ELECTRÓNICA.
PROBLEMARIO Nº2:
Profesor: Antonio Bosnjak Seminario.
1) Si el transistor de silicio empleado en el circuito indicado tiene un valor mínimo de β = hFE de
30, y si ICBO = 10 nA a 25 ºC:
(a) Hallar Vo para Vi =12 V y demostrar que Q está en saturación.
(b) Hallar el mínimo valor de R1 para que el transistor del apartado a esté en la región activa.
(c) Si R1=15 K y Vi = 1 V, hallar Vo y demostrar que Q está en corte.
12 V
2,2k
iC
R1 +
Q
Vi 15k
iE Vo
100k
-
-12 V
2) En el circuito indicado, se emplean transistores de silicio con hFE = 100. Despreciar la corriente
inversa de saturación.
(a) Hallar Vo cuando Vi = 0 V. Suponer que Q1 está cortado y justificar esta suposición.
(b) Hallar Vo cuando Vi = 6 V. Suponer que Q2 está cortado y justificar esta suposición.
12 V
4k 1k
2k iC
1k Q1 +
Q2
+ 6k iE Vo
Vi
- -
3k
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3) En el circuito indicado, se emplea un fotodiodo 1N77. RL representa la resistencia de la bobina
de un relé que precisa una corriente de 6 mA para cerrarse. El transistor es de silicio con VBE =
0,7 V y β .
(a) Hallar la tensión VD para que actúe el relé.
20 V
VD iC
50k VR Bobina de relé
RL = 2k
4) En el circuito que se muestra en la figura 4, se supone que todas las uniones operan a 0.7 V.
Calcule los voltajes en los nodos A, B, C y D si la β de cada dispositivo es (a) infinita, (b) 10.
+10 V
+10 V
9,3k
9,3k
iC 10k
iC 10k
D
iC
C Q
Q1 Q2
B
10k 10k
A
9,3k
9,3k
-10 V -10 V
Figura 4. Figura 5.
5) Si los dos transistores de la figura (5) se encuentran perfectamente apareados con VBE = 0. 7 V ,
¿Cuáles son los voltajes en los colectores de Q1 y de Q2 si (a) β1 = β2 = ∞ , (b) β1 = β2 = 100 .
6) Hallar el valor VBB para saturar el transistor.
VCE,sat = 0, 1V
VBE ≈ 0, 7 V
β = 10
Prof: Antonio Bosnjak Seminario. Problemario 2 2
+10 V
1k
iC
Q1
10k
VBB
1k
Figura 6.
7) (a) Hallar R1 y R2 de modo que ICQ = 10mA . (Recuérdese que Rb << βRe ).
(b) Hallar la máxima excursión simétrica posible de la corriente de colector con estos valores de
R1 y R2.
+10 V
VBEQ = 0, 7 V
150 Ω
R2 iC β = 100
Q1
R1 100Ω Ce → ∞
Figura 7.
8) En la Figura 7. Hallar R1 y R2 para obtener la excursión simétrica máxima de la corriente de
colector. Determinar el punto de reposo para estas condiciones.
9) Hallar R1, R2, Rc, Re, de modo que en la carga pueda circular una corriente de cresta de 40mA
siendo el valor de la resistencia de carga de 100Ω . Obsérvese que la solución no es única.
+10 V
Rc
R2 iC Cc → ∞
iL
Q1 20 < β < 80
100 Ω
R1 Re
Figura 9.
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10) Para el circuito final del problema (9). Hallar la corriente alterna máxima de cresta que puede
circular en la carga si VCE,sat = 0, 5 V.
11) Hallar la excursión simétrica máxima posible de vL.
+25 V
1k
20k iC
β = 60
Ce → ∞
+
5k 2k 2k vL
-
Figura 11.
12)
(a) Para un transistor p-n-p polarizado en la región activa, indicar las componentes de corrientes de electrones
y huecos que atraviesan cada unión y entran (o dejan) el terminal de base. (2 ptos).
(b) Dibuje la pastilla semiconductora indicando cada una de las corrientes. (1 pto).
(c) ¿Cuál es el origen físico de las varias componentes de corriente que atraviesan el terminal de base?. (1
pto).
13)
Resolver el circuito de la Figura #2, y determinar si los transistores se encuentran operando en la región
activa. Todos los transistores son iguales con un β = 100 . Hallar cada uno de los siguientes voltajes:
VA VB VC VD Vce Ie3 I1
1 pto. 1 pto. 1 pto. 1 pto. 1 pto. 1 pto. 1 pto.
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+10V
30K
Rd1 4K
R1 +10 V
i1
Q2
D C
Q1 Rc= 100 Ω
iE
6,6K R2 Cc → ∞
Rs1 R2 iE B Q3 iC iL
10K
3,6K 0V A
Q1 20 < β < 80
1mA
100 Ω
2K
R1 Re= 25Ω
-10V
Figura #2 Figura #3
14)
En el circuito de la Figura #3: Hallar las resistencias de polarización del transistor: R1 y R2. Tomando en
consideración que la corriente de colector ICQ = 40mA .
