potencia nominal máxima disminuye 3,33mW/°C. A
100°C, el coeficiente de potencia nominal máxima está a la mitad de su valor original.
D- La corriente máxima sostenible (500mA).
E- Intervalo de VF (voltajes de polarización directa) por cada nivel de corriente. Cuanto más alta sea la
corriente en directa, mayor es la polarización en directa aplicada. Se suele usar 0,7V como promedio.
F- Incremento de la corriente de saturación inversa con el incremento del voltaje inverso aplicado, a una
temperatura fija. Tanto la temperatura como la polarización inversa aplicada son factores muy
importantes en diseños sensibles a la corriente de saturación inversa.
G- La capacitancia de transición a un voltaje de polarización en inversa de 0V es de 5pF a una frecuencia
de prueba de 1MHz. Observar el fuerte cambio del nivel de capacitancia a medida que el voltaje
inverso se incrementa.
H- El tiempo de recuperación en inversa es de 3 s en las condiciones de prueba señaladas. Este valor
es aceptable para aplicaciones de baja y media frecuencia, aunque no lo es para altas frecuencias de
conmutación.

Figura 3.29- Curvas características de un diodo de alto voltaje

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Además de los datos recién indicados, las curvas de la figura 3.29 indican la magnitud de la resistencia de
ca del diodo contra la corriente en directa. Tener en cuenta que en las curvas es muy común que se recurra a
utilizar escalas logarítmicas para representar mejor intervalos amplios de análisis de alguna variable.

Encapsulados y notación

Dependiendo del voltaje que soporten, la intensidad de la corriente de trabajo, la función específica que
tendrán asignada dentro de un circuito y la potencia que disipan en watts, los diodos se comercializan con
diferentes tipos de encapsulados. Además, un diodo específico puede tener tamaño y características de trabajo
diferentes, así como diferente forma de encapsulado. En las siguientes figuras se ilustran algunos de los
encapsulados disponibles comercialmente para diodos, tanto en sus versiones de dos terminales (THT, de
terminal pasante), de montaje superficial (SMT) y de potencia.

Figura 3.30- Diferentes tipos de encapsulados comerciales para diodos.

La notación habitual en los diodos consiste en indicar con una marca, ya sea un punto o una banda, cuál
es el terminal correspondiente al cátodo del componente. Además, se suele indicar el nombre o característica del
componente, el cual es el código de identificación que el fabricante le da a un modelo de semiconductores.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

A nivel nomenclatura, existen dos tipos muy difundidas en nuestro mercado: la americana y la europea. En
la nomenclatura americana, el nombre del diodo viene expresado mediante un prefijo 1N seguido de una serie de
números. En la nomenclatura europea se utilizan una serie de letras y números, la primera indica el material de
que está construido (A para el germanio, B para silicio y C para arseniuro de galio), la segunda el tipo de
componente (por ejemplo A para diodo de uso general e Y para diodos de potencia), y los restantes dígitos son
propios de la empresa fabricante.

Prueba de diodos

La condición operativa de un diodo se puede verificar rápidamente utilizando la función de verificación de

diodos (que habitualmente viene incluida en los multímetros modernos), o la función óhmetro del multímetro, o,
para análisis más detallados y profundos, un trazador de curvas asociado a un osciloscopio.

Los instrumentos que incluyen la función de verificación de diodos, generalmente la indican con el símbolo
del diodo. Al polarizarlo en directa, la pantalla del instrumento indicará el voltaje de polarización, expresado en
volts o en milivolts. Esto lo hace mediante una fuente de corriente interna constante (de aproximadamente 2mA),
que permite definir el valor del voltaje de codo. Una indicación en pantalla de OL o bien de 1 (correspondiente a
fuera de escala, según el instrumento que se utilice) indicará que el diodo está polarizado en inversa (si se
conecta con los terminales invertidos respecto a la medición anterior), o bien que se encuentra dañado o
defectuoso si lo indica con ambas polaridades de conexión de los terminales de prueba.

En caso de no disponer de un instrumento con la función mencionada, se puede utilizar un óhmetro. En

este caso la resistencia del diodo polarizado en directa deberá ser mucho menor que la del mismo diodo
polarizado en inversa. Los valores de resistencia variarán según la escala utilizada, ya que para cada una el
instrumento entrega diferentes voltajes y corrientes. Cuanta más alta es la corriente, menor es el valor de
resistencia indicado. Una indicación de alta resistencia o de baja resistencia para ambas direcciones indicará una
condición de dispositivo abierto (quemado) o en cortocircuito, respectivamente.

Finalmente, también existen dispositivos trazadores de curvas para utilizar asociados a osciloscopios, o
incluso ya incorporados desde fábrica al mencionado instrumento. Conectando el componente, se observará en la
pantalla del instrumento una curva similar a la característica del diodo. Lo que realiza este instrumento es un
barrido de tensiones, y la medición y visualización de las corrientes correspondientes a cada una de ellas.

