Práctica # 7”SCR”
Torres Herrera Marlene
Sámano Castro Kevin Raúl
Padilla Quijas Guadalupe Matzayani
# 3068 Electrónica Analógica
15/06/2021
ING. Zamarrón Ramírez Antonio
INTRODUCCION
El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro capas
de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene
de la unión de Tiratrón y Transistor. Un SCR posee tres conexiones: ánodo,
cátodo y puerta.
OBJETIVO
Analizar y comprender el funcionamiento del rectificador SCR en un circuito, de
manera de interruptor, haciendo que prenda un led y un foco con alimentación de
120 V
MATERIAL Y EQUIPO
Un trasformador de 120 a 24 V con derivación central a 1 amperio
4 diodos 1N4001
2 resistencias de 560 a ½ W
1 protoboard
2 metros de cable pot#18
1 clavija
1 capacitor de 35 V
3 transistores BC47
1 relevador de 12 V de cd
1 regulador 7812 a 1 amperio
1 foco
1 rectificador SCR
MARCO TEÓRICO
¿Qué es un SCR?
El SCR (Rectificador controlado de silicio / Silicon Controled Rectifier) es un
dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi
ideal. Su símbolo y estructura se muestran en la figura.
Funcionamiento básico del SCR
El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente para comprender su
funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector
de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IMAGEN 1 : SIMBOLO Y ESTRUCTURA
DEL SCR, A = ánodo, G = compuerta o Gate
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista
y C = K = cátodo una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y
…… este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el
encendido del SCR.
IMAGEN 2 : CORRIENTES EN
ESTRUCTURA DEL SCR
Los parámetros son:
VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Máxima corriente directa permitida.
PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
Curva característica del SCR
En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutación y la
corriente de compuerta. Cuando está polarizado en inversa se comporta como
un diodo común (ver la corriente de fuga característica que se muestra en el
gráfico).
En la región de polarización en directo, se comporta también como un diodo
común, siempre que ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para
valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo a
cátodo es menor (VC).
IMAGEN 3: dependencia entre el voltaje
de conmutación y la corriente de
compuerta
Si la IG disminuye, el voltaje ánodo – cátodo aumenta. (ver el punto B y A, y el
voltaje ánodo – cátodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de
compuerta IG, el voltaje ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de que conduzca
(se ponga en On / esté activo).
¿Cómo es un Rectificador controlado de silicio?
A continuación se compara dos scr de diferente potencia. El de más potencia esta
a la izquierda.
IMAGEN 4: Thuringius [CC BY-SA 3.0]
Aplicaciones del Rectificador controlado de silicio
Como estabilizador de voltaje AC
En cargador de baterías
Como interruptor
Para control de potencia
En inversores (para pasar de voltaje DC a voltaje AC)
etc.
DESARROLLO Y RESULTADOS
Medir el voltaje de Medir el voltaje de
Armar el circuito rectificador de media corriente en la salida salida del regulador Medir la corrien
onda con su capacitor y el circuito del rectificador que pasa a trav
regulador de voltaje con diodo Zener de Rs
CONCLUSIONES
Marlene:
Kevin:
Guadalupe:
BIBLIOGRAFIA
Administrador,22 junio del 2020, SCR rectificador controlado de silicio,
Recuperado el 15 de junio del 2021, Electrónica Unicrom,
[Link]
El SCR , Recuperado el 15 de junio del 2021, Electrónica Industrial
[Link]
