FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
LABORATORIO TALLER SIMULACIÓN X CAMPO
GUÍA DE PRÁCTICAS
ESCUELA: INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
CARRERA: INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y AUTOMATIZACIÓN
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA 1
DOCENTE: ING. JORGE LUIS HERNÁNDEZ AMBATO PHD
ESTUDIANTE: Sanunga Luis, Franklin Guamán
PRÁCTICA N: 07
I. TEMA: Rectificadores Monofásicos de Onda Completa Controlados
II. OBJETIVO:
1. Analizar el funcionamiento de circuitos de rectificación de onda completa controlados con
carga de tipo RL y RLE.
III. FUNDAMENTOS TEÓRICOS
Los circuitos de rectificación permiten obtener una señal de voltaje en DC a partir de una
fuente de generación en AC. Otro tipo de los convertidores AC-DC son los rectificadores de
onda completa que presentan un mejor factor de potencia. En el caso de los rectificadores
controlados, es posible ajustar el ángulo de encendido de los elementos de potencia para
controlar el voltaje promedio de salida.
La figura 1a presenta un circuito de rectificación de onda completa controlado con carga RL,
mientras que en la figura 1b se presenta un rectificador similar, pero con carga RLE.
Figura 1.- Circuitos de rectificación de onda completa controlado con carga: a) RL y b) RLE.
Debido a que el elemento de rectificación es un tiristor SCR, es posible controlar el pulso de
encendido para ajustar uno de los varios parámetros de salida como Voltaje Promedio, Voltaje
Efectivo, Corriente de Salida, Factor de Potencia.
Referencias
Branko, L. D. y Branko B. (2015). Power Electronics – Converters and Regulators.
(12a ed). Suiza: Springer.
Hart, Daniel W. (2011). Power electronics. New York – Estados Unidos: McGraw-
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
Hill Education.
IV. INSTRUCCIONES:
1. Implementar el siguiente circuito de rectificación controlada con carga RL en Multisim NI.
V+
A
PR1
G1 G3 V+ G1 V+ G3
V
PR2
D1 D3 V2 V3
Vac1BT151_500R BT151_500R R1
2.2Ω
V1 L1 0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
48Vrms 2mH
G4 G2
50Hz
0° Vac1 G4 Vac2 G2
D4 D2
BT151_500R BT151_500R V6 V5
Vac2
0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
2. Configurar los parámetros de la fuente V2 y V5 como se muestra en la imagen:
3. Configurar la fuente V3 y V6 de acuerdo a como se muestra en la imagen:
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
4. Configurar una simulación de Transitorio con los siguientes parámetros: STIME = 0, TSTOP =
100ms, INITIAL CONDITIONS = “Set to Zero”.
5. Si al momento de ejecutar la simulación se generan errores de convergencia, en la ventana de
configuración de la simulación de Transitorio, en la pestaña “Opción de Análisis” seleccionar
la opción “Usar configuraciones personalizadas…” y dar click en el botón “Personalizar…” y
ajustar la siguiente configuración:
6. Ejecutar la simulación y guardar las formas de onda resultantes.
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
7. Aumentar el valor de la inductancia de carga en un orden de magnitud y ejecutar nuevamente
la simulación y guardar las formas de onda resultantes.
8. Agregar una fuente de voltaje DC en el lado de la carga para formar una carga del tipo RLE y
ajustar su voltaje a 10V.
9. Configurar las fuentes V2-V5 y V3-V6 para generar un retardo en la generación de los pulsos
de encendido de 6ms y 16ms, respectivamente. Además, reiniciar el valor de la inductancia de
carga a 2 mH.
10. Ejecutar la simulación y guardar las formas de onda.
11. Aumentar el valor de la inductancia de carga en un orden de magnitud y ejecutar nuevamente
la simulación y guardar las formas de onda resultantes.
V. LISTADO DE EQUIPOS, MATERIALES Y RECURSOS:
1. NI Multisim 14.1
2. Computador
3. Cuaderno de apuntes
4. Calculadora
VI. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:
1. A partir de la simulación realizada comentar las formas de onda obtenidas y correlacionar los
valores teóricos y simulados para Vo, Vorms, Io, Irms y fp.