Figura 3.31- Medición de diodos con multímetro.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Aplicaciones del diodo

Una vez que se comprende el comportamiento básico de un dispositivo, se pueden examinar su

funcionamiento y respuestas ante infinidad de configuraciones. En el caso del diodo, ahora que ya se conocen sus
características junto con su respuesta a voltajes y corrientes aplicados, se puede utilizar como componente de
redes circuitales más complejas.

En el análisis de circuitos electrónicos se pueden seguir dos caminos: utilizar las características reales o
aplicar un modelo aproximado para el dispositivo bajo estudio. En este caso, primero se trabajará con las
características reales para demostrar como interactúa el componente con los demás parámetros de la red. Pero
luego se recurrirá al modelo de aproximaciones para verificar los resultados.

Análisis a través de la recta de carga

El circuito de la figura 3.32 es la más sencilla de las configuraciones de diodo, junto con la curva
característica del componente. En la figura 3.33 las características del diodo se colocan en el mismo sistema de
ejes que una recta definida por los parámetros de la red circuital, la cual se denomina recta de carga, porque la
carga aplicada R define la intersección con el eje vertical. La intersección de la curva característica con la recta de
carga definirá la solución para la red, así como los niveles de corriente y de voltaje correspondientes.

Figura 3.32- Circuito de configuración de diodo en serie, y curva característica del mismo.

Figura 3.33- Trazo de la recta de carga y determinación del punto de operación.

La respuesta esperada del circuito se determina de la siguiente manera. La fuente de cc establece una
corriente convencional en la dirección indicada por la flecha, que como es coincidente con la permitida por el
diodo, no va a encontrar obstáculo para establecerse. El diodo está “encendido” y conducirá un alto nivel de
corriente, porque está polarizado en directa. Esto indica que a través del diodo se establece un voltaje de
polarización de aproximadamente 0,7V.

Aplicando Kirchhoff al circuito de la figura 3.32, se determina que:

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

E = VD + IDR (7)

Las dos variables de esta ecuación (VD e ID) son las mismas que aparecen en los ejes de la gráfica de la
curva característica. Por lo que esta ecuación se puede graficar con los mismos ejes y superponer a la curva
característica. Como se trata de una recta, basta con dos puntos característicos para trazarla. Las intersecciones
con los ejes se determinan considerando que para el eje vertical pasará por V D=0 y para el eje horizontal pasará
por ID=0. Por consiguiente, los dos puntos de intersección se encuentran reemplazando en la ecuación 7 y están
definidos por:

VD=0 ID = E/R

ID=0 VD = E

La recta trazada entre ambos puntos define todos los valores posibles de corriente y tensión determinados
por los componentes que forman parte de la red. Y la curva característica del diodo define todos los pares de
valores de corriente y tensión que puede asumir el diodo, dadas sus características físicas. De la intersección de
ambos comportamientos (en posible del circuito y el posible del diodo) surge el punto de operación o de trabajo. Y
las coordenadas de este punto indican el juego de valores de V D e ID de toda la red. Esta solución es la misma que
se obtendría de operar matemáticamente con la ecuación de Schockley. Esta forma gráfica es el método más
rápido de encontrar en valor del punto Q.

Por ejemplo, en el siguiente circuito:

Figura 3.34- Ejemplo

La recta de carga resulta de VD=10V e ID=10 mA, por lo que el punto Q estará situado en una V DQ= 0,78V
y una IDQ= 9,25mA.

Figura 3.35- Solución para el ejemplo.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Por supuesto, los resultados no son exactos, sino sólo aproximaciones. También se puede usar el modelo
del diodo ideal, sin voltaje umbral, pero debe reservarse para cuando el diodo sea más importante que los niveles
de voltaje que difieren en décimas de Volt, y en situaciones en que los voltajes aplicados sean considerablemente
mayores que el voltaje de umbral. En general, se considera que la resistencia en directa del diodo es tan pequeña,
comparada con las demás del circuito, que puede ser omitida del análisis.

Configuraciones de diodos en serie

En esta sección se analizarán configuraciones de diodos en serie con entradas de cc. De esta manera, se
establecerán los fundamentos para el análisis de diodos que se utilizarán en el resto de la unidad.

Para cada configuración primero se tiene que determinar el estado de cada diodo, cuáles están
encendidos y cuales apagados, según la polarización aplicada a los mismos. En cada configuración conviene
reemplazar mentalmente los diodos con elementos resistivos y observar la dirección de las corrientes resultantes
como la establecen los voltajes aplicados. Si la dirección coincide con la flecha del símbolo del diodo, éste estará
encendido, y apagado si ocurre lo contrario. Si el diodo está encendido, se puede colocar una caída de tensión de
0,7V a través del componente, mediante una batería puesta en ese lugar. Partiendo del circuito de la figura 3.32,
se puede llevar a cabo un análisis como el indicado, y que se ilustra en la figura 3.36.

