MEMORIAS ROM
La memoria de solo lectura, conocida también como ROM, es un medio de almacenamiento
utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite solo la lectura de la
información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de
energía.
UN POCO DE DIFERENCIA ENTRE RAM Y ROM:
Lo que diferencia la memoria RAM de la ROM, no solo es porque es una memoria fija (es decir, no
es volátil, sino que los datos permanecen ahí incluso aun sin energía), sino que además es de solo
lectura y no se puede volver a escribir nada en ella. En este tipo de memoria se almacenan cosas
como la BIOS o el firmware de los dispositivos.
TIPOS DE MEMORIAS ROM:
Mask ROM: este tipo de memoria es la que se utiliza durante el proceso de fabricación
de los dispositivos, y una vez escritos los datos no pueden ser modificados.
PROM: significa «Programmable ROM», y como su nombre indica los datos que
almacena pueden ser programados (a diferencia de la Mask ROM, después del proceso de
fabricación). Tiene la particularidad de que una vez que se escribe en ella, estos datos ya
no pueden ser modificados nunca más.
EPROM: significa «Electrically Programmable ROM», y es parecida a la PROM, pero
permite que los datos se eliminen en condiciones específicas (esencialmente exponiéndola
a luz ultravioleta de alta intensidad).
EEPROM: significa «Electrically Erasable Programmable ROM», y es el tipo de
memoria ROM más utilizado porque permite que los datos se eliminen y reescriban un
número ilimitado de veces.
EEPROM: son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only
Memory (ROM programable y borrable eléctricamente) Es un tipo de memoria ROM que puede
ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de
borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene
una compuerta flotante, su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y
reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En
otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una
mayor rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka
mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos
Electrónicos del IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer
chip comercial de tipo NOR.
MEMORIA ROM EEPROM 28c16
Esta memora 28c16 se puede programar de dos modos: una de 5 volts positivo y otro de alto
voltaje. El primer modo se inicia con un pulso de escritura con un flanco de bajada es decir de
alto a bajo de duración de 200 ns. La memora 28c16 borra automáticamente el byte
seleccionado antes de escribir el nuevo dato, el tiempo total de borrado y escritura es de 10 ms.
Para leer la memoria su tiempo de acceso es de 250 ns. A continuación, se muestra una imagen
de la disposición de los pines de la memoria eeprom 28c16.
PINES: Los pines A0 a A10 indican el bus de direcciones, el cual dependiendo la combinación
seleccionada se accede a los datos por medio de los pines I/O. Los pines I/O0 a I/O7 son los
pines por medio del cual se accede a la información previamente seleccionada con (A0-A10) o
por el cual se ingresan los datos a guardar cuando la memoria se pone en modo escritura. CE
negado: Por medio de este pin se habilita o deshabilita la memoria, para habilitar la memoria se
pone este pin a tierra para deshabilitar la memoria es decir para que ni este a modo escritura ni
lectura se pone a 5 volts positivos. OE negado: Por medio de este pin se configura la memoria
para que trabaje de modo lectura o escritura. Cuando este pin se pone a tierra la memoria está en
modo escritura y cuando este pin está a 5 volts positivo está en modo lectura. WE negado: Por
medio de este pin la memoria se configura para tener el voltaje necesario para escribir los datos
o leerlos. Cuando el pin se pone a tierra la memoria tiene el voltaje necesario para escribir en
ella y cuando está a 5 volts positivos tiene el voltaje necesario para realizar la lectura. Vcc y
Gnd: Por medio de estos pines se alimenta la memoria Vcc a 5 volts y Gnd a tierra .
CARACTERISTICAS:
Organización de la memoria 2048 X8
Tipo de funcionamiento; chip estático
Tiempos de acceso a lectura; 250 nseg
Capacidad de corrección para un solo bit
Tiempo de escritura máx., 10 mseg
Compatible con la arquitectura de microprocesadores
Potencia de disipación
Estado activo; 610 mw
Estado inactivo: 295 mw
MODO DE LECTURA: Para leer un dato (1byte) de la memoria 28c16 se hace por medio
de los pines I/O0 a I/O7 pero primero se debe de direccionar alguna de las 2048 localidades
disponibles de la memoria por medio de los pines A0 a A10 después se aplica un voltaje de 5
volts positivo s W/E negado, para CE negado se pone a tierra, OE negado también se pone a
tierra. Si algunos de estos pines se encontraran en 5 volts positivo las salidas estarían en alta
impedancia por lo que no se podrían leer datos.
MODO DE ESCRITURA: Para este modo ocuparemos la programación a 5 volts. Para poder
escribir en la memoria es decir para guardar información en ella lo primero que tenemos que
hacer es: direccionar alguna de las 2048 localidades disponibles en la memoria después poner a
tierra el pin W/E negado 200 ns, mientras que OE negado debe estar en 5 volts positivo y CE
negado debe estar conectado a tierra cuando esto ocurre el dato es almacenado en la localidad
direccionada por medio del flanco de bajada pero antes la arquitectura de la propia memoria
borra automáticamente el dato almacenado anteriormente y procederá a escribir el nuevo dato.
Todos los datos pueden ser borrados y escritos en 10 ms, mientras que los pines I/O permanecen
en alta impedancia durante el tiempo en que dura el proceso de escritura .
