Dirección General de Educación Superior Tecnológica
Instituto Tecnológico Superior de Champotón
Carrera:
Ingeniería Electromecánica
Tema:
Investigación y Mapa Mental
Docente:
Luis Alberto García Alejo
Asignatura:
Electrónica Analógica
UNIDAD II
“Transistores Bipolares y de efecto de campo”
Alumnos (as):
Matrícula Nombre (s)
191080041 José David González Melo
Champotón, Campeche, a 29 de Junio del 2021
2.1 Transistor Bipolar
Los transistores de unión bipolar o transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor BJT)
son unos dispositivos activos de tres terminales que constituyen el elemento fundamental
en multitud de aplicaciones que van desde la amplificación de señales, al diseño de
circuitos lógicos digitales y memorias. El principio básico de funcionamiento de un
transistor bipolar es el uso de la tensión existente entre dos de sus terminales para
controlar la corriente que circula a través del tercero de ellos.
De esta forma, un transistor bipolar podría utilizarse como una fuente dependiente que,
como hemos establecido en el Capítulo anterior, es el elemento fundamental del modelo
de un amplificador de señal. Además, la tensión de control aplicada puede provocar que la
corriente en el tercer terminal del transistor bipolar cambie de cero a un valor elevado,
permitiendo que el dispositivo activo pueda utilizarse como un conmutador con dos
estados lógicos, que es el elemento básico en el diseño de circuitos digitales.
El transistor bipolar está formado por dos uniones p-n conectadas en oposición y dentro
de la misma red cristalina, por lo que, a diferencia de dos diodos conectados de la misma
forma, pueden interactuar entre ellas. El término bipolar refleja el hecho de que la
corriente en el dispositivo se establece en base a los dos tipos de portadores, es decir, se
debe tanto a los electrones como a los huecos. A diferencia de los transistores de unión
bipolar, que serán el objeto de estudio en este Capítulo, en los transistores unipolares o
transistores de efecto de campo (Field Effect Transistor), que analizaremos más adelante,
la corriente se establece en base a un único tipo de portador. Ambos tipos de transistores
son igualmente importantes, aunque debido a sus diferentes características, se utilizan en
diferentes áreas de aplicación. En la figura 1 se representa la estructura simplificada de un
transistor bipolar.
2.2 Configuraciones del transistor bipolar y de efecto de campo
Como ya hemos dicho la estructura del transistor son tres capas de semiconductor
dopado colocadas alternativamente en secuencia n-p-n o p-n-p. El emisor está
fuertemente dopado (n+ ), la base es estrecha y menos dopada (p) y el colector es el de
mayor tamaño (para poder disipar el calor que generan los portadores al perder energía
por pasar de la base al colector) y dopado "moderadamente" o poco dopado (n o n− ). El
transistor p-n-p es el complementario del n-p-n, pero dado que el n-p-n tiene una mejor
respuesta a alta frecuencia es el preferido y por tanto el más utilizado. En la siguiente
figura se muestran ambos transistores y su símbolo electrónico.
Al igual que en el diodo en las uniones p-n se forma una zona de agotamiento que tendrá
grosores diferentes según el dopado de cada material. Para utilizar el transistor como
amplificador, debemos polarizar la unión base-emisor directamente mientras que la unión
base-colector debe estar inversamente polarizada. Bajo esas condiciones, la zona de
agotamiento de la unión base-emisor se estrechará mientras que la zona de agotamiento
de la unión base colector se ensanchará. Su funcionamiento es el siguiente: inicialmente el
emisor inyecta portadores mayoritarios en la base en donde se convierten en portadores
minoritarios. Como la base está poco dopada, sólo algunos portadores se recombinan con
los pocos portadores de carga contraria presentes en la base y por tanto la corriente de
base es muy pequeña. Además debido a su pequeño espesor, muchos portadores son
capaces de atravesar la base y pasar al colector donde son arrastrados hasta el contacto
eléctrico.