Figura 3.36- (a) Determinación del estado del diodo de la fig. 3.32. (b) sustitución del modelo equivalente por el diodo
encendido.

En el siguiente circuito se invirtió el diodo. Se realiza el mismo procedimiento, reemplazando mentalmente

el diodo con un elemento resistivo. Se pone de manifiesto que la dirección resultante de la corriente no coincide
con la flecha del símbolo del diodo. Por ende, el diodo está apagado, y el resultado es el circuito equivalente
abierto, por lo que la corriente es cero.

Figura 3.37- Inversión del diodo, determinación de su estado por sustitución resistiva y sustitución del modelo
equivalente por el diodo “apagado”.

Para realizar este método de análisis, tener siempre presente que un circuito abierto puede tener cualquier
voltaje a través de sus terminales, pero la corriente siempre es nula. Y un cortocircuito tiene una caída de tensión
nula a través de sus terminales, pero la red circundante limita la corriente.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Ejemplo: Para las siguientes configuraciones, calcular VD, VR e ID.

Figura 3.38- Ejemplos

Ejemplo: Determinar ID, VD y Vo para los siguientes circuitos:

Figura 3.39 – Ejemplos.

Ejemplo: Determinar I, V1, V2 y Vo para la siguiente configuración serie.

Figura 3.40- Ejemplo

Configuraciones en paralelo

Los métodos aplicados en la sección anterior son igualmente válidos para el análisis de configuraciones en
paralelo y en serie-paralelo. Para cada área de aplicación simplemente se debe seguir la misma secuencia de
pasos aplicados a las configuraciones de diodos en serie. Por ejemplo, determinar Vo, I1, ID1 e ID2 para la
configuración de diodos en paralelo de la figura siguiente:

Figura 3.41- Ejemplo de configuración en paralelo.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

En el siguiente circuito, determinar I1, I2 e ID2.

Figura 3.42- Ejemplo serie-paralelo

Aplicaciones con diodos

Redes detectoras de polaridad

En el circuito de la figura 3.43 hay dos diodos emisores de luz, también llamados LEDs y que se
estudiarán en profundidad en la próxima unidad, que se pueden utilizar para detectar la polaridad de un
determinado voltaje. Si se aplica un voltaje positivo, se enciende el LED verde, mientras que los voltajes negativos
encenderán el rojo. En cada uno de esos casos, el otro diodo queda polarizado en inversa, y no se enciende.

Figura 3.43- Red detectora de polaridad.

El problema de este circuito es que algunos LEDs tienen tensiones de ruptura inversa de sólo 3V, como
por ejemplo los LEDs rojos. Esto implica que pueden dañarse fácilmente con esa configuración. Una solución
sencilla para protegerlos es agregar niveles de resistencia en serie con el diodo, para limitar la corriente inversa, y
además disponer en serie diodos comunes de silicio, que tienen un voltaje de ruptura inverso muy superior,
impidiendo que el diodo LED entre en ruptura.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 3.44- Red detectora de polaridad con protección.

En el siguiente circuito, determinar el voltaje Vo de salida, e indicar si el diodo LED se encenderá o no.

Figura 3.45- Ejemplo.

Compuertas OR y AND

Las redes de la figura 3.46 son una compuerta OR y una AND de lógica positiva. Estas son aplicaciones
de electrónica digital, en las que se suplantan o imitan los comportamientos de circuitos electromecánicos de
llaves. Los fundamentos de esta rama de la electrónica se analizarán en detalle en la unidad 9. Por ahora, basta
con saber que al nivel de 10V se le asigna un “1” del álgebra booleana y a la entrada de 0V se le asigna un “0”.
Una compuerta OR es tal que el nivel del voltaje de salida será “1” si cualquiera o ambas entradas son “1”. La
salida será “0” si ambas entradas están a nivel de “0”. En el caso de la compuerta AND, se requiere que ambas
entradas dispongan de niveles “1” para que la salida sea también “1”. De lo contrario la salida se mantendrá en
nivel bajo o “0”. Dicho de otra manera, la compuerta lógica OR se comporta como dos llaves en paralelo, y a su
vez en serie con una carga de salida (como una lámpara). Y la compuerta AND se comporta como dos llaves en
serie con la mencionada carga.

Verificar este comportamiento en los siguientes circuitos, recurriendo al concepto de tabla de la verdad.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 3.46- Compuertas lógicas OR y AND, construidas a partir de diodos.

Circuitos rectificadores

Rectificador de media onda

Ahora ampliaremos el análisis de diodos para circuitos en los que las condiciones varían con el tiempo,
como con entradas senoidales y cuadradas. La más sencilla de estas redes es la de la figura 3.47. A lo largo de un
ciclo completo, definido por el periodo T, el valor promedio (suma algebraica de las áreas bajo la curva arriba y
abajo del eje) es cero. El circuito mostrado se denomina rectificador de media onda, y genera una forma de onda
vo que tiene un valor promedio distinto de cero, y convierte la señal de ca a cc. A esta función se la denomina
rectificación, por lo que al circuito y al diodo que la produce se le llama rectificador. En general, las capacidades
de potencia y de corriente de los diodos que se utilizan para esta finalidad suelen ser más altas que las de los
diodos empleados en otras aplicaciones, como computación y sistemas de comunicaciones.