La corriente de colector varía en un 10% cuando Beta del transistor varía entre: 20 < β < 80
(Sugerencia: Para un Beta grande utilizar la corriente mayor ICQ + 5% .
Para un Beta pequeño utilizar la corriente menor ICQ − 5% ).
(a) Hallar la recta de carga estática.
(b) Hallar la recta de carga dinámica.
(c) Hallar el VceQ.
R1 R2 Recta de Carga Recta de Carga VceQ
2 ptos. 2 ptos. estática. Dinámica. 1 pto.
2 ptos. 2 ptos.
15)
(a) Esbozar una familia de curvas características de salida en base común de un transistor.
(b) Indicar las regiones activa, de corte y de saturación.
(c) Explicar cualitativamente la forma de las curvas.
16)
Resolver el circuito de la Figura #2, y determinar si los transistores se encuentran operando en la región
activa. Los dos transistores son iguales con un β = 100 . Hallar cada uno de los siguientes voltajes:
VA VB VCE1 Vo VCE2 I1
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+20V +5V +15 V
10K 900 Ω 270 Ω
RB=100K 2K
i1 i1
R2 iC
A B β = 80
Q1 Q1 Q1
Q2
iE Vo iE iE
iE
50Ω 470Ω
500Ω RL R1 100Ω
Ce → ∞
Figura #2. Figura #3 Figura #4
17)
Hallar el rango de valores entre los cuales puede variar la Resistencia RL, y el transistor Q1 de la
figura #3 continua en activo.
18)
En la Figura #4. Hallar R1 y R2 para obtener la excursión simétrica máxima de la corriente de
colector. β = 80
(Sugerencia: Utilice la relación 12 ⋅ R BB = βRe para hallar la Resistencia de la Base).
(a) Determine el punto de reposo para estas condiciones.
(b) Hallar la recta de carga estática.
R1 R2 Recta de Carga estática. ICQ VceQ
1,5 ptos. 1,5 ptos. 2 ptos. 1 pto. 1 pto.
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA.
El Transistor de Unión.
Un transistor puede estar constituído de dos capas de silicio tipo "p" que encierran un tipo "n". Ó
por dos capas de material tipo "n" que encierran una capa de Semiconductor tipo "p".
En el primer caso es un transistor p-n-p.
En el segundo caso es un transistor n-p-n.
El conjunto semiconductor es extremadamente pequeño, y está herméticamente protegido contra la
humedad por una caja de plástico o de metal.
Las tres partes del transistor se conocen con los nombres de emisor, base y colector. La flecha del
emisor indica la dirección de la corriente cuando la unión emisor-base está polarizada en sentido
directo. En todos los casos, por convención las corrientes IE, IB, IC, se considerarán positivas cuando
vayan hacia el interior del Transistor.
Emisor Base Colector Emisor Base Colector
E C
E p n p n p n
C
B
B
Emisor Colector Emisor Colector
IE IC IE IC
VEB VCB VEB VCB
IB IB Base
Base
Tipo p-n-p Tipo n-p-n
Figura 1. (a) Un Transistor p-n-p y uno n-p-n. La unión del emisor (colector) es JE (JC). (b) Circuito de los
dos tipos de transistores.
El Transistor en circuito abierto.
Si no se aplica ninguna tensión de polarización, no hay corriente en el transistor. Las barreras de
potencial de las uniones se ajustan a la diferencia de potencial de contacto Vo. (Unas pocas décimas
de Volts). requerida para que ningún portador libre atraviese la unión. Si suponemos una unión
completamente simétrica (las regiones del emisor y del colector con idénticas dimensiones físicas y
concentración de impurezas), las alturas de las barreras de potencial son idénticas para la unión de
emisor JE y para la unión de colector JC, tal como indica la figura 2.
Concentración de Portadores
minoritarios.
Emisor
Pno
Colector npo npo
tipo p Base
Vo tipo p
tipo n
(tipo p) JE (tipo n) JC (tipo p)
JE JC
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Figura 2. (a) Potencial y (b) densidad de portadores minoritarios en cada sección de un transistor
p-n-p simétrico con circuito abierto.
En circuito abierto la concentración de minoritarios es constante dentro de cada sección y es igual
al valor de equilibrio térmico npo en las regiones de emisor y colector de tipo "p". Y pno en en la base
tipo "n", como aparece en la Figura 2.
Polarización del transistor en la región activa.
En la Figura 3, podemos apreciar un transistor polarizado en la región activa: la unión emisor-base
polarizada en sentido directo y la unión colector-base en sentido inverso.