V+
A
PR1
G1 G3
V V+ G1 V+ G3
PR2
D1 D2 V2 V3
Vac1 BT151_500R BT151_500R
R1
2.2Ω
V1 0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
48Vrms
50Hz Vac1 G4 Vac2 G2
0°
L1 V6 V5
2mH
G4 G2
Vac2
D3 D4
0V 5V 0V 5V
BT151_500R BT151_500R
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
α =2 πft =2 π ( 50 ) ( 4 ms )=1.2566
wL 2 π ( 50 ) (2 m)
θz=tan−1 ( )
R
=tan−1 ( 2.2 )
=0.2782 rad
wL 2 π ( 50 ) (2 m)
wτ= = =0.2856
R 2.2
2
|Z|=√ R2 + ( wL )2= 2.22 + ( j∗2 π ( 50 ) (2 m) ) =2.2879 Ω
√
i o=if +¿
−ωt −α
Vm Vm
i o ( ωt )= sin ( ωt −θ z )− sin (α −θ z )e ωτ
|z| | z|
−ωt−1.2566
0.2856
i o ( ωt )=29.6701 sin ( ωt−0.2782 )−24.6145 e
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
Para encontrar β
−β −α
ωτ
0=sin ( β−θ z ) −sin ( α −θ z ) e
−β−1.2566
0.2856
0=sin ( β−0.2782 )−0.8296 e
β=3.4194
β
1
I o= ∫ i ( ωt ) dω
π α
3.4194 −ωt−1.2566
1 ( 0.2856
) dω
I o= ∫ 29.6701 sin ( ωt−0.2782 )−24.6145 e
π 1.2566
I o=¿ 15.0357 [A]
β
1
√
I oRMS = ∫ i 2 ( ωt ) dω
π α
3.4194
√
−ωt−1.2566
1 ( 0.2856
) dω
I oRMS = ∫ 29.6701 sin ( ωt−0.2782) −24.6145 e
π 1.2566
I oRMS =¿16.5550 [A]
V oRMS =I oRMS∗R=2.2∗16.5550=33.11[V ]
Po I oRMS 2∗R I ∗R 2.2∗16.5550
Fp= = = oRMS = =0.7587
S V oRMS∗I oRMS V oRMS 48
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
L=3mH
V+
A
PR1
G1 G3
V V+ G1 V+ G3
PR2
D1 D2 V2 V3
Vac1 BT151_500R BT151_500R
R1
2.2Ω
V1 0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
48Vrms
50Hz L1 Vac1 G4 Vac2 G2
0°
3mH
V6 V5
G4 G2
Vac2
D3 D4
0V 5V 0V 5V
BT151_500R BT151_500R
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
α =2 πft =2 π ( 50 ) ( 4 ms )=1.2566
wL 2 π ( 50 ) (3 m)
θz=tan−1 ( )
R
=tan−1 ( 2.2 )
=0.4047 rad
wL 2 π ( 50 ) (3 m)
wτ = = =0.4284
R 2.2
|Z|=√ R2 + ( wL )2= 2.22 + ( j∗2 π ( 50 ) (3 m) )2 =2.3934 Ω
√
i o=if +¿
−ωt −α
Vm Vm
i o ( ωt )= sin ( ωt −θ z )− sin (α −θ z )e ωτ
|z| | z|
−ωt−1.2566
0.4284
i o ( ωt )=28.3623 sin ( ωt−0.4047 )−21.3435 e
Para encontrar β
−β −α
ωτ
0=sin ( β−θ z ) −sin ( α −θ z ) e
−ωt−1.2566
0.4284
0=sin ( β−0.4047 ) −0.7525 e
β=3.5427
β
1
I o= ∫ i ( ωt ) dω
π α
3.5427 −ωt−1.2566
1 ( 0.4284
) dω
I o= ∫ 28.3623 sin ( ωt−0.4047 ) −21.3435 e
π 1.2566
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
I o=¿ 12.0768 [A]
I oRMS =
√ 1 2
∫ i ( ωt ) dω
π α
3.5427 −ωt−1.2566 2
I oRMS =
1
√ (
∫ 28.3623 sin ( ωt−0.4047 )−21.3435 e
π 1.2566
I oRMS =15.5896 [A]
0.4284
) dω
V oRMS =I oRMS∗R=2.2∗15.5896=34.2971[V ]
Po I oRMS 2∗R I oRMS∗R 34.2971
Fp= = = = =0.7145
S V oRMS∗I oRMS V oRMS 48
V+
A
PR1
G1 G3
V V+ G1 V+ G3
PR2
D1 D2 V2 V3
Vac1 BT151_500R BT151_500R
R1
2.2Ω