Figura 3.47- Rectificador de media onda.

Durante el intervalo t=0  T/2 la polaridad del voltaje aplicado vi es tal que enciende el diodo con la
polaridad que se indica arriba de él. La señal de salida v o será una réplica exacta de la señal aplicada (aunque
restándole los 0,7V necesarios para polarizar al diodo en directa).

Durante el intervalo T/2  T, la polaridad de entrada vi es inversa, y por ende la polaridad sobre el diodo
también lo es, con lo que el diodo estará apagado, con un equivalente de circuito abierto. Por esta razón no hay un
camino para que fluya la carga y vi= iR= 0A para este semiciclo. En la figura 3.48 se ilustran las tensiones de
entrada y de salida, comparándolas. La señal de salida vo tiene ahora un área neta positiva sobre el eje durante un
periodo completo y un valor promedio determinado por Vcd= 0,318 Vm.

El proceso de eliminar la señal de entrada para establecer un nivel de cc se denomina rectificación de

media onda. La señal obtenida es por definición de corriente continua, aunque sea de naturaleza pulsante y póco
útil para fines prácticos.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 3.48- Señal rectificada de media onda.

La capacidad de voltaje inverso pico (PIV) del diodo es fundamental en el diseño de sistemas de
rectificación. No se debe exceder el valor nominal del voltaje en la región de polarización inversa o el diodo entrará
en la zona de avalancha o ruptura. El valor nominal de PIV requerido para el rectificador de media onda se
determina con el voltaje máximo aplicado en la condición de polarización inversa. Generalmente se deja como
mínimo alrededor de un 25% adicional como margen de seguridad.

Rectificador de onda completa

Rectificador con transformador con toma o derivación central

El nivel de cc obtenido a partir de una entrada senoidal puede mejorarse en un 100% mediante un proceso
llamado rectificación de onda completa. Comenzaremos viendo el circuito más simple que permite realizar esta
función.

Se trata de un rectificador de onda completa muy conocido que utiliza sólo dos diodos, pero que requiere
de un transformador con derivación central (CT), para establecer la señal de entrada a través de cada sección del
secundario del transformador. Durante la parte positiva de vi aplicada al primario del transformador, la red aparece
como se muestra en la figura. El diodo D 1 conduce y el D2 se bloquea en inversa. Por lo tanto, sobre la carga R se
manifiesta el semiciclo positivo, con la polaridad indicada. Durante el semiciclo negativo de la entrada vi, el D1 se
bloquea y D2 conduce, por lo que la tensión pasa a través d la carga R con la misma polaridad que en el semiciclo
anterior. El voltaje que se manifiesta sobre la carga es la mitad del máximo del secundario menos los 0,7V de la
polarización directa del diodo correspondiente a cada semiciclo. Se obtiene una salida continua (pulsante).

Figura 3.49- Rectificador de onda completa con derivación central.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Los inconvenientes de esta configuración son por un lado el mayor costo de los transformadores con toma
central (a pesar de utilizar sólo dos diodos en la rectificación) y que sólo se aprovecha la mitad de la amplitud en la
salida. Pero la ventaja, a diferencia del de media onda, e que ahora se aprovechan ambos semiciclos.

Figura 3.50- Rectificación de onda completa.

Rectificador de Puente

La red más conocida que permite realizar una rectificación de onda completa se denomina de
configuración en puente, ya que utiliza cuatro diodos para llevarla a cabo. Durante el periodo t=0 para T/2 la
polaridad de la entrada es como se muestra en la figura 3.52. D 2 y D3 están conduciendo, mientras que D 1 y D4
están apagados, por la polarización inversa que reciben. En el semiciclo negativo de entrada, D 1 y D4 conducen,
mientras D2 y D3 se bloquean. Lo importante es que durante ambos semiciclos la resistencia de carga R recibe
siempre la misma polaridad. Se debe tener en cuenta que durante cada semiciclo el Vm del secundario cae en
1,4V, debido a los dos diodos que están en conducción en cada uno de ellos. El valor medio es 0,636 Vm.

Figura 3.51- Rectificador de onda completa en puente.

