MANTENIMIENTO ELÉCTRICO E INSTRUMENTACIÓN
CURSO: ELECTRÓNICA DE POTENCIA
TEMA: EL IGTB
PROFESOR: MENDOZA WILSON BETO
ALUMNO:
Seguil Carhuamaca Jean Paul
HUANCAYO
13/07/2021
El IGTB
ÍNDICE
ÍNDICE.......................................................................................................................................2
Introducción................................................................................................................................3
Desarrollo....................................................................................................................................4
1. ¿Qué es un IGBT?.........................................................................................................4
2. ¿Dónde utilizamos los IGBT?.......................................................................................4
3. ¿Cuáles son las características de un IGBT?.................................................................5
4. ¿Cómo está construido internamente?...........................................................................6
5. ¿Qué es un MOSFET y cuáles son sus características?................................................6
Características.....................................................................................................................7
Conclusiones...............................................................................................................................7
Bibliografia.................................................................................................................................8
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Introducción
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es
un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en
circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la característica de las señales de
puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y
un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT
es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
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Desarrollo
1. ¿Qué es un IGBT?
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de Isolated Gate Bipolar Transistor o sea transistor
bipolar de puerta de salida
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del
BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada.
2. ¿Dónde utilizamos los IGBT?
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En control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura,
iluminación de baja frecuencia y alta potencia.
Están presentes en la circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y
barcos, pero también de los electrodomésticos del hogar mediante interconexión de diversos
IGBT que controlan los motores eléctricos.
En sistemas de electrónica de potencia y electrónica de control.
Es usado en aplicaciones de altas y medias de energía como fuente conmutada, control de la
tracción en motores y cocina de inducción.
3. ¿Cuáles son las características de un IGBT?
La rapidez al momento de efectuar una conmutación.
Usado altamente en fuentes conmutadas.
Tiene muy buena capacidad de manejo de corriente.
No requiere corriente de base para entrar en conducción.
Tiene la poderosa ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica muy débil en el gate.
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4. ¿Cómo está construido internamente?
La sección transversal de silicio de un IGBT, es muy similar a la de un MOSFET,
exceptuando el sustrato p+. El comportamiento de este dispositivo es muy similar al de un
BJT que al de un
transistor MOSFET.
Los IGBT pueden ser NPN O PNP solo puede cambiar la corriente en dirección hacia
adelante es decir del colector a emisor
5. ¿Qué es un MOSFET y cuáles son sus características?
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Son componentes electrónicos que nos permiten de controlar corrientes muy elevadas,
también nos sirve para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Características
La velocidad de conmutación es muy alta, y los tiempos de conmutación son de orden
de los nanosegundos.
Tienen problemas de descarga electrostática por lo que requieren cuidados especiales
en su manejo.
Es muy difícil protegerlos en condiciones de falta por cortocircuito.
Requieren poca energía de compuerta para su funcionamiento.
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Conclusiones
Los IGTBs han estado en todo momento con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la
electrónica de potencia.
Llegamos a la conclusión de los IGBT sabiendo que estos son dispositivos que trabajan en
aplicaciones de 500V a 1700V, con niveles de potencia de 1- 1000kW con coeficiente de
temperaturas positivas a altas corrientes, sencillez en construcción de módulos paralelos, fácil
manejo, similar al MOSFET, pero más lentos que los MOSFET y más rápido que GTO, SCR.
Sus frecuencias de conmutación típicas de 3 a 30KHz.
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Bibliografía
https://sensoricx.com/electronica-de-potencia/transistores-igbt/
https://es.slideshare.net/dasithjdesilva/igbt-42333776
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