Emisor Colector
IE IC
VEB VCB RL Concentración de Portadores
IB minoritarios.
Base
Emisor Base Colector
Tipo p-n-p + - tipo p tipo n
VCC tipo p
pn
Vo np
/VEB/ Barrera
pno np
de unión Barrera
del emisor de unión
npo npo
Vo-/VEB/ del colector (tipo p)
(tipo p) (tipo n)
Vo-/VCB/
/VCB/ WB
JE JC
Emisor
JE Base Colector
JC tipo p
tipo p tipo n
Figura 3. (a) Transistor p-n-p polarizado en la región activa (el emisor está polarizado en sentido
directo y el colector en el inverso). (b) Variación de potencial a través del transistor. Las zonas de
transición en las uniones son muy pequeñas y se desprecian. (c) Concentración de portadores
minoritarios en cada sección del transistor. Se ha supuesto que el emisor está mucho más dopado que
la base.
Componentes de la corriente del Transistor.
La corriente del emisor en un transistor Bipolar p-n-p esta constituída por huecos IpE (que se
mueven desde el emisor a la base) y por electrones InE (que se mueven de la base al emisor) Como el
emisor está fuertemente dopado con respecto a la base la corriente debida a los huecos en el emisor es
más grande, así puede atravesar la base, la cual es estrecha y esta poco dopada. La corriente debida a
los huecos en el emisor al pasar a la base se convierte en una inyección de portadores minoritarios,
(ya que los portadores mayoritarios en la base "n" son los electrones) una pequeña parte de esta
corriente se recombina en la base mientras que la mayor parte pasa intacta al colector como IpC1. En
Prof: Antonio Bosnjak Seminario. Problemario 2 8
donde IpC1, representa la corriente de huecos vista en JC como resultado de los huecos que
atravesaron la base desde el emisor. Por lo tanto hay un cierto volumen de corriente de
recombinación de huecos IpE - IpC1 que dejan la base, como se indica en la figura 4, (en realidad
entran electrones a la región de la base, desde el circuito exterior, por su terminal, compensando las
cargas perdidas por la recombinación con los huecos inyectados a la base a través de JE).
p n p
IpE IpC1 IC
IE (IpE - IpC1)
IpCO C
E
ICO
InE
InCO
B
IB
+ - + -
VEB VCB
Figura 4. Componentes de corriente en un transistor en el caso de estar el emisor polarizado directo y el
colector inverso. Si la corriente tiene un subíndice p ó n indica que ésta consiste de huecos o electrones que se
mueven en el mismo sentido o en el opuesto al que indica la flecha.
I E = I pE + InE (1)
Supongamos, ahora que la unión del emisor del transistor se encuentra en circuito abierto, por lo
tanto todas las corrientes son cero con excepción de las que se generan térmicamente. La corriente
inversa está constituída por dos componentes InCO formada por electrones que se mueven de la parte
"p" a la "n" atravesando JC y el término IpCO, resultante de los huecos que pasan desde "n" a "p"
por JC.
− ICO = InCO + I pCO (2)
Volvamos a la situación indicada en la figura 4, en que el emisor está polarizado en directo de
modo que:
IC = ICO − I pC1 = ICO − αI E (3)
en que α se define como la fracción de la corriente total de emisor, que representa los huecos que han
atravesado del emisor, por la base, al colector. En un transistor p-n-p, IE es positiva e IC e ICO son
ambas negativas, lo cual significa que, en el terminal del colector la corriente está en dirección
Prof: Antonio Bosnjak Seminario. Problemario 2 9
opuesta a la que se indica por la flecha de IC en la figura 4. Para un transistor n-p-n, estas corrientes
circulan en sentido contrario.
Ganancia de corriente α con grandes señales.
"α" se define como la relación cambiada de signo entre el incremento de la corriente de colector
desde el corte ( IC = ICO ) y la variación de la corriente del emisor desde el corte.
⎛I −I ⎞
α ≡ −⎜⎜ C CO ⎟⎟ (4)
⎝ IE − 0 ⎠
Alfa es llamada la ganancia de corriente para grandes señales de un transistor en base común.
Como IC e IE tienen signos opuestos (para ambos transistores p-n-p ó n-p-n), α siempre será
positiva. El valor típico de α está comprendido entre 0,90 y 0,995. Debe puntualizarse que α no es
constante, sino que varía con la corriente del emisor IE, la tensión de colector VCB y la temperatura.
Ecuación generalizada del transistor.
La ecuación generalizada del transistor válida en la región activa, cuando la juntura emisor-base se
encuentra polarizada en sentido directo y la juntura colector-base se encuentra polarizada en sentido
inverso es la siguiente:
I C = −αI E + I CO ⎛⎜1 − e VT ⎞⎟
VC
(5)
⎝ ⎠
Prof: Antonio Bosnjak Seminario. Problemario 2 10