Figura 3.52- Proceso de rectificación

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Fuente de alimentación filtrada sencilla

Una fuente de alimentación es un circuito que suministra energía con determinadas características a otros
circuitos, tal como lo haría una pila o batería. Con los diodos se puede construir una fuente de cc bastante simple y
confiable. Con los rectificadores que se acaban de ver, un transformador reduce la tensión alterna (de valor
promedio 0V) de la red eléctrica a un valor próximo al requerido. Luego mediante diodos se rectifica esa señal
alterna, llevándola la mayoría de las veces a una rectificación de onda completa (valor promedio distinto de 0V). El
problema es que la señal así obtenida es una tensión contínua, pero pulsante, que permanentemente está
oscilando entre un valor máximo y 0V, por lo que aún no se puede considerar como el reemplazo de una batería.
A lo sumo podría utilizarse como un circuito cargador de las mismas, tal como se verá un poco más adelante. Por
eso se dispone a continuación un capacitor en paralelo que actúa como filtro, para llevar la tensión pulsante a un
valor estable y constante.

Figura 3.53- Filtro a capacitor simple para el circuito rectificador.

En la figura 3.54 se muestra como son los valores de la tensión de salida sin filtro, y luego con la conexión
del mismo. Observar que la tensión de salida filtrada es en esencia un voltaje de cc con algo de variación (rizo,
rizado o ripple).

Figura 3.54- Fuente simple sin capacitor de filtrado y con capacitor de filtrado.

En la figura 3.55 se muestra un rectificador en configuración de onda completa y la forma de onda senoidal
obtenida con el circuito cuando se conecta la carga RL. Si no se conectara ninguna carga a través del capacitor, la
forma de onda de salida sería un nivel de cc constante de valor igual al del voltaje pico (V m) a partir del circuito
rectificador. Pero, como la finalidad de obtener un voltaje de cc es para ser utilizado por otros circuitos
electrónicos, esto implica que habrá un consumo de la carga almacenada en las placas del capacitor. En la figura
se muestra la forma de onda obtenida a la salida del filtro. El tiempo T 1 es aquel durante el cual los diodos del
rectificador conducen y cargan el capacitor al voltaje pico del rectificador Vm. El tiempo T2 es aquel durante el cual
el voltaje del rectificador se reduce por debajo del voltaje pico, y el capacitor se descarga a través de la carga R L.
Como el ciclo de carga-descarga ocurre durante cada medio ciclo para un rectificador de onda completa, el
periodo de la forma de onda rectificada es T/2, el doble de la frecuencia de la señal de entrada.

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 III – Diodos ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 3.55- Circuito de filtro de capacitor con carga y forma de onda del voltaje de salida.

El voltaje filtrado, que se muestra en la siguiente figura, indica que la forma de onda de salida tiene un
nivel de cc de Vcc y un voltaje de rizo Vr (rms) a medida que el capacitor carga y se descarga.

Figura 3.56- Voltaje de salida aproximado de un circuito con filtro de capacitor.

El voltaje de rizo se calcula a partir de (Icd está en mA, C en F y RL en k):

𝐼𝑐𝑑 2,4.𝐼𝑐𝑑 2,4𝑉𝑐𝑑

𝑉𝑟 (𝑟𝑚𝑠) = = = (8)
4√3𝑓𝐶 𝐶 𝑅𝐿 𝐶

Circuitos multiplicadores de voltaje

Estos circuitos se utilizan para mantener un valor pico del voltaje del transformador relativamente bajo, al
mismo tiempo que elevan el valor pico del voltaje de salida al doble, triple, cuádruple o más veces el voltaje
rectificado.

Circuito duplicador de voltaje

El circuito de la figura 3.57 es un duplicador de media onda. Durante el semiciclo positivo, el diodo D 1
conduce y el D2 se bloquea, con lo que el capacitor C1 se carga hasta el valor pico del voltaje rectificado (Vm), con
la polaridad mostrada en la figura. Durante el semiciclo negativo D 1 se bloquea y D2 conduce, con lo que se carga
C2. Como C1 ya estaba cargado del semiciclo anterior, se puede considerar como otra fuente de tensión, en serie
con el secundario del transformador para este semiciclo. De esta manera, sobre los bornes de C 2 aparece una
tensión de 2Vm, con las polaridades que se muestran en la figura.

En el siguiente semiciclo positivo D2 no conduce y C2 se descargará a través de la carga, para reiniciarse

el proceso. Si se produce esta descarga de C 2, durante este nuevo semiciclo el voltaje en la carga disminuirá, pero
en caso de que no haya descarga, o el consumo sea muy bajo, el voltaje duplicado se mantendrá. La forma de
onda de la salida de C2 es la de una señal de media onda filtrada por un capacitor. El voltaje inverso pico a través
de cada diodo es 2Vm. Tener en cuenta que este circuito invierte la polaridad esperada en la salida (el terminal
negativo es el superior).

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Figura 3.57- Duplicador de voltaje de media onda.

Figura 3.58- Operación de la duplicación, en ambos semiciclos de la entrada.

Otro circuito duplicador es el de de onda completa de la figura 3.59. Durante el semiciclo positivo D1
conduce y el capacitor C1 se carga a un voltaje pico Vm. El diodo D2 está bloqueado. Durante el semiciclo negativo
D2 conduce y C2 se carga, mientras que D1 está bloqueado.