2.2.1 Polarización en CD
Debido a que los transistores tanto el npn como el pnp no son capases de manejar las dos
polaridades de alimentación (el npn regularmente trabaja con voltaje positivo y el pnp con
negativo (se nota en las cuevas características)), se requiere un método para salvar el
problema, esto se logra con la llamada polarización la cual consta de sumar a la señal de
entrada una componente constante para así lograr que la señal que entra al transistor
tenga una sola polaridad (la adecuada según el tipo de transistor). Aunque se analizan
diversas redes, existe una similitud fundamental en el análisis de cada configuración,
debida al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas importantes para un
transistor:
VBE = 0.7 V
El término polarización es un vocablo que incluye todo lo referente a la aplicación de
voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de
transistor, el voltaje y la corriente de cd resultantes establecen un punto de operación
sobre las características, el cual define la región que se empleará para la amplificación de
la señal aplicada. Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre las características,
se le conoce también como punto quiesciente. Por definición, quiesciente significa quieto,
inmóvil, inactivo. La Figura 9 muestra una característica general de salida de un dispositivo
con cuatro puntos de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse
para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros
dentro de la región activa.
2.2.2 Limites de operación y hoja de especificaciones.
Para cada transistor existe una región de operación sobre las características, la cual
asegurará que los valores nominales máximos no sean excedidos y la señal de salida
exhibe una distorsión mínima.
Si las curvas de características no están disponibles o no aparecen en la hoja de
especificaciones (como ocurre con frecuencia), simplemente debe estar seguro
que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuación:
ICEO ≤ IC ≤ Icmáx
VCEsat ≤ VCE ≤ VCEmáx
VCEIC ≤ PCmáx
Para las características de base común la curva de potencia máxima se define por el
siguiente producto de cantidades de salida:
PCmax = VCBIC
Hoja de especificaciones
2.3 Aplicaciones del Transistor bipolar y de efecto de campo
El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS es la base de los
modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una disposición donde el MOSFET de
canal-p (generalmente "modo de enriquecimiento") y el de canal-n están conectados en
serie de manera que cuando uno está encendido, el otro está apagado.
En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del canal cuando se
operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura del terminal de drenaje y el
terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los dispositivos están típicamente (pero no
siempre) construidos simétricamente desde la fuente al desagüe. Esto hace que los FET
sean adecuados para conmutar señales analógicas entre trayectos (multiplexación). En
este concepto se basan los tablero de mezcla de estado sólido usados en la producción
musical.
Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia de entrada
y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en la configuración de drenaje
común (seguidor de fuente). Son muy comunes además en amplificadores de audio.
Los de tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de encendido del motor de
combustión interna, donde las capacidades de conmutación rápida y bloqueo de voltaje
son importantes.
2.3.1 Como interruptor
Un transistor se usa para cambiar la operación de apertura o cierre de un circuito. Este
tipo de conmutación de estado sólido ofrece una fiabilidad significativa y un costo menor
en comparación con los relés convencionales. Los transistores NPN y PNP se pueden usar
como conmutadores. Algunas aplicaciones usan un transistor de potencia como
dispositivo de conmutación, en ese momento puede ser necesario usar otro transistor de
nivel de señal para conducir el transistor de alta potencia.
Transistor NPN como un interruptor
Basado en el voltaje aplicado en el terminal de base de una operación de conmutación de
transistor. Cuando se aplica una tensión suficiente (Vin & gt; 0.7 V) entre la base y el
emisor, el voltaje entre el colector y el emisor es aproximadamente igual a 0. Por lo tanto,
el transistor actúa como un cortocircuito. La corriente del colector Vcc/Rc fluye a través
del transistor.
De manera similar, cuando no se aplica voltaje o voltaje cero en la entrada, el transistor
opera en la región de corte y actúa como un circuito abierto. En este tipo de conexión de
conmutación, la carga (aquí lámpara LED) se conecta a la salida de conmutación con un
punto de referencia. Por lo tanto, cuando el transistor está encendido, la corriente fluirá
de la fuente a tierra a través de la carga.
Mapa Mental