V1 0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
48Vrms
50Hz L1 Vac1 G4 Vac2 G2
0°
3mH
V6 V5
G4 G2
Vac2
D3 D4 V4
0V 5V 0V 5V
BT151_500R BT151_500R 10V 0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
α =2 πft =2 π ( 50 ) ( 4 ms )=1.2566
∝≥ sin −1 ( Vcc
Vm )
10
∝≥ sin −1 ( 48 √2 )
1.2566 ≥ 0.1479
Vm 48 2
V o= cos (α )= √ cos (1.2566)=21.6076 [V ]
π π
V o−V cc 21.6076−10
I o= = =5.2762[ A ]
R 2.2
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
θn=tan −1 ( wLR )=tan ( 2 π ( 502.2) (3 m) )=0.4047 rad
−1
I oRMS =√ I 2o + I 22 + I 24 + I 26
RMS RMS RMS
2 2 2
V2 V4 V6
√
I oRMS = I +
Z
2
o+
Z( )( )( )
+
Z
63.99 2 24.6779 2 15.7565 2
√
I oRMS = 12.07682+ ( 2.3934
+ ) (
2.3934
+
2.3934 )( )
≈ 20.2273[ A ]
V n= √ a2n +b2n
2V cos(n+ 1) α cos (n−1) α
a n= m
π [n+ 1
−
n−1 ]
2V sin(n+1) α sin(n−1)α
b n= m
π [n+1
−
n−1 ]
a 2=−47.2609
a 4=21.001
a 6=2.7678
b 2=−43.1409
b 4=−12.96
b 6=15.5115
V 2=63.99
V 4 =24.6779
V 6=15.7565
V oRMS =I RMS∗R=2.2∗20.2273=44.501[V ]
Pcc =V cc∗I o=10∗12.0768=120.768 [w]
P Ac =I 2RMS∗R=20.22732∗2.2=900.116 [w]
PT Pcc + P Ac 120.768+ 900.116
Fp= = = =0.99
S I oRMS∗V oRMS 31.7854∗48
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
V2=4m ==>6m
V3=14m ==>16m
V6=14m ==>16m
V5=4m ==>6m
V+
A
PR1
G1 G3
V V+ G1 V+ G3
PR2
D1 D2 V2 V3
Vac1 BT151_500R BT151_500R
R1
2.2Ω
V1 0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
48Vrms
50Hz L1 Vac1 G4 Vac2 G2
0°
2mH
V6 V5
G4 G2
Vac2
D3 D4 V4
0V 5V 0V 5V
BT151_500R BT151_500R 10V 0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
α =2 πft =2 π ( 50 ) ( 6 ms )=1.8849
∝≥ sin −1 ( Vcc
Vm )
∝≥ sin −1 ( 4810√2 )
1.8849 ≥ 0.1479
Vm 48 2
V o= cos (α )= √ cos (1.8849)=6.6759[ V ]
π π
V o−V cc 6.67−10
I o= = =1.5136[ A]
R 2.2
θn=tan −1 ( wLR )=tan ( 2 π ( 502.2) (2 m) )=0.27 rad
−1
I oRMS =√ I 2o + I 22 + I 24 + I 26
RMS RMS RMS
2 2 2
V2 V4 V6
√
I oRMS = I +
Z
2
o + ( )( )( )
Z
+
Z
63.99 2 24.6779 2 15.7565 2
√
I oRMS = 12.0768 +
2.3934
+ 2
(
2.3934
+
2.3934 ) ( )(
≈ 24.3866[ A ] )
V n= √ a2n +b2n
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
2V m cos(n+ 1) α cos (n−1) α
a n=
π [ n+ 1
−
n−1 ]
2V sin(n+1) α sin(n−1)α
b n= m
π [ n+1
−
n−1 ]
a 2=−70.89
a 4=31.5015
a 6=4.1516
b 2=−64.7114
b 4=−19.4538
b 6=23.2671
V 2=95.9851
V 4 =37.0243
V 6=23.6346
V oRMS =I RMS∗R=2.2∗24.3866=53.65[V ]
Pcc =V cc∗I o=10∗1.5136=15.136 [w]
P Ac =I 2RMS∗R=24.38662∗2.2=1308.35[w ]
PT Pcc + P Ac 15.136+ 1308.35
Fp= = = =0.89
S I oRMS∗V oRMS 24.3866∗48
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
V+
A
PR1
G1 G3
V V+ G1 V+ G3
PR2
D1 D2 V2 V3
Vac1 BT151_500R BT151_500R