Si no se absorbe ninguna corriente de carga del circuito, el voltaje a través de los capacitores C 1 y C2 es
2Vm. Si se absorbe corriente de carga del circuito, el voltaje a través de los capacitores es el mismo que el que
pasa a través de un circuito alimentado por un rectificador de onda completa con salida a filtro capacitivo. Una
diferencia es que la capacitancia efectiva es la de ambos capacitores en serie, la cual es menor que la de cada
uno de ellos en forma individual. Esta menor capacitancia dará un filtrado más deficiente que el circuito de filtrado
de un solo capacitor.

Figura 3.59- Duplicador de voltaje de onda completa

El voltaje inverso pico a través de cada diodo es 2Vm, igual que para el circuito de filtrado del capacitor.

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Figura 3.60- Operación del duplicador en cada semiciclo.

Circuito triplicador y cuadruplicador de voltaje

En la figura 3.61 se muestra una extensión del concepto del duplicador de voltaje de media onda, la cual
permite multiplicar por tres o por cuatro el voltaje de entrada pico. Pero además, este circuito básico se puede
disponer de forma tal de adicionar más etapas y poder multiplicar por la cantidad de veces que se quiera el voltaje
de la entrada. La única limitación son las tensiones de ruptura de los diodos y los voltajes de trabajo de los
capacitores.

Figura 3.61- Circuito multiplicador de voltaje.

En operación, C1 se carga a través de D1 a un voltaje de pico Vm durante el primer semiciclo positivo. C2 se

carga a 2Vm desarrollado por la suma de voltajes a través de C 1 y el secundario del transformador durante el
semiciclo negativo.

En el nuevo semiciclo positivo, D3 conduce y el voltaje de C2 carga a C3 al mismo voltaje pico 2Vm. Y en el
cuarto semiciclo (negativo), D2 y D4 conducen con C3, cargando a C4 a 2Vm.

El voltaje a través de C2 es 2Vm a través de C1, y C3 es 3Vm y a través de C2 y C4 es 4Vm. Si se utilizan

secciones adicionales de diodos y capacitores, cada uno se cargará a 2Vm. Si se mide desde la parte superior del
devanado secundario del transformador se obtienen múltiplos impares de Vm a la salida, y medidos desde la parte
inferior son múltiplos pares.

El valor nominal de voltaje del transformador es de sólo Vm, máximo, y cada diodo debe tener un PIV
nominal de 2Vm. Si la carga es pequeña y los capacitores sufren fugas pequeñas, este tipo de circuito es capaz
de desarrollar voltajes de cc extremadamente altos, utilizando muchas secciones como las explicadas para elevar
el voltaje. Una aplicación es la de ionizadores ambientales y ozonizadores. Cabe destacar que a pesar de elevar la
tensión, como la potencia se mantiene constante, la corriente obtenible es muy baja.

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Circuitos recortadores

Los recortadores son redes que utilizan diodos para “recortar” una parte de la señal de entrada sin
distorsionar la parte restante de la señal aplicada. Un ejemplo muy sencillo de este tipo de circuitos son los
rectificadores de media onda, ya vistos. Dependiendo de la orientación del diodo, se recorta la parte positiva o la
negativa de la señal de entrada. Existen dos configuraciones o categorías para este tipo de circuitos: serie y
paralelo. En serie es cuando el diodo está en serie con la carga, y en paralelo cuando el diodo forma una rama
paralela respecto a la carga.

Figura 3.62- Circuitos recortadores en serie

Figura 3.63- Circuitos recortadores en paralelo.

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Circuitos sujetadores

Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que desplaza una forma de
onda a un nivel de cc diferente sin cambiar la apariencia de la señal aplicada. También se pueden obtener
desplazamientos adicionales introduciendo una fuente de cc a la estructura básica. El resistor y el capacitor deben
ser de tal valor que la constante de tiempo =RC sea bastante grande para garantizar que el voltaje a través del
capacitor no se descargue significativamente durante el intervalo en que el diodo no conduce.

La más sencilla de las redes sujetadoras es la de la figura 3.64. En ella, el capacitor está conectado
directamente entre las señales de entrada y de salida, y el resistor y los diodos están conectados en paralelo con
la señal de salida.

Figura 3.64- Circuito sujetador

Figura 3.65- Funcionamiento en cada semiciclo.

Figura 3.66- Señal de salida obtenida por el sujetador.

Las redes sujetadoras tienen un capacitor conectado directamente desde la entrada hasta la salida con un
elemento resistivo en paralelo con la señal de salida. El diodo también está en paralelo con la señal de salida pero
puede o no tener una fuente de cc en serie como elemento agregado.

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Figura 3.67- Sujetador con batería adicional para desplazamiento.

A continuación se ilustran varios ejemplos de circuitos sujetadores. Aunque en los ejemplos se utilizan
señales cuadradas como entradas, esto se hace para ejemplificar mejor el funcionamiento. Pero también se
utilizan estos circuitos con señales senoidales.

