UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA
INFORME PREVIO #3
CURSO: ELECTRONICA (ML-830)
TEMA: AMPLIFICADOR BÁSICO CON TRANSISTOR FET DE UNIÓN
O JFET
ESTUDIANTE: FERNANDEZ SALDIVAR LIDES 20170275E
DOCENTE: ING. EDILBERTO SEGUNDO HUAMANI HUAMANI
Lima, 22 de enero del 2021
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Facultad de ingeniería mecánica
OBJETIVOS
• Construir y operar un circuito AMPLIFICADOR BÁSICO con un Transistor FET de
Unión o JFET. Reconocer en la práctica la configuración de SURTIDOR COMÚN.
• Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del Transistor de Efecto de
Campo, su trabajo en DC y en AC.
• Operar el circuito amplificador básico para determinar el correspondiente
punto de operación del transistor, sus componentes: corriente de drenador ID,
y voltaje entre drenador (D) y fuente o surtidor (S). Reconocer la ganancia de
corriente del JFET a partir de valores medidos.
• Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar la
ganancia de tensión a partir de valores medidos. Reconocer la máxima
excursión simétrica y las razones por las cuales hay distorsión en la tensión de
salida.
MARCO TEORICO
JFET:
JFET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor normal es un
dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la polarización, mientras que
JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Igual que los MOSFET, como hemos visto en
nuestro tutorial anterior, JFET tiene tres terminales: Gate, Drain y Source
JFET es un componente esencial para los controles operados por voltaje de nivel de precisión
en electrónica analógica. Podemos usar JFET como resistencias controladas por voltaje o como
un interruptor, o incluso hacer un amplificador usando el JFET. También es una versión de
eficiencia energética para reemplazar los BJT. JFET proporciona un bajo consumo de energía y
disipaciones de energía bastante bajas, lo que mejora la eficiencia general del circuito.
También proporciona una impedancia de entrada muy alta, lo cual es una gran ventaja sobre
los BJT.
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Hay diferentes tipos de transistores, en la familia FET, hay dos subtipos: JFET y
MOSFET.
COMO TRABAJA EL JFET
Un mejor ejemplo para comprender el funcionamiento de un JFET es imaginar el tubo de
manguera de jardín. Supongamos que una manguera de jardín está proporcionando un flujo de
agua a través de ella. Si apretamos la manguera, el flujo de agua será menor y, en cierto punto,
si lo apretamos por completo, habrá un flujo de agua cero. JFET funciona exactamente de esa
manera. Si intercambiamos la manguera con un JFET y el flujo de agua con una corriente y
luego construimos el canal de corriente, podríamos controlar el flujo de corriente.
Cuando no hay voltaje a través de la puerta y la fuente, el canal se convierte en un camino
suave que está abierto para que fluyan los electrones. Pero lo inverso sucede cuando se aplica
un voltaje entre la puerta y la fuente en polaridad inversa, lo que hace que la unión P-N se
desvíe y hace que el canal sea más estrecho al aumentar la capa de agotamiento y podría
colocar el JFET en la región de corte o pizca.
Si queremos apagar un JFET, necesitamos proporcionar una puerta negativa a la fuente de
voltaje indicada como VGS para un JFET de tipo N. Para un JFET tipo P, necesitamos
proporcionar VGS positivo.
JFET solo funciona en modo de agotamiento, mientras que los MOSFET tienen modo de
agotamiento y modo de mejora.
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Amplificador mecánicacomún JFET
de fuente
El amplificador JFET de fuente común utiliza transistores de efecto de campo de unión como su
dispositivo activo principal que ofrece características de alta impedancia de entrada
Los circuitos amplificadores de transistores, como el amplificador de emisor común, se
fabrican con transistores bipolares, pero también se pueden hacer amplificadores de señal
pequeños con transistores de efecto de campo. Estos dispositivos tienen la ventaja sobre los
transistores bipolares de tener una impedancia de entrada extremadamente alta junto con
una salida de bajo nivel de ruido, lo que los hace ideales para usar en circuitos de amplificador
que tienen señales de entrada muy pequeñas.
El diseño de un circuito amplificador basado en un transistor de efecto de campo de unión o
"JFET", (FET de canal N para este tutorial) o incluso un FET de silicio de óxido de metal o
"MOSFET" es exactamente el mismo principio que para el circuito de transistor bipolar.
En primer lugar, es necesario encontrar un punto de reposo adecuado o "Q-point" para la
polarización correcta del circuito amplificador JFET con configuraciones de amplificador único
de fuente común (CS), drenaje común (CD) o seguidor de fuente (SF) y Common-gate (CG)
disponible para la mayoría de los dispositivos FET.
Estas tres configuraciones de amplificador JFET corresponden a las configuraciones de emisor
común, emisor seguidor y base común que utilizan transistores bipolares.
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Curvas de características del amplificador JFET de fuente
común
Al igual que con el circuito bipolar emisor común, la línea de carga de CC para el amplificador
JFET de fuente común produce una ecuación de línea recta cuyo gradiente se da como: -1 / (Rd
+ Rs) y que cruza el eje vertical Id en el punto A igual Vdd / (Rd + Rs) . El otro extremo de la
línea de carga cruza el eje horizontal en el punto B que es igual a la tensión de alimentación,
Vdd .
La posición real del punto Q en la línea de carga de CC generalmente se ubica en el punto
central medio de la línea de carga (para la operación de clase A) y está determinada por el
valor medio de Vg que está sesgado negativamente ya que el JFET es un dispositivo de modo
de agotamiento. Al igual que el amplificador emisor común bipolar, la salida del amplificador
JFET de fuente común está desfasada 180 ° con la señal de entrada.
Una de las principales desventajas de utilizar el JFET de modo de agotamiento es que deben
estar sesgados negativamente. Si este sesgo falla por alguna razón, el voltaje de la compuerta
puede aumentar y volverse positivo, causando un aumento en la corriente de drenaje que da
como resultado la falla del voltaje de drenaje, Vd.
Corriente del amplificador JFET y ganancias de potencia
Anteriormente dijimos que la corriente de entrada, Ig de un amplificador JFET de fuente
común es muy pequeña debido a la impedancia de puerta extremadamente alta, Rg. Por lo
tanto, un amplificador JFET de fuente común tiene una muy buena relación entre sus
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impedancias entrada y mecánica
salida y para cualquier cantidad de corriente de salida, I OUT el
amplificador JFET tendrá una ganancia de corriente muy alta Ai .
Debido a esta fuente común, los amplificadores JFET son extremadamente valiosos como
circuitos de adaptación de impedancia o se usan como amplificadores de voltaje. Del mismo
modo, porque: Potencia = Voltaje x Corriente, (P = V * I) y los voltajes de salida son
generalmente varios milivoltios o incluso voltios, la ganancia de potencia, Ap también es muy
alta.
Simulación en proteus
ANALISIS EN DC – PUNTO DE OPERACIÓN
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ANÁLISIS ENingeniería mecánica DE TENSIÓN
AC – GANANCIA
Bibliografía
• https://viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_aplicaciones.php
• https://es.wikipedia.org/wiki/JFET
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• https://electrotec.pe/blog/jfet
• http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador jfet-
de-fuente-comun.html
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