R1
2.2Ω
V1 0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
48Vrms
50Hz L1 Vac1 G4 Vac2 G2
0°
3mH
V6 V5
G4 G2
Vac2
D3 D4 V4
0V 5V 0V 5V
BT151_500R BT151_500R 10V 0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
α =2 πft =2 π ( 50 ) ( 6 ms )=1.8849
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
∝≥ sin −1 ( Vcc
Vm )
∝≥ sin −1 ( 4810√2 )
1.8849 ≥ 0.1479
Vm 48 2
V o= cos (α )= √ cos (1.8849)=6.6759[ V ]
π π
V o−V cc 6.67−10
I o= = =1.5136[ A]
R 2.2
θn=tan −1 ( wLR )=tan ( 2 π ( 502.2) (2 m) )=0.27 rad
−1
I oRMS =√ I 2o + I 22 + I 24 + I 26
RMS RMS RMS
2 2 2
V2 V4 V6
√
I oRMS = I +
Z
2
o + ( )( )( )
Z
+
Z
63.99 2 24.6779 2 15.7565 2
√
I oRMS = 12.07682+ ( 2.3934
+ ) (
2.3934
+
2.3934 )( )
≈ 24.3866[ A ]
V n= √ a2n +b2n
2V cos(n+ 1) α cos (n−1) α
a n= m
π [ n+ 1
−
n−1 ]
2V sin(n+1) α sin(n−1)α
b n= m
π [ n+1
−
n−1 ]
a 2=−60.89
a 4=21.5015
a 6=45.1516
b 2=−74.7114
b 4=−19.4538
b 6=28.2671
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
V 2=85.9851
V 4 =37.0243
V 6=33.6346
V oRMS =I RMS∗R=2.2∗24.3866=53.65[V ]
Pcc=V cc∗I o=10∗1.5136=12.136 [w]
P Ac =I 2RMS∗R=24.38662∗2.2=309.35[w ]
PT Pcc + P Ac 12.136+ 309.35
Fp= = = =0.87
S I oRMS∗V oRMS 24.3866∗48
2. Cuál es el mínimo y máximo valor de retardo que puede ser configurado para garantizar el
encendido de los SCRs.?
∝≥ sin −1 ( Vcc
Vm )
∝≥ sin −1 ( 4810√2 )
∝≥ 0.1479
V2
VE 10
α min=sen
−1
( )
Vm
=sen
−1
48∗√ 2 ( )
=0.147 rad
t 1 max=10 ms−t 1 min =9.5321
V3
t 2 max=20 ms−t 1 min =19.5321
VII. RESULTADOS OBTENIDOS:
Colocar en esta sección los resultados obtenidos de la ejecución de las actividades solicitadas en la
sección anterior.
VIII. CONCLUSIONES:
- Las formas de ondas pueden tener diferentes comportamientos en función al SCR a utilizarse.
- En el caso de los rectificadores controlados, es posible ajustar el ángulo de encendido de los
elementos de potencia para controlar el voltaje promedio de salida.
- Este tipo de rectificador presenta un mejor factor de potencia.
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
IX. RECOMENDACIONES:
-Al momento de graficar la simulación utilizar las diferentes herramientas que da la gráfica para
una mejor interpretación de estos resultados.
-Revisar los apuntes de clases para tener conocimiento teórico del comportamiento del circuito y
de las
gráficas.
-Tener en cuenta los tiempos de retardo para garantizar el encendido del SCR.
Fecha de presentación: 12 – 08– 2021
-------------------------------- ----------------------------------
Sr(ita). Ing. Jorge Hernández Ambato, PhD
Estudiante Profesor