Figura 3.68- Circuitos sujetadores con diodos ideales.

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Cargador de baterías

Estos circuitos son bastante comunes para una amplia gama de baterías recargables. Se conectan a la
red eléctrica domiciliaria. Todos tienen un transformador de entrada para acondicionar los niveles de tensión.
Luego tienen un arreglo de diodos para cumplir con la rectificación de la señal de ca a cc. Algunos cargadores
también incluyen un regulador para mejorar el nivel de cc. El cargador que se describirá a continuación es de
baterías de auto (figura 3.69). El voltaje de la red se aplica directamente a través del primario del transformador.
La tasa o velocidad de carga de 2 y 6 A la determina el interruptor, el cual controla el número de devanados del
primario que se utilizarán. Si la batería se carga a 2A, todo el primario estará en el circuito, mientras que si es a
6A, hay menos vueltas del primario intervinientes, y la relación se reduce. En este punto el voltaje del secundario
tiene la misma forma, pero atenuada, de la que ingresa desde la red. Los diodos se encargan de rectificarlo.
Aunque la salida tiene una forma de onda pulsante con un valor pico de 18V, cargará la batería de 12V siempre
que su voltaje sea mayor que el de la misma. Para los instantes en que el valor de entrada es menor a 12V, la
batería no puede descargar de nuevo hacia la red, porque los diodos quedan en inversa, e impiden el flujo de
corriente en ese sentido. Los sujetadores suelen ser metálicos y grandes para permitir la disipación de calor ante
las intensidades importantes de corriente que se presentan en la salida. También se agregan disipadores de calor
para los diodos (los cuales, por supuesto, deben ser capaces de soportar las corrientes nominales que se esperan
para la carga de la batería). Para una carga de 6 A, puede darse un transitorio inicial de 7 u 8 A, pero a medida
que la batería vaya tomando carga, esta corriente se reducirá hasta 2 o 3 A. estos dispositivos suelen tener algún
tipo de indicación o medidor para visualizar el nivel de la corriente que se aplica a la batería. Esta unidad no
cuenta con sistema de desconexión automática, por lo que hay que tener la previsión de desconectar la batería
cuando se llegue a la carga total, porque de lo contrario la batería se sobrecargará y puede dañarse (los tiempos
típicos de carga rondan las 10 horas para un nivel inicial de carga del 50%).

Figura 3.69- Cargador de baterías.

Si la batería está en muy mal estado, con un voltaje más bajo de lo normal, la corriente de carga inicial
podría ser demasiado alta y dañar el circuito. Como protección ante tal situación se dispone de un interruptor
cortacircuito que se abrirá y detendrá el proceso.

Un cargador con un nivel de cc de 10V puede cargar una batería de 12V. Esto ocurre porque durante una
parte de cada ciclo el voltaje supera los 12V, buscando un nivel pico de 14V. Pero como sólo e una porción de
cada ciclo, el tiempo de carga será mayor. Por eso se lo conoce como carga lenta, la cual se produce sólo cuando
el voltaje de carga es mayor que el de la batería.

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Configuraciones de protección

Los diodos se utilizan de varias maneras para proteger elementos y sistemas contra sobrevoltajes o
corrientes excesivas, inversiones de polaridad, formación de arcos y cortocircuitos.

Un interruptor en un circuito RL simple se cierra, y la corriente se eleva a un nivel determinado por el

voltaje aplicado y el resistor R en serie. El problema surge cuando el interruptor se abre, ya que la corriente
tenderá a 0 inmediatamente. Cuando hay un inductor en el circuito, su voltaje depende de la velocidad de cambio
de la corriente a través de él (vL=L di/dt). Como el cambio de corriente impuesto por el interruptor es muy rápido,
se produce una sobretensión en bornes del inductor, que trata de mantener la corriente circulando a través de él,
por lo que tiene una polaridad invertida respecto a la que tiene cuando recibe energía desde la fuente. La
sobretensión se traduce en arcos voltaicos, que terminará dañando los contactos del interruptor u otros elementos
del circuito. Este efecto se denomina “reacción inductiva”. La energía que se pone de manifiesto proviene de la
acumulada en forma de campo magnético alrededor de las espiras.

Figura 3.70- Fase transitoria de un circuito RL simple, con formación de arcos voltaicos a través de un interruptor al
abrirse éste.

Si bien esta situación se puede prevenir colocando en paralelo con la inductancia una rama RC, en la que
el capacitor absorberá el exceso de energía (a este circuito se le llama amortiguador), presenta el inconveniente
de ser susceptible de la frecuencia, ya que las reactancias capacitiva e inductiva varían con la misma. Por eso es
muy frecuente encontrar un diodo dispuesto en antiparalelo con la inductancia, como elemento de protección. En
condiciones normales de operación, el diodo está polarizado en inversa, por lo que no actúa la rama en la que se
encuentra. Pero al abrirse el interruptor y producirse la sobretensión desde el inductor, la nueva polaridad que éste
asume hace que el diodo se polarice en directa, brindando una ruta de descarga para la energía acumulada a
través del diodo y no de la fuente ni el interruptor, además de obligar a que la tensión entre bornes del inductor
sea de 0,7V. La velocidad a la cual se descarga se controla por la resistencia de la bobina y el diodo. Pero
también se puede reducir colocando una resistencia adicional en serie con el diodo. El diodo debe ser capaz de
soportar una corriente nominal igual o superior a la que circula nominal por el inductor en condiciones normales.
Obviamente, este sistema no es útil para un sistema que funcione en alterna. Este diodo se suele denominar de
marcha libre o de freewheeling.

Figura 3.71 – Diodo de marcha libre o freewheeling.

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Aseguramiento de la polaridad

Hay muchos circuitos sensibles a la polaridad del voltaje que se les aplica, y muchas veces son
dispositivos costosos, que pueden dañarse. La solución simple es con un diodo en antiparalelo en la entrada. Bajo
polarización normal del sistema, el diodo está bloqueado en inversa. Pero si se aplica la polaridad incorrecta, el
diodo conducirá e impedirá que sobre la entrada del sistema haya más de 0,7V, protegiéndolo así contra voltajes
excesivos con la polaridad equivocada.

Figura 3.72- Protección de la polaridad en un equipo sensible a la misma.

En la figura 3.73 también se aplica este principio a un medido de aguja sensible al movimiento, que no
puede soportar voltajes de más de 1V con la polaridad equivocada.

Figura 3.73- Protección de un medidor sensible al movimiento

Sistema de respaldo de memoria

Muchos sistemas necesitan contar con una fuente de energía de respaldo para garantizar que el sistema
siga funcionando en caso de pérdida de corriente, o que no se pierda información de configuración del dispositivo.
Esto es común en los equipos automotrices, cuando se les desconecta la batería al tener que hacérsele
reparaciones. O bien cuando un quipo habitualmente está conectado a la red eléctrica domiciliaria, y ante un corte
de energía o un traslado del equipo no deba perder su información. También es útil para sistemas de alarmas
domiciliaria, ante un corte de la red de energía. En todos esos casos, se estila contar con una batería de respaldo
que permite que el sistema siga en operación. Cuando la alimentación es normal (que suele ser mayor que la
disponible en la batería de respaldo), el diodo D2 queda polarizado en inversa, por lo que la batería de respaldo no
entrega carga, ni se ve interferida por la alimentación externa. En cuanto falla la alimentación principal, el diodo D 2
queda polarizado en directa, y puede entregar su carga al dispositivo.

Figura 3.74- Sistema de respaldo de memoria

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Detector de polaridad

Como ya se vio, con diodos de diferentes colores asociados a diodos comunes para protegerlos de la zona
de ruptura inversa y un resistor limitador, se puede disponer de un dispositivo para controlar la polaridad de una
fuente de tensión.

Figura 3.75- Detector de polaridad.

Establecimiento de voltajes de referencia

Para ajustar niveles de voltaje de referencia, se pueden utilizar diodos convencionales asociados a un
diodo Zener, con lo cual se pueden obtener varios niveles de referencia (tres en el ejemplo de la figura 3.76).

Figura 3.76- Provisión de niveles de referencia diferentes mediante diodos.

Establecimiento de un nivel de voltaje insensible a la corriente de carga

Para disponer de un determinado voltaje sobre una carga, menor al disponible en la fuente de
alimentación, un recurso bastante extendido es el del divisor resistivo. Matemáticamente se puede encontrar
bastante rápidamente un valor de resistencia que permita proveer la tensión necesaria. También se puede
considerar la resistencia interna de la fuente.

El problema es que si las condiciones de operación cambian, o la resistencia interna de la fuente también
lo hace, el voltaje a la salida del divisor también lo hará. Por lo que es muy susceptible a las variaciones de la
carga. Esta sensibilidad se puede eliminar conectando cuatro diodos en serie con la carga. Cuando los diodos
conducen, el voltaje a través de la carga en la figura será de 6,2V, sin tener en cuenta la impedancia de la carga
(dentro de los límites del dispositivo, por supuesto).

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Figura 3.77- Excitación de una carga de 6V con un divisor resistivo y con una combinación de diodos en serie.

Regulador de corriente alterna y generador de ondas cuadradas

Los diodos Zener se pueden utilizar “espalda con espalda” (back to back) para recortar parte de una señal
senoidal de entrada, lo cual permite controlar que la amplitud máxima de la señal no supere determinado valor
(como regulador de sobretensiones), o llevando el mismo concepto a valores más pequeños se puede conformar
una señal cuadrada a partir de una señal senoidal (la cual se puede utilizar para alimentar un circuito digital o un
contador).

Figura 3.78- Regulación de corriente alterna y conformador de ondas cuadradas simple.

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